KR100680776B1 - Protection Layers for Plasma Display Panel - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막에 관한 것이다.The present invention relates to a protective film of a plasma display panel.

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막에 있어서, 산화마그네슘(MgO)을 주성분으로 하고 실리콘(Si), 스칸듐(Sc) 및 칼슘(Ca)이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 및 이의 제조방법과 상기 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.In the protective film of the plasma display panel, the protective film of the plasma display panel and its manufacture are characterized in that magnesium oxide (MgO) as a main component and silicon (Si), scandium (Sc) and calcium (Ca) are doped. It provides a plasma display panel comprising a method and the protective film.

본 발명에 따른 보호막을 사용하는 플라즈마 디스플레이 페널은 온도에 따른 패널 특성이 우수하다. 특히, 보호막의 이차전자 방출특성이 향상되어 어드레스 방전이 짧은 시간에 안정되게 일어나므로 저온 환경에서도 응답속도가 빠르고 온도에 따른 응답속도 변화가 적다. 또한 고온에서 어드레스 전압(Va)의 전압 마진이 우수하다.The plasma display panel using the protective film according to the present invention has excellent panel characteristics with temperature. In particular, since the secondary electron emission characteristic of the protective film is improved and the address discharge occurs stably in a short time, the response speed is high even in a low temperature environment, and the response speed changes little with temperature. In addition, it is excellent in voltage margin of the address voltage (V a) at a high temperature.

플라즈마 디스플레이 패널, 보호막, 응답 속도, 전압 마진Plasma display panel, protective film, response speed, voltage margin

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 보호막{Protection Layers for Plasma Display Panel}Protection Layers for Plasma Display Panels

도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도.1 is a view showing the structure of a typical plasma display panel.

도 2는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도.2 is a process chart sequentially showing a front panel manufacturing process of a conventional plasma display panel.

도 3은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동전압을 인가하였을 때의 보호층을 나타낸 도.3 illustrates a protective layer when a driving voltage of the plasma display panel is applied.

도 4는 보호막이 MgO만으로 구성된 경우와 Sc가 도핑된 경우의 응답속도 변화를 나타낸 비교도.4 is a comparison diagram showing a response speed change when the protective film is composed of only MgO and when Sc is doped.

도 5는 보호막이 MgO만으로 구성된 경우, MgO에 Si가 도핑된 경우 및 MgO에 Si 및 Sc가 도핑된 경우 각각의 응답속도 변화를 나타낸 비교도.FIG. 5 is a comparison diagram illustrating changes in response speeds when the protective film includes only MgO, when Si is doped with MgO, and when Si and Sc are doped with MgO. FIG.

도 6은 MgO에 Si가 도핑된 경우에 Si함량에 따른 응답속도의 변화를 나타낸 도.6 is a view showing a change in response speed according to Si content when Si is doped with MgO.

도 7은 MgO에 Sc가 도핑된 경우에 Sc함량에 따른 응답속도의 변화를 나타낸 도.7 is a view showing a change in response speed according to the Sc content when Sc is doped with MgO.

도 8은 MgO에 Si 및 Sc가 도핑된 경우와 Ca가 더 도핑된 경우 각각에 대하여 60℃에서의 전압 마진을 비교한 도.FIG. 8 shows a comparison of voltage margin at 60 ° C. for Si and Sc doped with MgO and Ca further doped. FIG.

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma display panel, and more particularly, to a protective film of the plasma display panel.

일반적으로, 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 패널과 후면 패널 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온과 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet Rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.In general, a plasma display panel is a partition wall formed between a front panel and a rear panel to form one unit cell, and each cell includes neon (Ne), helium (He), or a mixture of neon and helium (Ne + He). An inert gas containing a main discharge gas such as and a small amount of xenon is filled. When discharged by a high frequency voltage, the inert gas generates vacuum ultraviolet rays and emits phosphors formed between the partition walls to realize an image. Such a plasma display panel has a spotlight as a next generation display device because of its thin and light configuration.

도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.1 illustrates a structure of a general plasma display panel.

도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널(100) 및 배면을 이루는 후면 글라스(111) 상에 전술한 복수의 유지전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 패널(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.As shown in FIG. 1, a plasma display panel includes a front panel in which a plurality of sustain electrode pairs formed by pairing a scan electrode 102 and a sustain electrode 103 are arranged on a front glass 101 that is a display surface on which an image is displayed. The rear panel 110 on which the plurality of address electrodes 113 are arranged so as to intersect the plurality of sustain electrode pairs on the back glass 111 forming the back surface 100 and the rear surface is coupled in parallel with a predetermined distance therebetween. .

전면 패널(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 물질로 형성된 투명전극 (a)과 금속재질로 제작된 버스전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 유전체 층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 보호층(105)이 형성된다.The front panel 100 is a bus made of a metal material and a scan electrode 102 and a sustain electrode 103, that is, a transparent electrode (a) formed of a transparent material and for mutual discharge in one discharge cell and maintaining light emission of the cell. The scan electrode 102 and the sustain electrode 103 provided as the electrodes b are included in pairs. The scan electrode 102 and the sustain electrode 103 are covered by a dielectric layer 104 that limits the discharge current and insulates the electrode pairs, and a protective layer 105 is formed on the upper dielectric layer 104.

