JP6596412B2 - Thermosetting resin composition having diene / dienophile pair and repairability - Google Patents

Thermosetting resin composition having diene / dienophile pair and repairability Download PDF

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Description

チップサイズもしくはチップスケールパッケージ(「CSP」)、ボールグリッドアレイ(「BGA」)、ランドグリッドアレイ(「LGA」)およびこれに類するものなどの半導体デバイス(まとめて「サブコンポーネント」)、または半導体チップを、回路基板上に実装するのに有用な熱硬化性樹脂組成物を提供する。組成物の反応生成物は、適切な条件を受けると、制御良く補修可能である。   Semiconductor devices (collectively “subcomponents”), such as chip size or chip scale package (“CSP”), ball grid array (“BGA”), land grid array (“LGA”) and the like, or semiconductor chips Is provided for providing a thermosetting resin composition useful for mounting on a circuit board. The reaction product of the composition can be repaired in a controlled manner under appropriate conditions.

携帯式ディスプレイデバイスは、その人気により、近年、需要が劇的に増加している。したがって、高まる需要を満たすために、製造スルーアウトを増加する試みがなされている。製造業者にとって特に厄介な領域は、欠陥のあるサブコンポーネントの処理および取扱いである。例えば、回路基板サブアセンブリの製造中、多数の半導体デバイスが基板に電気的に接続される。その後、基板は機能を評価するためにテストされる。基板が不良である場合がある。このような場合には、不良を引き起こした半導体デバイスを特定し、基板から取り外して、残りの機能する半導体デバイスを有する基板を再使用することが望ましい。   Due to their popularity, portable display devices have increased dramatically in recent years. Accordingly, attempts are being made to increase manufacturing through-out to meet growing demand. A particularly troublesome area for manufacturers is the handling and handling of defective subcomponents. For example, during the manufacture of circuit board subassemblies, a number of semiconductor devices are electrically connected to the substrate. The substrate is then tested to evaluate function. The substrate may be defective. In such cases, it is desirable to identify the semiconductor device that caused the failure, remove it from the substrate, and reuse the substrate with the remaining functional semiconductor devices.

通常、サブコンポーネントは、はんだ接続を使用して、回路基板上の電気導体(または金属被覆)に接続される。しかし、結果として生じるサブアセンブリが、熱サイクル、振動、歪みに曝露されるか、または落下すると、回路基板とサブコンポーネントとの間のはんだ接続の信頼性は、しばしば疑わしくなる。サブコンポーネントが回路基板上に実装された後、サブコンポーネントと回路基板との間の空間は、通常、熱サイクルにより引き起こされる応力を緩和するため封止樹脂(一般にアンダーフィル封止材と呼ばれる)で満たされており、これにより熱衝撃特性が改善され、組立構造の信頼性が向上する。   Typically, subcomponents are connected to electrical conductors (or metallization) on the circuit board using solder connections. However, when the resulting subassembly is exposed to thermal cycling, vibration, strain, or falls, the reliability of the solder connection between the circuit board and the subcomponent is often questionable. After the subcomponent is mounted on the circuit board, the space between the subcomponent and the circuit board is usually with sealing resin (commonly called underfill sealant) to relieve stress caused by thermal cycling This improves thermal shock characteristics and improves the reliability of the assembly structure.

しかし、硬化する際に架橋ネットワークを形成する熱硬化性樹脂組成物が、アンダーフィル封止材として典型的に使用されるので、サブコンポーネントが回路基板上に実装された後に不良の場合には、このように形成されたサブアセンブリ全体を破壊またはスクラップせずに、サブコンポーネントを交換することは難しい。   However, since a thermosetting resin composition that forms a crosslinked network when cured is typically used as an underfill encapsulant, if the subcomponent is defective after being mounted on a circuit board, It is difficult to replace subcomponents without destroying or scraping the entire subassembly so formed.

最新技術を踏まえても、アンダーフィル封止材が、サブコンポーネントまたは半導体チップと回路基板との間のアンダーフィル空間で、毛管作用により速やかに流れること;低温条件下で速やかに硬化すること;良好な生産性およびサーマルショック耐性を与えるとともに、基板上に残っている残りのサブコンポーネントもしくは半導体チップまたは基板自体の無傷の状態を損なわない条件下で、アンダーフィル封止材と共に使用される基板が容易に加工でき、かつ、欠陥のあるサブコンポーネントまたは半導体チップから簡単に分離できること;一度回路基板上に組み立てられた欠陥のあるサブコンポーネントまたは半導体チップが不良の場合には、アンダーフィル封止材が補修可能であることが望ましい。   Even under the latest technology, the underfill encapsulant flows quickly by capillary action in the underfill space between the subcomponent or semiconductor chip and the circuit board; cures quickly under low temperature conditions; good Easy to use with underfill encapsulant under conditions that provide high productivity and thermal shock resistance and do not compromise the remaining subcomponents or semiconductor chips remaining on the substrate or the intact state of the substrate itself And can be easily separated from the defective subcomponent or semiconductor chip; if the defective subcomponent or semiconductor chip once assembled on the circuit board is defective, the underfill encapsulant is repaired It is desirable to be possible.

アンダーフィル封止材として有用な熱硬化性樹脂組成物を提供する。組成物は、短時間の熱硬化で、かつ良好な生産性で、サブコンポーネントまたは半導体チップを回路基板にしっかりと接続することを可能にし、これは、優れた熱衝撃特性(または熱サイクル特性)を示し、かつ、サブコンポーネントもしくは半導体チップまたは接続の不良の場合には、サブコンポーネントまたは半導体チップを回路基板から容易に取り外すことができるようにする。   A thermosetting resin composition useful as an underfill sealing material is provided. The composition allows the subcomponent or semiconductor chip to be firmly connected to the circuit board with short heat curing and good productivity, which has excellent thermal shock properties (or thermal cycling properties) When the subcomponent or the semiconductor chip or the connection is defective, the subcomponent or the semiconductor chip can be easily removed from the circuit board.

これらの組成物の反応生成物は、組成物を硬化させるのに使用される温度条件よりも高い温度条件への曝露などにより、接着性の軟化および喪失を通じて、制御良く補修することが可能である。   The reaction products of these compositions can be repaired in a controlled manner through softening and loss of adhesion, such as by exposure to higher temperature conditions than those used to cure the compositions. .

より具体的には、本発明の組成物は、硬化性樹脂成分および硬化剤、ならびに一態様において、少なくとも2つのカルボン酸基で官能化されたジエン/ジエノフィル対、および別の態様において、硬化性樹脂成分と反応性の少なくとも2つの基(そのうち少なくとも1つはカルボン酸基ではない)で官能化されたジエン/ジエノフィル対を提供する。   More specifically, the composition of the present invention comprises a curable resin component and a curing agent, and in one embodiment a diene / dienophile pair functionalized with at least two carboxylic acid groups, and in another embodiment, a curable composition. A diene / dienophile pair is provided that is functionalized with at least two groups that are reactive with the resin component, at least one of which is not a carboxylic acid group.

これらの態様のそれぞれにおいて、発明の組成物の反応生成物は、組成物を硬化させるのに使用される温度条件よりも高い温度条件への曝露により、制御良く分解可能である。   In each of these embodiments, the reaction product of the inventive composition is degradable in a controlled manner upon exposure to higher temperature conditions than those used to cure the composition.

本発明の組成物は、比較的低温で、短時間で硬化可能であるが、その硬化反応生成物は、優れた熱衝撃特性を有する上、加熱条件下での力の印加により、簡単に分割することができる。すなわち、本発明の熱硬化性樹脂組成物の硬化反応生成物によって回路基板に取り付けられたサブコンポーネントまたは半導体チップは、反応生成物の加熱により、簡単に取り外すことができる。   Although the composition of the present invention can be cured at a relatively low temperature in a short time, the cured reaction product has excellent thermal shock characteristics and can be easily divided by application of force under heating conditions. can do. That is, the subcomponent or semiconductor chip attached to the circuit board by the cured reaction product of the thermosetting resin composition of the present invention can be easily removed by heating the reaction product.

本発明の組成物の使用により、短時間の熱硬化で、かつ良好な生産性で、サブコンポーネントまたは半導体チップを回路基板にしっかりと接続することができ、結果として生じるサブアセンブリは、優れた熱衝撃特性(または熱サイクル特性)を示す。その上、不良の場合には、サブコンポーネントまたは半導体チップを簡単に取り外すことができる。これにより、回路基板の再使用が可能になるため、生産プロセスの歩留まりが改善され、かつ生産コストが減少する。   Through the use of the composition of the present invention, the subcomponent or semiconductor chip can be firmly connected to the circuit board with short heat curing and good productivity, and the resulting subassembly has excellent heat Indicates impact characteristics (or thermal cycle characteristics). In addition, in the case of failure, the subcomponent or semiconductor chip can be easily removed. As a result, the circuit board can be reused, so that the yield of the production process is improved and the production cost is reduced.

本発明の利益および利点は、図面を参照して「発明を実施するための形態」を読んだ後により容易に明白になる。   The benefits and advantages of the present invention will become more readily apparent after reading the Detailed Description of the Invention with reference to the drawings.

図1は、本発明の熱硬化性樹脂組成物が使用される半導体デバイスの例を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device in which the thermosetting resin composition of the present invention is used. 図2は、本発明の熱硬化性樹脂組成物が使用される半導体フリップチップアセンブリの例を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing an example of a semiconductor flip chip assembly in which the thermosetting resin composition of the present invention is used. 図3は、取り付けた回路基板から半導体デバイスを取り外すため、硬化させた熱硬化性樹脂組成物を本発明に従って補修するのに有用な手順のフロー図である。FIG. 3 is a flow diagram of a procedure useful for repairing a cured thermosetting resin composition according to the present invention to remove a semiconductor device from an attached circuit board. 図4は、サンプルA〜Dについて、温度に対する貯蔵弾性率のトレースを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a storage elastic modulus trace with respect to temperature for samples A to D. FIG. 図5は、サンプルEおよびFについて、温度に対する貯蔵弾性率のトレースを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a storage elastic modulus trace with respect to temperature for samples E and F. FIG. 図6は、サンプルLについて、温度に対する貯蔵弾性率のトレースを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a trace of storage elastic modulus with respect to temperature for sample L. FIG. 図7は、サンプルMについて、温度に対する貯蔵弾性率のトレースを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a trace of storage elastic modulus with respect to temperature for sample M. FIG. 図8は、サンプルNについて、温度に対する貯蔵弾性率のトレースを示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a storage elastic modulus trace with respect to temperature for sample N. FIG. 図9は、HYSOL UF3808について、温度に対する貯蔵弾性率のトレースを示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a storage elastic modulus trace with respect to temperature for HYSOL UF3808. 図10は、表7に示されるサンプルのそれぞれについて、温度に対するタンデルタのトレースを示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a tan delta trace against temperature for each of the samples shown in Table 7. FIG.

上記の通り、本発明の組成物は、硬化性樹脂成分および硬化剤、ならびに一態様において、少なくとも2つのカルボン酸基で官能化されたジエン/ジエノフィル対、および別の態様において、硬化性樹脂成分と反応性の少なくとも2つの基(そのうち少なくとも1つはカルボン酸基ではない)で官能化されたジエン/ジエノフィル対を提供する。   As described above, the composition of the present invention comprises a curable resin component and a curing agent, and in one embodiment a diene / dienophile pair functionalized with at least two carboxylic acid groups, and in another embodiment, a curable resin component. Provides a diene / dienophile pair functionalized with at least two groups that are reactive with at least one of which is not a carboxylic acid group.

ジエン/ジエノフィル対は、ジシクロペンタジエン、シクロペンタジエン−マレイミド、シクロペンタジエン−マレエート、シクロペンタジエン−フマレート、シクロペンタジエン−(メタ)アクリレート、シクロペンタジエン−クロトネート、シクロペンタジエン−シンナメート、シクロペンタジエン−(メタ)アクリルアミドから選択してもよく、フラン−マレイミドを選択してもよい。   The diene / dienophile pairs are dicyclopentadiene, cyclopentadiene-maleimide, cyclopentadiene-maleate, cyclopentadiene-fumarate, cyclopentadiene- (meth) acrylate, cyclopentadiene-crotonate, cyclopentadiene-cinnamate, cyclopentadiene- (meth) acrylamide Or furan-maleimide may be selected.

ジエン/ジエノフィル対のジエンは、非環状1,3−ジエン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、フラン、フルベン、ピロール、ナフタレンおよびアントラセンから選択してもよい。   The diene of the diene / dienophile pair may be selected from acyclic 1,3-diene, cyclopentadiene, cyclohexadiene, furan, fulvene, pyrrole, naphthalene and anthracene.

