KR20010031780A - 복합 스페이서를 구비하는 전계 방출 장치 - Google Patents

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KR20010031780A
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스콧 케이. 에이지노
피터 에이. 스미스
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비센트 비.인그라시아, 알크 엠 아헨
모토로라 인코포레이티드
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Abstract

전계 방출 장치(100)는 다수의 전자 이미터(124)를 구비하는 음극(102), 상기 음극(102)과 마주보는 양극(104), 및 상기 양극(104)과 음극(102) 사이에 뻗어 있는 복합 스페이서(108)를 포함한다. 상기 복합 스페이서(108)는 유전체 또는 벌크 저항 물질로 만들어지는 제 1 층(107), 및 상기 제 1 층(107)과 맞닿아 있고 금속, 금속 합금, 또는 세라믹-금속 혼합 물질로 만들어지는 전도 층(109)을 포함한다. 상기 복합 스페이서(108)의 높이는 500㎛ 이상이다.

Description

복합 스페이서를 구비하는 전계 방출 장치{FIELD EMISSION DEVICE HAVING A COMPOSITE SPACER}
전계 방출 디스플레이의 음극 판과 양극 판 사이에서 스페이서 구조를 이용하는 것은 해당 분야에 공지된다. 상기 스페이서 구조는 음극과 양극 사이의 분리상태를 유지한다. 상기 구조는 또한 음극과 양극 사이의 전위차를 견디어야만 한다.
그러나, 스페이서는 상기 스페이서 근처에서 양극으로 향하는 전자의 흐름에 나쁜 영향을 끼칠 수 있다. 음극으로부터 방출된 전자 중 일부는 상기 스페이서 표면을 정전기적으로 충전시킬 수 있는데, 이는 바람직한 전압 분포로부터 스페이서 근처에서의 전압 분포의 변화를 가져온다. 상기 스페이서 근처에서의 전압 분포 변화는 전자 흐름의 왜곡을 가져올 수 있다. 또한 상기 변화는 스페이서와 음극 사이에서와 같이 전기적 아크(arc)를 야기할 수 있다.
전계 방출 디스플레이에서, 상기 스페이서 주변에서의 이러한 전자 흐름의 왜곡은 디스플레이에 의해 생성된 영상에 대해 왜곡을 가져 올 수 있다. 특히, 영상의 왜곡은 영상 내 각 스페이서의 위치에 어두운 영역을 생성시킴으로써 상기 스페이서를 ″눈에 보이게″ 나타낸다.
종래 기술에서 다양한 스페이서가 스페이서 충전과 관련된 문제를 해결하려고 시도했다. 예를 들어, 전도에 의한 충돌 전자(impinging electrons)를 제거하기에는 상당히 부족하지만 양극에서 음극으로의 전기 전류로 인한 전력 손실을 개선하기에는 아주 충분한 값의 시트 저항(sheet resistance)을 갖는 표면을 구비하는 스페이서를 제공하는 것이 해당 분야에 공지된다. 상기 저항 표면은 요구되는 저항을 갖는 필름으로 상기 스페이서를 코팅함으로써 실현될 수 있다. 그러나, 이러한 필름은 상기 스페이서를 취급하는 동안 발생할 수도 있는, 기계적 손상 및/또는 변형에 영향을 받기 쉽다. 이러한 필름은 또한 예를 들어, 음극과의 화학적 비양립성을 가져올 수도 있다. 화학적 비양립성은 음극에 있는 전자 이미터(emitter)의 방출 특성에 나쁜 영향을 끼칠 수 있다. 또한 코팅된 스페이서는 제조하기 어려울 수 있다.
스페이서 근처에서의 전압 분포를 제어하기 위해 상기 스페이서의 높이를 따라, 독립적으로 제어되는 전극을 추가로 제공하는 것이 또한 해당 분야에 공지된다. 그러나, 이러한 종래 기술의 구조는 기계적으로 또한 손상 받기 쉬운 스페이서 전극을 형성시키기 위한 추가 처리 단계를 포함한다. 이러한 종래 기술 구조는 또한 상기 스페이서 전극에 전위를 제공하기 위한 별도의 전압원을 사용하는데, 이는 장치의 전력 요구량을 증가시킬 수 있다.
