KR101078145B1 - Apparatus and method for drying substrate - Google Patents

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Abstract

기판의 건조장치 및 건조 방법이 개시된다. 기판의 건조 장치는 기판을 수용하여 초순수 세정이 수행되는 세정조, 상기 기판을 척킹하여 상대적으로 낮은 속도로 상승 이동시키는 로봇암, 상기 세정조에 연결되고 초순수를 제조하여 공급하는 초순수 공급유닛, 상기 세정조와 연통되어 상기 초순수를 배출시키는 드레인 라인, 상기 드레인 라인 상에 장착되어 상기 초순수의 배출 유량을 미세 조절하는 조절 밸브 및 상기 드레인 라인을 개폐하는 드레인 밸브를 포함한다. 따라서, 세정조에서의 드레인 방식 및 초순수 공급 방식 변경으로 초순수 수면 안정화를 이루어 기판의 워터마크 발생 및 파티클 군집현상을 제거하여 수율 및 파티클 품질 개선이 가능한 이점이 있다.Disclosed are a substrate drying apparatus and a drying method. The apparatus for drying a substrate includes a cleaning tank for accommodating a substrate and performing ultrapure water cleaning, a robot arm for chucking the substrate and moving up and down at a relatively low speed, an ultrapure water supply unit connected to the cleaning bath and producing and supplying ultrapure water, the cleaning And a drain line communicating with the tank to discharge the ultrapure water, a control valve mounted on the drain line to finely control the discharge flow rate of the ultrapure water, and a drain valve to open and close the drain line. Therefore, the ultra-pure water surface is stabilized by changing the drain method and the ultrapure water supply method in the cleaning tank, thereby eliminating watermark generation and particle clustering of the substrate, thereby improving yield and particle quality.

웨이퍼, 기판, 건조, 세정조, 초순수 Wafer, Substrate, Drying, Cleaning Tank, Ultrapure Water

Description

기판의 건조장치 및 건조방법{APPARATUS AND METHOD FOR DRYING SUBSTRATE}Substrate drying apparatus and drying method {APPARATUS AND METHOD FOR DRYING SUBSTRATE}

본 발명은 기판의 건조장치 및 건조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 세정조에서의 드레인 방식 및 초순수 공급 방식을 변경하여 기판의 워터마크 발생 및 파티클 군집현상을 제거하여 수율 및 파티클 품질 개선이 가능한 기판의 건조장치 및 건조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate drying apparatus and a drying method, and more particularly, it is possible to improve the yield and particle quality by removing the watermark generation and particle clustering of the substrate by changing the drain method and the ultrapure water supply method in the cleaning tank. It relates to a drying apparatus and a drying method of the substrate.

일반적으로, 반도체 소자는 기판, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼를 이용하여 증착, 사진 및 식각 공정 등을 반복 수행함으로써 제조될 수 있다. 공정들을 거치는 동안 기판 상에는 각종 파티클, 금속 불순물, 유기 불순물 등과 같은 오염 물질이 잔존할 수 있다. 오염 물질은 반도체 소자의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치기 때문에, 반도체 제조시에는 기판에 잔존하는 오염 물질을 제거하는 세정공정이 수행된다.In general, a semiconductor device may be manufactured by repeatedly performing deposition, photography, and etching processes using a substrate, for example, a silicon wafer. Contaminants such as various particles, metal impurities, organic impurities, and the like may remain on the substrate during the processes. Since the contaminants adversely affect the yield and reliability of the semiconductor device, a cleaning process for removing contaminants remaining on the substrate is performed during semiconductor manufacturing.

상기 세정공정을 위한 세정 방식은 크게 건식 세정 방식 및 습식(Wet) 세정 방식으로 구분될 수 있으며, 이 중에서 습식 세정 방식은 여러 가지 약액을 이용한 세정 방식으로서, 복수의 기판을 동시에 세정하는 배치타입(batch type) 세정장치와 낱장 단위로 기판을 세정하는 매엽식(single wafer type) 세정장치로 구분된다.The cleaning method for the cleaning process may be largely classified into a dry cleaning method and a wet cleaning method. Among them, the wet cleaning method is a cleaning method using various chemical liquids, and a batch type for simultaneously cleaning a plurality of substrates ( batch type) It is divided into cleaning device and single wafer type cleaning device that cleans the substrate by sheet.

