KR20010024876A - Device and method for treating substrates - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판에 대한 상승 하강 장치를 포함하며 처리 용액을 담고 있는 리셉터클에서 기판을 처리하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 기판에 대한 유입 및 추출 시간은 기판의 크기에 따른 상승 하강 장치의 상승 속도의 조절 또는 기판의 크기에 따른 상승 하강 장치의 상승 높이를 조절함으로써 최적화된다.The present invention is directed to an apparatus and method for treating a substrate in a receptacle containing a raising and lowering device for the substrate and containing the processing solution. The inflow and extraction time for the substrate is optimized by adjusting the rising speed of the rising and lowering device according to the size of the substrate or adjusting the rising height of the rising and falling device according to the size of the substrate.
Description
EPB0 385 536 및 동일 특허권자에게 속하는 미공개 DEA197 03 646 은 처리 액체를 포함하는 용기 내에서 기판의 습식 처리를 위한 장치를 개시한다. 상기 특허 및 출원에 따라 기판 홀더와 함께 기판은 용기 내로 유입될 수 있다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼 같은 기판은 상승 하강 장치에 의해 처리 액체를 포함하는 용기 내로 유입되어 처리 용액으로 처리된다. 습식 처리 후, 반도체 웨이퍼는 블레이드(blade) 장치에 의해 처리 용액으로 부터 이동되어 용기 위에 배치된 후드에서 처리되기 위해 예를 들어, EPB0 385 536 으로 부터 개시된 마란고니(Marangoni) 공정에 따라 건조된다. 이 장치에 대해서 용기는 65㎜, 84㎜, 95㎜, 130㎜ 또는 200㎜ 의 직경을 가진 반도체 웨이퍼처럼 특정 크기를 가진 기판의 처리를 위해 각각 설계된다. 기판의 특정 크기에 대한 특수 설계 때문에 기판의 상승 하강 장치는 항상 일정한 방식으로 제작되며, 기판은 처리를 위해 항상 용기 기저부 근처의 고정점까지 하강된다.EP # B # 0 385 536 and the unpublished DE'A # 197 03 646 belonging to the same patent holder disclose an apparatus for wet treatment of a substrate in a container containing a processing liquid. According to the patent and application, the substrate together with the substrate holder can be introduced into the container. For example, a substrate, such as a semiconductor wafer, is introduced into a vessel containing a processing liquid by a rising and lowering device and processed into a processing solution. After the wet treatment, the semiconductor wafer is dried in accordance with the Marangoni process disclosed, for example, from EP # B # 0 385 536 for processing in a hood placed on a vessel by being moved from the treatment solution by a blade device. For this device the containers are designed for the processing of substrates of a particular size, such as semiconductor wafers with diameters of 65 mm, 84 mm, 95 mm, 130 mm or 200 mm, respectively. Because of the special design for the particular size of the substrate, the device for raising and lowering the substrate is always made in a constant manner, and the substrate is always lowered to a fixed point near the base of the container for processing.
상기 알려진 장치의 적응성을 증가시키기 위해 다양한 크기를 가진 기판을 처리할 수 있는 것이 바람직하다. 이는 원칙적으로 가능하며, 설계된 장치의 기판 크기에 비해 같거나 작은 기판을 처리하는 것이 가능하다. 결과로서, 보다 큰 직경을 가진 반도체 처럼 보다 작은 직경을 가진 반도체 웨이퍼는 모두 하강되며, 일정한 속도로 용기로 부터, 특히 전술한 고정점으로 부터 이동된다. 이어 하강 및 상승은 기판 홀더의 크기에 대해 독립적으로 특정 시간 주기에서 수행된다.It is desirable to be able to process substrates of various sizes to increase the adaptability of the known device. This is possible in principle, and it is possible to treat substrates that are the same or smaller than the substrate size of the designed device. As a result, semiconductor wafers with smaller diameters, like semiconductors with larger diameters, are all lowered and moved out of the vessel at a constant speed, in particular from the fixed point described above. Lowering and raising are then performed in a specific time period independently of the size of the substrate holder.
