KR20010022575A - 매우 작은 캐패시턴스를 결정하기 위한 방법 및 센서 - Google Patents

Abstract

작은 캐패시턴스를 가지는 캐패시터는 상당히 큰 캐패시턴스를 가지는 측정 캐패시터를 위해 여러번 충전되고 방전되며, 상기 캐패시터는 직접적으로 측정된다. 센서의 측정 결과로서 작은 캐패시턴스 또는 캐패시턴스 변화는 높은 정확성으로 결정될수있다. 따라서, 임의의 이동 없이 트랜지스터가 스위치(S)로서 제공되는 손가락끝에 대한 지지 표면하의 금속 영역(4) 어레이, 측정 캐패시터(1) 및 비교기(2)를 가지는 지문 센서를 실현하는 것이 가능하다. 소정 전위는 금속 영역에 제공된다. 손가락끝이 센서상에 배치될때, 금속 영역은 피부 표면의 구조에 대응하는 다른 세기로 충전된다. 전하는 할당된 측정 캐패시터에 방전된다. 측정 캐패시터의 충전 상태는 매트릭스 메모리의 판독후 서로 분리되어 이루어진다.

Description

매우 작은 캐패시턴스를 결정하기 위한 방법 및 센서 {METHOD FOR DETERMINING VERY LOW CAPACITIES AND SENSOR DESIGNED THEREFOR}

바이폴라 및 MOS 트랜지스터, MIM 캐패시터 같은 작은 집적 구성요소에 대한 파라미터를 결정할때 예를들어, 마이크로기계 압력 센서(EP 0714 017 = US 5,631,428, WO 96/16319) 또는 가속계 센서(WO 95/19572, EP 0 730 157) 같은 용량을 측정하는 센서는 신뢰성과 매우 높은 정확성을 가지고 매우 작은 캐패시턴스를 결정하는 문제점에 직면한다. 캐패시턴스의 측정된 값은 간섭량에 의해 품질이 하락된다. 가변 간섭량은 예를들어 측정 장치 주변의 교류 전자기장 또는 기계적 진동에 의해 유발될수있다. 이들 간섭량은 측정된 결과를 수정할수있도록 최소한 검출되는 동안 또는 검출될때 적당히 보상되어야 한다.

민감한 증폭기는 작은 캐패시턴스 크기를 결정하기 위하여 사용된다. 측정 동작 동안, 캐패시턴스는 측정 신호를 발생시키기 위하여 고주파 교류 전압 또는 펄스 전압에 의해 여기된다. 간섭 신호는 측정 증폭기에 의해 직접 검출되고 억제되거나 아날로그 대 디지탈 전환후 수치적으로 보상된다. 이들 방법은 매우 복잡하고 높은 정밀도를 필요로한다.

M. Tartagni, R. Guerrieri에 의한 개시물: "피드백 용량성 감지 방법을 바탕으로 하는 390 dpi 지문 이미지화기", 1997 ISSCC 슬라이드 부록, 154-155쪽 및 402쪽은 지문 센서에 대한 여러 옵션 개요를 제공한다. 상기 센서는 지문, 즉 손가락끝의 피부 표면의 고랑 및 웨브(web)의 다이어그램을 전자적으로 요구하고, 만약 적당하다면 사람을 식별하기 위해 상기 지문을 평가하는데 적당하다. 상기 개시물에서 특징으로 하는 용량성 측정 센서는 매우 작은 캐패시턴스를 측정하여야 하는 문제와 직면한다. 상기 측정은 손가락끝이 센서상에 머무는 매우 짧은 기간 동안 수행되어야 하고, 충분히 정밀하고 서로 다른 손가락 선을 식별할수있도록 충분히 대조한 결과를 전달할 것이 가정된다.

EP 0 457 398 B1은 변형되지 않은 지지 표면위에 손가락이 놓이고 센서의 금속 영역 장치와 관련하여 생성된 캐패시턴스가 지문을 결정하기 위하여 사용되는 지문 센서를 개시한다. 이런 목적을 위하여 전자 증폭기 및 스위치가 금속 영역 각각에 접속된다. 상기 회로는 간섭 영향에 민감하다.

본 발명은 마이크로기계 센서의 측정 결과를 평가하기에 특히 적당한 매우 작은 캐패시턴스를 결정하기 위한 방법에 관한 것이다.