예를 들어, 배치타입 세정장치는 세정을 위한 약액이 수용된 약액조와 린스를 위한 순수(deionized water, DI water)가 수용된 린스조를 포함하여 이루어진다. 본 실시예에서는 설명의 편의를 위하여 상기 린스조를 세정조라 칭하기로 한다. 기존의 배치타입 세정장치에서 세정 방법을 살펴보면, 세정조에서는 복수의 기판을 일정 시간 침지시킴으로써 기판 표면의 오염이 제거된다. 세정조에서는 오염이 제거된 기판을 일정 시간 침지시킴으로써 기판에서 오염 및 잔류 약액이 제거된다.For example, the batch type cleaning apparatus includes a chemical tank containing chemical liquid for cleaning and a rinse tank containing deionized water (DI water) for rinsing. In this embodiment, the rinse bath will be referred to as a washing bath for convenience of description. Looking at the cleaning method in the conventional batch type cleaning apparatus, the cleaning tank is immersed in a plurality of substrates for a predetermined time to remove the contamination of the substrate surface. In the cleaning tank, contamination and residual chemical liquid are removed from the substrate by immersing the substrate from which the contamination is removed for a predetermined time.

한편, 배치타입 세정장치에는 세정이 완료된 기판을 건조시키기 위한 건조장치가 구비된다. 예를 들어, 기존의 건조장치는 세정조 상부에 구비되어 기판을 상승시키면서 기판을 건조시키는 건조챔버를 포함한다. 건조챔버에서는 상승하는 기판 표면으로 건조 가스(예를 들어, 질소 가스와 이소프로필알코올(Iso-propyl alcohol, IPA))을 분사하여 기판 표면을 건조시킨다.On the other hand, the batch type cleaning device is provided with a drying device for drying the substrate is cleaned. For example, the existing drying apparatus includes a drying chamber provided on the cleaning tank to dry the substrate while raising the substrate. In the drying chamber, a drying gas (eg, nitrogen gas and isopropyl alcohol (IPA)) is sprayed onto the rising substrate surface to dry the substrate surface.

그런데, 기존의 건조장치에서는 초순수가 낮은 유량으로 공급되고 고속으로 기판을 상승시키고 이후에 로봇암이 기판을 척킹하여 저속으로 인상시키게 된다.However, in the conventional drying apparatus, ultrapure water is supplied at a low flow rate and the substrate is raised at a high speed, and then the robot arm chucks the substrate to raise it at a low speed.

그러나, 기판을 안정적이고 완벽하게 건조시키기 위해서는 기판이 인상될 시, 세정조의 수면 유동(수면 흔들림)이 발생하지 않게 안정적으로 상태를 유지하며 기판을 인상시키는 것이 가장 중요한데, 기판이 인상될 때 수면 유동이 발생하면 워터마크 또는 파티클이 군집되는 현상이 발생되어 수율 저하 및 파티클 품질 악화 등의 문제를 야기시킨다. 상기 문제를 해소하기 위해선 기판이 세정조에서 상승할 때, 기판의 부피가 수면으로 나타나는 양에 맞추어, 즉, 기판이 수면 밖으로 나감에 따라 세정조의 수위가 줄어드는 것을 보충하기 위하여 초순수를 약액조 또는 린스조에 극미량 공급함과 동시에 초순수의 공급량이 일정하여야만 하는데, 기판의 부피가 수면으로 나타나는 양에 맞추어 초순수를 극미량 세정조에 공급하는 것을 최적화 시키는 것은 한계가 있으며, 또한 배치 세정기의 특정상, 다른 세정조 및 약액조에서 초순수를 얼마나 사용하느냐에 따라 유량의 변동이 발생하기 때문에 세정조에 일정한 유량을 유지하는 것은 거의 불가능한 것이 현실이다.However, in order to dry the substrate stably and completely, it is most important to raise the substrate stably while maintaining the stable state so that the surface flow of the cleaning tank does not occur when the substrate is pulled. When this occurs, watermarks or particles are clustered, which causes problems such as yield degradation and particle quality deterioration. In order to solve the above problem, when the substrate is raised in the cleaning bath, the ultrapure water is rinsed or rinsed in order to compensate for the decrease in the level of the cleaning bath as the substrate goes out of the water. The amount of ultrapure water must be constant while supplying a very small amount of water to the tank, but there is a limit to optimizing the supply of ultrapure water to the ultrafine cleaning tank in accordance with the volume of the substrate. Since the fluctuations in the flow rate occur depending on how much ultrapure water is used in the tank, it is almost impossible to maintain a constant flow rate in the cleaning tank.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일 목적은 기판의 워터마크 발생 및 파티클 군집현상을 제거하여 수율 및 파티클 품질 개선이 가능한 기판의 건조장치 및 건조 방법을 제공함에 있다.One object of the present invention for solving the above problems is to provide a substrate drying apparatus and drying method capable of improving the yield and particle quality by removing the watermark generation and particle clustering of the substrate.