또한 JP 1012587 A 에서 참조되며, 여기서 이소프로필 알콜(IPA)의 포화 증기 층으로 부터 반도체 웨이퍼의 저속 이동에 따른 반도체 웨이퍼의 증기 드롭(drop) 공정을 보여준다. IPA 층으로 부터 웨이퍼의 저속 이동 때문에, 웨이퍼 표면 상의 작은 드롭의 형성이 방지된다. 처리 액체로 부터 웨이퍼의 저속 이동은 또한 미국 특허 4,722,752 및 EP 0 310 922 A2 에 개시되며, 상기 특허에 따라 웨이퍼는 물 배스에서 세정되며 물 배스로 부터 기판을 천천히 상승함에 의해 건조된다.See also in JP 10x12587 A, which shows the vapor drop process of a semiconductor wafer with slow movement of the semiconductor wafer from a saturated vapor layer of isopropyl alcohol (IPA). Because of the slow movement of the wafer from the IPA layer, the formation of small drops on the wafer surface is prevented. Slow movement of the wafer from the processing liquid is also disclosed in US Pat. No. 4,722,752 and EP 0 310 922 A2, according to which the wafer is cleaned in a water bath and dried by slowly raising the substrate from the water bath.
따라서 본 발명의 목적은 처리 용액을 가진 리셉터클에서 다양한 크기를 가진 기판을 처리하기 위한 간단한고 효율적인 장치 및 방법을 제공하는 것이며, 이에 따라, 리셉터클 내로의 기판의 유입 및 리셉터클 외부로 기판을 상승하기 위한 시간은 최적화된다.It is therefore an object of the present invention to provide a simple and efficient apparatus and method for treating substrates of various sizes in a receptacle with a treatment solution, and thus, for the inflow of the substrate into the receptacle and for raising the substrate out of the receptacle. Time is optimized
본 발명은 기판에 대해 제공되는 상승 하강 장치를 가지며, 처리 액체를 포함하는 리셉터클(receptacle)에서 기판을 처리하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for treating a substrate in a receptacle having a processing liquid provided with a raising and lowering device provided for the substrate.
특히 반도체 산업에서 최종 공정을 위해, 처리 액체로 기판을 처리하는 것이 필요하다. 이것의 한 예는 칩의 생산 중의 습식 처리이다.Especially for the final process in the semiconductor industry, it is necessary to treat the substrate with a processing liquid. One example of this is wet processing during the production of chips.
도 1 은 기판을 처리하기 위한 장치를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating an apparatus for processing a substrate.
본 발명의 목적은 상승 하강 장치의 속도가 기판의 크기에 따른 함수로서 변화될 수 있는 점에서 구현된다. 이는 다양한 크기를 가진 기판이 각각의 요구에 따라 다양한 속도로 리셉터클 내로 하강하며 그 안에서 상승될 수 있다는 잇점을 갖게 한다. 특히, 보다 작은 크기를 가진 기판에 대한 상승 시간은 최적화 될 수 있다.The object of the invention is realized in that the speed of the rising and lowering device can be changed as a function of the size of the substrate. This has the advantage that substrates of various sizes can be lowered into and raised into the receptacle at various speeds according to their needs. In particular, rise times for substrates with smaller sizes can be optimized.
바람직하게, 기판이 처리 액체에 의해 완전히 커버링 되는 동안에는, 기판은 처리 액체 외부에서의 기판의 계속되는 상승 동안 보다 더 높은 속도로 상승된다. 기판이 처리 액체에 의해 커버링 되는 동안, 기판은 기판의 처리 및 특히 건조에 대해 결점이 없이 소정의 빠르기로 상승될 수 있다; 대조적으로, 처리 액체 외부에서의 기판의 뒤이은 상승 동안 기판의 균일하며 완전한 건조를 위해 특정한, 상대적으로 저속 및 정속으로 기판이 상승 되는 것이 중요하다.Preferably, while the substrate is completely covered by the processing liquid, the substrate is raised at a higher rate than during the subsequent rise of the substrate outside the processing liquid. While the substrate is covered by the processing liquid, the substrate can be raised to a certain speed without any drawbacks to the processing and especially drying of the substrate; In contrast, it is important that the substrate be raised at a particular, relatively low speed and constant speed for uniform and complete drying of the substrate during subsequent rise of the substrate outside the processing liquid.
게다가 본 발명의 목적은 상승 하강 장치의 상승 높이가 기판의 크기에 대한 함수로서 변화될 수 있다는 점에서 구현된다. 이는 다양한 크기를 가진 기판이 처리 액체를 가진 용기 내로 다양한 깊이로 하강 될 수 있는 잇점을 갖게 한다.It is furthermore an object of the present invention to be realized in that the raising height of the raising lowering device can be changed as a function of the size of the substrate. This has the advantage that substrates of various sizes can be lowered to various depths into a container with processing liquid.