ジエン/ジエノフィル対のジエノフィルは、シクロペンタジエン、マレイミド、イソマレイミド、シトラコンイミド、イタコンイミド、マレエート、クロトネート、シンナメート、フマレート、(メタ)アクリレート、シアノアクリレート、ベンゾキノン、ベンゾキノンオキシム、ベンゾキノンイミン、ナフタキノン、アルキリデンマロネート、(メタ)アクリルアミド、および電子求引基を含むアルキンから選択してもよい。特に、シクロペンタジエンは、ジエンおよびジエノフィルの両方であると考えてもよい。   The diene / dienophile dienophile is cyclopentadiene, maleimide, isomaleimide, citraconimide, itaconimide, maleate, crotonate, cinnamate, fumarate, (meth) acrylate, cyanoacrylate, benzoquinone, benzoquinone oxime, benzoquinoneimine, naphthaquinone, alkylidenemalonate , (Meth) acrylamide, and alkynes containing electron withdrawing groups. In particular, cyclopentadiene may be considered both a diene and a dienophile.

ジエン/ジエノフィル対は、構造Iの範囲内の化合物:   The diene / dienophile pair is a compound within structure I:

Figure 0006596412
(式中、XはCH、C=CH、C=O、C=SまたはC=NRであり、このRはH、アルキル、アリールまたはアラルキルであり;YはO、SまたはNRであり、このRはH、アルキル、アリールまたはアラルキルであり;Aはアルキレンであり;ZはH、(メタ)アクリロイル、グリシジル、または重合性官能基、例えばエポキシ(グリシジル以外)、エピスルフィド、(メタ)アクリレート((メタ)アクリロイル以外)、(メタ)アクリルアミド、マレイミド、マレエート、フマレート、シンナメート、クロトネート、オキセタン、チオキセタン、アリル、スチレン類、オキサジン(例えばベンズオキサジン)、オキサゾリン、N−ビニルアミドおよびビニルエーテルなどを含む基であり;nは0または1であり;mは2〜4である)に包含されてもよい。
Figure 0006596412
Wherein X is CH 2 , C═CH 2 , C═O, C═S or C═NR, where R is H, alkyl, aryl or aralkyl; Y is O, S or NR Where R is H, alkyl, aryl or aralkyl; A is alkylene; Z is H, (meth) acryloyl, glycidyl, or a polymerizable functional group such as epoxy (other than glycidyl), episulfide, (meth) acrylate Groups containing (other than (meth) acryloyl), (meth) acrylamide, maleimide, maleate, fumarate, cinnamate, crotonate, oxetane, thioxetane, allyl, styrenes, oxazines (eg benzoxazine), oxazoline, N-vinylamide and vinyl ether N is 0 or 1; m is 2-4 May be included).

ジエン/ジエノフィル対は、構造IIの範囲内の化合物:   The diene / dienophile pair is a compound within structure II:

Figure 0006596412
(式中、XおよびXは、同じでありまたは異なり、それぞれ独立してCH、C=CH、C=O、C=SまたはC=NRから選択され、このRはH、アルキル、アリールまたはアラルキルであり;YおよびYは、同じでありまたは異なり、それぞれ独立してO、SまたはNRから選択され、このRはH、アルキル、アリールまたはアラルキルであり;AおよびAは、同じでありまたは異なり、それぞれ独立してアルキレンであり;ZおよびZは、同じでありまたは異なり、それぞれ独立してH、(メタ)アクリロイル、グリシジル、または重合性官能基、例えばエポキシ(グリシジル以外)、エピスルフィド、(メタ)アクリレート((メタ)アクリロイル以外)、(メタ)アクリルアミド、マレイミド、マレエート、フマレート、シンナメート、クロトネート、オキセタン、チオキセタン、アリル、スチレン類、オキサジン(例えばベンズオキサジン)、オキサゾリン、N−ビニルアミドおよびビニルエーテルなどを含む基のうちの1つもしくは複数から選択され;nおよびnは、同じでありまたは異なり、それぞれ独立して0または1である)に包含されてもよい。
Figure 0006596412
Wherein X 1 and X 2 are the same or different and are each independently selected from CH 2 , C═CH 2 , C═O, C═S or C═NR, where R is H, alkyl Y 1 and Y 2 are the same or different and are each independently selected from O, S or NR, wherein R is H, alkyl, aryl or aralkyl; A 1 and A 2 are the same or different and are each independently alkylene; Z 1 and Z 2 are the same or different and are each independently H, (meth) acryloyl, glycidyl, or a polymerizable functional group such as Epoxy (other than glycidyl), episulfide, (meth) acrylate (other than (meth) acryloyl), (meth) acrylamide, maleimide, malee DOO, fumarate, cinnamate, crotonate, oxetane, Chiokisetan, allyl, styrene, oxazine (e.g., benzoxazine), oxazolines, are selected from one or more of the group, including N- vinyl amide and vinyl ethers; n 1 and n 2 may be the same or different and each independently 0 or 1).

構造Iの範囲内の化合物としては、以下の構造IA〜IFを有するジシクロペンタジエニル(「DCPD」)のジカルボン酸の異性体が挙げられ、この場合、XはC=Oであり、YはOであり、ZはHであり、nは0である。   Compounds within structure I include dicarboxylic isomers of dicyclopentadienyl (“DCPD”) having the following structures IA-IF, where X is C═O and Y Is O, Z is H, and n is 0.

Figure 0006596412
Figure 0006596412

構造Iの範囲内の化合物の代表例(式中、XはC=Oであり、YはOであり、Zは重合性官能基を含む基であり、nは0である)としては、以下の構造A〜Eで表される化合物が挙げられる(便宜上、化合物A〜Eは、単一の構造を使用して示されるが、IA〜IFに示されるものと同様の他の異性体も、化合物A〜Eについて可能である)。   Representative examples of compounds within structure I (wherein X is C═O, Y is O, Z is a group containing a polymerizable functional group, and n is 0) include the following: (Conveniently, compounds A to E are shown using a single structure, but other isomers similar to those shown in IA to IF may be used as well. Possible for compounds A to E).

Figure 0006596412
Figure 0006596412

更に別の実施形態において、本発明は、DCPDジカルボン酸と二官能エポキシまたは多官能エポキシ樹脂との制御された方法での反応を通じて;またはジカルボン酸とDCPDジエポキシド(構造A)との反応により、鎖延長された構造Iの範囲内の化合物を提供する。   In yet another embodiment, the present invention provides for the chain through reaction of DCPD dicarboxylic acid and difunctional epoxy or polyfunctional epoxy resin in a controlled manner; or by reaction of dicarboxylic acid with DCPD diepoxide (Structure A). Compounds within the scope of extended structure I are provided.

構造Iの範囲内の化合物の鎖延長されたものの代表例(式中、XはC=Oであり、YはOであり、かつZは重合性官能基を含む基である)としては、以下の構造F〜Hが挙げられる。   Representative examples of chain extended compounds of structure I (wherein X is C = O, Y is O and Z is a group containing a polymerizable functional group) include: Structures F to H are mentioned.

Figure 0006596412
(式中、RおよびRは、同じであってもまたは異なっていてもよく、それぞれ独立して二官能エポキシ樹脂または多官能エポキシ樹脂の骨格から選択され、nは1〜10である);
Figure 0006596412
(Wherein R 1 and R 2 may be the same or different and are each independently selected from a skeleton of a bifunctional epoxy resin or a polyfunctional epoxy resin, and n is 1 to 10) ;

Figure 0006596412
(式中、構造Gにおいて、Rはジカルボン酸骨格であり;構造GおよびHにおいて、nは1〜10である)。これらの鎖延長された構造F〜Hは、構造の範囲内で、DCPD単位の頭−頭、頭−尾、または尾−頭配列を有し得る。
Figure 0006596412
(In the structure G, R 3 is a dicarboxylic acid skeleton; in structures G and H, n is 1-10). These chain-extended structures FH can have a head-to-head, head-to-tail, or tail-to-head arrangement of DCPD units within the structure.

構造Iの範囲内の化合物の代表例(式中、XはCHであり、YはOであり、AはCHであり、nは1であり、ZはH、(メタ)アクリロイルまたはグリシジル官能基である)としては、以下の構造J〜Lがそれぞれ挙げられる。
ZがHである場合、
Representative examples of compounds within the structure I (wherein X is CH 2 , Y is O, A is CH 2 , n is 1 and Z is H, (meth) acryloyl or glycidyl) Examples of the functional group) include the following structures J to L.
When Z is H,

Figure 0006596412
Zが(メタクリロイル)である場合、
Figure 0006596412
When Z is (methacryloyl)

Figure 0006596412
Zがグリシジルである場合、
Figure 0006596412
When Z is glycidyl,

Figure 0006596412
Figure 0006596412

更に別の実施形態において、DCPDのジカルボン酸から作られ、異なる官能基を有するように誘導体化された化合物を形成するために反応させた化合物が提供される。   In yet another embodiment, a compound made from DCPD dicarboxylic acid and reacted to form a compound derivatized with different functional groups is provided.

構造IIの範囲内の化合物の代表例(式中、XおよびXはそれぞれC=Oであり、YおよびYはそれぞれOであり、nおよびnはそれぞれ0であり、Zはグリシジルであり、Zは(メタ)アクリレートである)としては、以下の構造Mが挙げられる。 Representative examples of compounds within structure II (wherein X 1 and X 2 are each C═O, Y 1 and Y 2 are each O, n 1 and n 2 are each 0, Z 1 is a glycidyl, as the Z 2 is (meth) acrylate), include the following structures M.

Figure 0006596412
Figure 0006596412

当然ながら、構造IおよびIIの範囲内のDCPD誘導体を、硬化性樹脂成分および硬化剤と一緒に使用して、熱硬化性樹脂組成物を形成してもよい。   Of course, DCPD derivatives within the scope of structures I and II may be used in conjunction with a curable resin component and a curing agent to form a thermosetting resin composition.

例えば、別の態様において、熱硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂成分ならびに以下の構造Iの範囲内の化合物:   For example, in another embodiment, the thermosetting resin composition comprises a curable resin component as well as a compound within the scope of structure I below:

Figure 0006596412
(式中、XはCH、C=CH、C=O、C=SまたはC=NRであり、このRはH、アルキル、アリールまたはアラルキルであり;YはO、SまたはNRであり、このRはH、アルキル、アリールまたはアラルキルであり;Aはアルキレンであり;ZはH、(メタ)アクリロイル、グリシジル、または重合性官能基、例えばエポキシ(グリシジル以外)、エピスルフィド、(メタ)アクリレート((メタ)アクリロイル以外)、(メタ)アクリルアミド、マレイミド、マレエート、フマレート、シンナメート、クロトネート、オキセタン、チオキセタン、アリル、スチレン類、オキサジン、オキサゾリン、N−ビニルアミドおよびビニルエーテルなどを含む基であり;nは0または1であり;mは2〜4である);
ならびに/または
構造IIの範囲内の化合物:
Figure 0006596412
Wherein X is CH 2 , C═CH 2 , C═O, C═S or C═NR, where R is H, alkyl, aryl or aralkyl; Y is O, S or NR Where R is H, alkyl, aryl or aralkyl; A is alkylene; Z is H, (meth) acryloyl, glycidyl, or a polymerizable functional group such as epoxy (other than glycidyl), episulfide, (meth) acrylate (Other than (meth) acryloyl), (meth) acrylamide, maleimide, maleate, fumarate, cinnamate, crotonate, oxetane, thioxetane, allyl, styrenes, oxazine, oxazoline, N-vinylamide, vinyl ether and the like; n is 0 or 1; m is 2-4);
And / or compounds within structure II:

Figure 0006596412
(式中、XおよびXは、同じでありまたは異なり、それぞれ独立してCH、C=CH、C=O、C=SまたはC=NRから選択され、このRはH、アルキル、アリールまたはアラルキルであり;YおよびYは、同じでありまたは異なり、それぞれ独立してO、SまたはNRから選択され、このRはH、アルキル、アリールまたはアラルキルであり;AおよびAは、同じでありまたは異なり、それぞれ独立してアルキレンであり;ZおよびZは、同じでありまたは異なり、それぞれ独立してH、(メタ)アクリロイル、グリシジル、または重合性官能基、例えばエポキシ(グリシジル以外)、エピスルフィド、(メタ)アクリレート((メタ)アクリロイル以外)、(メタ)アクリルアミド、マレイミド、マレエート、フマレート、シンナメート、クロトネート、オキセタン、チオキセタン、アリル、スチレン類、オキサジン(例えばベンズオキサジン)、オキサゾリン、N−ビニルアミドおよびビニルエーテルなどを含む基のうちの1つもしくは複数から選択され;nおよびnは、同じでありまたは異なり、それぞれ独立して0または1である)を広く含む。
Figure 0006596412
Wherein X 1 and X 2 are the same or different and are each independently selected from CH 2 , C═CH 2 , C═O, C═S or C═NR, where R is H, alkyl Y 1 and Y 2 are the same or different and are each independently selected from O, S or NR, wherein R is H, alkyl, aryl or aralkyl; A 1 and A 2 are the same or different and are each independently alkylene; Z 1 and Z 2 are the same or different and are each independently H, (meth) acryloyl, glycidyl, or a polymerizable functional group such as Epoxy (other than glycidyl), episulfide, (meth) acrylate (other than (meth) acryloyl), (meth) acrylamide, maleimide, malee DOO, fumarate, cinnamate, crotonate, oxetane, Chiokisetan, allyl, styrene, oxazine (e.g., benzoxazine), oxazolines, are selected from one or more of the group, including N- vinyl amide and vinyl ethers; n 1 and n 2 are the same or different and are each independently 0 or 1).