본 발명의 다른 목적은, 기판 간 파티클 품질 산포 개선 및 수율을 상승시켜, 세정조에서의 재작업 감소 및 세정 캐파 상승이 가능한 기판의 건조장치 및 건조 방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate drying apparatus and a method for drying substrates by improving particle quality distribution and yield between substrates, thereby reducing rework in a cleaning tank and increasing cleaning capacities.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 기판의 건조 장치는 기판을 수용하여 초순수 세정이 수행되는 세정조, 상기 기판을 척킹하여 상대적으로 낮은 속도로 상승 이동시키는 로봇암, 상기 세정조에 연결되고 초순수를 제조하여 공급하는 초순수 공급유닛, 상기 세정조와 연통되어 상기 초순수를 배출시키는 드레인 라인, 상기 드레인 라인 상에 장착되어 상기 초순수의 배출 유량을 미세 조절하는 조절 밸브 및 상기 드레인 라인을 개폐하는 드레인 밸브를 포함한다.According to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above object of the present invention, the substrate drying apparatus includes a cleaning tank for accommodating the substrate to perform ultrapure water cleaning, a robot for chucking the substrate and moving up and down at a relatively low speed. An ultrapure water supply unit connected to the arm, the washing tank, to manufacture and supply ultrapure water, a drain line communicating with the washing tank to discharge the ultrapure water, a control valve mounted on the drain line to finely control the discharge flow rate of the ultrapure water, and the And a drain valve for opening and closing the drain line.

이 때, 상기 기판의 건조장치는 상기 세정조 내의 상기 초순수의 수위를 감지하는 수위센서 및 상기 수위센서에서 감지된 수위가 기 설정된 수위 미만인 경우에 상기 로봇암을 제어하여 상기 기판을 상승시키도록 하는 제어유닛을 더 포함하는 것이 바람직하다.At this time, the substrate drying apparatus controls the robot arm to raise the substrate when the level sensor detecting the level of the ultrapure water in the cleaning tank and the level detected by the level sensor are less than a predetermined level. It is preferable to further include a control unit.

또한, 상기 세정조 내의 상기 초순수의 수량을 감지하는 유량 센서를 더 포함하고, 상기 수량에 따라 상기 조절 밸브가 조정되는 것이 더욱 바람직하다.The apparatus may further include a flow rate sensor for detecting the quantity of the ultrapure water in the washing tank, and the control valve may be adjusted according to the quantity of water.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 기판의 건조방법은 초순수가 수용된 세정조의 내부에 기판을 침지시키는 단계, 상기 초순수의 배출 유량을 미세 조절하여 상기 초순수의 수면이 안정화된 상태로 상기 초순수를 배출시키는 단계 및 상기 초순수의 수위가 기 설정된 기준 수위 이하로 하강하는 경우 상기 기판을 척킹하여 상승시키는 단계를 포함한다.According to another preferred embodiment of the present invention for achieving the above object of the present invention, the drying method of the substrate is a step of immersing the substrate in the cleaning tank containing the ultra-pure water, by finely adjusting the discharge flow rate of the ultra-pure water And discharging the ultrapure water while the water level is stabilized, and chucking and raising the substrate when the level of the ultrapure water falls below a predetermined reference level.