기판은 기판이 처리 액체에 의해 완전히 커버링 될 때 까지 상기의 범위까지 처리 액체 내로 바람직하게 하강한다. 이는 기판의 완전한 처리를 가능하게 하며, 특히 보다 작은 크기를 가지는 기판에 대해선 보다 작은 스트로크(stroke) 또는 상승 높이를 가능하게 하여 기판의 유입 및 제거 동안의 시간을 줄인다.The substrate is preferably lowered into the processing liquid to the above range until the substrate is completely covered by the processing liquid. This enables complete processing of the substrate and, in particular for smaller size substrates, allows for smaller strokes or elevation heights, reducing the time during entry and removal of the substrate.
본 발명의 일 실시예에 따라, 기판의 크기는 상승 속도 및/또는 상승 높이에 대해 특히 자동적으로 필요한 조정 및 제어를 수행할 수 있도록 센서에 의해 감지되며 스캐닝된다.According to one embodiment of the present invention, the size of the substrate is sensed and scanned by the sensor so as to be able to carry out the necessary adjustments and controls in particular with respect to the ascent rate and / or the elevation height.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 기판은 리셉터클 위에 배치된 적어도 하나의 후드에 의해 처리되어 바람직하게 다양한 후드가 다양한 크기를 가진 기판에 대해 제공된다. 다양한 크기를 가진 기판에 대해 다양한 후드를 제공함에 의해 기판의 처리 및 리셉터클로 또는 그로 부터 전송을 간단하게 할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the substrate is processed by at least one hood disposed over the receptacle so that various hoods are preferably provided for substrates of various sizes. Providing a variety of hoods for substrates of various sizes can simplify processing and transfer of substrates to and from the receptacles.
후드는 다양한 크기를 가진 기판에 대한 사용에 관해 바람직하게 표시되며, 그 결과 기판의 크기는 스캐닝되는 기판 자체를 필요로 하지 않고 후드 상의 표시에 의해 결정될 수 있다. 표시는 바람직하게 자동 인식을 가능하게 하는 바코드이다.The hood is preferably indicated for use with substrates of various sizes, so that the size of the substrate can be determined by the indication on the hood without requiring the substrate itself to be scanned. The indication is preferably a barcode that enables automatic recognition.
본 발명의 일실시예에 따르면 기판의 크기는 자동적으로 검출되며, 상승 속도와 상승 높이는 장치의 완전한 자동화를 보장하여 작동 인자를 줄이고 오작동을 방지하기 위해 자동적으로 셋팅된다.According to one embodiment of the invention the size of the substrate is automatically detected and the ascent rate and ascent height are automatically set to ensure complete automation of the device to reduce operating factors and prevent malfunctions.
게다가 본 발명의 목적은 상승 속도 및/또는 상승 높이가 기판의 수치에 대한 함수로서 변화함에 따른 방식으로 구현된다.It is furthermore an object of the present invention to be implemented in such a way that the rate of rise and / or rise height changes as a function of the value of the substrate.
본 발명은 일실시예 및 기판을 처리하는 개략적 장치를 도시한 단일한 개략도를 통해서 이하에서 설명될 것이다.The present invention will be described below through a single schematic diagram showing an embodiment and a schematic apparatus for processing a substrate.
장치(1)는 반원형 기저부(5) 및 인접한 측벽(6, 7)을 가지는 리셉터클(3)을 가진다. 처리 액체(10)가 공급 또는 유출되는 입구 및/또는 배출구(9)가 기저부(5) 상에 형성된다.The device 1 has a receptacle 3 with a semicircular base 5 and adjacent side walls 6, 7. An inlet and / or outlet 9 through which the processing liquid 10 is supplied or discharged is formed on the base 5.
각각 L 형상의 플랜지(12, 13)가 측벽(6, 7) 상에 배치된다. 리셉터클(3)의 측벽(6, 7) 위로 넘치는 처리 액체(10)를 위해 배출구(15)가 플랜지(13) 위에 형성된다.L-shaped flanges 12, 13, respectively, are disposed on the side walls 6, 7. An outlet 15 is formed above the flange 13 for the processing liquid 10 overflowing over the side walls 6, 7 of the receptacle 3.
기판 홀더(30)에 대한 상승 하강 장치(20) 및 웨이퍼를 상승시키기 위한 블레이드(blade)형 소자(25)가 리셉터클(3) 내에 배치된다; 이 소자는 단지 블레이드(25)로 지정될 것이다.A lifting device 20 for the substrate holder 30 and a blade-like element 25 for raising the wafer are disposed in the receptacle 3; This element will only be designated blade 25.
