KR20010036325A - Structure for upper layer of plasma display panel - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An upper plate structure in a plasma display panel is provided to prevent generating of bubbles owing to imperfect baking of a dielectric layer, and to prevent the dielectric layer from being reacted with an electrode when baking the dielectric layer. CONSTITUTION: The upper plate includes a transparent electrode(12) formed on an upper glass substrate(11), a bus electrode(13) formed on the transparent electrode so as to reduce a resistance value of the transparent electrode, a transparent ferroelectric thin film(14) formed as a lower dielectric on an entire surface of the upper glass substrate(11) comprising the transparent electrode and the bus electrode, an upper dielectric(15) formed on an entire surface of the transparent ferroelectric thin film, and a pagination film(16) formed on an entire surface of the upper dielectric so as to protect the upper dielectric according to plasma discharge.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조{STRUCTURE FOR UPPER LAYER OF PLASMA DISPLAY PANEL}Top plate structure of plasma display panel {STRUCTURE FOR UPPER LAYER OF PLASMA DISPLAY PANEL}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조에 관한 것으로, 특히 상판의 하층유전체로 강유전체 박막을 적용하여 절연파괴 및 기계적 균열을 방지함과 아울러 방전전압을 최소화하기에 적당하도록 한 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a top plate structure of a plasma display panel, and more particularly, to a top plate structure of a plasma display panel suitable for minimizing discharge voltage and preventing breakdown and mechanical cracking by applying a ferroelectric thin film as a lower dielectric of the top plate. It is about.

일반적으로, 2000년대에 대형 평판 표시소자 시장을 주도할 가장 높은 잠재성을 지니고 있는 플라즈마 디스플레이 패널 소자는 격벽(barrier rib)에 의해 격리된 방전 셀에서 He-Ne, Ne-Xe 가스의 플라즈마 발광으로 발생하는 자외선이 형광체를 자극하여 그 형광체가 여기상태에서 기저상태로 돌아갈 때의 에너지차에 의한 발광현상을 이용하는 표시소자로 크게 교류형(AC)과 직류형(DC)으로 분류된다.In general, the plasma display panel device, which has the highest potential to lead the large flat panel display market in the 2000s, is characterized by plasma emission of He-Ne and Ne-Xe gases in discharge cells isolated by barrier ribs. The generated ultraviolet light stimulates a phosphor and is classified into an alternating current (AC) type and a direct current (DC) type as a display element that uses a light emitting phenomenon caused by an energy difference when the phosphor returns from the excited state to the ground state.

이와같은 종래 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 구조 및 그 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The structure of the conventional AC plasma display panel and a method of manufacturing the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널 소자를 보인 단면도로서, 먼저 플라즈마 디스플레이 패널 소자의 하판은 하부 유리기판(1) 상의 전면에 증착되어 기판(1)에 포함된 알카리이온의 침투를 방지하는 차단막(2)과; 상기 차단막(2) 상의 일부에 형성된 방전 셀의 어드레스 전극(3)과; 상기 어드레스 전극(3)을 포함한 차단막(2) 상의 전면에 형성된 하판유전체(4)와; 상기 하판유전체(4) 상에 형성되어 방전 셀을 격리시키는 격벽(5)과; 상기 격벽(5)에 의해 격리된 하판유전체(4) 상에 형성된 형광체(6)로 이루어진다.FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a typical plasma display panel device. First, a lower plate of the plasma display panel device is deposited on an entire surface of a lower glass substrate 1 to prevent penetration of alkali ions included in the substrate 1. and; An address electrode 3 of a discharge cell formed on a part of the blocking film 2; A lower plate dielectric 4 formed on the entire surface of the blocking film 2 including the address electrode 3; Barrier ribs 5 formed on the lower plate dielectric 4 to isolate discharge cells; It consists of phosphor 6 formed on the lower plate dielectric 4 isolated by the said partition 5.

이때, 상기 차단막(2)은 일반적으로 SiO2박막이 적용되어 기판(1)에 포함된 알카리이온(Na,K,Ca,Li 등)이 Ag 재질의 어드레스 전극(3)에 침투하는 것을 차단함으로써, 소자의 어드레싱 전압이 상승하는 것을 방지한다.In this case, the blocking layer 2 is generally applied to the SiO 2 thin film to block the alkali ions (Na, K, Ca, Li, etc.) contained in the substrate 1 to penetrate the address electrode 3 of Ag material This prevents the addressing voltage of the device from rising.