이 때, 상기 초순수를 배출시키는 단계는 상기 세정조에 잔류한 초순수의 용량에 따라 상기 배출 유량을 조절하여 상기 수면의 하강 속도를 일정하게 유지하는 것이 바람직하다.At this time, the step of discharging the ultrapure water is preferably to maintain the constant rate of falling of the water surface by adjusting the discharge flow rate in accordance with the capacity of the ultrapure water remaining in the cleaning tank.

또한, 상기 기판을 침지시키는 단계 이전에 상기 세정조에 초순수를 공급하는 단계 및 상기 초순수 공급을 차단하는 단계를 더 포함하는 것이 더욱 바람직하다.The method may further include supplying ultrapure water to the cleaning tank and blocking the supply of ultrapure water before the step of immersing the substrate.

본 발명에 따르면, 세정조에서의 드레인 방식 및 초순수 공급 방식 변경으로 초순수 수면 안정화를 이루어 기판의 워터마크 발생 및 파티클 군집현상을 제거하여 수율 및 파티클 품질 개선이 가능한 이점이 있다.According to the present invention, it is possible to improve the yield and particle quality by eliminating the watermark generation and particle clustering of the substrate by performing the stabilization of the ultrapure water surface by changing the drain method and the ultrapure water supply method in the cleaning tank.

또한, 기판 간 파티클 품질 산포 개선 및 수율 상승이 가능한 이점이 있어, 세정조에서의 재작업 감소 및 세정 캐파 상승도 가능해지는 효과가 있다.In addition, there is an advantage that can improve the particle quality distribution between the substrate and increase the yield, it is possible to reduce the rework in the cleaning tank and increase the cleaning capa.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 이하 설명에서는 구성 및 기능이 거의 동일하여 동일하게 취급될 수 있는 요소는 동일한 참조번호로 특정될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. Note that, in the following description, components that are substantially the same in structure and function and can be handled identically can be identified by the same reference numerals.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판의 건조장치를 도 1내지 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판의 건조장치를 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판의 건조장치에서 기판을 상승시키는 작동을 도시한 단면도이다.A drying apparatus of a substrate according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 2 as follows. 1 is a cross-sectional view showing a drying apparatus of a substrate according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view showing the operation of raising the substrate in the drying apparatus of the substrate of FIG.

이에 도시된 바와 같이, 상기 기판의 건조장치는 기판(W)을 수용하여 세정 공정 및 린스 공정이 수행되고, 건조 공정이 수행되도록 세정조(101), 로봇암(500), 초순수 공급유닛(400), 드레인 라인(220), 조절밸브(200) 및 드레인 밸브(300)를 포함한다.As shown in the drawing, the substrate drying apparatus accommodates the substrate W to perform a cleaning process and a rinsing process, and a cleaning tank 101, a robot arm 500, and an ultrapure water supply unit 400 to perform a drying process. ), A drain line 220, a control valve 200 and a drain valve 300.

상기 세정조(101)는 소정의 세정액 또는 초순수를 수용하고 기판(W)이 세정액 및 순수에 일정 시간 침지되어 상기 기판(W) 표면에서 오염이 제거된다. 또한, 상기 세정조(101)는 세정이 완료된 기판(W)에서 세정액 및 오염을 제거하기 위한 린스 공정이 수행되고, 선택적으로 건조 공정이 수행되기도 한다.The cleaning tank 101 accommodates a predetermined cleaning liquid or ultrapure water and the substrate W is immersed in the cleaning liquid and pure water for a predetermined time to remove contamination from the surface of the substrate W. In addition, the cleaning tank 101 may be rinsed to remove the cleaning liquid and contamination from the substrate W on which the cleaning is completed, and optionally a drying process may be performed.

상기 린스 공정은 도 1에 도시한 바와 같이, 상기 세정조(101)에 상기 기판(W)이 완전히 잠길 수 있도록 초순수를 채운 후 상기 세정조(101)에 구비된 일반적으로 상용되는 가이드유닛(111)에 상기 기판(W)을 정렬하여 수용한 후, 초순수에 소정 시간 침지시킴으로써 상기 기판(W)에서 세정액 및 오염이 제거된다.In the rinsing process, as shown in FIG. 1, after filling ultrapure water so that the substrate W is completely immersed in the cleaning tank 101, a commonly used guide unit 111 provided in the cleaning tank 101 is provided. After the substrate W is aligned and accommodated, the cleaning liquid and the contamination are removed from the substrate W by immersion in ultrapure water for a predetermined time.