이런 상승 하강 장치는 예를 들어, 본 출원의 양수인에 속하는 사전 개시 되지 않은 문헌 DEA197 37 802 에 설명된다. 반복을 피하기 위해 DEA197 37 802 는 본 출원에 통합된다.Such ascending and descending devices are described, for example, in the previously unpublished document DE # A # 197 37 802, belonging to the assignee of the present application. DEA197 37 802 is incorporated into this application to avoid repetition.
복수의 웨이퍼(32)(도면에서는 오직 하나만 보임)는 기판 홀더(30)에서 조망 방향으로 차례로 처리된다. 기판 홀더(30)는 상승 하강 장치(20)에 의해 지지되어 리셉터클에서 상하로 이동된다. 블레이드(25)는 기판 홀더(30)에서 처리된 웨이퍼(32)의 가장 낮은 위치와 연결되며, DEA197 37 802 에서 설명된 방법으로 웨이퍼(32)를 기판 홀더(30)로 부터 후드 내로 이동하는 역할을 한다. 후드에 대해선 이하에 설명될 것이다.A plurality of wafers 32 (only one shown in the figure) is processed in the viewing direction in the substrate holder 30 in turn. The substrate holder 30 is supported by the lifting lowering device 20 and moved up and down in the receptacle. The blade 25 is connected to the lowest position of the wafer 32 processed in the substrate holder 30 and serves to move the wafer 32 from the substrate holder 30 into the hood in the manner described in DEA197 37 802. Do it. The hood will be described below.
후드(35)는 리셉터클(3) 위에 배치되며 웨이퍼(32)를 수용하기 위해 내부에 측면 가이드(36)를 가진다. 후드(35)에서 웨이퍼가 수용 또는 처리되는 방법이 점선 웨이퍼(32)에 의해 도면에 나타난다. 공급 라인(37)이 IPA, 가스 또는 전술한 EPB0 385 536 에서 잘 알려진 마란고니 공정에 따라 웨이퍼(32)를 건조하기 위해 제공되는 가스 혼합물을 위해 후드 위에 제공된다. 도면에 도시된 후드(35)는 특정 크기를 가진 웨이퍼(32)를 처리하기 위해 적절한 내부 크기를 갖는다. 다른 직경을 가진 웨이퍼(32)를 처리하기 위해 다양한, 도시되지 않은 후드가 제공되며, 각후드는 리셉터클(3)에 알맞은 방식으로 구현된다. 바코드(40)는 후드(35)의 내부 크기를 확인하기 위해, 즉 간접적으로 그 안에서 처리될 수 있는 웨이퍼, 결국 웨이퍼 자체의 직경을 확인하기 위해 후드(35)의 바깥 면 상에 제공된다.The hood 35 is disposed above the receptacle 3 and has a side guide 36 therein for receiving the wafer 32. The way in which the wafer is received or processed in the hood 35 is shown in the figure by the dotted wafer 32. A supply line 37 is provided above the hood for the IPA, gas or gas mixture provided for drying the wafer 32 according to the Marangoni process, which is well known in EPVB0 385 536 described above. The hood 35 shown in the figure has an appropriate internal size for processing a wafer 32 with a particular size. Various, not shown, hoods are provided for processing wafers 32 of different diameters, each hood being implemented in a manner suitable for the receptacle 3. The barcode 40 is provided on the outer surface of the hood 35 to confirm the internal size of the hood 35, that is to confirm the diameter of the wafer that can be indirectly processed therein, in turn the wafer itself.
제어 장치(45)는 상승 하강 장치(20)를 제어하는 역할을 하며, 라인(46)을 거쳐 연결된다. 게다가, 바코드 판독기(48)는 후드(35) 상에서 인식되는 바코드(40)를 판독하기 위해 제공된다. 바코드 판독기(48)는 후드 타입 결국 간접적으로 웨이퍼(32)의 크기를 알리기 위해 라인(50)을 통해 제어기(45)에 연결된다.이어 제어 장치(45)는 이 정보를 근거로 상승 하강 장치(20)를 제어한다.The control device 45 serves to control the lifting lowering device 20, and is connected via the line 46. In addition, a barcode reader 48 is provided for reading the barcode 40 recognized on the hood 35. The barcode reader 48 is connected to the controller 45 via the line 50 in order to inform the hood type and indirectly the size of the wafer 32. The controller 45 then uses the information on the ascent lifting device ( 20).
