KR20010029007A - 탄성파 소자의 제조방법 및 그에 따라 제조된 탄성파 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 서로 다른 탄성 임피던스를 갖는 박막이 순차적으로 반복 적층된 다층막 구조의 브레그 탄성 반사층을 갖는 탄성파 소자의 제조방법 및 그에 따라 제조된 탄성파 소자에 관한 것이다.
본 발명에 의한 탄성파 소자의 제조방법은 기판상에 제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐막을 번갈아 적층하며, 최상부층은 상기 실리콘산화막이 되도록 적층하여 전체적으로 홀수층으로 이루어지는 탄성 반사층을 형성하는 단계; 상기 탄성 반사층상에 제 1 도전체 박막을 형성하는 단계; 상기 제 1 도전체 박막상에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 압전물질을 형성하는 단계; 및 상기 압전물질상에 제 2 도전체 박막을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 기판의 종류를 다양하게 사용할 수 있으며, 높은 품질계수(Q)를 갖는 체적 탄성파 공진기 및 필터를 제조할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 탄성파 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 서로 다른 탄성 임피던스를 갖는 박막이 순차적으로 반복 적층된 다층막 구조의 브레그 탄성 반사층을 갖는 탄성파 소자의 제조방법 및 그에 따라 형성된 탄성파 소자에 관한 것이다.
최근 정보처리 장치와 통신기기의 동작속도의 고속화가 요구됨에 따라 신호의 주파수가 고주파(Radio Frequency)대역으로 높아졌다.
이러한 주파수의 변화에 대응하여, 상기 고주파대역에서 동작할 수 있는 필터가 요구되고 있다. 이러한 목적으로 탄성파 소자(Acoustic Wave Device)가 사용된다.
정보시대의 총아라고 할 수 있는 장래의 무선이동통신의 유망성 관점에서 상기 탄성파 소자의 개발은 무한한 가능성을 가지고 있다.
상기 탄성파 소자중 FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) 박막형 필터는 반도체 기판인 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs) 또는 유리(Glass) 기판상에 압전물질(Piezoelectric material)인 아연산화막(ZnO) 또는 알루미늄나이트라이드(AlN) 박막을 증착하여 압전특성에 의한 공진을 유발시켜 박막형태의 소자를 필터로 구현한 것이다.
즉, 상기 FBAR은 양 전극 사이에 압전박막을 증착하여 벌크 탄성파(Bulk Acoustic Wave)를 유발시켜 공진을 일으키는 원리를 사용한다.
상기 FBAR 제조공정은 실리콘 기판상에 식각 정지층인 실리콘산화막(SiO2)을 형성하는 공정; 상기 실리콘산화막상에 하부전극을 위한 알루미늄막, 압전박막인 아연산화막과 상부전극을 위한 알루미늄막을 순차적으로 형성하는 공정; 및 전극과 멤브레인을 형성하는 공정으로 나눌 수 있다.
상기 멤브레인은 상기 실리콘 기판의 반대면을 이방성 식각(Isotropic Etching)방법으로 식각정지층인 실리콘산화막이 노출되도록하여 식각케비티(Etching Cavity)를 형성하는 것이다.
그러나 상기 멤브레인을 이용한 FBAR 박막형 필터는 공정의 번거로움과 개별소자로의 절단시 상기 멤브레인의 내구성이 취약하여 소자가 파손되는 문제점이 있었다. 또한 탄성파(Acoustic Wave)에너지의 손실로 공진 특성이 감소하는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 기판의 종류에 무관하게 높은 품질계수(Q)를 가지며, 협대역 및 광대역의 필터링 영역을 갖는 탄성파 소자의 제조방법 및 그에 따라 제조된 탄성파 소자를 제공하는 데 있다.
도1 내지 도7은 본 발명에 의한 탄성파 소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.
도8은 본 발명에 의한 탄성파 소자의 제조방법에 의해 제조된 래더 필터를 나타내는 단면도이다.
도9은 본 발명에 의한 탄성파 소자의 제조방법에 의해 제조된 스택트 필터를 나타내는 단면도이다.