따라서, 전자 흐름의 왜곡을 감소시키고 과도한 전력 손실을 초래하지 않는 스페이서를 구비하는 개선된 전계 방출 장치에 대한 필요성이 존재한다.
관련된 내용은 ″복합 스페이서를 구비하는 전계 방출 장치를 제조하는 방법″이라는 제목의 미국 특허 출원에서 개시되는데, 상기 특허 출원은 FD97091의 변리사 관리 번호를 가지며, 본 발명과 같은 날에 출원되었고, 같은 양수인에게 양도되었다.
본 발명은 전계 방출 장치 분야에 관한 것으로, 더 상세하게는 전계 방출 디스플레이에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 전계 방출 장치의 실시예의 단면도.
본 발명은 복합 스페이서를 구비하는 전계 방출 장치에 관한 것이다. 각각의 복합 스페이서는 유전 물질 또는 벌크 저항 물질(bulk resistive material)로 만들어질 수 있는 제 1 층, 및 상기 제 1 층과 맞닿아 있는 전도 층을 갖는다. 상기 전도 층은 음극과 가깝고 상기 제 1 층은 양극과 가깝다. 상기 전도 층은 전자로 하여금 상기 복합 스페이서로부터 떨어져 나아가게끔 하는데, 이는 상기 스페이서 표면의 충전을 제어하기 위함이다. 충전을 제어하면 스페이서의 존재로 인한, 전자 경로의 왜곡을 감소시키는 이점을 제공한다. 상기 복합 스페이서는 또한 500㎛ 이상의 높이를 갖는데, 이는 본 발명의 복합 스페이서가, 대략 2500 V를 초과하는 음극에서 양극간 전위차에서 동작되는 고-전압 전계 방출 장치에서도 유용하다는 것을 나타낸다. 본 발명의 일실시예에서, 상기 전계 방출 장치는 복합 스페이서를 구비하는 전계 방출 디스플레이인데, 상기 복합 스페이서는 전계 방출 디스플레이의 관찰자에게는 보이지 않는다.
설명의 간략화와 명확성을 위해서, 도 1에 도시된 요소가 반드시 일정한 비율로 확대될 필요는 없음이 인식 될 것이다. 예를 들어, 몇몇 요소들의 크기는 상호간에 대해 상대적으로 과장된다.
도 1은 본 발명에 따른 전계 방출 디스플레이(FED: field emission display)(100)의 단면도이다. FED(100)는 양극(104)과 대비되는 음극(102)을 갖는다. 진공 영역(106)이 음극(102)과 양극(104) 사이에 존재한다. 진공 영역(106) 내의 압력은 대략 10-6토르(Torr) 미만이다. 복합 스페이서(108)는 음극(102)과 양극(104) 사이에 걸쳐 뻗어 있다. 복합 스페이서(108)는 음극(102) 및 양극(104) 사이의 간격을 유지하기 위한 기계적 지지대를 제공한다. 복합 스페이서(108)는 또한 상기 복합 스페이서(108)의 정전기적 충전을 개선하는 특성을 갖는다. 상기 복합 스페이서(108)의 정전기적 충전을 제어함으로써, FED(100)내의 전자 전류(132) 경로에 대한 왜곡이 또한 제어된다. 도 1의 실시예에서, 복합 스페이서(108)는, FED(100)의 동작 동안에 상기 FED(100)의 관찰자에게는 상기 스페이서가 보이지 않게끔 하는 특성을 갖는다.
음극(102)은 유리, 실리콘, 및 그와 유사한 물질로 만들어질 수 있는 기판(116)을 포함한다. 상기 기판(116) 위에는 얇은 몰리브덴(molybdenum) 층을 포함할 수 있는 음극 도체(118)가 배치된다. 유전체 층(120)은 음극 도체(118) 위에 형성된다. 유전체 층(120)은 예를 들어 이산화 실리콘으로 만들어질 수 있다. 상기 유전체 층(120)은 다수의 전자 이미터(124)가 각각 배치되는 다수의 이미터 우물(122)을 한정한다. 도 1의 실시예에서, 전자 이미터(124)는 원추형 팁(Spindt tip)을 포함한다.
그러나, 본 발명에 따른 전계 방출 장치는 원추형 팁 전자 소스로 제한되지는 않는다. 예를 들어, 방사성 탄소 필름이 음극의 전자 소스에 대해 대안으로써 사용될 수 있다.