후면 패널(110)은 복수 개의 방전 공간 즉, 방전셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽(112)에 대해 평행하게 배치된다. 후면 패널(110)의 상측면에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.The rear panel 110 is arranged in such a manner that a plurality of discharge spaces, that is, stripe-type partitions 112 for forming discharge cells are maintained in parallel. In addition, a plurality of address electrodes 113 which perform address discharge to generate vacuum ultraviolet rays are arranged in parallel with the partition wall 112. On the upper side of the rear panel 110, R, G, and B phosphors 114 which emit visible light for image display during address discharge are coated. A lower dielectric layer 115 is formed between the address electrode 113 and the phosphor 114 to protect the address electrode 113.

이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 산화마그네슘으로 이루어지는 종래의 보호층을 구비한 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 살펴보면 다음과 같다.In such a plasma display panel, a front panel manufacturing process including a conventional protective layer made of magnesium oxide is sequentially described as follows.

도 2는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도이다.2 is a process diagram sequentially illustrating a front panel manufacturing process of a conventional plasma display panel.

도 2에 도시된 바와 같이, (a) 단계에서는 전면 글라스에 유지전극쌍인 스캔 전극 및 서스테인 전극을 형성한다.As shown in FIG. 2, in step (a), scan electrodes and sustain electrodes which are sustain electrode pairs are formed on the front glass.

이러한 스캔 전극 및 서스테인 전극은 투명전극과 버스전극으로 형성되어 있는데 스캔 전극 및 서스테인 전극 형성 방법의 일례를 살펴보면, 산화 인듐과 산화 주석으로 이루어진 ITO(Indium Tin Oxide) 물질로 형성된 투명 전극막 상부에 드라이 필름을 라미네이팅하여 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(Photo Mask)의 패턴으로 노광한 후, 현성 및 에칭 공정을 거쳐 스캔용 투명전극과 서스테인용 투명전극을 형성한다.The scan electrode and the sustain electrode are formed of a transparent electrode and a bus electrode. Referring to one example of a method of forming the scan electrode and the sustain electrode, the scan electrode and the sustain electrode are dried on the transparent electrode layer formed of an indium tin oxide (ITO) material made of indium oxide and tin oxide. After the film is laminated and exposed in a pattern of a photo mask in which a predetermined pattern is formed, a scan transparent electrode and a sustain transparent electrode are formed through a forming and etching process.

이와 같은 스캔용 투명전극과 서스테인용 투명전극 상부에 버스 전극을 각각 형성하게 되는데 그 형성 방법의 일례를 살펴보면, 감광성 은(Ag)페이스트를 스크린 인쇄(Screen-printing)방식으로 인쇄한 후, 전술한 투명전극 형성 방법과 마찬가지로 노광공정을 이용하여 버스전극을 형성한다. 그 후 550℃ 정도의 온도로 가열하여 소성을 행함으로써 스캔 전극 및 서스테인 전극이 형성된다.The bus electrode is formed on the scan transparent electrode and the sustain transparent electrode, respectively. Looking at an example of the formation method, the photosensitive silver paste is printed by a screen-printing method, and the above-described method is described. As in the transparent electrode forming method, a bus electrode is formed using an exposure process. Thereafter, the substrate is heated to a temperature of about 550 ° C. and fired to form a scan electrode and a sustain electrode.

이 후, (b) 단계에서, 스캔 전극 및 서스테인 전극이 형성된 전면 글라스 상부에 유전체층을 형성한다.Thereafter, in step (b), a dielectric layer is formed on the front glass on which the scan electrode and the sustain electrode are formed.

이러한 유전체층 형성 방법의 일례를 살펴보면, 유전체 유리 페이스트를 도포하여 건조한 후, 약 500℃이상 600℃이하의 온도로 소성을 행하여 유전체층을 형성한다.Looking at an example of such a dielectric layer forming method, the dielectric glass paste is coated and dried, and then fired at a temperature of about 500 ° C. to 600 ° C. to form a dielectric layer.

마지막으로, (c) 단계에서, 유전체층의 표면상에 산화마그네슘으로 이루어지는 보호층을 CVD법, 이온도금법이나 진공증착법 등을 이용하여 형성하면 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널이 완성된다.Finally, in the step (c), when the protective layer made of magnesium oxide is formed on the surface of the dielectric layer by CVD, ion plating, vacuum deposition, or the like, the front panel of the plasma display panel is completed.

이와 같은 방법으로 형성된 전면 패널은 후면 패널과 전면 패널의 보호층이 미세하게 이격되어 마주보도록 설치된다. The front panel formed in this way is installed so that the rear panel and the protective layer of the front panel are finely spaced to face each other.