도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 방법에 적당한 회로 섹션의 다이어그램.

도 3은 상기 회로에서 캐패시터로서 사용될수있는 트랜지스터 구성요소를 도시한 도.

도 4는 개략적인 평면도로 센서 장치를 도시한 도.

도 5는 평면도의 센서에 대한 상세도.

도 6은 센서 장치의 상세한 단면도.

본 발명의 목적은 매우 작은 캐패시턴스를 결정하기 위한 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 캐패시턴스가 매우 작게 변화되는 경우에서도 정확한 측정 결과를 전달하는 용량성 측정 센서, 특히 지문 기록 센서를 제공하는 것이다.

이들 목적은 청구항 제 1 항의 특징부를 가지는 방법 및 청구항 제 3 항의 특징부를 가지는 센서 및 청구항 제 5 항의 특징부를 가지는 지문 센서에 의해 달성된다. 각각의 고안은 종속항에 기재된다.

본 발명에 따른 방법에서, 측정될 캐패시턴스는 모든 전압의 제 1 전압이 관련 캐패시터 또는 캐패시터로 기능하는 구성요소에 인가되도록 결정되고, 따라서 캐패시터는 충전된다. 상기 캐패시터는 이런 목적을 위하여 제공되고 상당히 큰 캐패시턴스를 가지는 캐패시터로 방전되고, 이런 캐패시터는 다음 본문에서 측정 캐패시터라 불린다. 이런 충전 및 방전 과정은 측정될 작은 캐패시턴스로 인해 여러번 반복된다. 그러므로 충전은 측정 캐패시터상 캐패시터군에 축적되고 평가될수있다. 이것은 측정 캐패시터 양단 전압이 소정 수의 충전 동작(1회의 충전)후 측정되거나 소정 전압으로 측정 캐패시터를 충전하기 위하여 필요한 충전 동작 수가 카운트되는 방식으로 행해진다. 첫번째 경우, 소정 수의 충전 동작후 도달된 전압은 결정된 캐패시턴스의 크기에 비례한다. 두번째 경우, 충전 동작 수는 결정될 캐패시턴스의 크기에 반비례한다.

캐패시터 플레이트로서 기능하는 두개의 전극 사이의 거리가 측정량의 함수로서 변화하는 센서에서, 측정될 캐패시턴스는 전극 사이의 거리에 반비례한다. 따라서 상기 경우 측정 캐패시터(1회 충전) 충전 동작 수는 측정될 거리에 직접 비례하고, 이것은 측정 결과의 평가를 단순화한다. 특히 마이크로기계 센서로서 실현될수있는 상기 센서의 경우, 본 발명에 따른 방법은 수치적으로 추가로 처리될수있는 목표된 디지탈 결과 값을 즉각적으로 전달하는 장점을 가진다. 측정에 관련되어 도입부에 언급된 간섭 효과는 억제되거나 수치적으로 보상될수있다.

상기 방법은 충전 누적으로 인해 적분기로서 작동한다. 이런 적분기는 고주파 간섭 억제 특성을 가진다. 저주파 간섭은 검출되고 공지된 수치 방법을 사용하여 계산에 의해 제거된다.

상기 방법은 압력 센서 또는 가속도 센서 같은 용량을 측정할수있는 마이크로기계 센서에 사용하기에 특히 적당하다. 상기 압력 센서에서, 공동을 가로지르는 전기 전도성 격판(예를들어, 전기 전도 방식으로 적어도 부분적으로 도핑된 폴리실리콘으로 만들어짐)의 변형(외부 압력으로 인해)은 공동의 대향 측면상에 존재하는 카운터 전극(예를들어, 반도체 재료에서 전기 전도성 방식으로 도핑된 지역)에 관련하여 격판의 교번 캐패시턴스를 결정함으로써 결정된다. 이것이 작은 캐패시턴스 및 캐패시턴스 변화를 포함하기 때문에, 본 발명에 따른 방법은 현재까지 이룩될수있는 정확도 이상으로 상기 센서의 측정 정확도를 가능한 방식으로 개선할 수 있다.