음극(102)은 다수의 게이트 추출 전극을 더 포함한다. 제 1 게이트 추출 전극(126) 및 제 2 게이트 추출 전극(128)은 도 1에 도시된다. 일반적으로, 게이트 추출 전극은 전자 이미터를 선택적으로 주소 지정하기 위해 이용된다.
양극(104)은 얇은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide) 층을 포함할 수 있는 투명한 양극 도체(112)가 그 위에 배치되는 투명 기판(110)을 포함한다. 다수의 인광 물질(114)은 양극 도체(112) 위에 배치된다. 다수의 인광 물질(114)은 전자 이미터(124)와 대비된다.
제 1 전압원(136)은 양극 도체(112)에 연결된다. 제 2 전압원(138)은 제 2 게이트 추출 전극(128)에 연결된다. 제 3 전압원(140)은 제 1 게이트 추출 전극(126)에 연결되고, 제 4 전압원(142)은 음극 도체(118)에 연결된다.
복합 스페이서(108)는 기계적인 지지대를 제공하기 위해 음극(102)과 양극(104) 사이에 뻗어 있다. 복합 스페이서(108)의 높이는 양극(104)과 음극(102) 사이의 전기적인 아크를 막기에 충분한 도움을 준다. 예를 들어, 양극(104)과 음극(102) 사이의 전위차가 대략 2500 V이상이면, 복합 스페이서(108)의 높이는 약 500㎛ 이상, 바람직하게는 700 내지 1200 ㎛의 범위 내에 해당한다. 복합 스페이서(108)의 한 쪽 끝은 인광 물질(114)로 덮여 있지 않은 표면에서 양극(104)과 접하고; 복합 스페이서(108)의 반대쪽 끝은 이미터 우물(122)이 정의되지 않은 부분에서 음극(102)과 접한다.
본 발명에 따라, 복합 스페이서(108)는 상기 복합 스페이서(108)의 양 끝 중간의 한 지점에서부터 양극(104)쪽으로 뻗어 있는 제 1 층(107)을 포함한다. 제 1 층(107)은 높이(H)를 갖는다. 복합 스페이서(108)는, 제 1층(107)에 연결되어 음극(102)쪽으로 향해 뻗어 있는 전도 층(109)을 또한 포함한다. 전도 층(109)은 진공 영역(106) 내부로 배치되어 있는 전도 표면(111)을 갖는다. 전도 층(109)은 높이(h)를 갖는다.
제 1 층(107)은 유전 물질 또는 벌크 저항 물질을 포함한다. 제 1 층(107)의 물질은 인가된 전위를 견디도록 선택된다. 제 1 층(107)의 물질은 바람직하게 상기 제 1 층(107)으로부터의 기생(spurious) 전자 방출을 개선하기 위해 높은 일 함수를 갖는다. 제 1 층(107)은 또한 바람직하게 전하 축적과 기생 방출을 감소시키기 위해 매우 평탄한 표면을 갖는다. 상기 제 1층(107)에 대해 유용한 유전 물질은 세라믹, 유리, 사파이어, 석영, 및 그와 유사한 물질을 포함한다. 제 1 층(107)에 대해 유용한 벌크 저항 물질은 철을 포함하는 유리 세라믹, 주석 산화물, 니켈 산화물, 실리콘 질화물, 네오디뮴(neodymium) 티탄산염, 지르코엠(zirconium) 산화물, 및 그와 유사한 물질을 포함한다. 일반적으로, 벌크 저항 물질은 105내지 1013 범위 내의 저항을 가진다.
전도 층(109)은 전도성 물질을 포함한다. 바람직하게, 전도 층(109)은 알루미늄, 금, 동, 및 그와 유사한 물질과 같은 금속으로 만들어진다. 또한 상기 전도 층은 합금으로 만들어질 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 상기 전도 층(109)은 세라믹-금속 혼합 물질을 포함한다. 위에서 설명된 것처럼, 전도 층(109)의 전도 특성은 전자 편향 또는 집속(focusing)을 유도하기 위해 필수적이다.
