KR20010022645A - 전해추출 납 및 납합금 전극 제조를 위한 야금 공정 - Google Patents

Abstract

황산용액으로부터 아연, 구리, 납, 주석, 니켈 및 망간과 같은 금속을 전해추출하기 위한 납 및 납합금 양극으로서, 이 양극은 높은 빈도의 특수한 저ΣCSL 입계들(즉 ＞50%)로 구성된 개선된 미세조직를 얻기 위해, 변형과 온도 및 소둔시간의 특정 제한 내에서 냉간 변형과 재결정 열처리의 반복적인 시퀀스에 의해 처리된다. 그 결과로서 생기는 전극은 입간 부식에 대해 상당히 개선된 저항성을 가지며, (1) 연장된 사용수명, (2) 전해추출 셀 당 전극수의 증가와 함께 전극 두께의 감소 가능성 및, (3) 고순도 금속 제품을 추출하는 기회를 산출한다.

Description

전해추출 납 및 납합금 전극 제조를 위한 야금 공정{Metallurgical process for manufacturing electrowinning lead and lead alloy electrodes}

납 및 납합금 (양)전극은, 황산 용액으로부터 구리, 아연, 망간, 니켈 및 기타 금속들을 전해추출하는데 널리 사용된다. 그러한 적용에 납과 납합금을 사용하는 것은, 높은 산화 조건하에서 황산에 대한 장기간 노출에도 견디는 그들의 일반적인 능력에 근거한다. 미국특허 제4,124,482호에 기술된 바와 같이 통상 주조판 형태이며 전형적으로 Ag, Ca, Sn 및 Sb와 같은 합금성분을 함유하는 납 및 납합금 전극은, 가혹한 산 조건하에서 4년 까지나 견디는 것으로 예상된다. 이 전극들의 열화는 주로 입간부식에 기인하는데, 이것은 내부 입계들과 전극 자유면의 교차점에서 황화납에서 산화납으로의 천이와 관련하여 국부적인 체적변화의 결과로 생긴다. 이것은 보호 산화납막의 국부적인 손상과 그에 따른 입계로의 부식 공격 전파를 야기하여, 궁극적으로, 박리와 결정립 드롭핑(dropping)을 통한 전극 금속의 전체적인 손실을 초래한다. 그러한 전극재료의 손실은, 전극의 구조적인 완전성의 손상 뿐 아니라 납과 기타 전극 합금성분에 의한 전해액 오염을 초래하며, 결과적으로 전해추출 공정동안 얻어질 수 있는 금속 침전물의 순도를 제한한다.

수많은 연구들은, Σ와 Δθ가 Σ￡29와 Δθ￡15Σ^-1/2관계에 놓여 있는 것으로(브랜든(Brandon), 1966)²잘 확립되어 있는 경계면 구조의 '일치 사이트 격자' 모델(크론버그(Kronberg)와 윌슨(Wilson), 1949)¹을 기초로 설명된 어떤 '특수한' 입계들이, 부식과 균열 같은 입간 열화 과정에 큰 저항성을 가진다는 것을 보여준다. 전술한 미국특허(팔룸보(Palumbo), 1997)³에는, 통상의 오스테나이트계 Fe와 Ni베이스 스테인레스 합금내에서 상기한 특수한 입계들의 개체를 약 20%-30%에서 60% 이상의 수준으로 증가시키기 위한 가공열처리 과정이 개시되어 있다; 그러한 증가는 입간부식과 응력부식균열과 같은 입간 열화 과정에 대해 상당히 개선된 저항성을 가져온다. 더 최근의 특허 출원(팔룸보(Palumbo), 레호키(Lehockey), 및 브레넨스투흘(Brennenstuhl))⁴에는, 일반적으로 전통적인 납-산 전지에서 전극으로 사용되는 납합금을 가지고 상기와 같은 개선을 달성하기 위한 가공열처리 공정이 개시되어 있다. 위에 거론되었고 각주에 확인된 특허들, 출원서들 및 공개서들은 합금 계면구조에 대한 개시사항과 관련해서 이 글속에 참조문으로 통합되었다.

¹Kronberg, and Wilson. Trans. Met. Soc. AIME, 185 501 (1949).

²Brandon, Acta Metall., 14, 1479 (1966).

³Palumbo, G., U.S.Patent No.5,702,543 (1997)

⁴G.Palumbo, E.M.Lehockey and A.M.Brennenstuhl. U.S.Patent Application Nos.08/609,326 ; 08/609,327

본 발명은 황산 용액으로부터 Cu, Zn, Pb, Sn, Ni, 및 Mn과 같은 금속들을 전해추출하는데 사용되는 내식성 납 및 납합금 전극을 생산하기 위한 야금학적 제조공정에 관한 것이다.