構造Iの範囲内の化合物は、特にZが水素である場合、硬化剤またはフラクシング剤として使用できる。Z(ならびに/またはZおよび/もしくはZ)が重合性官能基を含む基である場合、構造Iおよび/またはIIの範囲内の化合物は、硬化性樹脂成分の共反応物として有用である。 Compounds within the scope of structure I can be used as curing or fluxing agents, particularly when Z is hydrogen. When Z (and / or Z 1 and / or Z 2 ) is a group containing a polymerizable functional group, a compound within the structure I and / or II is useful as a co-reactant of the curable resin component. .

加えて、組成物は、ゴム強化剤、接着促進剤、湿潤剤、着色剤、消泡剤、および流動性改質剤のうちの1つまたは複数を含んでもよい。   In addition, the composition may include one or more of rubber toughening agents, adhesion promoters, wetting agents, colorants, antifoaming agents, and flow modifiers.

硬化性樹脂成分は、ビスフェノールA、ビスフェノールFもしくはビスフェノールSエポキシ樹脂などのビスフェノール系エポキシ樹脂、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。加えて、同じ樹脂の種類内(例えばA、FまたはS)の2つ以上の異なるビスフェノールエポキシ樹脂を使用してもよい。   The curable resin component may include a bisphenol-based epoxy resin such as bisphenol A, bisphenol F or bisphenol S epoxy resin, or a combination thereof. In addition, two or more different bisphenol epoxy resins within the same resin type (eg, A, F or S) may be used.

本明細書での使用に望ましい、市販されているビスフェノールエポキシ樹脂の例としては、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(例えば、日本化薬、日本のRE−404−S、ならびに大日本インキ化学工業株式会社のEPICLON 830(RE1801)、830S(RE1815)、830A(RE1826)および830W、ならびにResolutionのRSL 1738およびYL−983U)、ならびにビスフェノールA型エポキシ樹脂(例えば、ResolutionのYL−979および980)が挙げられる。   Examples of commercially available bisphenol epoxy resins that are desirable for use herein include bisphenol F type epoxy resins (eg, Nippon Kayaku, Japanese RE-404-S, and Dainippon Ink & Chemicals, Inc.). EPICLON 830 (RE1801), 830S (RE1815), 830A (RE1826) and 830W, and Resolution RSL 1738 and YL-983U), and bisphenol A type epoxy resins (eg, Resolution YL-979 and 980).

大日本インキ化学工業株式会社から市販されている上記のビスフェノールエポキシ樹脂は、ビスフェノールAエポキシ樹脂に基づく従来のエポキシ樹脂よりも大幅に低い粘度を有する液体の非希釈エピクロロヒドリン−ビスフェノールFエポキシ樹脂として宣伝されており、液体のビスフェノールAエポキシ樹脂と同様の物理的特性を有する。ビスフェノールFエポキシ樹脂は、ビスフェノールAエポキシ樹脂よりも低い粘度を有し、他は全て2種類のエポキシ樹脂の間で同じであるため、より低い粘度と、これによる流れの速いアンダーフィル封止材料が可能となる。   The above-mentioned bisphenol epoxy resin commercially available from Dainippon Ink & Chemicals, Inc. is a liquid undiluted epichlorohydrin-bisphenol F epoxy resin having a viscosity significantly lower than that of the conventional epoxy resin based on bisphenol A epoxy resin And has the same physical properties as liquid bisphenol A epoxy resin. The bisphenol F epoxy resin has a lower viscosity than the bisphenol A epoxy resin, and everything else is the same between the two epoxy resins, so the lower viscosity and thereby the faster flow underfill sealing material It becomes possible.

Resolutionから市販されている上記のビスフェノールエポキシ樹脂は、塩化物含有量の少ない液体エポキシ樹脂として宣伝されている。ビスフェノールAエポキシ樹脂は、EEW(g/eq)が180〜195の間であり、25℃での粘度が100〜250cpsの間である。YL−979の全塩化物含有量は500〜700ppmの間と報告されており、YL−980の全塩化物含有量は、100〜300ppmの間と報告されている。RSL−1738の全塩化物含有量は500〜700ppmの間と報告されており、YL−983Uの全塩化物含有量は、150〜350ppmの間と報告されている。   The above bisphenol epoxy resins commercially available from Resolution are advertised as liquid epoxy resins with low chloride content. Bisphenol A epoxy resins have an EEW (g / eq) of between 180 and 195 and a viscosity at 25 ° C. of between 100 and 250 cps. The total chloride content of YL-979 is reported to be between 500-700 ppm, and the total chloride content of YL-980 is reported to be between 100-300 ppm. The total chloride content of RSL-1738 is reported to be between 500-700 ppm and the total chloride content of YL-983U is reported to be between 150-350 ppm.

ビスフェノールエポキシ樹脂に加えて、他のエポキシ化合物が、硬化性樹脂成分内に含まれる。例えば、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボネートなどの脂環式エポキシ樹脂を使用してもよい。粘度を調節するため、および/またはTgを低下させるために、単官能、二官能または多官能の反応性希釈剤を使用してもよく、この例としては、ブチルグリシジルエーテル、クレシルグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールグリシジルエーテルまたはポリプロピレングリコールグリシジルエーテルが挙げられる。   In addition to the bisphenol epoxy resin, other epoxy compounds are included in the curable resin component. For example, an alicyclic epoxy resin such as 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexyl carbonate may be used. Monofunctional, difunctional or polyfunctional reactive diluents may be used to adjust viscosity and / or reduce Tg, examples of which include butyl glycidyl ether, cresyl glycidyl ether, Examples include polyethylene glycol glycidyl ether or polypropylene glycol glycidyl ether.

本明細書での使用に適するエポキシ樹脂としては、フェノール化合物のポリグリシジル誘導体も挙げられ、例えば商品名EPONとして、例えばEPON 828、EPON 1001、EPON 1009およびEPON 1031として、Resolutionから市販されているもの;DER 331、DER 332、DER 334およびDER 542として、Dow Chemical Co.から市販されているもの;ならびにBREN−Sとして、日本化薬から市販されているものがある。他の適切なエポキシ樹脂としては、ポリオールおよびこれに類するものから調製されるポリエポキシド、ならびにフェノール−ホルムアルデヒドノボラックのポリグリシジル誘導体が挙げられ、後者は例えば、Dow ChemicalのDEN 431、DEN 438およびDEN 439などである。クレゾール類似体は、商品名ARALDITEとして、例えばARALDITE ECN 1235、ARALDITE ECN 1273およびARALDITE ECN 1299として、Ciba Specialty Chemicals Corporationからも市販されている。SU−8は、Resolutionから入手可能なビスフェノールA型エポキシノボラックである。アミン、アミノアルコールおよびポリカルボン酸のポリグリシジル付加物もこの発明において有用であり、市販されている樹脂としては、F.I.C.CorporationのGLYAMINE 135、GLYAMINE 125、およびGLYAMINE 115;Ciba Specialty ChemicalsのARALDITE MY−720、ARALDITE 0500、およびARALDITE 0510、ならびにSherwin−Williams Co.のPGA−XおよびPGA−Cが挙げられる。   Epoxy resins suitable for use herein also include polyglycidyl derivatives of phenolic compounds, such as those commercially available from Resolution under the trade name EPON, for example, EPON 828, EPON 1001, EPON 1009, and EPON 1031. DER 331, DER 332, DER 334 and DER 542 as Dow Chemical Co .; Commercially available from Nippon Kayaku; and as BREN-S. Other suitable epoxy resins include polyepoxides prepared from polyols and the like, and polyglycidyl derivatives of phenol-formaldehyde novolacs, such as DEN 431, DEN 438 and DEN 439 from Dow Chemical. It is. Cresol analogs are also commercially available from Ciba Specialty Chemicals Corporation under the trade name ARALDITE, for example, ARALDITE ECN 1235, ARALDITE ECN 1273 and ARALDITE ECN 1299. SU-8 is a bisphenol A type epoxy novolac available from Resolution. Polyglycidyl adducts of amines, amino alcohols and polycarboxylic acids are also useful in this invention. I. C. Corporation's GLYAMINE 135, GLYAMINE 125, and GLYAMINE 115; Ciba Specialty Chemicals' ARALDITE MY-720, ARALDITE 0500, and ARALDITE 0510, and Sherwin-Williams Co. PGA-X and PGA-C.

本明細書での使用に適する単官能エポキシ共反応希釈剤としては、エポキシ樹脂成分よりも低い、通常、約250cps未満の粘度を有するものが挙げられる。   Monofunctional epoxy co-reactive diluents suitable for use herein include those having a viscosity, typically less than about 250 cps, lower than the epoxy resin component.

単官能エポキシ共反応希釈剤は、約6〜約28個の炭素原子のアルキル基のあるエポキシ基を有するべきであり、この例としては、C6〜28アルキルグリシジルエーテル、C6〜28脂肪酸グリシジルエステルおよびC6〜28アルキルフェノールグリシジルエーテルが挙げられる。 The monofunctional epoxy co-reaction diluent should have an epoxy group with an alkyl group of about 6 to about 28 carbon atoms, examples of which include C 6-28 alkyl glycidyl ether, C 6-28 fatty acid glycidyl. Examples include esters and C6-28 alkylphenol glycidyl ethers.

このような単官能エポキシ共反応希釈剤が含まれる場合には、共反応希釈剤は、組成物の合計重量に対して、最大で約5重量パーセント〜約15重量パーセントの量で、例えば約8重量パーセント〜約12重量パーセントの量で、用いられるべきである。   When such a monofunctional epoxy co-reactive diluent is included, the co-reactive diluent is in an amount up to about 5 weight percent to about 15 weight percent, for example about 8 weight percent, based on the total weight of the composition. Should be used in an amount from weight percent to about 12 weight percent.

エポキシ官能性を有する化合物および樹脂に加えて、エピスルフィド、オキセタン、チオキセタン、オキサジン(例えばベンズオキサジン)、オキサゾリン、マレイミド、イタコンアミド、ナドイミド、シアン酸エステル、(メタ)アクリレート、およびこれらの組み合わせのうちの1つまたは複数の官能基を有する化合物および樹脂を使用してもよい。   In addition to compounds and resins having epoxy functionality, of episulfides, oxetanes, thioxetanes, oxazines (eg benzoxazines), oxazolines, maleimides, itaconamides, nadimides, cyanate esters, (meth) acrylates, and combinations thereof Compounds and resins having one or more functional groups may be used.

エピスルフィド官能性を有する化合物および樹脂は、エポキシ樹脂のいずれかを硫化したものであってもよい。オキセタンは、エポキシ樹脂のいずれかを四員酸素含有環にしたものであってもよく、チオキセタンは、オキセタンを硫化したものであってもよい。   Compounds and resins having episulfide functionality may be those obtained by sulfurizing any of the epoxy resins. Oxetane may be one in which an epoxy resin is a four-membered oxygen-containing ring, and thioxetane may be one obtained by sulfurizing oxetane.

ベンズオキサジンなどのオキサジンは、   Oxazines such as benzoxazine

Figure 0006596412
(式中、oは1〜4であり、Xは、直接結合(oが2の場合)、アルキル(oが1の場合)、アルキレン(oが2〜4の場合)、カルボニル(oが2の場合)、チオール(oが1の場合)、チオエーテル(oが2の場合)、スルホキシド(oが2の場合)、もしくはスルホン(oが2の場合)から選択され、Rはアリールである)、または、
Figure 0006596412
(Wherein, o is 1 to 4, and X is a direct bond (when o is 2), alkyl (when o is 1), alkylene (when o is 2 to 4), carbonyl (o is 2) And thioether (when o is 1), thioether (when o is 2), sulfoxide (when o is 2), or sulfone (when o is 2), and R 1 is aryl. ) Or

Figure 0006596412
(式中、pは2であり、Yは、ビフェニル(pが2の場合)、ジフェニルメタン(pが2の場合)、ジフェニルイソプロパン(pが2の場合)、ジフェニルスルフィド(pが2の場合)、ジフェニルスルホキシド(pが2の場合)、ジフェニルスルホン(pが2の場合)、またはジフェニルケトン(pが2の場合)から選択され、Rは水素、ハロゲン、アルキルまたはアルケニルから選択される)に包含され得る。
Figure 0006596412
(Wherein p is 2 and Y is biphenyl (when p is 2), diphenylmethane (when p is 2), diphenylisopropane (when p is 2), diphenyl sulfide (when p is 2) ), Diphenyl sulfoxide (when p is 2), diphenyl sulfone (when p is 2), or diphenyl ketone (when p is 2), R 4 is selected from hydrogen, halogen, alkyl or alkenyl ).