전도 층(109)을 구성하는 물질은 부가적인 이점을 제공하기 위해 선택될 수 있다. 예를 들어, 연성 금속(ductile metal)은 FED(100)의 조립 동안에 음극(102)에 대한 손상 위험을 감소시킨다. 전도 층(109)의 물질은 상기 전도 층(109)으로부터의 기생 전자 방출을 제어하기 위해 높은 일 함수를 가질 수 있다. 상기 전도 층(109)에 대해 선정된 물질은 또한 음극(102)의 물질에 관해 필히 비활성이어야 하는데, 이는 중간 금속(intermetallics)의 형성 및 다른 원치 않는 화학 반응을 방지하기 위함이다.
전도 층(109)의 높이(h)는 전자 전류(132)의 충분한 편향을 제공하도록 선택되는데, 이는 복합 스페이서(108)의 정전기적 충전을 개선하고 적절한 인광 물질쪽으로 전자 전류(132)가 향하도록 하기 위해서이다. 즉, 높이(h)는 전자로 하여금 발신(originating) 전자 이미터의 반대편 마주보는 인광 물질에 충돌하도록 선택된다. 전자를 편향시킴으로써, 전도 층(109)은 복합 스페이서(108)의 과도한 정전기적 충전을 방지하는데, 상기 과도한 정전기적 충전을 방지하지 않으면, 전자 전류(132) 경로의 상당한 왜곡, 가시적으로 식별 가능한 스페이서, 전기적 아크, 및 그와 유사한 현상과 같은 원치 않는 결과를 발생시킨다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 전도 층(109)은, FED(100)의 동작 동안에 복합 스페이서(108) 상에서 진행된 정전기적 충전을 제거하기에 유용한 전위에 연결된다. 도 1의 실시예에서, 제 2 전도 층(130)에는 방전 전위가 제공된다. 제 2 전도 층(130)은 유전체 층(120) 상에 배치되고 몰리브덴, 알루미늄, 및 그와 유사한 물질과 같은 얇은 전도 물질 층을 포함한다.
제 2 전도 층(130)에서의 전위는 독립적으로 제어될 수 있다. 가장 바람직하게는 상기 제 2 전도 층(130)은 전기적 접지에 연결된다. 전기적 접지로의 연결은 향상된 전자 편향을 제공하는데 비해 추가의 전력을 필요로 하지는 않는다. 그러나, 상기 층은 제 5 전위 소스(도 1에 도시되지는 않았지만)에 또한 연결될 수 있는데, 이는 바람직한 전자 편향의 정도 및/또는 복합 스페이서(108)의 충전 손실 특성을 제공하도록 선택된 전위를 제공하기 위함이다. 선택적으로, 제 2 전도 층(130)은 추가적인 전위 소스를 필요로 하지는 않는, FED(100)의 게이트 추출 전극 중 하나의 일부분에 연결되거나 또는 그 일부분일 수 있다.
도 1의 실시예에서, 전자 전류(132)는 FED(100)의 동작 동안 상기 FED의 관찰자에게 복합 스페이서(108)가 보이지 않도록 하기에 충분한 정도로 제어된다. 특별히, 전도 층(109)은 복합 스페이서(108)의 주위에 전계를 형성시킬 필요가 있다. 이러한 전계 형성 기능을 제공하기 위해서는, 전도 층(109)의 전도 물질이 진공 공간(106)에 노출되어야만 하는 것이 중요하다.
본 발명에 따른 전계 방출 장치의 예시적인 구성은 도 1을 참조하여 지금부터 설명될 것이다. 본 발명을 구현하는 전계 방출 장치는 도 1을 참조로 하여 설명된 기하학적 구성으로 제한되지 않는다는 것을 이해하는 것이 바람직할 것이다. 이러한 구성은, 음극(102)과 양극(104) 사이의 전위차가 약 300 V 이상이고 바람직하게는 약 2500 내지 10,000 V의 범위 내에 존재하는, FED(100)의 동작 동안에 유용하다. 이러한 구성은 또한 VGA 구성을 포함한다. 그러나, 본 발명을 구현하는 전계 방출 디스플레이가 VGA 구성으로만 제한되지 않음을 이해하는 것이 바람직할 것이다.