이에 따라, 화상을 구현하기 위해서 플라즈마 디스플레이 패널이 전면 패널 의 복수의 유지전극쌍과 복수의 어드레스 전극에 구동전압을 인가하게 되면 보호층 위에서 플라즈마 방전이 일어나게 된다. 이 때, 인가되는 전압의 크기는 전면 패널과 후면 패널 사이에 형성되는 방전공간의 간격, 방전공간 내에 유입한 방전가스의 종류과 압력, 유전체와 보호층의 성질에 따라 결정된다. 이와 같은 구동전압을 인가하였을때의 보호층의 표면을 살펴보면 다음과 같다.Accordingly, when the plasma display panel applies a driving voltage to the plurality of sustain electrode pairs and the plurality of address electrodes of the front panel, plasma discharge occurs on the protective layer. At this time, the magnitude of the applied voltage is determined according to the interval of the discharge space formed between the front panel and the rear panel, the type and pressure of the discharge gas introduced into the discharge space, the nature of the dielectric and the protective layer. Looking at the surface of the protective layer when the driving voltage is applied as follows.

도 3은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동전압을 인가하였을 때의 보호층을 나타낸 도이다.3 is a diagram illustrating a protective layer when a driving voltage of the plasma display panel is applied.

도 3에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널에 구동전압이 인가하여 플라즈마 방전이 일어나면 방전공간내의 양이온들과 전자들은 서로 반대의 극성(polarization)을 가지고 이동하며 보호층의 표면은 서로 반대되는 두 개의 다른 극성을 가진 부분으로 나뉘어 진다. 이와 같이 보호층 표면에 형성된 전하들을 벽전하라고 한다.As shown in FIG. 3, when a plasma voltage is generated by applying a driving voltage to the plasma display panel, positive ions and electrons in the discharge space move with opposite polarizations, and the surfaces of the protective layer are opposite to each other. It is divided into parts with different polarities. As such, the charges formed on the surface of the protective layer are called wall charges.

이와 같은 벽전하들은 보호층이 근본적으로 저항이 높은 절연체로 형성되므로 보호층 표면에 남아 있으며 이러한 벽전하로 인하여 구동전압보다 낮은 전압에서도 방전이 유지되게 된다.Such wall charges remain on the surface of the protective layer because the protective layer is formed of an insulator having high resistance, and the discharge is maintained even at a voltage lower than the driving voltage due to the wall charge.

또한, 보호층은 플라즈마 디스플레이 패널의 방전전압을 낮추기 위한 이차전자를 공급하여 보다 낮은 전압에서 플라즈마 방전을 일으킴으로써 방전전력효율을 증가시키는 전기적 역할을 하며, 상부 유전체층의 성분인 PbO가 플라즈마에 노출되어 이온 충격에 의해 분해 반응을 일으키는 것을 방지시키는 구조적 역할을 한다.In addition, the protective layer serves to increase the discharge power efficiency by supplying secondary electrons for lowering the discharge voltage of the plasma display panel to cause plasma discharge at a lower voltage, and PbO, a component of the upper dielectric layer, is exposed to the plasma. It plays a structural role in preventing the decomposition reaction by ion bombardment.

이와 같은 역할을 하는 보호층을 형성하는 물질은 전술한 보호층의 역할을 충분히 해낼 수 있는 물질이어야 하며 또한 형광체에서 발광된 빛이 플라즈마 디스플레이 패널의 전면패널을 통과하여 나올 수 있도록 가시광의 투광성도 좋아야 한다.The material forming the protective layer having such a role should be a material capable of sufficiently fulfilling the above-described protective layer, and should also have good light transmittance so that light emitted from the phosphor can pass through the front panel of the plasma display panel. do.

이러한 보호층 형성 물질의 요건을 만족하고 현재 사용되고 있는 물질이 산화마그네슘(MgO)이다.Magnesium oxide (MgO) is a material that meets the requirements of such protective layer forming materials and is currently used.

그러나 산화마그네슘은 전술한 요건을 만족하지만 방전을 일으키기 위한 전기적인 신호가 입력된 후에 바로 방전이 일어나지 않고 방전이 일어날 때까지 시간이 걸리는 방전지연현상 즉 지터현상을 일으키는 주요인이 된다. 이는 산화마그네슘의 물질특성상 플라즈마로부터 입사하는 이온에 대한 이차전자의 방출량이 작기 때문이다. 즉, 산화마그네슘(MgO)보호막의 가장 큰 단점은 대기중의 H2O와 CO2가 산화마그네슘 표면에서 물리,화학적 흡착을 하여 표면 변형을 일으키고, 보호막 표면에서의 이차전자 방출을 저해하는 요소로 작용하여 결과적으로 방전특성의 악화를 가져오는 요소로 작용하는 것이다.Magnesium oxide, however, satisfies the above requirements, but becomes the main cause of the discharge delay phenomenon, that is, the jitter phenomenon, which does not occur immediately after the electrical signal for generating the discharge is input and takes time until the discharge occurs. This is because the amount of emission of secondary electrons to ions incident from the plasma is small due to the material properties of magnesium oxide. That is, the biggest disadvantage of the magnesium oxide (MgO) protective film is that the H 2 O and CO 2 in the atmosphere by the physical and chemical adsorption on the surface of the magnesium oxide causes surface deformation and inhibits secondary electron emission from the surface of the protective film It acts as a factor that results in deterioration of discharge characteristics.