シアン酸エステルは、それぞれの分子に少なくとも1つのシアン酸エステル基を有するアリール化合物から選択してもよく、一般に式Ar(OCN)(式中、mは2〜5の整数であり、Arは芳香族ラジカルである)で表すことができる。芳香族ラジカルArは、少なくとも6個の炭素原子を含み、例えば、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、ピレンまたはこれに類するものなどの芳香族炭化水素から誘導され得る。芳香族ラジカルArは、少なくとも2つの芳香環が橋かけ基により互いに結合した、多核芳香族炭化水素からも誘導され得る。ノボラック型フェノール樹脂から誘導される芳香族ラジカル、すなわち、これらのフェノール樹脂のシアン酸エステルも含まれる。芳香族ラジカルArは更に、環に結合した非反応性の置換基を含んでもよい。 The cyanate ester may be selected from aryl compounds having at least one cyanate ester group in each molecule and is generally of the formula Ar (OCN) m , where m is an integer from 2 to 5, It is an aromatic radical. The aromatic radical Ar contains at least 6 carbon atoms and can be derived from aromatic hydrocarbons such as, for example, benzene, biphenyl, naphthalene, anthracene, pyrene or the like. The aromatic radical Ar can also be derived from polynuclear aromatic hydrocarbons in which at least two aromatic rings are linked together by a bridging group. Aromatic radicals derived from novolak type phenol resins, that is, cyanate esters of these phenol resins are also included. The aromatic radical Ar may further comprise a non-reactive substituent bonded to the ring.

このようなシアン酸エステルの例としては、例えば、1,3−ジシアナトベンゼン;1,4−ジシアナトベンゼン;1,3,5−トリシアナトベンゼン;1,3−、1,4−、1,6−、1,8−、2,6−または2,7−ジシアナトナフタレン;1,3,6−トリシアナトナフタレン;4,4’−ジシアナト−ビフェニル;ビス(4−シアナトフェニル)メタンおよび3,3’,5,5’−テトラメチルビス(4−シアナトフェニル)メタン;2,2−ビス(3,5−ジクロロ−4−シアナトフェニル)プロパン;2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4−ジシアナトフェニル)プロパン;ビス(4−シアナトフェニル)エーテル;ビス(4−シアナトフェニル)スルフィド;2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン;トリス(4−シアナトフェニル)ホスファイト;トリス(4−シアナトフェニル)ホスフェート;ビス(3−クロロ−4−シアナトフェニル)メタン;シアネート化ノボラック;1,3−ビス[4−シアナトフェニル−1−(メチルエチリデン)]ベンゼンおよびシアネート化ビスフェノール末端ポリカーボネートまたは他の熱可塑性オリゴマーが挙げられる。   Examples of such cyanate esters include, for example, 1,3-dicyanatobenzene; 1,4-dicyanatobenzene; 1,3,5-tricyanatobenzene; 1,3-, 1,4-, 1 , 6-, 1,8-, 2,6- or 2,7-dicyanatonaphthalene; 1,3,6-tricyanatonaphthalene; 4,4′-dicyanato-biphenyl; bis (4-cyanatophenyl) methane And 3,3 ′, 5,5′-tetramethylbis (4-cyanatophenyl) methane; 2,2-bis (3,5-dichloro-4-cyanatophenyl) propane; 2,2-bis (3 , 5-dibromo-4-dicyanatophenyl) propane; bis (4-cyanatophenyl) ether; bis (4-cyanatophenyl) sulfide; 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane; − Anatophenyl) phosphite; tris (4-cyanatophenyl) phosphate; bis (3-chloro-4-cyanatophenyl) methane; cyanated novolak; 1,3-bis [4-cyanatophenyl-1- (methyl) Ethylidene)] benzene and cyanated bisphenol-terminated polycarbonate or other thermoplastic oligomers.

(メタ)アクリレート官能性を有する化合物および樹脂は、多くの材料から選択してもよく、例えば、HC=CGCO(式中、Gは、水素、ハロゲン、または1〜約4個の炭素原子を有するアルキル基であってもよく、Rは、1〜約16個の炭素原子を有するアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルカリール、アラルキルまたはアリール基から選択してもよく、これらはいずれも、任意選択で、シラン、ケイ素、酸素、ハロゲン、カルボニル、ヒドロキシル、エステル、カルボン酸、尿素、ウレタン、カルボネート、アミン、アミド、硫黄、スルホネート、スルホンおよびこれに類するもので、任意で置換されるかまたは分断されてもよい)で表されるものがある。 Compounds and resins having (meth) acrylate functionality may be selected from a number of materials, such as H 2 C═CGCO 2 R 1 , where G is hydrogen, halogen, or 1 to about 4 R 1 may be selected from alkyl, cycloalkyl, alkenyl, cycloalkenyl, alkaryl, aralkyl, or aryl groups having from 1 to about 16 carbon atoms , Any of these are optional, silane, silicon, oxygen, halogen, carbonyl, hydroxyl, ester, carboxylic acid, urea, urethane, carbonate, amine, amide, sulfur, sulfonate, sulfone and the like, optional May be substituted with or separated from each other.

本明細書での使用に適する追加の(メタ)アクリレートとしては、多官能(メタ)アクリレートモノマー、例えば、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレートのような二−または三−官能(メタ)アクリレート、テトラヒドロフラン(メタ)アクリレートおよびジ(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート(「HPMA」)、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート(「TMPTMA」)、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート(「TRIEGMA」)、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ジプロピレングリコールジメタクリレート、ジ−(ペンタメチレングリコール)ジメタクリレート、テトラエチレンジグリコールジアクリレート、ジグリセロールテトラメタクリレート、テトラメチレンジメタクリレート、エチレンジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレートならびにビスフェノールAモノおよびジ(メタ)アクリレート、例えばエトキシル化ビスフェノールA(メタ)アクリレート(「EBIPMA」)、ならびにビスフェノールFモノおよびジ(メタ)アクリレート、例えばエトキシル化ビスフェノールF(メタ)アクリレートが挙げられる。   Additional (meth) acrylates suitable for use herein include polyfunctional (meth) acrylate monomers such as di- or tri-functional (meth) acrylates such as polyethylene glycol di (meth) acrylate, tetrahydrofuran ( (Meth) acrylate and di (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate ("HPMA"), hexanediol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate ("TMPTMA"), diethylene glycol dimethacrylate, triethylene Glycol dimethacrylate ("TRIEGMA"), tetraethylene glycol dimethacrylate, dipropylene glycol dimethacrylate, di- (pentamethylene glycol) dimethacrylate, tetra Tylene diglycol diacrylate, diglycerol tetramethacrylate, tetramethylene dimethacrylate, ethylene dimethacrylate, neopentyl glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate and bisphenol A mono- and di (meth) acrylates such as ethoxylated bisphenol A (meth) Acrylates ("EBIPMA"), and bisphenol F mono and di (meth) acrylates such as ethoxylated bisphenol F (meth) acrylate.

加えて、(メタ)アクリレート官能性を有するポリアクリレートを使用してもよい。特に望ましいものは、単一電子移動リビングラジカル重合技術などの制御還元重合技術を通じて調製されるものである。米国特許第5,807,937号(Matyjaszawski)、米国特許出願公開第2010/0331493号(Percec)、および米国特許出願公開第2011/0060157号(Glaser)を参照。   In addition, polyacrylates having (meth) acrylate functionality may be used. Particularly desirable are those prepared through controlled reduction polymerization techniques such as single electron transfer living radical polymerization techniques. See US Pat. No. 5,807,937 (Matyjaszwski), US Patent Application Publication No. 2010/0331493 (Percec), and US Patent Application Publication No. 2011/0060157 (Glaser).

本明細書で使用してもよい更に他の(メタ)アクリレートとしては、シリコーン(メタ)アクリレート部分(「SiMA」)、例えば、米国特許第5,605,999号(Chu)により教示され、特許請求されるものが挙げられ、この開示は、ここで明確に参照により本明細書に組み込まれる。   Still other (meth) acrylates that may be used herein are taught by silicone (meth) acrylate moieties (“SiMA”), eg, US Pat. No. 5,605,999 (Chu), This disclosure is hereby expressly incorporated herein by reference, including what is claimed.

当然ながら、これらの(メタ)アクリレートの組み合わせを使用してもよい。   Of course, combinations of these (meth) acrylates may also be used.

硬化性樹脂成分は、約10重量パーセント〜約95重量パーセント、望ましくは約20重量パーセント〜約80重量パーセント、例えば約40重量パーセント〜約65重量パーセントの範囲の量で、組成物中に存在するべきである。   The curable resin component is present in the composition in an amount ranging from about 10 weight percent to about 95 weight percent, desirably from about 20 weight percent to about 80 weight percent, such as from about 40 weight percent to about 65 weight percent. Should.

エポキシ樹脂用硬化剤として、イミダゾール、ジシアンジミド、カルボン酸、無水物、フェノール性ハードナー、アミン、チオール、アルコールおよびアルカリを使用してもよい。   As a curing agent for epoxy resin, imidazole, dicyandiimide, carboxylic acid, anhydride, phenolic hardener, amine, thiol, alcohol and alkali may be used.

イミダゾールとしては、イミダゾールおよびその誘導体が挙げられ、例えば、イソイミダゾール、イミダゾール、アルキル置換されたイミダゾール、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2,4−ジメチルイミダゾール、ブチルイミダゾール、2−ヘプタデセニル−4−メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−ウンデセニルイミダゾール、1−ビニル−2−メチルイミダゾール、2−n−ヘプタデシルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−エチル4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−プロピル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−グアナミノエチル−2−メチルイミダゾールならびにイミダゾールであるメチルイミダゾールの付加生成物およびイミダゾールとトリメリト酸との付加生成物、2−n−ヘプタデシル−4−メチルイミダゾールならびにこれに類するものであって、一般に、それぞれのアルキル置換基は、最大約17個の炭素原子、望ましくは最大約6個の炭素原子を含むもの;アリール置換されたイミダゾール、例えば、フェニルイミダゾール、ベンジルイミダゾール、2−メチル−4,5−ジフェニルイミダゾール、2,3,5−トリフェニルイミダゾール、2−スチリルイミダゾール、1−(ドデシルベンジル)−2−メチルイミダゾール、2−(2−ヒドロキシル−4−t−ブチルフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、2−(2−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、2−(3−ヒドロキシフェニル)−4−,5−ジフェニルイミダゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、2−(2−ヒドロキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、ジ(4,5−ジフェニル−2−イミダゾール)−ベンゼン−1,4,2−ナフチル−4,5−ジフェニルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2−p−メトキシスチリルイミダゾール、ならびにこれに類するものであって、一般に、それぞれのアリール置換基は、最大約10個の炭素原子、望ましくは最大約8個の炭素原子を含むものが挙げられる。   Examples of imidazole include imidazole and derivatives thereof, such as isoimidazole, imidazole, alkyl-substituted imidazole, such as 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, and butylimidazole. 2-heptadecenyl-4-methylimidazole, 2-methylimidazole, 2-undecenylimidazole, 1-vinyl-2-methylimidazole, 2-n-heptadecylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole 2-phenylimidazole, 2-ethyl 4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-propyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyano Tyr-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-guanaminoethyl-2-methylimidazole and addition products of imidazole methylimidazole and imidazole And n-heptadecyl-4-methylimidazole, and the like, wherein each alkyl substituent generally has a maximum of about 17 carbon atoms, preferably a maximum of about 6 Containing 1 carbon atom; aryl-substituted imidazoles such as phenylimidazole, benzylimidazole, 2-methyl-4,5-diphenylimidazole, 2,3,5-triphenylimidazole, 2-styrylimidazole, 1- (Dodeci Benzyl) -2-methylimidazole, 2- (2-hydroxyl-4-tert-butylphenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (2-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (3 -Hydroxyphenyl) -4-, 5-diphenylimidazole, 2- (p-dimethylaminophenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (2-hydroxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole, di (4 5-diphenyl-2-imidazole) -benzene-1,4,2-naphthyl-4,5-diphenylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-p-methoxystyrylimidazole, and the like. In general, each aryl substituent has a maximum of about 10 carbon atoms, preferably Those containing up to about 8 carbon atoms.

フリーラジカル硬化系用の硬化剤として、ペルオキシドは適切な選択である。例えばヒドロペルオキシド、例えばクメンヒドロペルオキシド(「CHP」)、パラ−メンタンヒドロペルオキシド、t−ブチルヒドロペルオキシド(「TBH」)およびt−ブチルペルベンゾエートを使用してもよい。他の有用なペルオキシドとしては、ベンゾイルペルオキシド、ジベンゾイルペルオキシド、1,3−ビス(t−ブチルペルオキシイソプロピル)ベンゼン、ジアセチルペルオキシド、ブチル4,4−ビス(t−ブチルペルオキシ)バレレート、p−クロロベンゾイルペルオキシド、t−ブチルクミルペルオキシド、ジ−t−ブチルペルオキシド、ジクミルペルオキシド、2,5−ジメチル−2,5−ジ−t−ブチルペルオキシヘキサン、2,5−ジメチル−2,5−ジ−t−ブチル−ペルオキシヘキサ−3−イン、4−メチル−2,2−ジ−t−ブチルペルオキシペンタンおよびこれらの組み合わせが挙げられる。   As a curing agent for free radical curing systems, peroxide is a suitable choice. For example, hydroperoxides such as cumene hydroperoxide ("CHP"), para-menthane hydroperoxide, t-butyl hydroperoxide ("TBH") and t-butyl perbenzoate may be used. Other useful peroxides include benzoyl peroxide, dibenzoyl peroxide, 1,3-bis (t-butylperoxyisopropyl) benzene, diacetyl peroxide, butyl 4,4-bis (t-butylperoxy) valerate, p-chlorobenzoyl Peroxide, t-butylcumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di-t-butylperoxyhexane, 2,5-dimethyl-2,5-di- t-Butyl-peroxyhex-3-yne, 4-methyl-2,2-di-t-butylperoxypentane and combinations thereof.