그리고, 상기 하판유전체(4)는 반사율이 60% 이상인 불투명 유전막을 적용하여 빛의 손실을 최소화함과 아울러 어드레스 전극(3)의 확산을 방지한다.In addition, the lower plate dielectric 4 applies an opaque dielectric film having a reflectance of 60% or more to minimize light loss and prevent diffusion of the address electrode 3.

그리고, 플라즈마 디스플레이 패널 소자의 상판은 상부 유리기판(11) 상에 형성된 투명전극(12) 및 그 투명전극(12)의 저항값을 낮추는 버스전극(13)과; 상기 투명전극(12) 및 버스전극(13)을 포함한 상부 유리기판(11) 상의 전면에 형성된 하층유전체(14) 및 그 하층유전체(14) 상의 전면에 형성된 상층유전체(15)와; 상기 상층유전체(15) 상의 전면에 형성되어 플라즈마 방전에 따른 상층유전체(15)를 보호하는 보호막(16)으로 이루어지며, 이와같이 형성된 상판은 보호막(16)이 상기 하판의 격벽(5) 및 형광체(6)와 마주보도록 설치된다.The upper panel of the plasma display panel element includes a transparent electrode 12 formed on the upper glass substrate 11 and a bus electrode 13 for lowering the resistance of the transparent electrode 12; A lower dielectric layer 14 formed on the front surface of the upper glass substrate 11 including the transparent electrode 12 and the bus electrode 13 and an upper dielectric layer 15 formed on the front surface of the lower dielectric layer 14; The protective film 16 is formed on the entire surface of the upper dielectric 15 to protect the upper dielectric 15 due to the plasma discharge. The upper plate formed as described above includes a protective film 16 having the barrier rib 5 and the phosphor ( It is installed to face 6).

이때, 상기 투명전극(12)으로는 일반적으로 ITO(indium tin oxide) 박막이 적용되고, 상기 하층유전체(14)는 투명전극(12) 및 버스전극(13)과 직접 접촉되므로, 투명전극(12) 및 버스전극(13)과의 화학반응을 피하기 위해 연화점이 높아야 하며, 상기 상층유전체(15)는 이후에 보호막(16)이 형성됨에 따라 높은 평활도가 요구되므로, 하층유전체(14)에 비해 연화점이 수십 ℃정도 낮아야 한다.In this case, an indium tin oxide (ITO) thin film is generally applied to the transparent electrode 12, and the lower dielectric 14 is in direct contact with the transparent electrode 12 and the bus electrode 13, and thus, the transparent electrode 12 ) And the softening point should be high to avoid chemical reaction with the bus electrode 13, and the upper dielectric 15 has a higher smoothness as the protective film 16 is formed thereafter, so that the softening point is lower than that of the lower dielectric 14. This should be as low as tens of degrees Celsius.

상기한 바와같은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법은 상부 유리기판(11) 상에 투명전극(12) 및 버스전극(13)을 형성하는 공정과; 상기 투명전극(12) 및 버스전극(13)을 포함한 유리기판(11) 상의 전면에 Pb를 약 40%정도 함유하는 입경 1㎛∼2㎛ 크기의 인-유리(boro-silicate glass : BSG) 분말에 유기 바인더(binder)를 혼합한 페이스트(paste)를 스크린 인쇄(screen print) 방법으로 도포하고, 550℃∼580℃의 온도에서 소성하여 하층유전체(14) 및 상층유전체(15)를 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 상층유전체(15) 상에 보호막(16)을 형성하는 공정으로 이루어진다.A method of manufacturing a top plate of a conventional plasma display panel as described above includes forming a transparent electrode 12 and a bus electrode 13 on an upper glass substrate 11; Phosphorous glass (boro-silicate glass, BSG) powder having a particle size of 1 μm to 2 μm containing about 40% of Pb on the entire surface of the glass substrate 11 including the transparent electrode 12 and the bus electrode 13. A paste mixed with an organic binder is applied by screen printing, and baked at a temperature of 550 ° C. to 580 ° C. to sequentially form the lower dielectric 14 and the upper dielectric 15. Process of doing; And forming a protective film 16 on the upper dielectric 15.

상기한 바와같이 형성된 종래 상판 유전체층(14,15)의 유전율은 10∼15의 범위이며, 가시광선 투과율은 중심파장에서 약 85% 정도이다.The dielectric constant of the conventional top dielectric layers 14 and 15 formed as described above is in the range of 10 to 15, and the visible light transmittance is about 85% at the center wavelength.