장치의 동작 동안, 다양한 크기를 가진 웨이퍼(32)는 다양한 후드(35)를 가진 리셉터클(3)로 및 그로 부터 전송된다. 특정 크기 또는 특정 직경의 웨이퍼를 가진 각각의 후드(35)가 리셉터클(3) 위에 배치되는 동안 바코드 판독기(48)는 바코드를 판독하여 라인(50)을 통해 제어 장치(45)로 기판의 크기에 대한 정보를 운반하기 위해 활성화된다.During operation of the apparatus, wafers 32 of various sizes are transferred to and from the receptacles 3 with various hoods 35. While each hood 35 having a wafer of a particular size or a certain diameter is placed over the receptacle 3, the barcode reader 48 reads the barcode to the size of the substrate via the line 50 to the control device 45. It is activated to carry information about it.
웨이퍼의 크기에 관한 정보에 대한 함수로서, 제어 장치는 리셉터클(3) 내로 웨이퍼(32)를 하강시키기 위해 상승 하강 장치(20)를 제어한다. 이때 리셉터클(3)은 일반적으로 처리 액체(10)로 채워진다.As a function of information about the size of the wafer, the control device controls the lifting lowering device 20 to lower the wafer 32 into the receptacle 3. The receptacle 3 is then generally filled with the processing liquid 10.
본 발명의 일실실예에 따라, 웨이퍼(32)는 처리 액체(10)에 의해 완전히 커버링될 정도까지 처리 액체(10) 내로 하강한다. 즉, 작은 직경을 가진 웨이퍼(32)에 대해선 상승 하강 장치(20)는 보다 큰 직경을 가진 웨이퍼(32)에 대해서 만큼 하강하지 않는다. 결론적으로, 리셉터클(3) 내로 웨이퍼(32)의 유입 동안의 시간이 절감된다. 웨이퍼(32)가 처리 액체에 있을 때, 처리 공정이 시작된다; 예를 들어, 도시되지 않은 분출구에 의해 처리 액체(10)가 압력을 받아 웨이퍼(32)를 세정하기 위해 리셉터클 내로 유입된다.According to one embodiment of the invention, the wafer 32 is lowered into the processing liquid 10 to the extent that it is completely covered by the processing liquid 10. That is, the lifting lowering device 20 does not descend as much as the wafer 32 having a larger diameter for the wafer 32 having a smaller diameter. As a result, the time during the introduction of the wafer 32 into the receptacle 3 is saved. When the wafer 32 is in the processing liquid, the processing process begins; For example, the processing liquid 10 is pressurized by a jet port (not shown) to flow into the receptacle to clean the wafer 32.
상기 공정 후에, 상승 하강 장치(20)는 리셉터클(3)로 부터 웨이퍼(32)를 상승시키며 처리 액체(10)로 부터 웨이퍼(32)의 상승 동작은 후드(35)를 통해 가스 또는 마란고니 공정에 따라 웨이퍼를 건조하기 위해 제공되는 가스 혼합물이 공급되는 동안 천천히 그리고 연속적으로 행해진다. 상승 하강 장치(20)는 웨이퍼가 처리 용액에 완전히 잠길 정도 까지 웨이퍼를 하강시키며, 상승 직후 웨이퍼(32)의 상부 모서리는 처리 액체(10)로 부터 노출, 즉 액체의 표면을 통과하므로 시작 순간부터 웨이퍼(32)의 상승은 연속적 및 균일하게 행해진다. 작은 직경을 가진 웨이퍼(32)는 보다 큰 직경을 가진 웨이퍼 만큼 하강하지 않으므로 리셉터클(3)로 부터 웨이퍼(32)의 상승 동안의 시간이 절감되어 처리 시간은 감축되며 생산성은 증가한다.After the above process, the raising and lowering device 20 raises the wafer 32 from the receptacle 3 and the raising operation of the wafer 32 from the processing liquid 10 is performed through the hood 35 through a gas or marangoni process. Accordingly while the gas mixture provided for drying the wafer is supplied slowly and continuously. The raising and lowering device 20 lowers the wafer to the extent that the wafer is completely immersed in the processing solution, and immediately after the rising, the upper edge of the wafer 32 is exposed from the processing liquid 10, i.e., passes through the surface of the liquid, from the start point. The rise of the wafer 32 is performed continuously and uniformly. Since the wafer 32 with the smaller diameter does not descend as the wafer with the larger diameter, the time during the rise of the wafer 32 from the receptacle 3 is saved, thereby reducing the processing time and increasing the productivity.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 모든 웨이퍼는 크기에 불구하고 리셉터클(3)의 예정된 최저점까지 하강한다. 