도10은 본 발명에 의한 탄성파 소자의 제조방법에 의해 제조된 스택트 래더 필터를 나타내는 단면도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
2 ; 실리콘 기판 4 ; 실리콘산화막
6 ; 텅스텐막 7 : 탄성 반사층
8, 8´ ; 버퍼막 10, 10´ ; 바텀전극
12, 12´ ; 아연산화막 12a, 12a´ : 제 2 아연산화막
14, 14´ ; 보호막 16, 16c, 16d, 16e, 16f ; 탑전극
18 ; 포토레지스트 패턴 16a ; 입력전극
16b ; 출력전극 20, 20´ ; 그라운드 전극
21 ; 모노리틱 크리스털 필터 30, 30´, 50, 50´ ; 래조네이터
31 ; 래더 필터 41 ; 스택트 필터
51 ; 스택트 래더 필터
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 탄성파 소자의 제조방법은 기판상에 제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화(SiO2)막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막을 교대로 적층하며, 최상부층은 상기 실리콘산화막이 되도록 적층하여 전체적으로 홀수층으로 이루어지는 탄성 반사층(Acoustic Reflecting Layer)을 형성하는 단계; 상기 탄성 반사층상에 제 1 도전체 박막을 형성하는 단계; 상기 제 1 도전체 박막상에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 압전박막을 형성하는 단계 및 상기 압전박막상에 제 2 도전체 박막을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 다른 탄성파 소자의 제조방법은 기판상에 제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화(SiO2)막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막을 교대로 적층하며, 최상부층은 상기 실리콘산화막이 되도록 적층하여 전체적으로 홀수층으로 이루어지는 탄성 반사층을 형성하는 단계; 상기 탄성 반사층상에 제 1 도전체 박막을 형성하는 단계; 상기 제 1 도전체 박막상에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 압전박막을 형성하는 단계; 상기 압전박막상에 제 2 도전체 박막을 형성하는 단계; 및 제 2 도전체 박막을 소정의 점유 면적을 가지며, 서로 분리된 복수의 제 2 도전체 패턴으로 형성하는 제 2 도전체 패턴 형성 단계를 구비하여 이루어진다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 다른 탄성파 소자의 제조방법은 기판상에 제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화(SiO2)막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막을 교대로 적층하며, 최상부층은 상기 실리콘산화막이 되도록 적층하여 전체적으로 홀수층으로 이루어지는 탄성 반사층을 형성하는 단계; 상기 탄성 반사층상에 제 1 도전체 박막을 형성하는 단계; 상기 제 1 도전체 박막을 소정의 점유 면적을 가지며, 서로 분리된 복수의 제 1 도전체 패턴으로 형성하는 제 1 도전체 패턴 형성 단계; 상기 제 1 도전체 패턴을 포함하는 기판 전면에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 압전박막을 형성한 후 상기 제 1 도전체 패턴상에만 상기 압전박막이 존재하도록 하는 압전박막 패턴 형성 단계 및 상기 압전박막 패턴을 포함하는 기판 전면에 제 2 도전체 박막을 형성한 후 상기 압전박막 패턴상에만 상기 제 2 도전체 박막이 존재하도록 하는 제 2 도전체 패턴 형성 단계를 구비하여 이루어진다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 다른 탄성파 소자의 제조방법은 기판상에 제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화(SiO2)막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막을 교대로 적층하며, 최상부층은 상기 실리콘산화막이 되도록 적층하여 전체적으로 홀수층으로 이루어지는 탄성 반사층을 형성하는 단계; 상기 탄성 반사층상에 제 1 도전체 박막을 형성하는 단계; 상기 제 1 도전체 박막상에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 압전박막을 형성하는 단계; 상기 압전박막상에 제 2 도전체 박막을 형성하는 단계; 상기 제 2 도전체 박막상에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 압전박막을 형성하는 단계 및 상기 압전박막상에 제 3 도전체 박막을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 다른 탄성파 소자의 제조방법은 기판상에 제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화(SiO2)막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막을 교대로 적층하며, 최상부층은 상기 실리콘산화막이 되도록 적층하여 전체적으로 홀수층으로 이루어지는 탄성 반사층을 형성하는 단계; 상기 탄성 반사층상에 제 1 도전체 박막을 형성하는 단계; 상기 제 1 도전체 박막을 소정의 점유 면적을 가지며, 서로 분리된 복수의 제 1 도전체 패턴으로 형성하는 제 1 도전체 패턴 형성 단계; 상기 제 1 도전체 패턴을 포함하는 기판 전면에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 제 1 압전박막을 형성한 후 상기 제 1 도전체 패턴상에만 상기 제 1 압전박막이 존재하도록 하는 제 1 압전박막 패턴 형성 단계; 상기 제 1 압전박막 패턴을 포함하는 기판 전면에 제 2 도전체 박막을 형성한 후 상기 제 1 압전박막 패턴상에만 상기 제 2 도전체 박막이 존재하도록 하는 제 2 도전체 패턴 형성 단계; 상기 제 2 도전체 패턴을 포함하는 기판 전면에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 제 2 압전박막을 형성한 후 상기 제 1 도전체 패턴상에만 상기 제 2 압전박막이 존재하도록 하는 제 2 압전박막 패턴 형성 단계 및 상기 제 2 압전박막 패턴을 포함하는 기판 전면에 제 3 도전체 박막을 형성한 후 상기 제 2 압전박막 패턴상에만 상기 제 3 도전체 박막이 존재하도록 하는 제 3 도전체 패턴 형성 단계를 구비하여 이루어진다.
상기 탄성 반사층은 상기 실리콘산화막과 상기 텅스텐막을 교대로 5층 내지 11층으로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 도전체 박막은 금(Au)막, 알루미늄(Al)막, 텅스텐(W)막, 은(Ag)막 및 인듐(In)막 중에서 어느 하나일 수 있으며, 상기 제 2 도전체 박막은 금(Au)막, 알루미늄(Al)막 및 텅스텐(W)막 중에서 어느 하나일 수 있으며, 상기 압전박막은 아연산화막(ZnO) 또는 알루미늄나이트라이드막(AlN)일 수 있다.