硬化剤は、全組成物の約0.05重量パーセント〜約10重量パーセント、望ましくは約0.1重量パーセント〜約5重量パーセントの範囲、例えば約1重量パーセントの量で存在するべきである。   The curing agent should be present in an amount ranging from about 0.05 weight percent to about 10 weight percent of the total composition, desirably from about 0.1 weight percent to about 5 weight percent, for example about 1 weight percent.

無機フィラー成分を使用してもよく、無機フィラー成分としては、補強性シリカ、例えば溶融シリカが挙げられ、これは未処理でもよく、または表面の化学的性質を変更するために、処理されていてもよい。しかし、無機フィラー成分は、平均粒子径分布が1〜1,000ナノメートル(「nm」)の範囲である粒子を含む。このようなフィラー粒子の市販されている例は、商品名NANOPOX、例えばNANOPOX XP 22として、Hans Chemie、Germanyから販売されている。NANOPOXフィラーは、最大約50重量パーセント程度の、エポキシ樹脂中の単分散シリカフィラー分散体である。NANOPOXフィラーは、通常、粒子径が約5nm〜約80nmであると考えられる。また、NANOPOX XP 22は、ビスフェノールFエポキシ樹脂のジグリシジルエーテル中に、粒子径が約15nmのシリカ粒子を40重量パーセント含むと報告されている。   Inorganic filler components may be used, and inorganic filler components include reinforcing silica, such as fused silica, which may be untreated or treated to alter the surface chemistry. Also good. However, the inorganic filler component includes particles having an average particle size distribution in the range of 1 to 1,000 nanometers (“nm”). Commercially available examples of such filler particles are sold by Hans Chemie, Germany under the trade name NANOPOX, for example NANOPOX XP 22. NANOPOX filler is a monodispersed silica filler dispersion in epoxy resin up to about 50 weight percent. NANOPOX filler is usually considered to have a particle size of about 5 nm to about 80 nm. NANOPOX XP 22 is reported to contain 40 weight percent of silica particles having a particle size of about 15 nm in diglycidyl ether of bisphenol F epoxy resin.

Hans Chemieは、NANOPOX Eの取引表示でも材料を生産している。例えば、Hans Chemieは、NANOPOX Eブランド製品が、他の方法での封止が難しい電子部品の完全な含浸を可能とし、広い範囲の機械的および熱的特性、例えば収縮および熱膨張の減少、破壊靭性、ならびに弾性率を提供すると報告している。以下の表Aにおいて、Hans Chemieは、記載された4つのNANOPOX E製品について、情報を提供している。   Hans Chemie also produces materials on the NANOPOX E transaction label. For example, Hans Chemie enables NANOPOX E brand products to fully impregnate electronic components that are otherwise difficult to seal, with a wide range of mechanical and thermal properties such as reduced shrinkage and thermal expansion, destruction It reports to provide toughness as well as elastic modulus. In Table A below, Hans Chemie provides information on the four NANOPOX E products listed.

Figure 0006596412
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Hans Chemieは、エポキシ配合物において、NANOPOX Eブランド製品の使用により、重要な特性を著しく改善できると報告している。例えば、
・従来の強化フィラーと比較して低い配合物の粘度
・沈降しない
・破壊靭性、耐衝撃性および弾性率の増加
・耐擦傷性および耐摩耗性の改善
・収縮および熱膨張の減少
・多数の所望の特性、例えば熱的安定性、耐薬品性、ガラス転移温度、耐候性、誘電特性において、改善または少なくとも悪影響がない
Hans Chemie reports that the use of NANOPOX E brand products in epoxy formulations can significantly improve important properties. For example,
・ Low viscosity compared to conventional reinforcing fillers ・ No sedimentation ・ Increased fracture toughness, impact resistance and elastic modulus ・ Improved scratch resistance and wear resistance ・ Reduced shrinkage and thermal expansion ・ Many desired There is no improvement or at least no adverse effect on the properties of the material such as thermal stability, chemical resistance, glass transition temperature, weather resistance, dielectric properties

NANOPOX Eと従来のフィラー、例えば石英との組み合わせにより、配合物中の樹脂含有量の減少が可能になり、これは、これまで達成していないレベルまで全フィラー含有量を増加できることを意味する。   The combination of NANOPOX E and conventional fillers, such as quartz, allows a reduction in the resin content in the formulation, which means that the total filler content can be increased to a level not previously achieved.

加工性は、それぞれのベース樹脂と比較して、本質的に変化していないままである。   Processability remains essentially unchanged compared to the respective base resin.

NANOPOX Eは、粘度の過剰の増加(ヒュームドシリカで知られている)により加工性を損なうことなく、上記の特性の改善が所望されるかまたは必要である用途で使用される。用途の例は、カプセル化材料およびコーティングである。NANOPOX Eの優れた含浸特性を強調することが重要であり、これは、粒子径が小さいことおよび凝集物がないことによる。これは、他の方法での封止が難しい電子部品の完全な含浸も可能にする。   NANOPOX E is used in applications where an improvement in the above properties is desired or necessary without compromising processability due to an excessive increase in viscosity (known for fumed silica). Examples of applications are encapsulating materials and coatings. It is important to emphasize the excellent impregnation properties of NANOPOX E, due to the small particle size and the absence of agglomerates. This also allows complete impregnation of electronic components that are otherwise difficult to seal.

製造業者によると、NANOPOX Eブランド製品は、エポキシ樹脂マトリックス中のコロイダルシリカゾルである。分散相は、表面が改質された球形SiOナノ粒子から構成され、これは、直径が50nm未満であり、極めて狭い粒子径分布を有する。これらの球は、サイズがわずか数ナノメートルであり、樹脂マトリックス中に凝集物のない状態で分布している。これにより、SiO含有量が最大40重量パーセントの非常に低い粘度の分散体が生成される。ナノ粒子は、ケイ酸ナトリウム水溶液から化学的に合成される。 According to the manufacturer, the NANOPOX E brand product is a colloidal silica sol in an epoxy resin matrix. The dispersed phase is composed of spherical SiO 2 nanoparticles with a modified surface, which is less than 50 nm in diameter and has a very narrow particle size distribution. These spheres are only a few nanometers in size and are distributed without agglomerates in the resin matrix. This produces a very low viscosity dispersion with a SiO 2 content of up to 40 weight percent. Nanoparticles are chemically synthesized from aqueous sodium silicate solutions.

無機フィラー成分として使用するための他の望ましい材料としては、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、シリカコーティングした窒化アルミニウム、窒化ホウ素およびこれらの組み合わせから構成されるか、またはこれらを含むものが挙げられるが、これには当然ながら、平均粒子径分布を1〜1,000nmの範囲に有する粒子であるという条件が付く。   Other desirable materials for use as the inorganic filler component include those composed of or including aluminum oxide, silicon nitride, aluminum nitride, silica-coated aluminum nitride, boron nitride and combinations thereof. However, this naturally has the condition that the particles have an average particle size distribution in the range of 1 to 1,000 nm.

無機フィラー成分は、組成物の約10〜約80重量パーセント、例えば約12〜約60重量パーセントの量で、望ましくは約15〜約35重量パーセントの範囲内の量で、使用されるべきである。   The inorganic filler component should be used in an amount of about 10 to about 80 weight percent of the composition, such as about 12 to about 60 weight percent, desirably in an amount in the range of about 15 to about 35 weight percent. .

加えて、接着促進剤、例えば、シラン、グリシジルトリメトキシシラン(OSIから取引表示A−187として市販されている)またはガンマ−アミノプロピルトリエトキシシラン(OSIから取引表示A−1100として市販されている)を使用してもよい。   In addition, adhesion promoters such as silane, glycidyltrimethoxysilane (commercially available from OSI as trade designation A-187) or gamma-aminopropyltriethoxysilane (commercially available from OSI as trade designation A-1100). ) May be used.

組成物、硬化反応生成物、またはその両方について、ある一定の所望の物理的特性を達成するために、従来の添加剤も本発明の組成物中で使用してよい。   Conventional additives may also be used in the compositions of the present invention to achieve certain desired physical properties for the composition, the cured reaction product, or both.

熱硬化性樹脂組成物は、回路基板と半導体デバイスとの間の空間内へと浸透でき、この方法で、アンダーフィル封止材として機能する。本発明のこれらの組成物は、少なくとも高温条件下で、減少した粘度も示すので、上記空間内へと浸透できる。25℃での粘度が5,000mPa・s以下、例えば300〜2,000mPa・sに達するように、様々な成分の種類および割合を選択することにより、熱硬化性樹脂組成物を調製することが望ましく、これにより、回路基板と半導体デバイスとの間の空間(例えば10〜500μm)内へのその浸透性が改善される。   The thermosetting resin composition can penetrate into the space between the circuit board and the semiconductor device, and functions as an underfill encapsulant in this manner. These compositions of the present invention also show a reduced viscosity, at least under high temperature conditions, so that they can penetrate into the space. A thermosetting resin composition can be prepared by selecting the types and proportions of various components so that the viscosity at 25 ° C. reaches 5,000 mPa · s or less, for example, 300 to 2,000 mPa · s. Desirably, this improves its permeability into the space between the circuit board and the semiconductor device (eg 10-500 μm).

図1を参照すると、CSPなどのサブコンポーネントの例を示されており、ここでは本発明の熱硬化性樹脂組成物が使用されている。   Referring to FIG. 1, there is shown an example of a subcomponent such as CSP, in which the thermosetting resin composition of the present invention is used.

半導体デバイス4は、半導体チップ2をキャリア基板1に接続し、これらの間の空間を適宜、樹脂3で封止することにより形成される。この半導体デバイスは、回路基板5の所定の位置に実装され、はんだなどの適切な接続手段により、電極8および9が電気的に接続される。信頼性を改善するために、キャリア基板1と回路基板5との間の空間は、熱硬化性樹脂組成物の硬化生成物10で封止される。熱硬化性樹脂組成物の硬化生成物10は、キャリア基板1と回路基板5との間の空間を完全に満たす必要はないが、熱サイクルにより引き起こされる応力を緩和する程度に空間を満たしてもよい。   The semiconductor device 4 is formed by connecting the semiconductor chip 2 to the carrier substrate 1 and appropriately sealing the space between them with the resin 3. This semiconductor device is mounted at a predetermined position on the circuit board 5, and the electrodes 8 and 9 are electrically connected by appropriate connecting means such as solder. In order to improve the reliability, the space between the carrier substrate 1 and the circuit board 5 is sealed with a cured product 10 of a thermosetting resin composition. The cured product 10 of the thermosetting resin composition does not need to completely fill the space between the carrier substrate 1 and the circuit board 5, but even if the space is filled to the extent that the stress caused by the thermal cycle is relieved. Good.

キャリア基板は、Al、SiNおよびムライト(Al−SiO)で作られるセラミック基板;ポリイミドなどの耐熱樹脂から作られる基板またはテープ;ガラス強化エポキシ、ABS、およびフェノール基板であって、回路基板としても一般に使用されるもの;ならびにこれに類するものから構成してもよい。 The carrier substrate is a ceramic substrate made of Al 2 O 3 , SiN 3 and mullite (Al 2 O 3 —SiO 2 ); a substrate or tape made of a heat-resistant resin such as polyimide; glass reinforced epoxy, ABS, and phenolic substrate The circuit board may be generally used; as well as the like.

フリップチップアセンブリに関して、図2を参照すると、半導体チップが回路基板に実装されたフリップチップアセンブリが示されており、アンダーフィルは熱硬化性樹脂組成物で封止されている。   With respect to the flip chip assembly, referring to FIG. 2, a flip chip assembly in which a semiconductor chip is mounted on a circuit board is shown, and the underfill is sealed with a thermosetting resin composition.

フリップチップアセンブリ24は、半導体チップ22を回路基板21に接続し、これらの間の空間を適宜、熱硬化性樹脂組成物23で封止することにより形成される。この半導体デバイスは、回路基板21上で所定の位置に実装され、はんだなどの適切な電気的接続手段27および28により、電極25および26が電気的に接続される。信頼性を改善するために、半導体チップ22と回路基板21との間の空間は、熱硬化性樹脂組成物23で封止され、その後硬化される。熱硬化性樹脂組成物の硬化生成物は、この空間を完全に満たすべきである。   The flip chip assembly 24 is formed by connecting the semiconductor chip 22 to the circuit board 21 and appropriately sealing the space between them with the thermosetting resin composition 23. This semiconductor device is mounted at a predetermined position on the circuit board 21 and the electrodes 25 and 26 are electrically connected by appropriate electrical connection means 27 and 28 such as solder. In order to improve reliability, the space between the semiconductor chip 22 and the circuit board 21 is sealed with the thermosetting resin composition 23 and then cured. The cured product of the thermosetting resin composition should completely fill this space.