이와 같은 지터현상으로 인하여 플라즈마 방전을 일으키기 위해서는 회로부에 전기적인 신호를 입력한 후에 방전이 일어나기 충분한 시간을 기다린 후에 다음 신호를 입력하여야 하므로 스캔을 위한 회로부도 1개 이상을 사용하여야 한다는 문제점이 있다.In order to cause plasma discharge due to this jitter phenomenon, after inputting an electrical signal to the circuit unit, the user needs to wait for a sufficient time for the discharge to occur and then input the next signal.

특히 지터현상은 PDP의 온도나 주위온도가 낮을수록 증가하는 경향이 있다. 이 때문에 PDP는 저온에서 어드레스 방전이 불안정하게 이루어지므로 셀선택이 안 되는 즉, 미스라이팅이 발생하여 표시화상에서 흑점(black noise)이 나타나게 된다.In particular, the jitter phenomenon tends to increase as the PDP temperature and ambient temperature decrease. For this reason, since the PDP has an unstable address discharge at a low temperature, cell selection is not possible, that is, miswriting occurs, and black noise appears in the display image.

상기 문제점을 해결하기 위해 새로운 보호막 물질의 개발, 산화마그네슘 특성 개선을 위한 도핑 연구 및 다층보호막 형성에 대한 시도가 이루어지고 있다.In order to solve the above problems, attempts have been made to develop new protective film materials, doping studies to improve magnesium oxide properties, and to form multilayer protective films.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여, 온도에 따른 패널 특성이 우수한 보호막을 제공함에 있다. 특히, 저온에서 응답속도가 빠르고 온도에 따른 응답속도변화가 적으며 한편 고온에서의 어드레스 전압 마진도 우수한 보호막을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention to solve the above problems, to provide a protective film excellent in panel characteristics with temperature. In particular, the object of the present invention is to provide a protective film having a fast response speed at low temperatures, a small response speed change with temperature, and an excellent address voltage margin at high temperatures.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막에 있어서, 산화마그네슘(MgO)을 주성분으로 하고 실리콘(Si), 스칸듐(Sc) 및 칼슘(Ca)이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.In order to achieve the above object, according to the present invention, in the protective film of the plasma display panel, the main component is magnesium oxide (MgO), and silicon (Si), scandium (Sc), and calcium (Ca) are doped. Provide a protective film of the display panel.

또한 본 발명은 상기 실리콘(Si)의 함량이 10ppm~1,000ppm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a protective film of the plasma display panel, characterized in that the content of the silicon (Si) is 10ppm ~ 1,000ppm.

또한 본 발명은 상기 실리콘(Si)의 함량이 30ppm~500ppm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a protective film of the plasma display panel, characterized in that the content of the silicon (Si) is 30ppm ~ 500ppm.

또한 본 발명은 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 50ppm~2,000ppm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a protective film of the plasma display panel, characterized in that the content of the scandium (Sc) is 50ppm ~ 2,000ppm.

또한 본 발명은 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 100ppm~1,000ppm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a protective film of the plasma display panel, characterized in that the content of the scandium (Sc) is 100ppm ~ 1,000ppm.

또한 본 발명은 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 300ppm~700ppm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a protective film of the plasma display panel, characterized in that the content of the scandium (Sc) is 300ppm ~ 700ppm.

또한 본 발명은 상기 칼슘(Ca)의 함량이 100ppm~1,000ppm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a protective film of the plasma display panel, characterized in that the calcium (Ca) content of 100ppm ~ 1,000ppm.

또한 본 발명은 산화마그네슘(MgO)을 주성분으로 하고 실리콘(Si), 스칸듐(Sc) 및 칼슘(Ca)이 도핑되어 있는 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a method for manufacturing a protective film of a plasma display panel, characterized in that a protective film doped with magnesium oxide (MgO) and doped with silicon (Si), scandium (Sc), and calcium (Ca).

또한, 상기 실리콘(Si)의 함량이 10ppm~1,000ppm인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method for manufacturing a protective film of a plasma display panel, wherein the protective film has a silicon (Si) content of 10 ppm to 1,000 ppm.

또한, 상기 실리콘(Si)의 함량이 30ppm~500ppm인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a method for manufacturing a protective film of a plasma display panel, wherein the protective film has a silicon (Si) content of 30 ppm to 500 ppm.

또한, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 50ppm~2,000ppm인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method for manufacturing a protective film for a plasma display panel, wherein the scandium (Sc) content is 50ppm to 2,000ppm.

또한, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 100ppm~1,000ppm인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method for manufacturing a protective film of a plasma display panel, wherein the scandium (Sc) content is 100ppm to 1,000ppm.

또한. 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 300ppm~700ppm인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.Also. It provides a protective film manufacturing method of the plasma display panel, characterized in that to form a protective film of the content of the scandium (Sc) is 300ppm ~ 700ppm.