상기 제 1 도전체 박막으로 금막을 사용하는 경우는 상기 탄성 반사층과 상기 금막 사이에 티타늄(Ti)막, 크롬(Cr)막, 니켈(Ni) 및 니켈크롬(NiCr)막중에서 어느 하나를 버퍼막으로 더 형성하는 것이 바람직하다.
상기 압전박막과 제 2 도전체 박막 및 상기 제 2 압전박막과 제 3 도전체 박막 사이에는 외부 온도 변화로부터 소자의 공진 주파수 변동을 방지하기 위한 보호막으로 실리콘산화막(SiO2)을 더 형성하는 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 탄성파 소자의 제조방법에 의해 제조된 탄성파 소자는 기판; 제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막이 교대로 적층되어 있으며, 최상부층은 상기 실리콘산화막으로 이루어져 전체적으로 홀수층을 이루는 탄성 반사층; 상기 탄성 반사층에 형성된 그라운드 전극; 상기 바텀전극상에 형성되며 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께인 압전박막; 상기 압전박막상에 형성된 소정의 점유 면적을 갖는 입력 전극 및 상기 입력 전극과 소정 간격 이격되어 위치하며 소정의 점유 면적을 갖는 출력전극을 구비하여 이루어진다.
상기 그라운드전극이 금막인 경우에는 탄성 반사층과 상기 그라운드전극사이에 티타늄(Ti)막, 크롬(Cr)막 및 니켈크롬(NiCr)막중에서 어느 하나의 버퍼막, 상기 압전박막과 입력전극 및 상기 압전박막과 입력전극과 출력전극 사이에 외부 온도 변화로부터 소자의 공진 주파수 변동을 방지하기 위한 보호막으로 실리콘산화막(SiO2)이 더 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 탄성파 소자의 제조방법에 의해 제조된 다른 탄성파 소자는 기판; 제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막이 교대로 적층되어 있으며, 최상부층은 상기 실리콘산화막으로 이루어져 전체적으로 홀수층을 이루는 탄성 반사층; 상기 탄성 반사층에 형성되며 소정의 점유 면적을 갖는 제 1 하부전극, 상기 제 1 하부전극상에 형성된 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께인 제 1 압전박막 및 상기 제 1 압전박막상에 형성된 제 1 상부전극으로 이루어진 제 1 래조내이터 및 상기 제 1 래조내이터와 소정간격 이격되어 있으며 소정의 점유 면적을 갖는 제 2 하부전극, 상기 제 2 하부전극상에 형성된 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께인 제 2 압전박막, 상기 제 2 압전박막상에 형성된 제 2 상부전극으로 이루어진 제 2 래조내이터를 구비하여 이루어진다.
상기 제 1 상부전극과 상기 제 2 하부전극은 서로 와이어로 연결되어 있는 것이 바람직하다.
상기 제 1 하부전극과 제 2 하부전극이 금막인 경우에는 탄성 반사층과 각각 상기 제 1 하부전극과 제 2 하부전극이사이에 티타늄(Ti)막, 크롬(Cr)막 및 니켈크롬(NiCr)막중에서 어느 하나의 버퍼막, 각각의 상기 압전박막과 각각의 제 1 상부전극 및 제 2 상부전극사이에 외부 온도 변화로부터 소자의 공진 주파수 변동을 방지하기 위한 보호막으로 실리콘산화막(SiO2)이 더 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 제 1 압전 박막과 제 1 상부전극 사이 및 상기 제 2 압전 박막과 제 2 상부전극 사이에는 소정의 도전체 박막과 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께인 압전박막이 순차적으로 더 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 탄성파 소자의 제조방법에 의해 제조된 다른 탄성파 소자는 기판; 제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막이 교대로 적층되어 있으며, 최상부층은 상기 실리콘산화막으로 이루어져 전체적으로 홀수층을 이루는 탄성 반사층; 상기 탄성 반사층상에 형성된 입력전극; 상기 입력전극상에 형성된 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배 두께의 제 1 압전박막; 상기 제 1 압전박막상에 형성된 그라운드 전극; 상기 그라운드 전극상에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배 두께의 제 2 압전박막 및 상기 제 2 압전박막상에 형성된 출력전극을 구비하여 이루어진다.
상기 그라운드 전극과 출력전극은 동일한 재질인 것이 바람직하다.
상기 입력전극이 금막인 경우에는 탄성 반사층과 상기 입력전극사이에 티타늄(Ti)막, 크롬(Cr)막 및 니켈크롬(NiCr)막중에서 어느 하나의 버퍼막, 상기 제 2 압전박막과 출력전극사이에 외부 온도 변화로부터 소자의 공진 주파수 변동을 방지하기 위한 보호막으로 실리콘산화막(SiO2)이 더 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 구체적인 일 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도1 내지 도7는 본 발명에 의한 탄성파 소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.
도1을 참조하면, 먼저 실리콘 기판(2)상에 제 1 탄성 임피던스를 갖는 실리콘산화막(4)과 제 2 탄성 임피던스를 갖는 텅스텐막(6)의 순서로 층착한다. 즉, 상기 실리콘산화막(4)과 상기 텅스텐막(6)이 순차적으로 한 쌍(Pair)을 이루도록 증착하며, 최상층은 상기 실리콘산화막(4)을 증착하여 전체적으로 홀수층을 갖는 탄성 반사층(7)를 형성한다. 여기서 탄성 임피던스는 상기 텅스텐막(6)이 더 크다.