그러나, 상기한 바와같은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조 및 그 제조방법은 유전체층의 제조에 있어서, 유기 바인더가 혼합된 페이스트를 600℃ 이하에서 소성함에 따라 완전한 소성체가 되지 못하고, 또한 유기물의 잔존으로 인해 유전체 내부에 기포가 형성되며, 특히 소성으로 인한 열화학반응에 의해 하층유전체의 유리성분이 투명전극 및 버스전극의 접촉부위로 침투함으로써, 투명전극 및 버스전극의 저항값을 높이게 되어 방전전압을 증가시킬 뿐만 아니라 절연파괴가 발생되어 소자의 특성 및 수명에 심각한 영향을 끼치는 문제점 있었다.However, the structure of the top plate of the conventional plasma display panel and the method of manufacturing the same as described above do not become a complete sintered body by firing the paste mixed with the organic binder at 600 ° C. or lower in the production of the dielectric layer, and also due to the remaining of the organic matter. Bubbles are formed in the dielectric, and the glass component of the lower dielectric layer penetrates into the contact portions of the transparent electrode and the bus electrode by a thermochemical reaction due to firing, thereby increasing the resistance value of the transparent electrode and the bus electrode, thereby increasing the discharge voltage. Rather, insulation breakdown occurred, which seriously affected the characteristics and lifetime of the device.

본 발명은 상기한 바와같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 창안한 것으로, 본 발명의 목적은 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조에서 유전체층의 불완전 소성 및 유기물 잔존에 따른 기포발생을 방지할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a plasma display panel capable of preventing bubbles from being generated due to incomplete plasticity of the dielectric layer and remaining organic material in the upper plate structure of the plasma display panel. It is to provide a top structure.

그리고, 본 발명의 다른 목적은 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 유전체층을 소성할 때, 그 유전체층과 전극이 반응하는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a top plate structure of a plasma display panel which can prevent the dielectric layer and the electrode from reacting when firing the top dielectric layer of the plasma display panel.

그리고, 본 발명의 또 다른 목적은 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 유전체층으로 강유전체 박막을 적용할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a top structure of a plasma display panel in which a ferroelectric thin film can be applied to the top dielectric layer of a plasma display panel.

도1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널 소자를 보인 단면도.1 is a cross-sectional view showing a typical plasma display panel device.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

1:하부 유리기판 2:차단막1: lower glass substrate 2: barrier

3:어드레스 전극 4:하판유전체3: address electrode 4: lower plate dielectric

5:격벽 6:형광체5: bulkhead 6: phosphor

11:상부 유리기판 12:투명전극11: upper glass substrate 12: transparent electrode

13:버스전극 14:하층유전체13: bus electrode 14: lower dielectric

15:상층유전체 16:보호막15: upper dielectric 16: protective film

상기한 바와같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 제1실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조는 상부 유리기판 상에 형성된 투명전극 및 그 투명전극의 저항값을 낮추는 버스전극과; 상기 투명전극 및 버스전극을 포함한 상부 유리기판 상의 전면에 형성된 투명성 강유전체 박막과; 상기 투명성 강유전체 박막 상의 전면에 형성된 상층유전체와; 상기 상층유전체 상의 전면에 형성되어 플라즈마 방전에 따른 상층유전체를 보호하는 보호막을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.A top plate structure of the plasma display panel according to the first embodiment for achieving the object of the present invention as described above comprises a transparent electrode formed on the upper glass substrate and a bus electrode for lowering the resistance value of the transparent electrode; A transparent ferroelectric thin film formed on the entire surface of the upper glass substrate including the transparent electrode and the bus electrode; An upper dielectric formed on the entire surface of the transparent ferroelectric thin film; And a protective film formed on the entire surface of the upper dielectric and protecting the upper dielectric due to plasma discharge.