또한, 상기 칼슘(Ca)의 함량이 100ppm~1,000ppm인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method for manufacturing a protective film for a plasma display panel, wherein the protective film has a calcium content of 100 ppm to 1,000 ppm.

또한 상기 보호막은 진공증착 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.In addition, the protective film provides a method for manufacturing a protective film of a plasma display panel, characterized in that formed by a vacuum deposition process.

또한 상기 보호막은 화학적 기상증착(CVD), 이-빔(E-beam), 이온-플레이팅(Ion-plating), 스퍼터링(Sputtering) 중 어느 하나의 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법을 제공한다.In addition, the protective film is formed by any one of chemical vapor deposition (CVD), E-beam (E-beam), ion-plating (Ion-plating), sputtering (Sputtering) process It provides a method for producing a protective film.

또한 전면 패널; 상기 전면 패널의 아랫면에 스트립 형태로 형성되는 복수개의 전극; 상기 전면 패널의 아랫면에 형성되어 상기 전극을 매립하는 제1유전체층; 상기 제1유전체층의 아랫면에 형성되는 보호막층; 상기 전면 패널과 대향되게 설치되는 배면 패널; 상기 배면 패널의 윗면에 상기 전극과 직교하는 형태로 형성되는 복수개의 어드레스전극; 상기 배면 패널의 윗면에 형성되어 상기 어드레스전극을 매립하는 제2유전체층; 상기 제2유전체층의 윗면에 상기 어드레스전극과 나란한 방향으로 다수개 형성되어 방전공간을 구획하는 격벽; 및 상기 격벽의 내측으로 도포되는 적,녹,청색의 형광체층;을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 산화마그네슘(MgO)을 주성분으로 하고 실리콘(Si), 스칸듐(Sc) 및 칼슘(Ca)이 도핑되어 있는 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.Also front panel; A plurality of electrodes formed in a strip shape on a lower surface of the front panel; A first dielectric layer formed on a lower surface of the front panel to bury the electrode; A protective film layer formed on a lower surface of the first dielectric layer; A rear panel installed to face the front panel; A plurality of address electrodes formed on an upper surface of the rear panel to be orthogonal to the electrodes; A second dielectric layer formed on an upper surface of the rear panel to fill the address electrode; A plurality of partition walls formed on a top surface of the second dielectric layer in a direction parallel to the address electrode to partition a discharge space; And red, green, and blue phosphor layers applied to the inner side of the partition wall, wherein the main component is magnesium oxide (MgO) and silicon (Si), scandium (Sc), and calcium (Ca) Provided is a plasma display panel comprising a doped protective film.

또한, 상기 실리콘(Si)의 함량이 10ppm~1,000ppm인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.In addition, the present invention provides a plasma display panel comprising a protective film having a silicon (Si) content of 10ppm to 1,000ppm.

또한, 상기 실리콘(Si)의 함량이 30ppm~500ppm인 보호막을 포함하는 것을 특 징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.In addition, the present invention provides a plasma display panel comprising a protective film having a silicon (Si) content of 30ppm to 500ppm.

또한, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 50ppm~2,000ppm인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.The present invention also provides a plasma display panel comprising a protective film having a content of scandium (Sc) of 50 ppm to 2,000 ppm.

또한, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 100ppm~1,000ppm인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.The present invention also provides a plasma display panel comprising a protective film having a content of scandium (Sc) of 100 ppm to 1,000 ppm.

또한, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 300ppm~700ppm인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.The present invention also provides a plasma display panel comprising a protective film having a content of scandium (Sc) of 300 ppm to 700 ppm.

또한, 상기 칼슘(Ca)의 함량이 100ppm~1,000ppm인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.In addition, the present invention provides a plasma display panel comprising a protective film having a calcium (Ca) content of 100 ppm to 1,000 ppm.

이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 4는 보호막이 MgO만으로 구성된 경우와 MgO에 Sc가 도핑되어 보호막을 구성하는 경우의 응답속도 변화를 나타낸 비교도이다.4 is a comparison diagram illustrating a response speed change when the protective film is composed of only MgO and when Sc is doped with MgO to form a protective film.

도 4에서 확인할 수 있는 바와 같이 보호막이 MgO만으로 구성된 경우에 비하여 MgO에 Sc가 도핑된 경우가 저온에서의 응답속도가 더 빠르다는 것을 확인 할 수 있다. 특히 -10℃이하의 저온에서는 Sc가 도핑된 경우가 거의 두배 가까이 빠르다는 것을 알 수 있다. 이는 보호막이 MgO만으로 구성된 경우에 비하여 MgO에 Sc가 도핑된 경우, 보호막의 이차전자 방출특성이 향상되어 어드레스 방전이 짧은 시간에 안정되게 일어나므로 저온환경에서도 응답속도가 빨라지는 것이다.As can be seen in Figure 4 it can be seen that the response rate at a low temperature is faster when Sc doped MgO than when the protective film is composed of only MgO. In particular, it can be seen that at low temperatures below -10 ° C, the doping of Sc is nearly twice as fast. This is because, when Sc is doped with MgO, the secondary electron emission characteristic of the protective film is improved and the address discharge occurs stably in a short time, compared to the case where the protective film is composed of MgO alone, so that the response speed is increased even in a low temperature environment.