본 발명에 따른 방법은 우수한 기능성을 달성하는 특히 간단한 구조를 가지는 지문 센서를 실현하기에 특히 적당하다. 이와같이 용량성 측정 방법은 본 발명에 따른 지문 센서에서 사용될수있다. 상기 측정은 캐패시터의 플레이트를 각각 형성하는 금속 영역의 장치(어레이)에 의해 센서 부분의 기계적 변형없이 이루어진다. 이들 금속 영역은 유전체 패시베이션 층으로 덮혀지고, 상기 패시베이션층상에 핑거가 자리한다. 피부 표면의 고랑 및 웨브는 금속 영역과 함께 다른 캐패시턴스를 형성한다. 피부 표면은 충분히 높은 전기 전도성을 가지는 것으로 간주되고 실제적으로 접지 전위이다. 만약 금속 영역이 특정 전위이면, 상기 상기 금속 영역은 다른 세기로 충전된다. 상기 충전량은 측정 캐패시터같은 보다 큰 캐패시턴스를 가지는 캐패시터에 각각 공급된다. 금속 영역은 여러번 충전되고, 상기 충전은 각각의 경우 측정 캐패시터상에 축적된다. 이것은 금속 영역과 피부 사이 캐패시턴스의 정확한 측정이 충전량 또는 도달된 전압량에 의해 이루어지도록 많은 충전을 하는 것이 가능하다.

지문을 얻기 위하여, 금속 영역의 충전 상태는 예를들어 매트릭스 메모리가 판독되는 방식으로 이루어진다. 금속 영역의 매트릭스 배열의 경우, 금속 영역은 컬럼에서 동일 전위로 동시에 충전된다. 이것은 워드 라인을 통하여 트랜지스터로 만들어진 메모리 어레이를 미리 충전하는 것과 같다. 충전된 금속 영역은 각각의 로우를 위해 존재하는 각각의 측정 캐패시터에 대한 로우에서 방전된다.

본 발명에 따른 방법 및 지문 센서의 형태로 설계된 센서의 예시적인 실시예는 도 1 내지 도 6을 참조하여 하기에 상세히 기술된다.

본 발명에 따른 방법은 도 1에 도시된 구성요소를 포함하는 회로를 사용하여 실행될수있다. 각각의 충전 동작시 측정될 캐패시터상에 저장된 전하는 충전 전압이 스위치를 통하여 분리되고 캐패시턴스가 측정될 캐패시터가 측정 캐패시터(1)의 플레이트에 전도적으로 접속되는 각각 할당된 측정 캐패시터(1)로 전달된다. 충전된 측정 캐패시터의 경우에 이루어진 캐패시터 양단의 전압 강하는 화살표로 표시된다. 비교기(2)는 측정 캐패시터(2)와 기준 전압(U_ref) 양단의 전압을 비교하기 위하여 제공되고, 그 결과 기준 전압이 측정 캐패시터 전압에 도달할때를 확인하는 것이 가능하다.

도 2는 특정 기준 전압이 캐패시터 양단에 존재하기전 비교기가 필요한 충전 동작 수를 확인하기 위하여 제공되는 다른 회로를 도시한다. 비교기(2)의 출력 신호는 클럭 펄스(T_ch)에 의해 제거되는 카운팅 장치(3)의 입력에 공급된다. 이 카운팅 장치는 캐패시터(1)가 기준 전압(U_ref)에 도달되기전 요구된 충전 동작 수를 카운트한다. 충전 동작 수는 측정될 캐패시터의 캐패시턴스와 반비례한다.

필요한 스위치는 바람직하게 트랜지스터에 의해 형성된다. 캐패시턴스가 상기 방법의 적용 사이클에서 동시에 결정되는 캐패시터는 이들 스위치를 통하여 예를들어 5 볼트의 특정 전위로 동시에 충전된다. 상기 스위치는 전압 소스를 분리하기 위하여 개방된다. 동시에, 캐패시터가 각각 할당된 측정 캐패시터에 접속되게 하는 다른 스위치는 폐쇄된다. 만약 적당하다면, 측정 캐패시터는 측정 사이클 초기에 적당한 추가 회로를 통하여 통상적으로 1 볼트의 바이어스 전압으로 미리 충전될수있다. 전하가 측정 캐패시터로 흐른후, 스위치는 다시 작동되고, 그 결과 측정될 캐패시터는 다시 충전된다. 상기 새로운 스위칭은 전하가 측정 캐패시터 쪽으로 흐르게하고, 그 결과 전하는 상기 측정 캐패시터상에 축적된다.