그리고 상기 린스 공정이 완료되면 상기 세정조(101) 내부에서 초순수를 드레인 시키고, 일정 기준 이하로 초순수의 드레인이 완료되면 상기 기판(W)을 상승시켜 건조 시킨다.When the rinsing process is completed, the ultrapure water is drained from the inside of the cleaning tank 101, and when the drainage of the ultrapure water is completed below a predetermined standard, the substrate W is raised and dried.

이 때, 상기 로봇암(500)은 상기 기판(W)을 척킹하여 상대적으로 낮은 속도로 상승 이동시키도록 구비되며, 상기 초순수 공급유닛(400)은 상기 세정조(101)와 연통되어 상기 초순수(DI)를 제조하여 공급하도록 구비된다.이 때, 상기 초순수 공급유닛(400)은 상기 초순수(DI)를 제조하는 초순수 제조기(401), 상기 제조된 초순수(DI)를 상기 세정조(101)에 공급하는 공급라인(420) 및 상기 공급라인(420)에 배치되어 상기 공급라인(420)을 개폐하여 상기 초순수(DI)의 공급을 제어하는 공급밸브(410)를 포함한다.At this time, the robot arm 500 is provided to chuck the substrate (W) to move up at a relatively low speed, the ultrapure water supply unit 400 is in communication with the cleaning tank 101 is the ultrapure water ( In this case, the ultrapure water supply unit 400 supplies an ultrapure water maker 401 for producing the ultrapure water (DI) and the manufactured ultrapure water (DI) to the cleaning tank (101). And a supply valve 410 disposed in the supply line 420 and the supply line 420 to control the supply of the ultrapure water DI by opening and closing the supply line 420.

또한, 상기 드레인 라인(220)은 상기 세정조(101)와 연통되어 상기 초순수(DI)를 외부로 배출시키도록 구비된다. 더불어, 상기 드레인 밸브(300)는 상기 드레인 라인(220)을 개폐하여 상기 초순수(DI)를 상기 세정조(101) 외부로 배출하는 것을 제어하도록 구비된다.In addition, the drain line 220 is provided to communicate with the cleaning tank 101 to discharge the ultrapure water (DI) to the outside. In addition, the drain valve 300 is provided to control the discharge of the ultrapure water DI to the outside of the cleaning tank 101 by opening and closing the drain line 220.

여기서, 상기 조절밸브(200)는 상기 드레인 라인(220) 상에 장착되어 상기 초순수(DI)의 배출 유량을 미세 조절하도록 구비된다. 또한, 상기 조절밸브(200)는 상기 초순수(DI)의 배출 유량을 미세 조정함으로서, 상기 초순수(DI)의 수면의 유동을 최소화하여 수면을 안정화시키도록 구비된다.Here, the control valve 200 is mounted on the drain line 220 is provided to finely control the discharge flow rate of the ultrapure water (DI). In addition, the control valve 200 is provided to stabilize the surface by minimizing the flow of the surface of the ultrapure water (DI) by finely adjusting the discharge flow rate of the ultrapure water (DI).

이 때, 상기 기판의 건조장치는 수위센서(140) 및 제어유닛(150)을 더 포함하는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the drying apparatus of the substrate further includes a water level sensor 140 and a control unit 150.

상기 수위센서(140)는 상기 세정조(101) 내의 상기 초순수(DI)의 수위를 감지하도록 일반적으로 상용되는 수위 센서로 구비되고, 상기 제어유닛(150)은 상기 수위센서(140)에서 감지된 수위가 기 설정된 수위 미만인 경우에 상기 로봇암(500)을 제어하여 상기 기판(W)을 상승시키도록 제어한다.The water level sensor 140 is provided with a generally used water level sensor to detect the level of the ultrapure water (DI) in the cleaning tank 101, the control unit 150 is detected by the water level sensor 140 When the water level is lower than the predetermined level, the robot arm 500 is controlled to raise the substrate W.