그리고, 상기한 바와같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 제2실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조는 상부 유리기판 상에 형성된 투명전극 및 그 투명전극의 저항값을 낮추는 버스전극과; 상기 투명전극 및 버스전극을 포함한 상부 유리기판 상의 전면에 형성된 투명성 제1강유전체 박막과; 상기 투명성 제1강유전체 박막 상의 전면에 형성된 상층유전체와; 상기 상층유전체 상의 전면에 형성된 투명성 제2강유전체 박막과; 상기 투명성 제2강유전체 박막 상의 전면에 형성되어 플라즈마 방전에 따른 상층유전체를 보호하는 보호막을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the upper plate structure of the plasma display panel according to the second embodiment for achieving the object of the present invention as described above and the bus electrode for lowering the resistance value of the transparent electrode formed on the upper glass substrate and the transparent electrode; A transparent first ferroelectric thin film formed on the entire surface of the upper glass substrate including the transparent electrode and the bus electrode; An upper dielectric formed on an entire surface of the transparent first ferroelectric thin film; A transparent second ferroelectric thin film formed on the entire surface of the upper dielectric; And a protective film formed on the entire surface of the transparent second ferroelectric thin film to protect the upper dielectric caused by plasma discharge.

상기한 바와같은 본 발명의 제1,제2실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조를 상세히 설명하면 다음과 같다.The upper plate structure of the plasma display panel according to the first and second embodiments of the present invention as described above will be described in detail as follows.

먼저, 본 발명의 제1실시예는 종래의 상판 유전체층 중에 투명전극 및 버스전극과 접촉하는 하층유전체를 저융점 인-유리 분말에 유기 바인더를 혼합한 페이스트를 스크린 인쇄 방법으로 형성하는 대신에 고유전율을 갖는 투명성 강유전체 박막을 진공증착법을 통해 형성한다.First, the first embodiment of the present invention has a high dielectric constant instead of forming a paste in which a lower dielectric in contact with a transparent electrode and a bus electrode in a conventional upper plate dielectric layer is mixed with a low melting phosphorus-glass powder with an organic binder. A transparent ferroelectric thin film having a thickness is formed through vacuum deposition.

이때, 진공증착법은 일반적으로 적용되는 스퍼터링(sputtering) 또는 이온 플레이팅(ion plating) 방법을 적용하고, 화학양론비를 유지하기 위하여 불활성 반응가스 외에 산소가스를 수 %정도 혼합하여 적용하며, 투명성 강유전체 박막의 증착두께는 수 ㎛ 이내가 되도록 한다.In this case, the vacuum deposition method is generally applied sputtering or ion plating method, and mixed with oxygen gas by several% in addition to the inert reaction gas in order to maintain the stoichiometric ratio. The deposition thickness of the thin film should be within several micrometers.

한편, 상기한 바와같은 본 발명의 제1실시예에 적용될 수 있는 투명성 강유전체 박막의 종류 및 각각의 투과율과 유전율을 아래의 표1에 나타냈다.On the other hand, the type of the transparent ferroelectric thin film that can be applied to the first embodiment of the present invention as described above, and the transmittance and dielectric constant of each is shown in Table 1 below.

강유전체Ferroelectric 투과율Transmittance 유전율permittivity 강유전체Ferroelectric 투과율Transmittance 유전율permittivity (Pb,La)-(ZrTi)O3 (Pb, La)-(ZrTi) O 3 75.8575.85 16001600 (Pb,La)-(MgNbZrTi)O3 (Pb, La)-(MgNbZrTi) O 3 투명Transparency 25002500 (Pb,Bi)-(ZrTi)O3 (Pb, Bi)-(ZrTi) O 3 투명Transparency 23002300 (Pb,Ba)-(LaNb)O3 (Pb, Ba)-(LaNb) O 3 투명Transparency 17001700 (Pb,La)-(HfTi)O3 (Pb, La)-(HfTi) O 3 75.8475.84 13001300 (Sr,Ba)-Nb2O3 (Sr, Ba) -Nb 2 O 3 75.8575.85 24002400 (Pb,Ba)-(ZrTi)O3 (Pb, Ba)-(ZrTi) O 3 75.8075.80 23002300 K(Ta,Nb)O3 K (Ta, Nb) O 3 76.8776.87 22002200 (Pb,Sr)-(ZrTi)O3 (Pb, Sr)-(ZrTi) O 3 80.8580.85 17001700 (Sr,Ba,La)-(Nb2O6)(Sr, Ba, La)-(Nb 2 O 6 ) 80.8680.86 19001900 (Sr,Ca)-(LiNbTi)O3 (Sr, Ca)-(LiNbTi) O 3 83.8783.87 32003200 NaTiO3 NaTiO 3 76.8576.85 10001000 LiTaO3 LiTaO 3 75.8375.83 12001200 MgTiO3 MgTiO 3 70.8470.84 11001100 SrTiO3 SrTiO 3 70.8070.80 15001500 BaTiO3 BaTiO 3 73.8473.84 15001500 Li2Ti2O7 Li 2 Ti 2 O 7 75.8375.83 26002600 SrZrO3 SrZrO 3 76.8376.83 17001700 LiNbO3 LiNbO 3 74.8474.84 10001000 KNbO3 KNbO 3 75.8075.80 11001100