도 1의 실시예에서, 투명 기판(110) 및 기판(116)은 대략 1㎜의 두께를 각각 갖는다. 복합 스페이서(108)는, 약 5㎜의 길이(종이와 수직 방향으로)와 약 1㎜의 높이{음극(102)과 양극(104) 사이에 뻗어 있는)를 가지며 약 0.07㎜의 두께(t)를 갖는 사각의 판을 포함한다. 제 1 게이트 추출 전극(126)과 제 2 게이트 추출 전극(128) 사이의 중심-중심간 거리는 약 0.3㎜이다. FED(100)는, 양극 도체(112)와 제 1 및 제 2 게이트 추출 전극(126, 128) 사이의 전위차가 약 2500 내지 10,000 V 범위 내에 있는 상태에서 동작될 수 있다. 이러한 전압 범위에서, 양극(104)과 음극(102) 사이의 거리가 500㎛보다 더 커야만 하는 것이 필수적인데, 이는 양극(104)과 음극(102) 사이의 전기적 아크의 위험을 감소시키기 위해서이다.
FED(100)의 동작 동안에, 제 1 및 제 2 게이트 추출 전극(126, 128), 음극 도체(118), 및 양극 도체(112)로 전위가 인가되는데, 이는 전자 이미터(124)에서 전자 방출이 선택되도록 유도하고 진공 영역(106)을 통해 인광 물질(114) 쪽으로 상기 전자를 향하도록 하기 위함이다. 인광 물질(114)은 충돌 전자에 의해 빛을 방사하도록 유도된다.
전도 층(109)은 복합 스페이서(108) 주위에 전계를 형성시키는데, 이는 복합 스페이서(108) 주위에 방출된 전자가 상기 복합 스페이서(108) 위로 충돌하지 않고 인광 물질(114)로 향하도록 하기 위해서이다. 도 1을 참조로 하여 설명된 예시적인 구성에 대해 그리고 양극 도체(112)와 제 1 및 제 2 게이트 추출 전극(126, 128) 사이의 전위차가 약 2500 내지 10,000 V 범위 내에 있는 것에 대해, 전도 층(109)의 높이(h)는 바람직하게는 약 75 내지 150 ㎛의 범위 내에 존재한다.
본 발명에 따른 복합 스페이서는 매우 경제적이고 간단한 방법을 이용하여 만들어질 수 있다. 본 발명의 복합 스페이서는 포토리소그라피 단계, 고가의 X-레이 리소그라피, 또는 고도의 방향성 에칭 및 증착 기술을 필요로 하지 않는다. 본 발명에 따른 복합 스페이서는 상기 전자 이미터의 전자 보전(integrity)을 위태롭게 할 수 있는, 상기 전자 이미터를 코팅시키는 단계 역시 필요로 하지 않는다.
복합 스페이서(108)는 유전체 또는 벌크 저항 물질로 된 하나의 시트(sheet)를 제일 먼저 제공하여 만들어질 수 있다. 이러한 시트는 상업적으로 입수 가능하다. 금속 층은 실크 스크린 기법, 금속박 납땜, 전기 도금, 무전해 도금, 음향 전기 이온 도입법(acoustophoresis), 및 그와 유사한 다수의 편리한 방법 중 하나에 의해 유전체 또는 벌크 저항 시트 위에 형성된다. 그리고 나서, 상기 유전체 또는 벌크 저항 층과 맞닿아 있는 금속 층을 갖는 상기 혼합 시트는 실톱 또는 다이싱(dicing) 톱으로 절단된 것처럼, 각각의 스페이서로 절단된다. 바람직하게는, 절단 작업은 유전체 또는 벌크 저항 물질의 표면에서 시작되는데, 이는 제 1 층(107)의 표면을 전도 물질로 코팅시키는 것을 피하기 위해서이다.
전도 층(109)이 세라믹-금속 혼합 물질로 만들어지는 본 실시예를 제조하기 위해서, 우선, 세라믹-금속 혼합 물질은 절연 세라믹 상태를 금속 분말로 분산시킴으로써 만들어진다. 혼합물은 테이프 주조(tape casting), 건조 압착(dry pressing), 슬립 주조(slip casting)등과 같은 표준 세라믹 성형 방법을 통해 얇은 시트로 성형된다. 상기 성형 작업으로부터, 단일체(monolith)가 절단된다. 상기 단일체는 선택된 유전체 또는 벌크 저항 물질 층에 적층 된다. 적층 단계는 대략 200℃ 이하의 온도에서 결합 경계면에 압력을 가하여 수행된다. 대안으로, 결합은 200℃ 이상의 온도로 열처리하여 달성될 수 있는데, 이것은 금속 성분의 산화 방지를 위해 감소하는 공기 중에서 실행된다. 금속과 세라믹의 혼합물을 변화시킴으로써, 기계적 및 열적 특성이, 전도 층(109)의 바람직한 열 팽창 계수와 같은 바람직한 특성을 획득하도록 조정될 수 있다. 이러한 실시예는 예를 들어 만일 컴플라이언스(compliance)보다 더 큰 기계적 강도가 전도 층(109)에 요구될 때 유용하다.