본 실시예에서는 상기 세정조(101) 내의 상기 초순수(DI)의 수위를 감지하여 상기 로봇암(500)을 제어함으로써, 상기 기판(W)을 상승시키는 것으로 제시하였지만, 이에 한정되거나 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 상기 세정조(101) 내의 상기 초순수(DI)의 수량을 감지하는 유량 센서(미도시)를 더 포함하고, 상기 수량에 따라 상기 조절밸브(200)가 조정되도록 하고, 또한, 일정 수량 미만인 경우에, 상기 제어유닛(150)이 상기 로봇암(500)을 구동하여 상기 기판(W)을 상승시키도록 제어하는 것도 가능함은 물론이다.In the present exemplary embodiment, the substrate W is raised by sensing the level of the ultrapure water DI in the cleaning tank 101 to control the robot arm 500, but the present invention is not limited thereto. For example, further comprising a flow rate sensor (not shown) for detecting the quantity of the ultrapure water (DI) in the cleaning tank (101), so that the control valve 200 is adjusted according to the quantity, If less than a certain amount, it is also possible to control the control unit 150 to drive the robot arm 500 to raise the substrate (W).

여기서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판의 건조장치에 의한 기판의 건조 방법을 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판의 건조장치에 의한 기판의 건조 방법을 순서대로 도시한 순서도이다. 참고로 설명의 편의를 위하여 도 1 내지 도 2의 참조 번호를 참조하여 설명하기로 한다.Here, a method of drying a substrate by a substrate drying apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3. 3 is a flowchart illustrating a method of drying a substrate by a substrate drying apparatus according to a preferred embodiment of the present invention in order. For reference, it will be described with reference to FIGS. 1 to 2 for convenience of description.

이에 도시된 바와 같이, 상기 기판의 건조방법은 먼저 초순수(DI)가 수용된 세정조(101)의 내부에 기판(W)을 침지시키는 단계(S10)를 거친다. 이 때, 상기 기판(W)을 침지시키는 단계(S10) 이전에 상기 초순수(DI)를 수용하는 단계가 필요하며, 이를 좀 더 상세히 설명하기 위하여 도 4를 제시한다. 도 4는 도 3의 기판 침 지 단계 이전의 단계를 순서대로 도시한 순서도이다.As shown in the drawing, the method of drying the substrate first goes through a step S10 of immersing the substrate W in the cleaning tank 101 in which the ultrapure water DI is accommodated. At this time, the step of accommodating the ultrapure water (DI) before the step (S10) of immersing the substrate (W), it is shown in Figure 4 to explain in more detail. FIG. 4 is a flowchart illustrating the steps prior to the substrate immersion step of FIG. 3 in order.

이에 도시된 바와 같이, 먼저, 상기 세정조에 초순수를 공급하는 단계(S01)를 거친다. 즉, 상기 세정조(101) 내부에 상기 기판(W)이 부재시에는 상기 초순수(DI)를 공급하는 공급밸브(410)가 개방되어 높은 유량으로 상기 초순수(DI)가 공급되어 상기 세정조(101)의 청정도를 유지하도록 한다.As shown in the figure, first, ultra-pure water is supplied to the cleaning tank (S01). That is, when the substrate W is absent in the cleaning tank 101, the supply valve 410 for supplying the ultra pure water DI is opened to supply the ultra pure water DI at a high flow rate, thereby providing the cleaning tank 101 with the substrate W being not present. Maintain cleanliness.

다음, 상기 초순수(DI) 공급을 차단하는 단계(S02)를 거친다. 즉, 상기 세정조(101)에 상기 기판(W)이 침지되기 이전에 상기 초순수(DI) 공급을 차단함으로써, 상기 세정조(101) 내부의 상기 초순수(DI)의 수면이 안정화되고, 이후에 상기 기판(W)을 침지시키는 단계(S10)가 수행된다.Next, the ultra-pure water (DI) is cut off (S02). That is, by blocking the supply of the ultrapure water DI before the substrate W is immersed in the cleaning tank 101, the surface of the ultrapure water DI inside the cleaning tank 101 is stabilized, and thereafter. Immersion of the substrate W (S10) is performed.