상기 표1에 제시한 바와같은 강유전체 박막들은 대부분 투과율이 80% 이상이고, 유전율 또한 1000 이상으로 높기 때문에 높은 정전용량으로 낮은 방전전압을 유지할 수 있게 되며, 특히 고온 안정형 재료이므로 전극과의 반응에 의한 기포의 발생을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 절연내력도 106/m 정도이기 때문에 낮고도 안정된 방전특성을 유지할 수 있게 된다.Most of the ferroelectric thin films as shown in Table 1 can maintain a low discharge voltage with a high capacitance because the transmittance is 80% or more and the dielectric constant is also high as 1000 or more. Not only can the generation of bubbles be minimized, but the dielectric strength is also about 10 6 / m, so that it is possible to maintain a low and stable discharge characteristic.

상기한 바와같이 투명성 강유전체 박막을 형성한 다음에는 상층유전체와 보호막을 종래와 동일한 방법으로 형성하여 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조를 완료한다.As described above, after forming the transparent ferroelectric thin film, the upper dielectric and the protective film are formed in the same manner as in the prior art to complete the manufacture of the upper plate of the plasma display panel.

그리고, 본 발명의 제2실시예에서는 상기 제1실시예와 동일하게 강유전체 박막, 상층유전체를 형성하고, 그 상층유전체 상의 전면에 상기 제1실시예와 동일한 방법으로 또 하나의 투명성 강유전체 박막을 형성한 다음 보호막을 형성하여 플라즈마 디스플레이 패널의 상판제조를 완료한다.In the second embodiment of the present invention, a ferroelectric thin film and an upper dielectric are formed in the same manner as in the first embodiment, and another transparent ferroelectric thin film is formed on the entire surface of the upper dielectric by the same method as in the first embodiment. Then, a protective film is formed to complete the manufacture of the top plate of the plasma display panel.

상기한 바와같은 본 발명의 제2실시예는 저융점의 상층유전체를 사이에 두고 상,하부에 투명성 강유전체 박막이 형성됨에 따라 높은 정전용량에 의해 제1실시예보다 많은 전하를 MgO의 보호막 표면에 축적할 수 있게 되어 낮은 방전전압을 효과적으로 유지할 수 있게 된다.As described above, according to the second embodiment of the present invention, a transparent ferroelectric thin film is formed on the upper and lower portions with the upper dielectric having a low melting point interposed therebetween, so that more charge is applied to the protective film surface of the MgO by the higher capacitance. It is possible to accumulate and effectively maintain a low discharge voltage.

특히, 비교적 높은 탄성계수를 가지는 강유전체 박막이 전극, 상층유전체 및 보호막 사이에 각각 형성되므로, 크랙(crack)의 전파를 효과적으로 차단함과 아울러 상층유전체로부터 알카리이온 및 Pb 원자 등이 MgO 보호막으로 확산되는 것을 차단함으로써, MgO 박막이 오염되는 것을 방지함과 아울러 안정된 2차 전자 방출특성을 유지할 수 있다.In particular, since a ferroelectric thin film having a relatively high modulus of elasticity is formed between the electrode, the upper dielectric, and the passivation layer, respectively, it effectively blocks crack propagation and diffuses alkali ions and Pb atoms from the upper dielectric into the MgO passivation layer. This prevents the MgO thin film from being contaminated and maintains stable secondary electron emission characteristics.

상술한 바와같이 본 발명에 의한 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조는 진공증착법을 통해 형성되는 투명성 강유전체 박막을 상판의 하층유전체로 적용함에 따라 종래 유기 바인더의 전극과 화학반응 및 기포발생을 최소화하여 투과율 및 절연강도를 증대시킬 수 있으며, 높은 유전율로 인한 정전용량의 증대로 방전전압을 감소시키며, 전극 및 상층유전체에 대한 부착특성이 향상됨과 아울러 고강도 특성으로 진행성 균열의 발생을 최소화할 수 있는 효과가 있다.As described above, the upper plate structure of the plasma display panel according to the present invention is applied to the transparent ferroelectric thin film formed by the vacuum deposition method as the lower layer dielectric of the upper plate to minimize the chemical reaction and bubble generation with the electrode of the conventional organic binder and transmittance and insulation The strength can be increased, the discharge voltage can be reduced by increasing the capacitance due to the high dielectric constant, the adhesion property to the electrode and the upper dielectric is improved, and the high strength property can minimize the occurrence of progressive cracking.