이때 상기 기판(2)은 본 실시예와 같이 실리콘 기판(2)에만 한정되는 것을 아니며 갈륨비소(GaAs), 유리(Glass), 석영(Quartz) 및 사파이어(Sapphire) 등 다양한 재질의 기판을 사용할 수 있다.
상기 실리콘산화막(4)과 텅스텐막(6)의 증착은 알에프 마그네트론 스퍼터링(Radio Frequency Magnetron Sputtering)방법을 사용한다. 상기 실리콘산화막(4)과 텅스텐막(6)의 공정조건은 각각 알에프 인가전력은 100 W, 60 W 이며, 공정챔버의 진공도는 20 mTorr로 동일하다. 물론 화학기상증착방법(Chemical Vapour Deposition)으로 형성할 수 있다.
상기 탄성 반사층(7)은 소자 특성에 따라 반복해서 증착하여 5층 내지 11층으로 다양하게 형성할 수 있다. 본 실시예서는 7층 구조의 탄성 반사층(7)을 형성한다.
상기 실리콘산화막(4)의 두께()는 탄성표면파의 탄성파장을라고 하면 수학식 1의 관계를 만족하도록 한다.
상기 텅스텐막(6)의 두께()는 탄성표면파의 파장을라고 하면 수학식 2의 관계를 만족하도록 한다.
여기서 상기는 박막의 탄성속도이며,는 탄성파 소자의 중심 대역 주파수 및 상기는 그 물질의 유전율을 나타낸다. 여기서 상기 실리콘산화막(4)의 유전율은 3.8 이다.
일반적으로 상기 실리콘산화막(4)의 탄성속도는 5970 m/sec 이며, 상기 텅스텐막(6)의 탄성속도는 5180 m/sec 이다. 따라서, 원하는 중심 대역 주파수가 1GHz인 탄성파 소자를 구현하는 경우, 상기 실리콘산화막(4)과 텅스텐막(6)의 두께는 상기 수학식 1 및 수학식 2에 의하여 각각 약 765 ㎚()과 1295 ㎚()일 수 있다.
도2를 참조하면, 상기 실리콘산화막(4)상에 버퍼막(8)으로 티타늄막(Ti)을 100 내지 150Å 증착하고, 바텀전극(Bottom Electrode : 10)을 형성하기 위한 금막(Au)막을 1100 내지 1200Å 증착하고, 사진식각공정을 수행하여 소정의 바텀전극(10)을 형성한다. 상기 티타늄막(Ti) 및 금막의 증착은 알에프 마그네트론 스퍼터링방법 또는 증발증착(Evaporation Deposition)방법을 이용한다. 여기서 상기 티타늄막과 금막의 총 두께는 1200Å 미만으로 한다.
또한 상기 버퍼막(8)으로는 크롬막(Cr) 또는 니켈크롬(NiCr)막을 사용할 수 있으며, 상기 바텀전극(10)으로는 상기 금막(Au) 이외에 알루미늄막(Al), 텅스텐막(W), 은막(Ag) 및 인듐막(In) 중에서 어느 하나를 사용할 수 있으며, 상기 인듐막을 바텀전극(10)으로 사용할 때는 상기 인듐막 자체도 탄성 반사층의 기능을 한다. 따라서 상기 인듐막의 두께는 탄성파 파장의 0.25배를 갖도록 한다.
상기 버퍼막(8)은 상기 실리콘산화막(4)과 바텀전극(10)으로 사용되는 금막과의 접착력을 향상시켜준다. 물론 상기 바텀전극(10)으로 금막 이외의 박막을 사용시에는 상기 버퍼막(8)이 필요치 않는다.
도3을 참조하면, 상기 바텀전극(10)상에 압전물질인 아연산화막(12)을 형성한다. 상기 아연산화막(12)의 증착은 알에프 마그네트론 스퍼터링방법을 이용한다.
상기 아연산화막(12)의 두께는 소자특성에 따라 다르며 본 발명에서는 탄성파 파장의 0.5배가 되도록 한다. 따라서, 소자의 중심 대역 주파수() 대역을 1GHz라고 할 때 탄성속도가 6350 m/sec 인 상기 아연산화막(12)의 두께는 약 3175 ㎚ 일 수 있다. 또한 상기 아연산화막(12) 대신에 알루미늄나이트라이드막(AlN)을 사용할 수 있다.
도4를 참조하면, 상기 아연산화막(12)상에 소자가 외부온도 변화로부터 공진 주파수 변동을 방지하기 위한 보호막(14)으로 실리콘산화막을 2500Å 두께로 형성한다.
도5를 참조하면, 상기 보호막(14)상에 탑전극(Top Electrode)을 형성하기 위한 알루미늄막을 1000 내지 1300Å 두께로 증착한 후, 사진식각공정을 수행하여 소정의 탑전극(16)을 형성한다.
상기 탑전극(16)의 박막은 상기 알루미늄막 이외에 금막 또는 텅스텐막일 수 있다.