이런 방식의 작동은 만일 상승 하강 장치(20)가 소정의 위치에 있을 때 처리 액체를 유입하는 도시되지 않은 전술된 노즐 또는 분출구가 최적 효과를 일으키는 식으로 셋팅되는 범위에 잇점을 가진다. 게다가 리셉터클(3)에서 예정된 최저점에서 단 하나의 기준점이 필요하다는 잇점이 있다. 이 기준점은 예를 들어 후드(35)가 특히 크기에 관계없이 리셉터클에서 처리된 웨이퍼(32)를 훼손함이 없이 리셉터클(3) 위로 자유롭게 이동될 수 있음을 나타내는 유닛의 0 또는 시작 위치로 사용된다.According to another embodiment of the present invention, all wafers descend to the predetermined lowest point of the receptacle 3 despite their size. Operation in this manner has the advantage that the above-mentioned nozzles or jets, not shown, which introduce the processing liquid when the ascending and descending device 20 is in a predetermined position are set in such a way as to produce an optimum effect. In addition, there is an advantage that only one reference point is needed at the lowest point scheduled in the receptacle 3. This reference point is used, for example, as the zero or starting position of the unit indicating that the hood 35 can be moved freely over the receptacle 3 without damaging the wafer 32 processed in the receptacle, in particular regardless of size. .
예정된 지점까지의 하강 때문에 작은 직경을 가진 웨이퍼(32)의 경우 보다 많은 처리 액체(10)로 채워진 상대적으로 큰 공간이 요구된다. 이어 상승 공정 동안 웨이퍼(32)가 처리 액체(10)에 완전히 커버링 되는 동안 웨이퍼(32)는 처리 액체(10)로 부터 웨이퍼(32)를 상승 하는 것 보다 더 빠른 속도로 상승된다. 이는 마란고니 공정에 따라 웨이퍼(32)의 균일한 건조를 위해 필요한 저속 및 연속적 작동은 오직 상승의 일부 동안이기 때문이다. 보다 작은 직경을 가진 웨이퍼(32)는 처음에 보다 빠르게 상승 될 수 있기 때문에, 다시 시간 절감을 가져오며, 장치가 최적화된다.Due to the descent to a predetermined point, a relatively large space filled with more processing liquid 10 is required for a wafer 32 with a smaller diameter. The wafer 32 is then raised at a faster rate than raising the wafer 32 from the processing liquid 10 while the wafer 32 is fully covered by the processing liquid 10 during the ascent process. This is because the slow and continuous operation required for uniform drying of the wafer 32 according to the Marangoni process is only during part of the rise. Wafers 32 with smaller diameter can be raised faster at first, which in turn saves time and the device is optimized.
전술한 대로, 상승 하강 장치(20)의 제어는 제어 장치(45)를 통해 행해지며, 바코드 판독기(48)는 웨이퍼의 크기에 대한 정보를 제어 장치에 공급한다.As described above, the control of the rising and lowering device 20 is performed through the control device 45, and the barcode reader 48 supplies information on the size of the wafer to the control device.
본 발명은 실시예로 이미 설명되었다. 그러나, 기술 분야의 당업자에겐 발명의 개념을 벗어나지 않고 다양한 변형과 다른 실시가 가능하다. 특히, 상승 하강 장치(20) 및 도시된 리셉터클(3)의 다른 형태가 사용될 수 있다. 게다가, 웨이퍼(32)의 크기는 후드(35) 상의 바코드(40)로 부터 전해지는 대신 예를 들어 리셉터클(3)에 배치된 센서에 의해 직접 감지될 수 있다. 게다가, 후드(35) 상의 전형적인 바코드(40) 대신 다른 표시가 처리된 웨이퍼의 크기를 나타내기 위해 사용될 수 있다. 게다가, 예를 들어 기판 홀더와 함께 웨이퍼를 처리하는 다른 형태의 후드가 또한 사용될 수 있다.The invention has already been described by way of example. However, various modifications and other implementations are possible for a person skilled in the art without departing from the concept of the invention. In particular, other forms of the raising and lowering device 20 and the receptacle 3 shown may be used. In addition, the size of the wafer 32 can be sensed directly by, for example, a sensor disposed in the receptacle 3 instead of being conveyed from the barcode 40 on the hood 35. In addition, other marks may be used to indicate the size of the processed wafer instead of the typical barcode 40 on the hood 35. In addition, other types of hoods for processing wafers, for example with substrate holders, may also be used.
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