양극(104) 및 음극(102)을 형성하기 위한 방법은 당업자에게 공지된다. 양극(104) 및 음극(102)이 생성된 후에, 예를 들어, 복합 스페이서(108)는 음극(102)에 대해 수직 구성을 유지하도록, 열 압축 결합에 의해 제 2 전도 층(130)에 결합될 수 있다. 그 때 양극(104)은 복합 스페이서(108) 위에 위치되고, 패키지는 진공 환경에서 용접 밀폐된다.
요약하면, 본 발명은 복합 스페이서를 구비하는 전계 방출 장치에 대한 것이다. 본 발명의 전계 방출 장치는 양극과 음극간의 전위차가 300 V 이상이고, 바람직하게는 약 2500 내지 10,000 V 범위 내에서 존재할 때 동작될 수 있다. 본 발명에 따른 전계 방출 디스플레이는, 상기 디스플레이 관찰자가 가시적으로 식별할 수 없는 ″눈에 보이지 않는 스페이서″를 구비한다. 본 발명의 복합 스페이서는 간단하고 경제적인 방법을 이용하여 제조될 수 있다.
우리가 본 발명의 특정 실시예를 도시하고 설명했지만, 다른 변형 및 개선이 당업자에게 발생할 것이다. 그러므로 본 발명이, 도시된 특정 형태로만 제한되지 않는다는 것과 또한 첨부된 청구항에서, 본 발명의 사상과 범주를 벗어나지 않는 모든 변형을 포함하려 한다는 사실을 이해하는 것이 바람직하다.

Claims (5)

  1. 전계 방출 장치(100)에 있어서:
    전자 전류(132)를 방출하도록 설계되는 다수의 전자 이미터(124)를 구비하는 음극(102);
    상기 다수의 전자 이미터(124)에 의해 방출된 전자 전류(132)를 수용하기 위해 배치되는 양극(104);
    상기 음극(102)과 상기 양극(104) 사이에 배치된 진공 공간(106); 및
    상기 양극(104)과 음극(102) 사이에 뻗어 있고, 제 1 층(107) 및 전도 층을 포함하는 복합 스페이서(108)를 포함하되, 상기 복합 스페이서(108)의 상기 전도 층(109)은 상기 진공 영역(106) 내부로 배치된 전도 표면(111)을 한정하고, 상기 복합 스페이서(108)는 500㎛ 이상의 높이를 가지는, 전계 방출 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 층(107)은 양극(104)과 상기 전도 층(109) 사이에 뻗어 있고, 상기 전도 층(109)은 상기 제 1 층(107)과 음극(102) 사이에 뻗어 있는, 전계 방출 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 복합 스페이서(108)의 상기 전도 층(109)은, 전자 전류(132)에 의한 상기 복합 스페이서(108)의 과도한 정전기적 충전을 방지하기에 충분한 정도로, 상기 전자 전류(132)를 편향시키기 위해 선택된 높이를 가지는, 전계 방출 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 음극(102)은 유전체 층(120)과 그에 따라 상기 유전체 층(120) 위에 배치된 제 2 전도 층(130)을 더 포함하되, 상기 제 2 전도 층(130)은 상기 복합 스페이서(108)의 상기 전도 층(109)에 연결됨으로써, 상기 전계 방출 장치(100)가 동작되는 동안 상기 복합 스페이서(108) 위에서 진행된 정전기적 충전은 상기 제 2 전도 층(130)을 통해 소실되는, 전계 방출 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 음극(102)은 다수의 게이트 추출 전극(126, 128)을 포함하고, 상기 제 2 전도 층(130)은 다수의 게이트 추출 전극(126, 128) 중 하나에 연결되는, 전계 방출 장치.
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