도6을 참조하면, 상기 탑전극(16)상에 포토레지스트를 도포한 후 사진공정을 수행하여 소정의 점유 면적을 가지며, 서로 분리된 포토레지스트 패턴(18)을 형성한다.
도7을 참조하면, 포토레지스트 패턴(18)을 식각마스크로 하여 상기 압전박막인 아연산화막(12)이 노출될 때 까지 상기 탑전극(18)과 보호막(14)을 연속하여 식각함으로써 입력전극(16a) 및 출력전극(16b)을 형성하여 모노리틱 크리스털 필터(Monolithic Crystal Filter : 21)를 형성한다. 이때 상기 바텀전극(10)은 그라운드 전극 역할을 한다.
이하 상술한 상기 모노리틱 크리스털 필터(21)와 동일한 탄성 반사층(7)을 갖는 다양한 필터의 제조방법을 도면을 참조하여 기술한다. 도면에서 동일한 재질의 박막층은 동일한 도면부호를 부여하였으며 동일한 재질이나 다른 구성요소로 구분하기 위하여 프라임 부호(´)를 첨가하였다.
도8은 본 발명에 의한 탄성 반사층(7)상에 형성된 래더형 필터(Ladder Filter : 31)를 나타낸다. 상기 래더형 필터(31)는 둘 이상의 독립적인 래조내이터(30, 30´)가 인접하여 상기 탄성 반사층(7)상에 형성되어 이루어지며 상기 래조내이터(30, 30´)는 서로 전기적으로 연결되어 있다. 즉, 상기 래더형 필터(31)는 상기 제 1 래조내이터(30)의 탑전극(16c)과 상기 제 2 래조내이터(30´)의 바텀전극(10´)이 서로 와이어로 연결되어 있으며 상기 제 1 래조내이터(30)의 바텀전극(10)이 입력전극 역할을 하고 상기 제 2 래조내이터(30´)의 탑전극(16d)이 출력전극 역할을 한다.
상기 래더형 필터(31)의 각각의 래조내이터(30, 30´)의 제조방법은 도5와 같이 해당하는 전체 박막을 형성한 후 한번의 사진식각공정으로 상기 탄성 반사층(7)이 노출되도록 하는 것은 공정상 불가능하여 먼저 도2와 같이 하층을 이루는 버퍼막(8)과 바텀전극(10)에 해당되는 박막을 형성한 후 사진식각공정을 수행하여 래조내이터의 기초패턴을 형성하고 상기 기초패턴상에 상기 압전박막인 아연산화막(12)을 형성하고 사진식각공정으로 상기 기초패턴상에만 상기 아연산화막(12)이 남도록 하는 공정을 구비하여 이루어진다. 이어서 상기 아연산화막(12)상에 상기 보호막(14)과 탑전극(16)에 해당하는 박막을 연속하여 형성한 후 사진식각공정으로 상기 아연산화막(12)상에만 상기 보호막(14)과 탑전극(16)이 형성되도록 한다.
도9는 본 발명에 의한 탄성 반사층(7)상에 형성된 스텍트 필터(Stacked Filter : 41)를 나타낸다. 상기 스텍트 필터(41)는 상기 아연산화막(12)상에 그라운드 전극(20)을 형성하기 위한 도전체막과 압전물질인 아연산화막(12a)을 순차적으로 형성하는 공정을 더 구비한다. 따라서 상기 스텍트 필터(41)는 상기 그라운드 전극(20)을 기준으로 두 개의 래조내이터가 상하로 형성되어 있는 형상을 한다. 즉, 상기 스텍트 필터(41)의 입력전극인 바텀전극(10)과 출력전극인 탑전극(16)은 상기 그라운드 전극(20)을 기준으로 서로 분리되어 있다.
도10은 본 발명에 의한 탄성 반사층(7)상에 형성된 스택트 래더 필터(Stacked Ladder Filter : 51)를 나타낸다. 상기 스택트 래더 필터(51)는 도8의 래더 필터(31)와 도9의 스텍트 필터(41)가 결합된 구조를 갖는다. 즉, 도8의 래더 필터(31)와 동일한 형태를 하며 상기 아연산화막(12, 12´)상에 그라운드 전극(20, 20´)을 형성하기 위한 도전체막과 압전물질인 아연산화막(12a, 12a´)을 순차적으로 형성하는 공정을 더 구비한다. 제 3 래조내이터(50)의 탑전극(16e)과 제 4 래조내이터(50´)의 바텀전극(10´)이 서로 리드선으로 연결되어 있으며 상기 제 3 래조내이터(50)의 바텀전극(10)이 입력전극 역할을 하고 상기 제 4 래조내이터(50´)의 탑전극(16f)이 출력전극 역할을 한다.
상술한 상기 그라운드 전극(20, 20´)은 상기 탑전극(16, 16c, 16d, 16e, 16f)과 동일한 재질인 것이 바람직하다.
상기 각각의 래조내이터(50, 50´)의 제조방법은 도8의 설명에서 기술한 방법을 따른다.