뿐만아니라 도 4에 의하면 MgO에 Sc가 도핑된 경우에는 온도 변화에 따른 응 답속도 변화가 크지 않다는 점도 확인 할 수 있다.In addition, according to Figure 4 it can be seen that when the Sc doped MgO, the change in response speed according to the temperature change is not large.

도 5는 보호막이 MgO만으로 구성된 경우, MgO에 Si가 도핑되어 보호막을 구성하는 경우 및 MgO에 Si 및 Sc가 도핑되어 보호막을 구성하는 경우 각각의 응답속도 변화를 나타낸 비교도이다.FIG. 5 is a comparison diagram illustrating changes in response speeds when the protective film includes only MgO, when Si is doped with MgO, and when Si and Sc are doped with MgO.

도 5를 참조하면, 보호막이 MgO만으로 구성된 경우에 비하여 MgO에 Si가 도핑된 경우가 저온에서의 응답속도가 더 빠르다는 것을 확인 할 수 있다. 이는 보호막이 MgO만으로 구성된 경우에 비하여 MgO에 Si가 도핑된 경우, 보호막의 이차전자방출특성이 향상되어 어드레스 방전이 짧은 시간에 안정되게 일어나므로 저온환경에서도 응답속도가 빨라지는 것이다.Referring to FIG. 5, it can be seen that the response speed at low temperature is faster when Si is doped with MgO than when the protective film is composed of MgO alone. This is because when the Si is doped with MgO, the secondary electron emission characteristic of the protective film is improved and the address discharge occurs stably in a short time, compared to the case where the protective film is composed of only MgO, so that the response speed is increased even in a low temperature environment.

게다가 MgO에 Si 뿐만아니라 Sc가 더 도핑되어 보호막을 구성하는 경우에는 앞서 도 4에서 MgO에 Sc가 도핑된 경우와 같이 온도에 따른 응답속도의 변화가 작았으며, MgO에 Si만 도핑된 경우 보다 응답속도가 더 빨랐다. 그리고 앞서 도 4에서 MgO에 Sc만 도핑된 경우보다는 Si가 더 도핑됨에 따라 약간 더 응답속도가 빠르다는 것을 도 5에서 확인할 수 있다.In addition, when Sc is doped with MgO as well as Si, the change in response speed according to temperature is smaller, as in the case where Sc is doped with MgO in FIG. 4. It was faster. In addition, it can be seen from FIG. 5 that the response speed is slightly faster as Si is doped more than the case where only Sc is doped with MgO in FIG. 4.

도 6은 MgO에 Si가 도핑된 경우에 일정한 온도에서 다른 성분의 함량을 동일하게 유지할 경우 Si함량에 따른 응답속도의 변화를 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a view illustrating a change in response speed according to Si content when MgO is doped with Si and when the content of other components is maintained at the same temperature.

도 6에서 알수 있는 바와 같이, 본 발명에서 상기 MgO에 도핑된 실리콘(Si)의 함량은 10ppm~1,000ppm인 것이 바람직하고, 30ppm~500ppm인 것이 보다 바람직하다. MgO에 도핑된 실리콘(Si)의 함량이 10ppm미만일 경우에는 본래 의도한 응답속도를 낮추려는 효과가 미미하고, 반면에 1,000ppm을 초과할 경우에는 MgO 고유의 결정구조가 변화를 초래하여 MgO 고유의 특성 발휘가 곤란해진다.As can be seen in Figure 6, the content of silicon (Si) doped in the MgO in the present invention is preferably 10ppm to 1,000ppm, more preferably 30ppm to 500ppm. If the content of silicon (Si) doped in MgO is less than 10ppm, the effect of lowering the originally intended response speed is insignificant. On the other hand, if the content of MgO exceeds 1,000ppm, MgO's intrinsic crystal structure causes a change. It becomes difficult to exhibit characteristics.

도 7은 MgO에 Sc가 도핑된 경우에 일정한 온도에서 다른 성분의 함량을 동일하게 유지할 경우 Sc함량에 따른 응답속도의 변화를 나타낸 도면이다.7 is a view showing a change in response speed according to the Sc content when the content of the other components at the same temperature when Sc is doped with MgO.

도 7에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에서 상기 MgO에 도핑된 스칸듐(Sc)의 함량은 50ppm~2,000ppm인 것이 바람직하고, 100ppm~1,000ppm인 것이 보다 바람직하며, 300ppm~700ppm인 것이 가장 바람직하다. MgO에 도핑된 스칸듐(Sc)의 함량이 50ppm미만일 경우에는 본래 의도한 응답속도를 낮추려는 효과가 미미하고, 반면에 2,000ppm을 초과할 경우에는 MgO 고유의 결정구조가 변화를 초래하여 MgO 고유의 특성 발휘가 곤란해진다.As can be seen in Figure 7, the content of scandium (Sc) doped in the MgO in the present invention is preferably 50ppm ~ 2,000ppm, more preferably 100ppm ~ 1,000ppm, most preferably 300ppm ~ 700ppm Do. If the content of scandium (Sc) doped in MgO is less than 50 ppm, the effect of lowering the originally intended response speed is insignificant. On the other hand, if the content of MgO exceeds 2,000 ppm, the intrinsic crystal structure of MgO causes a change. It becomes difficult to exhibit characteristics.