Claims (4)

상부 유리기판 상에 형성된 투명전극 및 그 투명전극의 저항값을 낮추는 버스전극과; 상기 투명전극 및 버스전극을 포함한 상부 유리기판 상의 전면에 형성된 투명성 강유전체 박막과; 상기 투명성 강유전체 박막 상의 전면에 형성된 상층유전체와; 상기 상층유전체 상의 전면에 형성되어 플라즈마 방전에 따른 상층유전체를 보호하는 보호막을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조.A transparent electrode formed on the upper glass substrate and a bus electrode lowering a resistance value of the transparent electrode; A transparent ferroelectric thin film formed on the entire surface of the upper glass substrate including the transparent electrode and the bus electrode; An upper dielectric formed on the entire surface of the transparent ferroelectric thin film; And a protective film formed on the entire surface of the upper dielectric and protecting the upper dielectric due to plasma discharge. 제 1 항에 있어서, 상기 투명성 강유전체 박막은 가시광선 투과율이 80% 이상이고, 유전율이 1000 이상인 재료를 선택적으로 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조.The top plate structure of claim 1, wherein the transparent ferroelectric thin film is formed by selectively forming a material having a visible light transmittance of 80% or more and a dielectric constant of 1000 or more. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 투명성 강유전체 박막은 (Pb,La)-(ZrTi)O3, (Pb,Bi)-(ZrTi)O3, (Pb,La)-(HfTi)O3, (Pb,Ba)-(ZrTi)O3, (Pb,Sr)-(ZrTi)O3, (Sr,Ca)-(LiNbTi)O3, LiTaO3, SrTiO3, La2Ti2O7, LiNbO3, (Pb,La)-(MgNbZrTi)O3, (Pb,Ba)-(LaNb)O3, (Sr,Ba)-Nb2O3, K(Ta,Nb)O3, (Sr,Ba,La)-(Nb2O6), NaTiO3, MgTiO3, BaTiO3, SrZrO3또는 KNbO3중에 선택된 하나로 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조.The method of claim 1 or 2, wherein the transparent ferroelectric thin film is (Pb, La)-(ZrTi) O 3 , (Pb, Bi)-(ZrTi) O 3 , (Pb, La)-(HfTi) O 3 , (Pb, Ba)-(ZrTi) O 3 , (Pb, Sr)-(ZrTi) O 3 , (Sr, Ca)-(LiNbTi) O 3 , LiTaO 3 , SrTiO 3 , La 2 Ti 2 O 7 , LiNbO 3 , (Pb, La)-(MgNbZrTi) O 3 , (Pb, Ba)-(LaNb) O 3 , (Sr, Ba) -Nb 2 O 3 , K (Ta, Nb) O 3 , (Sr, A top plate structure of a plasma display panel, which is formed of one selected from Ba, La)-(Nb 2 O 6 ), NaTiO 3 , MgTiO 3 , BaTiO 3 , SrZrO 3, or KNbO 3 . 상부 유리기판 상에 형성된 투명전극 및 그 투명전극의 저항값을 낮추는 버스전극과; 상기 투명전극 및 버스전극을 포함한 상부 유리기판 상의 전면에 형성된 투명성 제1강유전체 박막과; 상기 투명성 제1강유전체 박막 상의 전면에 형성된 상층유전체와; 상기 상층유전체 상의 전면에 형성된 투명성 제2강유전체 박막과; 상기 투명성 제2강유전체 박막 상의 전면에 형성되어 플라즈마 방전에 따른 상층유전체를 보호하는 보호막을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 구조.A transparent electrode formed on the upper glass substrate and a bus electrode lowering a resistance value of the transparent electrode; A transparent first ferroelectric thin film formed on the entire surface of the upper glass substrate including the transparent electrode and the bus electrode; An upper dielectric formed on an entire surface of the transparent first ferroelectric thin film; A transparent second ferroelectric thin film formed on the entire surface of the upper dielectric; And a protective film formed on the entire surface of the transparent second ferroelectric thin film to protect the upper dielectric caused by plasma discharge.
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