또한 도면으로 나타내지는 않았지만 또 다른 필터로 상기 탄성 반사층(7)상에 서로 다른 4개 이상의 래조내이터가 서로 엇갈려 연결된 형태의 래티스 필터(Lattice Filter)를 구성할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은 기판상에 상대적으로 탄성 임피던스가 작은 실리콘산화막과 상대적으로 탄성 임피던스가 큰 텅스텐막을 각각 순차적으로 반복 적층하고, 또한 상기 압전물질을 탄성파 파장의 약 0.5배로 형성함으로써 탄성파 에너지가 효과적으로 전극층사이에 모이도록 하여 공진이 효율적으로 발생토록한다. 그러므로 종래의 인터지디털 변환기(IDT : Inter Digital Transducer)의 미세형성보다는 기판상의 브레그 반사층의 두께를 조정함으로써 원하는 중심 대역 주파수를 얻을 수 있는 박막형 필터를 제조할 수 있다.
이는 여러 종류의 기판을 사용할 수 있는 효과와 제조공정의 단순화, 초소형 MMIC(Monolithic Microwave Integraited Circuit)화가 가능하다.
따라서, 기판의 종류를 다양하게 사용할 수 있으며, 높은 전기적 반사계수(Q)를 갖는 체적 탄성파 필터를 제조할 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (34)
- 기판상에 제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화(SiO2)막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막을 교대로 적층하며, 최상부층은 상기 실리콘산화막이 되도록 적층하여 전체적으로 홀수층으로 이루어지는 탄성 반사층(Acoustic Reflecting Layer)을 형성하는 단계;상기 탄성 반사층상에 제 1 도전체 박막을 형성하는 단계;상기 제 1 도전체 박막상에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 압전박막을 형성하는 단계; 및상기 압전박막상에 제 2 도전체 박막을 형성하는 단계;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 탄성 반사층은 상기 실리콘산화막과 상기 텅스텐막을 교대로 5층 내지 11층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전체 박막은 금(Au)막, 알루미늄(Al)막, 텅스텐(W)막, 은(Ag)막 및 인듐(In)막 중에서 어느 하나일 수 있으며, 상기 제 2 도전체 박막은 금(Au)막, 알루미늄(Al)막 및 텅스텐(W)막 중에서 어느 하나일 수 있으며, 상기 압전박막은 아연산화막(ZnO) 또는 알루미늄나이트라이드막(AlN)인 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전체 박막으로 금막을 사용하는 경우는 상기 탄성 반사층과 상기 금막 사이에 티타늄(Ti)막, 크롬(Cr)막, 니켈(Ni) 및 니켈크롬(NiCr)막중에서 어느 하나를 버퍼막으로 더 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 압전박막과 제 2 도전체 박막 사이에 외부 온도 변화로부터 소자의 공진 주파수 변동을 방지하기 위한 보호막으로 실리콘산화막(SiO2)을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 기판상에 제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화(SiO2)막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막을 교대로 적층하며, 최상부층은 상기 실리콘산화막이 되도록 적층하여 전체적으로 홀수층으로 이루어지는 탄성 반사층을 형성하는 단계;상기 탄성 반사층상에 제 1 도전체 박막을 형성하는 단계;상기 제 1 도전체 박막상에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 압전박막을 형성하는 단계;상기 압전박막상에 제 2 도전체 박막을 형성하는 단계; 및제 2 도전체 박막을 소정의 점유 면적을 가지며, 서로 분리된 복수의 제 2 도전체 패턴으로 형성하는 제 2 도전체 패턴 형성 단계;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 탄성 반사층은 상기 실리콘산화막과 상기 텅스텐막을 교대로 5층 내지 11층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 도전체 박막은 금(Au)막, 알루미늄(Al)막, 텅스텐(W)막, 은(Ag)막 및 인듐(In)막 중에서 어느 하나일 수 있으며, 상기 제 2 도전체 박막은 금(Au)막, 알루미늄(Al)막 및 텅스텐(W)막 중에서 어느 하나일 수 있으며, 상기 압전박막은 아연산화막(ZnO) 또는 알루미늄나이트라이드막(AlN)인 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 도전체 박막으로 금막을 사용하는 경우는 상기 탄성 반사층과 상기 금막 사이에 티타늄(Ti)막, 크롬(Cr)막, 니켈(Ni) 및 니켈크롬(NiCr)막중에서 어느 하나를 버퍼막으로 더 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 압전박막과 제 2 도전체 박막 사이에 외부 온도 변화로부터 소자의 공진 주파수 변동을 방지하기 위한 보호막으로 실리콘산화막(SiO2)을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 기판상에 제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화(SiO2)막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막을 교대로 적층하며, 최상부층은 상기 실리콘산화막이 되도록 적층하여 전체적으로 홀수층으로 이루어지는 탄성 반사층을 형성하는 단계;상기 탄성 반사층상에 제 1 도전체 박막을 형성하는 단계;상기 제 1 도전체 박막을 소정의 점유 면적을 가지며, 서로 분리된 복수의 제 1 도전체 패턴으로 형성하는 제 1 도전체 패턴 형성 단계;상기 제 1 도전체 패턴을 포함하는 기판 전면에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 압전박막을 형성한 후 상기 제 1 도전체 패턴상에만 상기 압전박막이 존재하도록 하는 압전박막 패턴 형성 단계; 및상기 압전박막 패턴을 포함하는 기판 전면에 제 2 도전체 박막을 형성한 후 상기 압전박막 패턴상에만 상기 제 2 도전체 박막이 존재하도록 하는 제 2 도전체 패턴 형성 단계;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 