도 8은 MgO에 Si 및 Sc가 도핑된 경우와 Ca가 더 도핑된 경우 각각에 대하여 60℃에서의 어드레스 전압(Va)의 전압 마진을 비교한 도면이다.FIG. 8 is a diagram comparing voltage margins of the address voltage V a at 60 ° C. for Si and Sc doped with MgO and Ca further doped.

본 발명에서 Ca를 더 도핑하는 이유는 저온에서의 응답 속도를 향상시키는 목적이 아니라 고온에서 어드레스 전압(Va)의 전압 마진 특성을 향상시키는데에 있다. 즉, 도 8에서 확인할 수 있는 바와 같이 고온에서 MgO에 Si 및 Sc만 도핑된 경우에는 어드레스 전압의 전압 마진 값이 음의 값을 가지는 반면에, MgO에 Si 및 Sc 뿐만아니라 Ca가 더 도핑된 경우에는 어드레스 전압의 전압 마진 값이 양의 값을 가지게 된다.The reason for doping the Ca in the present invention is to sikineunde not the purpose of improving the response speed at low temperatures improve the voltage margin characteristic of the address voltage (V a) at a high temperature. That is, as shown in FIG. 8, when only Si and Sc are doped with MgO at high temperature, the voltage margin of the address voltage has a negative value, whereas Si and Sc as well as Si and Sc are further doped with MgO. The voltage margin of the address voltage has a positive value.

상기 MgO에 Si, Sc 및 Ca가 도핑된 보호막은 진공증착 공정을 이용하여 형성시킬 수 있다.The protective film doped with Si, Sc, and Ca in the MgO may be formed using a vacuum deposition process.

본 발명에 따른 보호막은 화학적 기상증착(CVD), 이-빔(E-beam), 이온-플레이팅(Ion-plating), 스퍼터링(Sputtering) 중 어느 하나의 공정을 이용하여 형성시킬 수 있다.The protective film according to the present invention may be formed using any one of chemical vapor deposition (CVD), E-beam, ion-plating, and sputtering.

상술한 바와 같이, 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.As described above, it will be understood by those skilled in the art that the technical configuration of the present invention may be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention.

그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, the above-described embodiments are to be understood as illustrative and not restrictive in all respects, and the scope of the present invention is indicated by the appended claims rather than the detailed description, and the meaning and scope of the claims and their All changes or modifications derived from equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention.

본 발명에 따른 보호막을 사용하는 플라즈마 디스플레이 페널은 온도에 따른 패널 특성이 우수하다. The plasma display panel using the protective film according to the present invention has excellent panel characteristics with temperature.

특히, 보호막의 이차전자 방출특성이 향상되어 어드레스 방전이 짧은 시간에 안정되게 일어나므로 저온환경에서도 응답속도가 빠르고 온도에 따른 응답속도변화가 적다. In particular, since the secondary electron emission characteristic of the protective film is improved and the address discharge occurs stably in a short time, the response speed is high even in a low temperature environment, and the response speed changes little with temperature.

또한 고온에서 어드레스 전압(Va)의 전압 마진이 우수하다.
In addition, it is excellent in voltage margin of the address voltage (V a) at a high temperature.

Claims (23)