만약 회로에 사용된 스위치가 트랜지스터로서 구현되면, 측정 캐패시터를 위하여 트랜지스터를 사용하는 것이 편리하다. 도 3은 단면으로 캐패시터로서 사용될수있는 구성요소를 도시한다. 절연층(7), 채널 영역(11)상의 게이트 전극(8), 반도체 재료에 확산되는 소스 및 드레인(10)에 대한 영역을 가지는 MOSFET에는 소스 및 드레인에 대한 영역(10)이 서로 전기 전도적으로 접속된, 즉 단락되는 방식으로 접촉을 형성하는 장치가 제공된다. 이런 접촉(9)은 도 3에 도시된다. 인버션층은 상기 구성요소의 동작동안 채널 영역(11)에 형성된다. 절연 층(7)은 한편, 게이트 전극(8)에 의해 형성되고 다른 한편, 접촉부(9) 및 인버션 층에 의해 형성되는 캐패시터 절연체를 형성한다.

본 발명에 따른 방법을 사용하여 실현된 지문 센서에서, 그리드에 배열된 금속 영역을 가지는 구성된 금속 층은 바람직한 실시예에 존재한다. 이들 영역은 개략적인 평면도로 각각의 금속 영역(4)을 도시하는 도 4에 따라 이중 격자형 그리드로 배열된다. 격자 영역(5)은 필요한 회로 전자부품을 수용하기 위하여 사용한다. 구성된 금속화 평면상에는 유전체 패시베이션 층이 자리하고, 상기 유전체 패시베이션층상에 지문에 대한 지지 표면이 존재한다. 패시베이션층의 두께는 지문의 피부와 함께 각각의 금속 영역(4)에 의해 형성된 캐패시턴스의 크기를 결정한다. 금속 영역은 구동 전자부품 또는 다른 구성요소가 집적된 반도체 칩상 금속화 평면일수있다.

측정 방법을 설명하기 위하여 도 1에 도시된 회로도는 지문 센서와 대응하여 사용된다. 금속 영역(4) 배열에 대한 상호접속도는 도 5에 도시된다. 전하를 축적하기 위하여 제공된 측정 캐패시터(1)는 금속 영역(4)의 각각의 로우에 존재한다. 이들 측정 캐패시터의 캐패시턴스는 캐패시터를 형성하기 위하여 지지 표면(예를들어, 전기 전도성 피부 표면)의 평면에 배열된 전기 전도체가 하나의 금속 영역에 추가될때 발생하는 캐패시턴스보다 100 배 내지 1000 배 크다. 도 5는 각각의 금속 영역을 위하여 트랜지스터에 의해 바람직하게 형성된 관련 스위치(S₁및 S₂)가 상세히 도시되는 것을 도시한다. 상기 장치의 컬럼(또는 로우)에 존재하는 모든 금속 영역은 매트릭스 메모리의 워드 라인과 남아있는 스위치(S₂)의 개방후 라인(L) 및 폐쇄된 스위치(S₁)를 통하여 의도된 전압으로 충전된다. 금속 영역은 다른 캐패시턴스에 대응하는 다른 세기로 충전된다. 스위치(S₁)가 개방되고 스위치(S₂)가 폐쇄된후, 전하는 방전 라인(R)을 통하여 로우-바이-로우 방식(또는 컬럼-바이-컬럼 방식)의 금속 영역으로부터 각각의 로우(또는 컬럼)에 할당된 측정 캐패시터(1)로 흐르고 상기 캐패시터에 축적된다.

측정 캐패시터 양단 전압은 하부에 접속되고 기준 전압(U_ref)과 캐패시터(1) 양단 전압을 비교하는 비교기(2)에 의해 측정된다. 만약 상기 의도가 대략적인 측정을 위해서만 수행되면, 캐패시터가 측정 캐패시터(1)상의 특정 전압이 초과할때를 확인시키기 위하여 사용되는 것에는 충분히 사용된다. 그 다음 얻어진 지문의 다이어그램은 검은색 또는 하얀색 지점을 가진다. 만약 다른 회색도 변화가 요구되면, 측정 캐패시터(1)의 접속부는 다른 크기를 가지는 다른 기준 전압과 아날로그 대 디지탈 컨버터 통과후 전압을 비교하고 이런 방식으로 각 캐패시터의 점차적 다른 변화 상태를 확인할수있는 비교기의 다른 입력으로 통과될수있다.