다음, 상기 초순수(DI)의 배출 유량을 미세 조절하여 상기 초순수(DI)의 수면이 안정화된 상태로 상기 초순수를 배출시키는 단계(S20)가 수행된다.Next, a step (S20) of discharging the ultrapure water in a state where the surface of the ultrapure water (DI) is stabilized by finely adjusting the discharge flow rate of the ultrapure water (DI).

이 때, 상술한 기판의 건조장치에 구비된 상기 조절밸브(200)를 통해 상기 초순수(DI)의 드레인 유량 조절이 수행되며, 상기 조절밸브(200)는 상기 기판(W)이 상기 세정조(101)에 침지되는 것과 동시에 개방되어 상기 세정조(101) 내의 초순수(DI)가 변동 없는 안정한 인자인 중력에 의해 안정한 상태를 유지하며 배출되도록 한다.At this time, the control of the drain flow rate of the ultrapure water (DI) is performed through the control valve 200 provided in the drying apparatus of the substrate, the control valve 200 is the substrate (W) is the cleaning tank ( Simultaneously immersed in 101), it is opened so that ultrapure water DI in the cleaning tank 101 is discharged while maintaining a stable state by gravity, which is a stable factor without change.

또한, 상기 초순수(DI)를 배출시키는 단계(S20)는 상기 세정조(101)에 잔류한 상기 초순수(DI)의 용량에 따라 배출 유량을 조절하여 상기 수면의 하강 속도를 일정하게 유지하는 것이 바람직하다.In addition, the step (S20) of discharging the ultrapure water (DI) is to maintain a constant falling rate of the water surface by adjusting the discharge flow rate according to the capacity of the ultrapure water (DI) remaining in the cleaning tank (101). Do.

다음, 상기 초순수(DI)의 수위가 기 설정된 기준 수위 이하로 하강하는 경우 상기 기판(W)을 척킹하여 상승시키는 단계(S30)를 수행함으로써, 상기 기판의 건조방법이 완료된다.Next, when the level of the ultrapure water DI falls below a predetermined reference level, the method of drying the substrate is completed by performing the step S30 of chucking and raising the substrate W.

참고로, 상기 기판을 상승시킨 이후에 종래와 유사하게 건조챔버(미도시)를 포함하고, 상기 건조챔버로 상기 기판(W)을 상승 이동시킨 이후또는 상승하는 상기 기판(W) 표면으로 건조 가스(예를 들어, 질소 가스와 이소프로필알코올(Iso-propyl alcohol, IPA))을 분사하여 기판 표면을 건조시키도록 하는 것도 가능함은 물론이며, 이에 한정되거나 제한되는 것은 아니다.For reference, after the substrate is raised, a drying chamber (not shown) is included in a similar manner as in the related art, and after drying the substrate W to the drying chamber, the drying gas is moved to the surface of the substrate W. Of course, it is also possible to spray the surface of the substrate by injecting (for example, nitrogen gas and isopropyl alcohol (IPA)), but is not limited thereto.

따라서, 상기 기판(W)에 대하여 안정된 상기 초순수(DI)의 수면 하강이 가능함으로써, 상기 기판(W)의 워터마크 발생이나 파티클 군집현상을 개선할 수 있고, 상기 기판(W) 간 파티클 품질 산포 개선 및 수율 상승이 가능한 이점이 있다. 특히, 이로 인하여 세정조에서의 재작업 감소 및 세정 캐파 상승도 가능해지는 이점이 있다.Therefore, the surface of the substrate W can be stably lowered to the surface of the ultrapure water DI, thereby improving watermark generation and particle clustering of the substrate W, and spreading particle quality between the substrates W. There is an advantage in that improvement and yield increase are possible. In particular, this has the advantage that it is possible to reduce the rework in the cleaning tank and increase the cleaning capa.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판의 건조장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate drying apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 기판의 건조장치에서 기판을 상승시키는 작동을 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an operation of raising a substrate in the drying apparatus of the substrate of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판의 건조장치에 의한 기판의 건조 방법을 순서대로 도시한 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of drying a substrate by a substrate drying apparatus according to a preferred embodiment of the present invention in order.