탄성 반사층은 상기 실리콘산화막과 상기 텅스텐막을 교대로 5층 내지 11층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 도전체 박막은 금(Au)막, 알루미늄(Al)막, 텅스텐(W)막, 은(Ag)막 및 인듐(In)막 중에서 어느 하나일 수 있으며, 상기 제 2 도전체 박막은 금(Au)막, 알루미늄(Al)막 및 텅스텐(W)막 중에서 어느 하나일 수 있으며, 상기 압전박막은 아연산화막(ZnO) 또는 알루미늄나이트라이드막(AlN)인 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 도전체 박막으로 금막을 사용하는 경우는 상기 탄성 반사층과 상기 금막 사이에 티타늄(Ti)막, 크롬(Cr)막, 니켈(Ni) 및 니켈크롬(NiCr)막중에서 어느 하나를 버퍼막으로 더 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 압전박막과 제 2 도전체 박막 사이에 외부 온도 변화로부터 소자의 공진 주파수 변동을 방지하기 위한 보호막으로 실리콘산화막(SiO2)을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 기판상에 제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화(SiO2)막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막을 교대로 적층하며, 최상부층은 상기 실리콘산화막이 되도록 적층하여 전체적으로 홀수층으로 이루어지는 탄성 반사층을 형성하는 단계;상기 탄성 반사층상에 제 1 도전체 박막을 형성하는 단계;상기 제 1 도전체 박막상에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 제 1 압전박막을 형성하는 단계;상기 제 1 압전박막상에 제 2 도전체 박막을 형성하는 단계;상기 제 2 도전체 박막상에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 제 2 압전박막을 형성하는 단계; 및상기 제 2 압전박막상에 제 3 도전체 박막을 형성하는 단계;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 탄성 반사층은 상기 실리콘산화막과 상기 텅스텐막을 교대로 5층 내지 11층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 1 도전체 박막은 금(Au)막, 알루미늄(Al)막, 텅스텐(W)막, 은(Ag)막 및 인듐(In)막 중에서 어느 하나일 수 있으며, 상기 제 2 도전체 박막 및 제 3 도전체 박막은 금(Au)막, 알루미늄(Al)막 및 텅스텐(W)막 중에서 어느 하나일 수 있으며, 상기 압전박막은 아연산화막(ZnO) 또는 알루미늄나이트라이드막(AlN)인 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 1 도전체 박막으로 금막을 사용하는 경우는 상기 탄성 반사층과 상기 금막사이에 티타늄(Ti)막, 크롬(Cr)막, 니켈(Ni) 및 니켈크롬(NiCr)막중에서 어느 하나를 버퍼막으로 더 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 제 2 압전박막과 제 3 도전체 박막 사이에 외부 온도 변화로부터 소자의 공진 주파수 변동을 방지하기 위한 보호막으로 실리콘산화막(SiO2)을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 기판상에 제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화(SiO2)막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막을 교대로 적층하며, 최상부층은 상기 실리콘산화막이 되도록 적층하여 전체적으로 홀수층으로 이루어지는 탄성 반사층을 형성하는 단계;상기 탄성 반사층상에 제 1 도전체 박막을 형성하는 단계;상기 제 1 도전체 박막을 소정의 점유 면적을 가지며, 서로 분리된 복수의 제 1 도전체 패턴으로 형성하는 제 1 도전체 패턴 형성 단계;상기 제 1 도전체 패턴을 포함하는 기판 전면에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 제 1 압전박막을 형성한 후 상기 제 1 도전체 패턴상에만 상기 제 1 압전박막이 존재하도록 하는 제 1 압전박막 패턴 형성 단계;상기 제 1 압전박막 패턴을 포함하는 기판 전면에 제 2 도전체 박막을 형성한 후 상기 제 1 압전박막 패턴상에만 상기 제 2 도전체 박막이 존재하도록 하는 제 2 도전체 패턴 형성 단계;상기 제 2 도전체 패턴을 포함하는 기판 전면에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께로 제 2 압전박막을 형성한 후 상기 제 1 도전체 패턴상에만 상기 제 2 압전박막이 존재하도록 하는 제 2 압전박막 패턴 형성 단계; 및상기 제 2 압전박막 패턴을 포함하는 기판 전면에 제 3 도전체 박막을 형성한 후 상기 제 2 압전박막 패턴상에만 상기 제 3 도전체 박막이 존재하도록 하는 제 3 도전체 패턴 형성 단계;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 21 항에 있어서,상기 탄성 반사층은 상기 실리콘산화막과 상기 텅스텐막을 교대로 5층 내지 11층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 21 항에 있어서,상기 제 1 도전체 박막은 금(Au)막, 알루미늄(Al)막, 텅스텐(W)막, 은(Ag)막 및 인듐(In)막 중에서 어느 하나일 수 있으며, 상기 제 2 도전체 박막 및 제 3 도전체 박막은 금(Au)막, 알루미늄(Al)막 및 텅스텐(W)막 중에서 어느 하나일 수 있으며, 상기 압전박막은 아연산화막(ZnO) 또는 알루미늄나이트라이드막(AlN)인 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 21 항에 있어서,상기 제 1 도전체 박막으로 금막을 사용하는 경우는 상기 탄성 반사층과 상기 금막사이에 티타늄(Ti)막, 크롬(Cr)막, 니켈(Ni) 및 니켈크롬(NiCr)막중에서 어느 하나를 버퍼막으로 더 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 압전박막과 제 3 도전체 박막 사이에 외부 온도 변화로부터 소자의 공진 주파수 변동을 방지하기 위한 보호막으로 실리콘산화막(SiO2)을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자의 제조방법.