半導体チップをキャリア基板に電気的に接続する手段は特に限定されず、高融点はんだまたは導電性(もしくは異方導電性)接着剤による接続、ワイヤボンディングおよびこれに類するものを用いることができる。接続を容易にするために、電極をバンプとして形成してもよい。更に、接続の信頼性および耐久性を改善するために、半導体チップとキャリア基板との間の空間を適切な樹脂で封止してもよい。本発明で使用できる半導体デバイスとしては、CSP、BGAおよびLGAが挙げられる。   The means for electrically connecting the semiconductor chip to the carrier substrate is not particularly limited, and connection using high melting point solder or conductive (or anisotropic conductive) adhesive, wire bonding, and the like can be used. In order to facilitate connection, the electrodes may be formed as bumps. Furthermore, in order to improve the reliability and durability of the connection, the space between the semiconductor chip and the carrier substrate may be sealed with an appropriate resin. Examples of semiconductor devices that can be used in the present invention include CSP, BGA, and LGA.

回路基板は、ガラス強化エポキシ、ABS、ベンズオキサジンおよびフェノール樹脂などの一般的な材料から構成してもよい。   The circuit board may be composed of common materials such as glass reinforced epoxy, ABS, benzoxazine and phenolic resin.

次に、実装プロセスにおいて、回路基板の必要な位置にクリームはんだを印刷し、適宜乾燥して溶媒を除去する。その後、回路基板上のパターンに従って、半導体デバイスを実装する。この回路基板をリフロー炉に通過させて、はんだを溶融することにより、半導体デバイスをはんだ付けする。半導体デバイスと回路基板との間の電気的接続はクリームはんだの使用に限定されず、はんだボールの使用により形成してもよい。あるいは、この接続は、導電性接着剤または異方導電性接着剤により形成してもよい。更に、クリームはんだまたはこれに類するものは、回路基板または半導体デバイスのどちらの上に塗布または形成してもよい。続く修繕を容易にするために、使用されるはんだ、導電性または異方導電性接着剤は、その融点、接合強度、およびこれに類するものを念頭において選択されるべきである。   Next, in the mounting process, cream solder is printed at a required position on the circuit board, and dried appropriately to remove the solvent. Thereafter, the semiconductor device is mounted according to the pattern on the circuit board. By passing the circuit board through a reflow furnace and melting the solder, the semiconductor device is soldered. The electrical connection between the semiconductor device and the circuit board is not limited to the use of cream solder, but may be formed by using solder balls. Alternatively, this connection may be formed by a conductive adhesive or an anisotropic conductive adhesive. Furthermore, cream solder or the like may be applied or formed on either a circuit board or a semiconductor device. In order to facilitate subsequent repairs, the solder, conductive or anisotropic conductive adhesive used should be selected with its melting point, joint strength, and the like in mind.

この方法で半導体デバイスが回路基板に電気的に接続された後、結果として生じる構造について、通常、導通テストまたはこれに類するものを実施するべきである。このようなテストに合格した後、半導体デバイスを樹脂組成物でそこへ固定してもよい。この方法において、不良の場合には、樹脂組成物で固定する前に半導体デバイスを取り外すことが更に簡単である。   After the semiconductor device is electrically connected to the circuit board in this manner, the resulting structure should usually be subjected to a continuity test or the like. After passing such a test, the semiconductor device may be fixed thereto with a resin composition. In this method, in the case of failure, it is easier to remove the semiconductor device before fixing with the resin composition.

その後、熱硬化性樹脂組成物を半導体デバイスの周囲に塗布してもよい。この組成物が半導体デバイスに塗布される際、組成物は毛管作用によって、回路基板と半導体デバイスのキャリア基板との間の空間内へと浸透する。   Thereafter, the thermosetting resin composition may be applied around the semiconductor device. When this composition is applied to a semiconductor device, the composition penetrates into the space between the circuit board and the carrier substrate of the semiconductor device by capillary action.

熱硬化性樹脂組成物は、加熱により硬化される。この加熱の早い段階で、熱硬化性樹脂組成物は、著しい粘度の減少と、これによる流動性の増加を示すので、より容易に回路基板と半導体デバイスとの間の空間内へと浸透する。更に、回路基板に適切な通気孔を設けることにより、熱硬化性樹脂組成物が完全に、回路基板と半導体デバイスとの間の空間全体に浸透できる。   The thermosetting resin composition is cured by heating. At an early stage of this heating, the thermosetting resin composition exhibits a significant decrease in viscosity and thus an increase in fluidity, so that it penetrates more easily into the space between the circuit board and the semiconductor device. Furthermore, by providing an appropriate air hole in the circuit board, the thermosetting resin composition can completely penetrate the entire space between the circuit board and the semiconductor device.

塗布される熱硬化性樹脂組成物の量は、回路基板と半導体デバイスとの間の空間を、ほとんど完全に満たすように調節されるべきである。   The amount of the thermosetting resin composition applied should be adjusted to almost completely fill the space between the circuit board and the semiconductor device.

熱硬化性樹脂組成物は通常、温度約100℃〜約150℃で約5〜約60分間、例えば約110℃〜約130℃で約15〜約45分間加熱することにより、硬化させるべきである。したがって、非常に良好な生産性を達成するために、比較的低温かつ短時間の硬化条件を用いてもよい。図1に示されるサブコンポーネントは、この方法で作製され得る。この目的のために使用される通常のエポキシ系組成物、例えば、エポキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂またはビスフェノールF型エポキシ樹脂のみをベースとするものは、同じ分解経路を通らず、代わりに約300℃で崩壊し始めるに過ぎない。   The thermosetting resin composition should normally be cured by heating at a temperature of about 100 ° C. to about 150 ° C. for about 5 to about 60 minutes, for example about 110 ° C. to about 130 ° C. for about 15 to about 45 minutes. . Accordingly, relatively low temperature and short time curing conditions may be used to achieve very good productivity. The subcomponents shown in FIG. 1 can be made in this way. Conventional epoxy-based compositions used for this purpose, such as those based solely on bisphenol A type epoxy resin or bisphenol F type epoxy resin as the epoxy resin, do not go through the same degradation pathway, but instead are about 300 It only starts to decay at ℃.

半導体デバイスがこのように回路基板上に実装された後、結果として生じるサブコンポーネントについて、作動性をテストしてもよい。不良が見付かった場合には、下記の方法で修繕できる。   After the semiconductor device is thus mounted on the circuit board, the resulting subcomponent may be tested for operability. If a defect is found, it can be repaired by the following method.

不良のある半導体デバイス付近のエリアを、温度約170℃〜約240℃で、約10秒〜約60秒の範囲の時間、例えば温度約220℃で約30秒間、局所的に加熱する。   The area near the defective semiconductor device is locally heated at a temperature of about 170 ° C. to about 240 ° C. for a time in the range of about 10 seconds to about 60 seconds, for example, a temperature of about 220 ° C. for about 30 seconds.

はんだが溶融し、樹脂が軟化して接合強度が低下するとすぐに、半導体デバイスを引き離す。   As soon as the solder melts and the resin softens and the joint strength decreases, the semiconductor device is pulled apart.

半導体デバイスが取り外された後、熱硬化性樹脂組成物の硬化反応生成物の残留物、およびはんだの残留物は、回路基板上に残される。熱硬化性樹脂組成物の硬化反応生成物の残留物は、例えば、単純にデバイスを研磨力の低い布で拭くことにより、取り除くことができる(図3参照)。従来は、残留物を所定温度に加熱すること、残留物を溶媒で膨潤させること、または残留物を所定温度に加熱しながら溶媒で膨潤させることにより、残留物を軟化させた後、加工された反応生成物を削り取る必要があった(図3参照)。   After the semiconductor device is removed, the residue of the curing reaction product of the thermosetting resin composition and the residue of the solder are left on the circuit board. The residue of the cured reaction product of the thermosetting resin composition can be removed, for example, by simply wiping the device with a cloth having low polishing power (see FIG. 3). Conventionally, the residue was softened by heating the residue to a predetermined temperature, swelling the residue with a solvent, or swelling the residue with a solvent while heating to a predetermined temperature, and then processed. It was necessary to scrape the reaction product (see FIG. 3).

最後に、きれいにした回路基板上で、これまでに記載した方法と同じ方法により、新しい半導体デバイスを再度実装してもよい。このように、不良部位の修繕が完了する。   Finally, a new semiconductor device may be mounted again on the cleaned circuit board by the same method as described above. In this way, repair of the defective part is completed.

不良が回路基板に見付かった場合には、所望により、半導体デバイスの底部に残された熱硬化性樹脂組成物の硬化反応生成物の残留物、およびはんだの残留物を、上記と同じ方法で取り除くことにより、半導体デバイスを再使用できる。   If a defect is found on the circuit board, the residue of the curing reaction product of the thermosetting resin composition left on the bottom of the semiconductor device and the residue of the solder are removed by the same method as described above. Thus, the semiconductor device can be reused.

本発明の組成物は、主にアンダーフィル封止材として有用であると説明したが、本発明の組成物は、液体圧縮成形用途において、構造用接着剤として、例えばスマートフォンおよびタブレットのような携帯式ディスプレイデバイス、半導体パッケージング用フィルム、受動電子部品用の短期/長期カプセル材、およびコーティングの作製においても、使用できると考えられる。   Although the composition of the present invention has been described as being primarily useful as an underfill encapsulant, the composition of the present invention can be used as a structural adhesive in liquid compression molding applications, for example, as mobile phones such as smartphones and tablets. It may also be used in the production of electronic display devices, semiconductor packaging films, short / long term encapsulants for passive electronic components, and coatings.

本発明を、下記の非限定例により更に例証する。   The invention is further illustrated by the following non-limiting examples.

合成 Composition

例1 Example 1

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メカニカルスターラおよび滴下漏斗を取り付けた1Lの四ツ口フラスコに、DCPDのジカルボン酸(「DCPD二酸」)(50g、227mmol)をDMSO(300mL)と共に入れた。30mLの水に溶解したKOH(26.8g)を、5分間かけてゆっくりと添加し、更に15分間連続的に撹拌した。その後、油浴を使用して、反応混合物を温度50℃で加熱した。25mLのDMSO中のエピブロモヒドリン(124.4g、908mmol)を、2時間かけて滴下し、更に6時間連続的に撹拌した。   In a 1 L four-necked flask equipped with a mechanical stirrer and dropping funnel, DCPD dicarboxylic acid (“DCPD diacid”) (50 g, 227 mmol) was placed with DMSO (300 mL). KOH (26.8 g) dissolved in 30 mL water was added slowly over 5 minutes and stirred continuously for another 15 minutes. The reaction mixture was then heated at a temperature of 50 ° C. using an oil bath. Epibromohydrin (124.4 g, 908 mmol) in 25 mL DMSO was added dropwise over 2 hours and stirred continuously for an additional 6 hours.

反応混合物を600mLの酢酸エチルで抽出し、NaHCO水溶液で洗浄し、水で数回洗浄した後、無水MgSOで乾燥させた。溶媒を蒸発させて、褐色の液体を得た後、これを50mLのトルエンで希釈し、蒸留して、DCPD二酸のジグリシジルエステル(「DCPDエポキシ」)(60g、収率80%)を得た。 The reaction mixture was extracted with 600 mL of ethyl acetate, washed with aqueous NaHCO 3 solution, washed several times with water, and then dried over anhydrous MgSO 4 . The solvent was evaporated to give a brown liquid, which was diluted with 50 mL of toluene and distilled to give the diglycidyl ester of DCPD diacid (“DCPD epoxy”) (60 g, 80% yield). It was.

例2 Example 2

Figure 0006596412
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窒素導入口およびメカニカルスターラを取り付けた1Lの四ツ口フラスコに、THF(450mL)中で、DCPD二酸(15.2g、69mmol)およびレソルシノールジグリシジルエーテル(30.7g、138mmol)を入れた。30分間撹拌した後、触媒量のテトラブチルアンモニウムヨージド(1.27g、3.44mmol)を添加し、混合物を加熱して36時間還流させた。赤外(「IR」)分光分析を行うと、その結果は、DCPD二酸とは性質の異なる1707cm−1に、カルボニルバンドの存在を示した。 A 1 L four-necked flask equipped with a nitrogen inlet and a mechanical stirrer was charged with DCPD diacid (15.2 g, 69 mmol) and resorcinol diglycidyl ether (30.7 g, 138 mmol) in THF (450 mL). . After stirring for 30 minutes, a catalytic amount of tetrabutylammonium iodide (1.27 g, 3.44 mmol) was added and the mixture was heated to reflux for 36 hours. When infrared (“IR”) spectroscopy was performed, the results indicated the presence of a carbonyl band at 1707 cm −1, which differs in nature from DCPD diacid.