도 1은 (a) 전통적인 '주조' 조건에서와 (b) 본 발명의 방법에 따른 공정 후에 있어서 Pb-Ag 전해추출 재료의 결정학상 오리엔테이션 이미지의 그래픽 사본이다.

도 2는 (a) 전통적인 '주조' 조건과 (b) 본 발명의 방법에 따른 공정으로 각각 4주간 1.74V의 전위에서 황산 내에 정전위 양극 분극 후 Pb-Ag 전해추출 합금의 입간 부식의 단면 광학 현미경 사본이다.

도 3은 4주 동안 1.74V d.c.의 전위에서 황산 내에 정전위 양극 분극 후 (a) 전통적인 '주조' 조건과 (b) 본 발명의 방법에 따른 공정에 의해 입은 Pb-Ag 전해추출 전극 재료의 중량 감소율을 비교한 데이터 그래프이다.

본 발명에 따르면, 특수한 입계 개체를 50% 이상 가진 Pb와 Pb-합금 전해추출 전극재료들이 구비될 수 있다. 그러한 재료들은 스타팅(starting) 주괴나 단련한 스타팅 스톡(stock)으로부터, 변형(롤링, 프레싱, 압출가공, 스탬핑, 드로잉 등)과 재결정 열처리의 특정한 반복 사이클 공정을 거친다. 이 재료들을 전극으로 사용하면 황산 베이스 전해추출 용액 내에서 상당히 개선된 입간 부식 저항성을 얻을 수 있다. 이 개선된 전극 재료들은 향상된 신뢰성과 연장된 사용수명을 제공할 수 있고, 두께가 줄어든 전극의 사용을 허용할 수 있으며, 전해액 및 금속 제품의 불순물 오염의 위험을 줄일 수 있다.

본 발명의 양극은 Pb 또는 Ag, Ca, Sn, Sb나 전해추출에 사용하기 적합한 이들의 조합을 함유한 Pb합금을 포함한다. 이 전극들은 시트, 플레이트, 메쉬 등의 형태로서, 야금학적으로 50% 이상의 특수한 입계 빈도수를 가지도록 처리되었다.

이 특수한 입계들은 결정학상으로 Σ≥29를 가지는 특정 CSL 수준의 Δθ≥ 15°Σ^-1/2관계로 설명되며; 미세조직 내에서 그 향상된 빈도수는 황산 베이스 전해추출 용액 속에서 입간 부식에 대해 우수한 저항성을 가지는 전해추출 양극들을 산출한다. 그러한 양극들은, 상업적으로 순수한 Pb 또는 통상의 전해추출 전극재료의 단련된 스타팅 스톡의 주조물이 연속적으로 변형되고(예, 롤링, 프레싱, 스탬핑, 압출가공, 드로잉 등) 재결정이 일어나도록 열처리되는 선택적이고 반복적인 재결정 공정에 의해 얻어진다. 상기 변형 공정과 열처리는 적어도 한번 반복된다. 상업적으로 순수한 Pb와 일반적인 Pb 베이스의 전해추출 전극 합금은 모두 30%-80% 범위의 변형과 5 내지 20분간 180℃-300℃ 범위의 열처리 온도를 사용하여 재결정을 일으키기에 충분한 정도로 처리될 수 있다.

도 1은 전통적인 '주조' 조건에서와 이후 본 발명의 실시예에 따른 재처리공정 모두에 있어서 Pb-0.1%Ag 합금의 입계조직 분포를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 일반적인 주조물은 6%-8%의 '특수한' 입계 개체를 가지며, 여기서 설명한 바와 같은 재처리공정은 60% 이상의 '특수한' 입계 빈도수를 산출한다.

도 2 및 3은 본 발명의 실시예들에 따른 재처리공정에 의해 얻어질 수 있는 입간부식과 '전극-손실'의 관점에서의 이점을 강조하고 있다.

입간 부식 저항성에서의 현저한 개선점들은 (1) Pb 베이스의 전극 재료의 사용수명을 상당히 연장하고, (2) 전해추출 셀 당 더 얇은 전극의 사용을 허용하며, (3) 전해추출 작업에서 더 높은 순도의 금속들의 조성을 허용할 것이다.

Claims (3)

1. 적어도 50% 수준의 특수한 입계들을 함유한 미세조직을 만들기 위해 Pb 베이스 합금 전해추출 전극재료를 가공하는 방법으로서,

   (ⅰ) 두께 감소율 30%-80%를 얻기 위해 상기 재료를 냉간변형 처리시키는 단계;

   (ⅱ) 상기 재료를 15 내지 30분간 180-300℃의 온도범위로 소둔하여 완전한 재결정을 유도하는 단계; 및

   (ⅲ) 적어도 한번 (ⅰ)(ⅱ) 단계를 반복 수행하는 단계를 포함하는 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 전극 재료는 Pb-0.1%Ag 합금인 방법.
3. 제2항의 방법으로 생산된 전극 재료로 제조되는 내식성 전해추출 전극.