도 4는 도 3의 기판 침지 단계 이전의 단계를 순서대로 도시한 순서도이다.FIG. 4 is a flowchart sequentially showing the steps before the substrate immersion step of FIG. 3.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

101: 세정조 140: 수위센서101: cleaning tank 140: water level sensor

150: 제어유닛 200: 조절밸브150: control unit 200: control valve

220: 드레인 라인 300: 드레인 밸브220: drain line 300: drain valve

400: 초순수 공급유닛 401: 초순수 제조기400: ultrapure water supply unit 401: ultrapure water maker

410: 공급밸브 420: 공급라인410: supply valve 420: supply line

500: 로봇암 DI: 초순수500: robot arm DI: ultrapure water

W: 기판W: Substrate

Claims (6)

기판을 수용하여 초순수 세정이 수행되는 세정조;A cleaning tank accommodating the substrate and performing ultrapure water cleaning; 상기 기판을 척킹하여 상승 이동시키는 로봇암;A robot arm chucking the substrate to move upward; 상기 세정조에 연결되고 초순수를 제조하여 공급하는 초순수 공급유닛;An ultrapure water supply unit connected to the washing tank to produce and supply ultrapure water; 상기 세정조와 연통되어 상기 초순수를 배출시키는 드레인 라인;A drain line communicating with the cleaning tank to discharge the ultrapure water; 상기 드레인 라인 상에 장착되어 상기 초순수의 배출 유량을 미세 조절하는 조절 밸브; 및A control valve mounted on the drain line to finely control the discharge flow rate of the ultrapure water; And 상기 드레인 라인을 개폐하는 드레인 밸브;A drain valve for opening and closing the drain line; 를 포함하는 기판의 건조 장치.Drying apparatus of the substrate comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 세정조 내의 상기 초순수의 수위를 감지하는 수위센서; 및A level sensor for sensing the level of the ultrapure water in the cleaning tank; And 상기 수위센서에서 감지된 수위가 기 설정된 수위 미만인 경우에 상기 로봇암을 제어하여 상기 기판을 상승시키도록 하는 제어유닛;A control unit configured to raise the substrate by controlling the robot arm when the level detected by the level sensor is lower than a preset level; 을 더 포함하는 기판의 건조 장치.Drying apparatus of the substrate further comprising. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 세정조 내의 상기 초순수의 수량을 감지하는 유량 센서를 더 포함하고, 상기 수량에 따라 상기 조절 밸브가 조정되는 기판의 건조 장치.And a flow rate sensor for sensing the quantity of the ultrapure water in the cleaning tank, wherein the control valve is adjusted according to the quantity of water. 초순수가 수용된 세정조의 내부에 기판을 침지시키는 단계;Immersing the substrate in the cleaning tank containing the ultrapure water; 상기 초순수의 배출 유량을 미세 조절하여 상기 초순수의 수면이 안정화된 상태로 상기 초순수를 배출시키는 단계; 및Finely controlling the discharge flow rate of the ultrapure water to discharge the ultrapure water in a state where the surface of the ultrapure water is stabilized; And 상기 초순수의 수위가 기 설정된 기준 수위 이하로 하강하는 경우 상기 기판을 척킹하여 상승시키는 단계;Chucking and raising the substrate when the level of the ultrapure water falls below a predetermined reference level; 를 포함하는 기판의 건조 방법.Drying method of the substrate comprising a. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 초순수를 배출시키는 단계는 상기 세정조에 잔류한 초순수의 용량에 따라 상기 배출 유량을 조절하여 상기 수면의 하강 속도를 일정하게 유지하는 기판의 건조 방법.The discharging of the ultrapure water may be performed by adjusting the discharge flow rate according to the capacity of the ultrapure water remaining in the cleaning tank to maintain a constant rate of falling of the water surface. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 기판을 침지시키는 단계 이전에Prior to the step of immersing the substrate 상기 세정조에 초순수를 공급하는 단계; 및Supplying ultrapure water to the cleaning tank; And 상기 초순수 공급을 차단하는 단계;Shutting off the ultrapure water supply; 를 더 포함하는 기판의 건조 방법.Drying method of the substrate further comprising.
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