플라즈마 디스플레이 패널의 보호막에 있어서,In the protective film of the plasma display panel, 산화마그네슘(MgO)을 주성분으로 하고 실리콘(Si), 스칸듐(Sc) 및 칼슘(Ca)이 도핑되며,Magnesium oxide (MgO) as a main component and doped with silicon (Si), scandium (Sc) and calcium (Ca), 상기 스칸듐(Sc)의 함량은 50ppm이상 2,000ppm이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.The scandium (Sc) content of the plasma display panel, characterized in that 50ppm or more and 2,000ppm or less. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 실리콘(Si)의 함량이 10ppm이상 1,000ppm 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.The protective film of the plasma display panel, characterized in that the content of the silicon (Si) is 10ppm or more and 1,000ppm or less. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 실리콘(Si)의 함량이 30ppm이상 500ppm이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.The protective film of the plasma display panel, characterized in that the content of the silicon (Si) is 30ppm or more and 500ppm or less. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 100ppm이상 1,000ppm이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.The protective film of the plasma display panel, characterized in that the content of the scandium (Sc) is 100ppm or more and 1,000ppm or less. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 300ppm이상 700ppm이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.A protective film of the plasma display panel, characterized in that the content of the scandium (Sc) is 300ppm or more and 700ppm or less. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 칼슘(Ca)의 함량이 100ppm이상 1,000ppm이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.The protective film of the plasma display panel, characterized in that the calcium (Ca) content is 100ppm or more and 1,000ppm or less. 산화마그네슘(MgO)을 주성분으로 하고 실리콘(Si), 스칸듐(Sc) 및 칼슘(Ca)이 도핑되어 있는 보호막을 형성하고, Forming a protective film containing magnesium oxide (MgO) as a main component and doped with silicon (Si), scandium (Sc), and calcium (Ca), 상기 스칸듐(Sc)의 함량은 50ppm이상 2,000ppm이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.The scandium (Sc) content of the protective film manufacturing method of the plasma display panel, characterized in that 50ppm or more and 2,000ppm or less. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 실리콘(Si)의 함량이 10ppm이상 1,000ppm이하인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.The protective film manufacturing method of the plasma display panel, characterized in that to form a protective film having a silicon (Si) content of 10ppm or more and 1,000ppm or less. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 실리콘(Si)의 함량이 30ppm이상 500ppm이하인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.The protective film manufacturing method of the plasma display panel, characterized in that for forming a protective film having a silicon (Si) content of 30ppm or more and 500ppm or less. 삭제delete 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 100ppm이상 1,000ppm이하인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.The protective film manufacturing method of the plasma display panel, characterized in that for forming a protective film having a content of the scandium (Sc) is 100ppm or more and 1,000ppm or less. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 300ppm이상 700ppm이하인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.The protective film manufacturing method of the plasma display panel, characterized in that for forming a protective film having a content of the scandium (Sc) is 300ppm or more and 700ppm or less. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 칼슘(Ca)의 함량이 100ppm이상 1,000ppm이하인 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.The protective film manufacturing method of the plasma display panel, characterized in that to form a protective film having a calcium (Ca) content of 100ppm or more and 1,000ppm or less. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 보호막은 진공증착 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.The protective film is a protective film manufacturing method of a plasma display panel, characterized in that formed by a vacuum deposition process. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 보호막은 화학적 기상증착(CVD), 이-빔(E-beam), 이온-플레이팅(Ion-plating), 스퍼터링(Sputtering) 중 어느 하나의 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 제조방법.The protective layer may be formed by any one of chemical vapor deposition (CVD), E-beam, ion-plating, and sputtering. Protective film production method. 전면 패널; 상기 전면 패널의 아랫면에 스트립 형태로 형성되는 복수개의 전극; 상기 전면 패널의 아랫면에 형성되어 상기 전극을 매립하는 제1유전체층; 상기 제1유전체층의 아랫면에 형성되는 보호막층; 상기 전면 패널과 대향되게 설치되는 배면 패널; 상기 배면기판의 윗면에 상기 전극과 직교하는 형태로 형성되는 복수개의 어드레스전극; 상기 배면 패널의 윗면에 형성되어 상기 어드레스전극을 매립하는 제2유전체층; 상기 제2유전체층의 윗면에 상기 어드레스전극과 나란한 방향으로 다수개 형성되어 방전공간을 구획하는 격벽; 및 상기 격벽의 내측으로 도포되는 적,녹,청색의 형광체층;을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,Front panel; A plurality of electrodes formed in a strip shape on a lower surface of the front panel; A first dielectric layer formed on a lower surface of the front panel to bury the electrode; A protective film layer formed on a lower surface of the first dielectric layer; A rear panel installed to face the front panel; A plurality of address electrodes formed on an upper surface of the rear substrate so as to be orthogonal to the electrodes; A second dielectric layer formed on an upper surface of the rear panel to fill the address electrode; A plurality of partition walls formed on a top surface of the second dielectric layer in a direction parallel to the address electrode to partition a discharge space; And a red, green, and blue phosphor layer applied to an inner side of the partition wall. 상기 보호막층은 산화마그네슘(MgO)을 주성분으로 하고 실리콘(Si), 스칸듐(Sc) 및 칼슘(Ca)이 도핑되어 있으며,The protective layer has magnesium oxide (MgO) as a main component and is doped with silicon (Si), scandium (Sc), and calcium (Ca), 상기 스칸듐(Sc)의 함량은 50ppm이상 2,000ppm이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널. The plasma display panel is characterized in that the content of the scandium (Sc) is 50ppm or more and 2,000ppm or less. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 실리콘(Si)의 함량이 10ppm이상 1,000ppm이하인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And a protective film having a silicon content of 10 ppm or more and 1,000 ppm or less. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 실리콘(Si)의 함량이 30ppm이상 500ppm이하인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And a protective film having a silicon content of 30 ppm or more and 500 ppm or less. 삭제delete 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 100ppm이상 1,000ppm이하인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And a protective film having a content of the scandium (Sc) of 100 ppm or more and 1,000 ppm or less. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 스칸듐(Sc)의 함량이 300ppm이상 700ppm이하인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And a protective film having a content of the scandium (Sc) of 300 ppm or more and 700 ppm or less. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 칼슘(Ca)의 함량이 100ppm이상 1,000ppm이하인 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And a protective film having a content of calcium (Ca) of 100 ppm or more and 1,000 ppm or less.
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