反応混合物を室温に冷却した後、THFを蒸発させ、残留物に600mLの酢酸エチルを添加した。有機層を水で数回洗浄し、飽和NaHCO水溶液で洗浄した後、再度水で洗浄した。無水MgSOで乾燥させた後、溶媒を蒸発させて、上記のDCPDの鎖延長されたエポキシを暗褐色の粘性液体(35g、収率78%)として得た。 After the reaction mixture was cooled to room temperature, the THF was evaporated and 600 mL of ethyl acetate was added to the residue. The organic layer was washed several times with water, washed with saturated aqueous NaHCO 3 and then washed again with water. After drying over anhydrous MgSO 4 , the solvent was evaporated to give the above DCPD chain-extended epoxy as a dark brown viscous liquid (35 g, 78% yield).

DCPDの鎖延長されたエポキシのIR分光分析は、1707cm−1にカルボニルバンドを示した。 IR spectroscopic analysis of DCPD chain extended epoxy showed a carbonyl band at 1707 cm −1 .

例3 Example 3

Figure 0006596412
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DCPDエポキシ(2.06g、6.2mmol)、メタクリル酸(0.54g、6.2mmol)、テトラブチルアンモニウムヨージド(100mg)およびt−ブチルカテコール(30mg)を、THF(20mL)と共に丸底フラスコに入れ、5時間還流させて混合した。反応混合物を室温に冷却した後、酢酸エチルを添加して有機層を飽和NaHCO水溶液で2回洗浄し、KCO水溶液で洗浄し、無水MgSOで乾燥させた。その後、溶媒を蒸発させ、DCPDハイブリッドエポキシ−メタクリレートを暗褐色の粘性液体(1.82g、収率70%)として得た。 DCPD epoxy (2.06 g, 6.2 mmol), methacrylic acid (0.54 g, 6.2 mmol), tetrabutylammonium iodide (100 mg) and t-butylcatechol (30 mg) together with THF (20 mL) in a round bottom flask The mixture was refluxed for 5 hours and mixed. After the reaction mixture was cooled to room temperature, ethyl acetate was added and the organic layer was washed twice with saturated aqueous NaHCO 3 , washed with aqueous K 2 CO 3 , and dried over anhydrous MgSO 4 . The solvent was then evaporated to give DCPD hybrid epoxy-methacrylate as a dark brown viscous liquid (1.82 g, 70% yield).

例4 Example 4

Figure 0006596412
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窒素導入口を取り付けた500mLの四ツ口フラスコに、THF(300mL)中で、DCPD二酸(35.7g、162mmol)を入れた。混合物を氷塩浴で冷却し、オキサリルクロリド(61.7g、486mmol)を5分間かけて滴下した。反応混合物を室温に到達させ、更に4時間撹拌した。溶媒および過剰のオキサリルクロリドを蒸発させ、残留物を窒素雰囲気下でTHF(200mL)に溶解させて、溶液を氷で冷却した。トリエチルアミン(41g、405mmol)を撹拌しながら添加した後、HEMA(42.2g、324mmol)を30分間かけて添加し、t−ブチルカテコール(140mg)を撹拌しながら添加した。約4時間後、THFを蒸発させて、反応混合物を酢酸エチル(400mL)で抽出し、水で4回洗浄して、無水MgSOで乾燥させた。溶媒を蒸発させ、DCPDジメタクリレートを暗褐色の液体(57g、収率73%)を得て、これをカラムクロマトグラフィで精製した。 In a 500 mL four-necked flask equipped with a nitrogen inlet, DCPD diacid (35.7 g, 162 mmol) was placed in THF (300 mL). The mixture was cooled in an ice-salt bath and oxalyl chloride (61.7 g, 486 mmol) was added dropwise over 5 minutes. The reaction mixture was allowed to reach room temperature and stirred for an additional 4 hours. The solvent and excess oxalyl chloride were evaporated, the residue was dissolved in THF (200 mL) under a nitrogen atmosphere and the solution was cooled with ice. Triethylamine (41 g, 405 mmol) was added with stirring, then HEMA (42.2 g, 324 mmol) was added over 30 minutes, and t-butylcatechol (140 mg) was added with stirring. After about 4 hours, THF was evaporated and the reaction mixture was extracted with ethyl acetate (400 mL), washed four times with water and dried over anhydrous MgSO 4 . The solvent was evaporated to give DCPD dimethacrylate as a dark brown liquid (57 g, 73% yield), which was purified by column chromatography.

例5 Example 5

Figure 0006596412
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DCPD二酸(29g、132mmol)をDMF中に溶解させ、KCO(36g、263mmol)を添加して30分間撹拌した。その後、臭化アリル(42g、347mmol)を少しずつ、10分間かけて添加した。反応混合物を室温で一晩撹拌した。その後、反応混合物を酢酸エチル(500mL)で抽出し、水で4回洗浄して、無水MgSOで乾燥させた。溶媒を蒸発させ、DCPD二酸のジアリルエステル(31g、収率78%)を得た。 DCPD diacid (29 g, 132 mmol) was dissolved in DMF, K 2 CO 3 (36 g, 263 mmol) was added and stirred for 30 minutes. Thereafter, allyl bromide (42 g, 347 mmol) was added in portions over 10 minutes. The reaction mixture was stirred at room temperature overnight. The reaction mixture was then extracted with ethyl acetate (500 mL), washed 4 times with water and dried over anhydrous MgSO 4 . The solvent was evaporated to give the diallyl ester of DCPD diacid (31 g, 78% yield).

例6 Example 6

Figure 0006596412
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磁気撹拌子を備える250mLのフラスコに、DCPD二酸(4.5g、20.4mmol)、DMSO(100mL)、およびKCO(3.39g、24.5mmol)を入れて15分間撹拌した。4−ビニルベンジルクロリド(7.2g、47.2mmol)を添加し、反応混合物を室温で一晩撹拌した。 In a 250 mL flask equipped with a magnetic stir bar, DCPD diacid (4.5 g, 20.4 mmol), DMSO (100 mL), and K 2 CO 3 (3.39 g, 24.5 mmol) were added and stirred for 15 minutes. 4-Vinylbenzyl chloride (7.2 g, 47.2 mmol) was added and the reaction mixture was stirred at room temperature overnight.

IR分光分析は、エステルとして1709cm−1にカルボニルバンドを示した。 IR spectroscopic analysis showed a carbonyl band at 1709 cm −1 as the ester.

反応混合物を酢酸エチルで抽出し、水で数回洗浄して、無水MgSOで乾燥させた。溶媒を蒸発させ、反応混合物をカラムクロマトグラフィで精製して、DCPD二酸のジスチレン誘導体を黄色オイル(5.3g、収率58%)として得た。 The reaction mixture was extracted with ethyl acetate, washed several times with water and dried over anhydrous MgSO 4 . The solvent was evaporated and the reaction mixture was purified by column chromatography to give the distyrene derivative of DCPD diacid as a yellow oil (5.3 g, 58% yield).

例7 Example 7

Figure 0006596412
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窒素導入口および磁気撹拌子を取り付けた250mLの三ツ口フラスコに、THF(50mL)中で、2MのシクロペンタジエニリドナトリウムのTHF溶液(30ml、60mmol)を入れた。懸濁液を約30分間氷で冷却した後、(2−ブロモエトキシ)−tert−ブチルジメチルシラン(14.34g、60mmol)の溶液を約30分間かけて滴下した。同じ温度で混合物を約2時間撹拌した後、室温で一晩撹拌した。THFを蒸発させて、生成物を酢酸エチル(200mL)で抽出し、水で洗浄して、無水MgSOで乾燥させた。溶媒を蒸発させて、2−ヒドロキシエチルシクロペンタジエンの中間粗製物のシリル誘導体を得た後、温度約110℃で約1.5時間加熱することにより二量化し、中間体のDCPDジエタノールのシリル誘導体を得た。 A 250 mL three-necked flask equipped with a nitrogen inlet and a magnetic stir bar was charged with 2 M cyclopentadienide sodium THF solution (30 ml, 60 mmol) in THF (50 mL). The suspension was cooled with ice for about 30 minutes, and then a solution of (2-bromoethoxy) -tert-butyldimethylsilane (14.34 g, 60 mmol) was added dropwise over about 30 minutes. The mixture was stirred at the same temperature for about 2 hours and then at room temperature overnight. The THF was evaporated and the product was extracted with ethyl acetate (200 mL), washed with water and dried over anhydrous MgSO 4 . The solvent was evaporated to obtain an intermediate crude silyl derivative of 2-hydroxyethylcyclopentadiene, which was then dimerized by heating at a temperature of about 110 ° C. for about 1.5 hours to produce an intermediate DCPD diethanol silyl derivative. Got.

この粗生成物のTHF(50mL)中の溶液に、1MのTBAFのTHF溶液(60mL、60mmol)を添加し、混合物を室温で一晩撹拌した。THFを蒸発させて、生成物を酢酸エチル(200mL)で抽出し、水で洗浄して、無水MgSOで乾燥させた。溶媒の蒸発により、DCPDジエタノールを褐色オイルとして得た(8.1g、収率61%)。 To a solution of this crude product in THF (50 mL) was added 1M TBAF in THF (60 mL, 60 mmol) and the mixture was stirred at room temperature overnight. The THF was evaporated and the product was extracted with ethyl acetate (200 mL), washed with water and dried over anhydrous MgSO 4 . Evaporation of the solvent gave DCPD diethanol as a brown oil (8.1 g, 61% yield).

例8 Example 8

Figure 0006596412
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窒素導入口および磁気撹拌子を取り付けた100mLの三ツ口フラスコに、CHCl(25mL)中で、ビスヒドロキシエチルDCPD(1.05g、4.8mmol)を入れた。トリエチルアミン(2.41g、23.8mmol)および触媒量のDMAP(50mg)を添加した。結果として生じる混合物を氷で冷却し、メタクリル酸無水物(2.94g、19.1mmol)を滴下した。同じ温度で約30分間撹拌した後、室温で更に3時間撹拌し、その後、NaHCO水溶液(30mL)を添加した。その後、CHClを蒸発させて、生成物を酢酸エチルで抽出した。有機層を水で洗浄し、無水MgSOで乾燥させた。t−ブチルカテコール(200ppm)を添加し、溶媒を蒸発させて、DCPDジエタノールのジメタクリレートエステル(1.4g、収率82%)を得た。 Bishydroxyethyl DCPD (1.05 g, 4.8 mmol) was placed in a 100 mL three-necked flask equipped with a nitrogen inlet and a magnetic stir bar in CH 2 Cl 2 (25 mL). Triethylamine (2.41 g, 23.8 mmol) and a catalytic amount of DMAP (50 mg) were added. The resulting mixture was cooled with ice and methacrylic anhydride (2.94 g, 19.1 mmol) was added dropwise. Stir at the same temperature for about 30 minutes, then at room temperature for an additional 3 hours, and then add aqueous NaHCO 3 (30 mL). The CH 2 Cl 2 was then evaporated and the product was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with water and dried over anhydrous MgSO 4 . t-Butylcatechol (200 ppm) was added and the solvent was evaporated to give the dimethacrylate ester of DCPD diethanol (1.4 g, 82% yield).

例9 Example 9

Figure 0006596412
Figure 0006596412

窒素導入口および磁気撹拌子を取り付けた100mLの三ツ口フラスコに、乾燥DMF(25mL)中で、NaH(2.18g、60%油中分散体、54.4mmol)を添加した。溶液を氷浴で冷却し、ビスヒドロキシエチルDCPD(3g、13.6mmol)の乾燥DMF(25mL)溶液を、約15分間かけてゆっくりと添加した。更に約30分間撹拌した後、エピブロモヒドリン(7.47g、54.4mmol)をゆっくりと滴下した。混合物を室温に温め、一晩撹拌した後、イソプロパノールを添加し、その後トルエン(200ml)を添加した。有機層を水で数回洗浄し、溶媒を蒸発させる前に、無水MgSOで乾燥させた。反応の粗生成物をカラムクロマトグラフィにより精製して、ジグリシジルエーテル(2.3g、収率51%)を単離した。 To a 100 mL three-necked flask equipped with a nitrogen inlet and a magnetic stir bar, NaH (2.18 g, 60% dispersion in oil, 54.4 mmol) was added in dry DMF (25 mL). The solution was cooled in an ice bath and a solution of bishydroxyethyl DCPD (3 g, 13.6 mmol) in dry DMF (25 mL) was added slowly over about 15 minutes. After further stirring for about 30 minutes, epibromohydrin (7.47 g, 54.4 mmol) was slowly added dropwise. After the mixture was warmed to room temperature and stirred overnight, isopropanol was added followed by toluene (200 ml). The organic layer was washed several times with water and dried over anhydrous MgSO 4 before the solvent was evaporated. The crude product of the reaction was purified by column chromatography to isolate diglycidyl ether (2.3 g, 51% yield).