- 기판;제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막이 교대로 적층되어 있으며, 최상부층은 상기 실리콘산화막으로 이루어져 전체적으로 홀수층을 이루는 탄성 반사층;상기 탄성 반사층에 형성된 그라운드 전극;상기 바텀전극상에 형성되며 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께인 압전박막;상기 압전박막상에 형성된 소정의 점유 면적을 갖는 입력 전극; 및상기 입력 전극과 소정 간격 이격되어 위치하며 소정의 점유 면적을 갖는 출력전극;을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자.
- 제 26 항에 있어서,상기 그라운드전극이 금막인 경우에는 탄성 반사층과 상기 그라운드전극사이에 티타늄(Ti)막, 크롬(Cr)막 및 니켈크롬(NiCr)막중에서 어느 하나의 버퍼막, 상기 압전박막과 입력전극 및 상기 압전박막과 입력전극과 출력전극 사이에 외부 온도 변화로부터 소자의 공진 주파수 변동을 방지하기 위한 보호막으로 실리콘산화막(SiO2)이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자.
- 기판;제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막이 교대로 적층되어 있으며, 최상부층은 상기 실리콘산화막으로 이루어져 전체적으로 홀수층을 이루는 탄성 반사층;상기 탄성 반사층에 형성되며 소정의 점유 면적을 갖는 제 1 하부전극, 상기 제 1 하부전극상에 형성된 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께인 제 1 압전박막 및 상기 제 1 압전박막상에 형성된 제 1 상부전극으로 이루어진 제 1 래조내이터; 및상기 제 1 래조내이터와 소정간격 이격되어 있으며 소정의 점유 면적을 갖는 제 2 하부전극, 상기 제 2 하부전극상에 형성된 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께인 제 2 압전박막, 상기 제 2 압전박막상에 형성된 제 2 상부전극으로 이루어진 제 2 래조내이터;을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자.
- 제 28 항에 있어서,상기 제 1 상부전극과 상기 제 2 하부전극은 서로 와이어로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자.
- 제 28 항에 있어서,상기 제 1 하부전극과 제 2 하부전극이 금막인 경우에는 탄성 반사층과 각각 상기 제 1 하부전극과 제 2 하부전극이사이에 티타늄(Ti)막, 크롬(Cr)막 및 니켈크롬(NiCr)막중에서 어느 하나의 버퍼막, 각각의 상기 압전박막과 각각의 제 1 상부전극 및 제 2 상부전극사이에 외부 온도 변화로부터 소자의 공진 주파수 변동을 방지하기 위한 보호막으로 실리콘산화막(SiO2)이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자.
- 제 28 항에 있어서,상기 제 1 압전 박막과 제 1 상부전극 사이 및 상기 제 2 압전 박막과 제 2 상부전극 사이에는 소정의 도전체 박막과 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배의 두께인 압전박막이 순차적으로 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자.
- 기판;제 1 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.12 내지 0.13 배의 두께를 갖는 실리콘산화막과 상기 제 1 탄성 임피던스보다 큰 제 2 탄성 임피던스를 가지며, 탄성파 파장의 0.2 내지 0.3 배의 두께를 갖는 텅스텐(W)막이 교대로 적층되어 있으며, 최상부층은 상기 실리콘산화막으로 이루어져 전체적으로 홀수층을 이루는 탄성 반사층;상기 탄성 반사층상에 형성된 입력전극;상기 입력전극상에 형성된 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배 두께의 제 1 압전박막;상기 제 1 압전박막상에 형성된 그라운드 전극;상기 그라운드 전극상에 탄성파 파장의 0.45 내지 0.55 배 두께의 제 2 압전박막; 및상기 제 2 압전박막상에 형성된 출력전극;을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성파 소자.
- 제 32 항에 있어서,상기 그라운드 전극과 출력전극은 동일한 재질인 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자.
- 제 32 항에 있어서,상기 입력전극이 금막인 경우에는 탄성 반사층과 상기 입력전극사이에 티타늄(Ti)막, 크롬(Cr)막 및 니켈크롬(NiCr)막중에서 어느 하나의 버퍼막, 상기 제 2 압전박막과 출력전극사이에 외부 온도 변화로부터 소자의 공진 주파수 변동을 방지하기 위한 보호막으로 실리콘산화막(SiO2)이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 탄성파 소자.
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|---|---|---|---|---|
| KR100483340B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-04-15 | 쌍신전자통신주식회사 | 체적탄성파 소자 및 그 제조방법 |
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-
1999
- 1999-09-28 KR KR1019990041582A patent/KR20010029007A/ko not_active Application Discontinuation
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