熱硬化性樹脂組成物
熱硬化性樹脂組成物は、以下の表1に記載される成分から調製してもよく、それぞれのサンプルは、1重量パーセント未満の脱泡剤、およびシラン接着促進剤を含む。
Thermosetting Resin Composition Thermosetting resin compositions may be prepared from the components listed in Table 1 below, each sample containing less than 1 weight percent defoamer, and silane adhesion promoter. Including.

Figure 0006596412
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Henkel Electronic Materials,LLC、Irvine、Californiaから市販されているHYSOL UF 3808およびHYSOL UF 3800を比較の目的のために使用し、これらを単純に製品名で呼ぶ。   HYSOL UF 3808 and HYSOL UF 3800 commercially available from Henkel Electronic Materials, LLC, Irvine, California are used for comparison purposes and are simply referred to by product name.

物理的特性
未硬化の状態において、サンプルのそれぞれをシリンジまたはジェットディスペンサから、6×6mmのウエハレベルCSP(「WL−CSP」:wafer−level CSP)の傍らで、分注温度約25℃で分注した。サンプルは毛管作用により30秒未満で、WL−CSPと、サンプルが取り付けられた回路基板との間のアンダーフィル空間内へ流れた。
Physical Properties In an uncured state, each sample is dispensed from a syringe or jet dispenser alongside a 6 × 6 mm wafer level CSP (“WL-CSP”: wafer-level CSP) at a dispensing temperature of about 25 ° C. Noted. The sample flowed into the underfill space between the WL-CSP and the circuit board to which the sample was attached in less than 30 seconds by capillary action.

約100℃〜約150℃の範囲の高温条件に、約10〜約60分の間曝露することにより、サンプルを硬化させた。   Samples were cured by exposure to high temperature conditions ranging from about 100 ° C. to about 150 ° C. for about 10 to about 60 minutes.

以下の表5〜表7を参照すると、硬化組成物、サンプルA〜Kの動的機械分析(「DMA」)データが示されている。   Referring to Tables 5 through 7 below, dynamic mechanical analysis ("DMA") data for the cured compositions, Samples A through K are shown.

Figure 0006596412
Figure 0006596412

図4は、表5に示されるサンプルのそれぞれについて、温度に対する弾性率を示す。   FIG. 4 shows the elastic modulus with respect to temperature for each of the samples shown in Table 5.

Figure 0006596412
Figure 0006596412

図5は、表6に示されるサンプルのそれぞれについて、温度に対する弾性率を示す。   FIG. 5 shows the elastic modulus with respect to temperature for each of the samples shown in Table 6.

Figure 0006596412
Figure 0006596412

図10は、表7に示されるサンプルのそれぞれについて、温度に対するタンデルタを示す。   FIG. 10 shows the tan delta versus temperature for each of the samples shown in Table 7.

熱サイクルテスト
以下の表8を参照すると、動的機械分析の熱サイクルの結果からの弾性率の値が記載されており、これは、3℃/分の勾配速度で、−85℃から250℃にした後−85℃にするサイクルを4サイクルしたものである。
Thermal Cycle Test Referring to Table 8 below, the elastic modulus values from the thermal cycle results of dynamic mechanical analysis are listed, which are -85 ° C to 250 ° C at a ramp rate of 3 ° C / min. The cycle to -85 [deg.] C. is then made 4 cycles.

Figure 0006596412
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図6〜図8を参照すると、表8に示したサンプルが示されており、図9は、HYSOL UF 3808について、温度に対する弾性率のトレースを示す。   Referring to FIGS. 6-8, the samples shown in Table 8 are shown, and FIG. 9 shows the elastic modulus versus temperature trace for HYSOL UF 3808.

サンプルについて、サイクル1とサイクル4との間でのtanδのピーク(ガラス転移温度またはTg)の差であるΔtanδを計算した。サンプルについて、サイクル1とサイクル4との間での25℃での弾性率の差も計算した。サンプルK、LおよびMについて、それぞれのTgの低下が観測され;その反対の結果がHYSOL UF 3800およびHYSOL UF 3808について観測された。観測された弾性率の減少は、サンプルK、LおよびMの方が、HYSOL UF 3800およびHYSOL UF 3808よりも著しかった。   For the sample, Δtanδ, which is the difference in tanδ peak (glass transition temperature or Tg) between cycle 1 and cycle 4, was calculated. The difference in modulus at 25 ° C. between cycle 1 and cycle 4 was also calculated for the sample. For samples K, L and M, a decrease in the respective Tg was observed; the opposite result was observed for HYSOL UF 3800 and HYSOL UF 3808. The observed decrease in modulus was more pronounced for samples K, L, and M than HYSOL UF 3800 and HYSOL UF 3808.

以下の表9を参照すると、市販製品HYSOL UF 3800およびHYSOL UF 3808と比較した、2つのサンプルについての追加の熱サイクル評価が示されている。1つの熱サイクル条件(熱サイクル1)は、温度−40℃〜85℃で、1サイクル当たり30分で行い;別の熱サイクル(熱サイクル2)は、温度−55℃〜125℃で、1サイクル当たり30分で行った。使用される構成要素は、6×6mmのWL−CSPとした。   Referring to Table 9 below, additional thermal cycling evaluations are shown for the two samples compared to the commercial products HYSOL UF 3800 and HYSOL UF 3808. One thermal cycle condition (thermal cycle 1) is performed at a temperature of −40 ° C. to 85 ° C. in 30 minutes per cycle; another thermal cycle (thermal cycle 2) is performed at a temperature of −55 ° C. to 125 ° C. Performed at 30 minutes per cycle. The component used was a 6 × 6 mm WL-CSP.

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補修
熱風発生器を使用して、サンプルで回路基板に固定されたWL−CSP付近のエリアを、温度285℃の熱風を30秒間当てることにより加熱した。その後、WL−CSPを真空吸着により取り外し、WL−CSPを適切なノズルで持ち上げた。表面を拭くことにより、残っていた硬化反応生成物の残留物の全てを基板から取り除いた。図3を参照すると、プロセスのフロー図が示されている。
Repair Using a hot air generator, an area near the WL-CSP fixed to the circuit board with a sample was heated by applying hot air at a temperature of 285 ° C. for 30 seconds. Thereafter, the WL-CSP was removed by vacuum adsorption, and the WL-CSP was lifted with an appropriate nozzle. All remaining residue of the cured reaction product was removed from the substrate by wiping the surface. Referring to FIG. 3, a process flow diagram is shown.

Claims (12)

硬化性組成物の反応生成物が、前記組成物を硬化させるのに使用される温度条件よりも高い温度条件への曝露により制御良く分解可能である硬化性組成物であって、
(a)硬化性樹脂成分と、
(b)硬化剤と、
(c)少なくとも2つのカルボン酸基で官能化されたジエン/ジエノフィル対と
を含み、前記ジエン/ジエノフィル対が、式Iの化合物:
Figure 0006596412
(式中、XはC=Oであり;YはOであり;Aはアルキレンであり;ZはHであり;nは0または1であり;mは2〜4である)
である、硬化性組成物。
A curable composition wherein the reaction product of the curable composition is degradable in a controlled manner upon exposure to higher temperature conditions than the temperature conditions used to cure the composition,
(A) a curable resin component;
(B) a curing agent;
(C) a diene / dienophile pair functionalized with at least two carboxylic acid groups, wherein the diene / dienophile pair is a compound of formula I:
Figure 0006596412
(Wherein X is C = O; Y is O; A is alkylene; Z is H; n is 0 or 1; m is 2-4)
A curable composition.
半導体デバイスおよび前記半導体デバイスが電気的に接続される回路基板、または半導体チップおよび前記半導体チップが電気的に接続される回路基板を含む電子デバイスであって、それぞれ前記半導体デバイスと前記回路基板との間または前記半導体チップと前記回路基板との間のアンダーフィル封止材として請求項1に記載の硬化性組成物を使用して組み立てられ、前記組成物の反応生成物は、前記組成物を硬化させるのに使用される温度条件を超える温度条件への曝露下で、接着性を軟化および喪失することができる、電子デバイス。   A semiconductor device and a circuit board to which the semiconductor device is electrically connected, or an electronic device including a semiconductor chip and a circuit board to which the semiconductor chip is electrically connected, each of the semiconductor device and the circuit board The curable composition of claim 1 is assembled as an underfill encapsulant between or between the semiconductor chip and the circuit board, and the reaction product of the composition cures the composition. An electronic device that is capable of softening and losing adhesion under exposure to temperature conditions that exceed the temperature conditions used to cause. キャリア基板上に実装される半導体チップを含む半導体デバイスと前記半導体デバイスが電気的に接続される回路基板との間、または半導体チップと前記半導体チップが電気的に接続される回路基板との間のアンダーフィルを封止する方法であって、前記方法の工程が、
(a)前記半導体デバイスと前記回路基板との間、または前記半導体チップと前記回路基板との間のアンダーフィル内へ、請求項1に記載の組成物を分注することと、
(b)前記分注された組成物を、100℃〜150℃の範囲の温度に、約10分間〜約1時間曝露して、前記組成物に反応生成物を形成させることと
を含む、方法。
Between a semiconductor device including a semiconductor chip mounted on a carrier substrate and a circuit board to which the semiconductor device is electrically connected, or between a semiconductor chip and a circuit board to which the semiconductor chip is electrically connected A method for sealing an underfill, wherein the steps of the method include:
(A) dispensing the composition of claim 1 into an underfill between the semiconductor device and the circuit board or between the semiconductor chip and the circuit board;
(B) exposing the dispensed composition to a temperature in the range of 100 ° C. to 150 ° C. for about 10 minutes to about 1 hour to cause the composition to form a reaction product. .
硬化性組成物の反応生成物が、前記組成物を硬化させるのに使用される温度条件よりも高い温度条件への曝露により制御良く分解可能である硬化性組成物であって、
(a)硬化性樹脂成分と、
(b)硬化剤と、
(c)前記硬化性樹脂成分と反応性の少なくとも2つの基で官能化されたジエン/ジエノフィル対と
を含み、前記ジエン/ジエノフィル対が、式IIの化合物:
Figure 0006596412
(式中、XおよびXはC=Oであり、YおよびYはそれぞれOであり、AおよびAはそれぞれアルキレンであり;ZおよびZは、同じでありまたは異なり、それぞれ独立してH、(メタ)アクリロイル、グリシジル、エポキシまたは(メタ)アクリレートから選択され;nおよびnは0である)
である、硬化性組成物。
A curable composition wherein the reaction product of the curable composition is degradable in a controlled manner upon exposure to higher temperature conditions than the temperature conditions used to cure the composition,
(A) a curable resin component;
(B) a curing agent;
(C) a diene / dienophile pair functionalized with at least two groups reactive with the curable resin component, wherein the diene / dienophile pair is a compound of formula II:
Figure 0006596412
Wherein X 1 and X 2 are C═O, Y 1 and Y 2 are each O, A 1 and A 2 are each alkylene; Z 1 and Z 2 are the same or different Each independently selected from H, (meth) acryloyl, glycidyl, epoxy or (meth) acrylate; n 1 and n 2 are 0)
A curable composition.
前記硬化性樹脂成分が、エポキシ、エピスルフィド、オキセタン、チオキセタン、オキサジン、マレイミド、イタコンアミド、ナドイミド、(メタ)アクリレート、(メタ)アクリルアミド、およびこれらの組み合わせからなる群から選択されるメンバーである、請求項1または4に記載の組成物。   The curable resin component is a member selected from the group consisting of epoxy, episulfide, oxetane, thioxetane, oxazine, maleimide, itaconamide, nadimide, (meth) acrylate, (meth) acrylamide, and combinations thereof. Item 5. The composition according to Item 1 or 4. 前記反応性の2つの基が同じである、請求項4に記載の組成物。   5. A composition according to claim 4, wherein the two reactive groups are the same. 前記2つのカルボン酸基が同じである、請求項1に記載の組成物。   The composition of claim 1, wherein the two carboxylic acid groups are the same. 前記反応性の2つの基が異なる、請求項4に記載の組成物。   5. The composition of claim 4, wherein the two reactive groups are different. 前記硬化剤が、イミダゾール、ジシアンジミド、カルボン酸、無水物、フェノール性ハードナー、アミン、チオール、アルコール、およびアルカリから選択される、請求項1または4に記載の組成物。   The composition according to claim 1 or 4, wherein the curing agent is selected from imidazole, dicyandiimide, carboxylic acid, anhydride, phenolic hardener, amine, thiol, alcohol, and alkali. 前記ジエン/ジエノフィル対の前記ジエンがシクロペンタジエンである、請求項1または4に記載の組成物。   5. A composition according to claim 1 or 4, wherein the diene of the diene / dienophile pair is cyclopentadiene. 前記高い温度条件が約170℃以上である、請求項1に記載の組成物。   The composition of claim 1, wherein the high temperature condition is about 170 ° C. or higher. 前記硬化温度条件が約100℃〜約150℃である、請求項1に記載の組成物。   The composition of claim 1, wherein the curing temperature condition is from about 100C to about 150C.
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