소정 전압이 측정 캐패시터상에 도달되기전 충전 동작 수(측정 캐패시터로 흐르는 전하군)는 금속 영역 및 피부 표면 사이에서 측정될 거리에 직접적으로 비례한다. 그러므로, 지문 센서에서 도 2에 따른 장치를 가지는 측정 방법을 사용중에, 디지탈 측정 결과는 수치적으로 추가로 처리될 수 있도록 즉각적으로 얻어진다. 측정 동안 가능한한 간섭 효과는 억제되거나 수치적으로 보상될수있다. 도 1에 따른 예시적인 실시예는 충전 동작 시퀀스가 종료되고 각각의 측정 캐패시터(1)상에 존재하는 전하 또는 전압이 측정된후 시간 주기를 한정하는 카운팅 장치를 포함할 수 있다.

지문 센서의 전체 회로는 예를들어 상기된 바와같이 트랜지스터를 사용하는 마이크로전자 구성요소를 사용하여 실현될수있다. 측정을 위하여 사용된 금속 영역의 그리드 배열이 가능한한 밀접되게 손가락의 지지 표면을 쪽모이 세공으로 깔아지는 것을 보장하기 위하여, 금속 영역 및 측정 캐패시터의 직접적인 구동을 위하여 요구되지 않은 전자 회로의 일부는 이런 그리드 배열에 대하여 측면으로 배열된다. 도 4는 상기 실시예에서 정사각형으로 그려진 금속 영역(4)의 배열을 평면도로 개략적으로 도시한다. 전자부품은 상기 금속 영역의 측면에 인접한 영역(5)에 배열된다. 그러므로 측정 결과의 평가 또는 추가의 조건 설정을 위하여 사용된 전자 회로는 지문 센서를 가지는 한 칩상에 집적된다. 이것은 짧은 측정 시간 및 작은 간섭 영향을 유발한다. 금속 영역(5)에 대한 통상적인 크기는 대략 50 ㎛ × 50 ㎛ 내지 100 ㎛ × 100 ㎛이다. 손가락끝이 대략적으로 놓이는 전체 장치는 13 mm × 13 mm 내지 15 mm × 15 mm를 가진다.

도 6은 지문 센서를 통하여 단면의 다이어그램을 도시한다. 금속 영역(4)은 패시베이션 층 아래에 자리하고, 상기 패시베이션 층의 상부측(6)은 손가락끝에 대한 지지 표면으로서 사용한다. 금속 영역(4)은 적당한 스위치(간략화를 위하여 생략됨)를 통하여 특정 전기적 전위로 함께 충전된다. 금속 영역을 방전시키고 상기 목적을 위하여 제공된 측정 캐패시터(1)상에 전하를 축적하기 위하여 제공된 스위치(S)(도 5의 스위치 S₂에 대응)는 회로 다이어그램 도 6의 하부에 개략적으로 도시된다. 측정 캐패시터(1)상에 축적된 전하는 비교기(2)에서 평가되고, 상기 비교기의 수는 상기 배열에서 예시적으로 도시하였다. 비교기의 출력은 회로 구성요소의 나머지 구성요소를 통과한다.

본 발명에 따른 지문 센서에 필수적인 것은 특정한 측정 방법에 따라, 작은 전하가 직접적으로 증폭되는 것이 아니라, 비교적 간단한 통상적인 측정 방법에 의해 검출될수있는 방식으로 큰 캐패시턴스를 가지는 캐패시터상에 축적에 의해 확대된다. 이 개념의 장점은 측정 동작이 편리한 방식으로 추가로 처리될수있는 디지탈 출력 신호를 직접적으로 전달한다는 것이다.

Claims (10)

1. 캐패시턴스를 측정하기 위한 방법에 있어서,

   a) 캐패시턴스가 결정될 캐패시터에 소정 전압이 인가되어, 상기 캐패시터가 충전되는 단계,

   b) 상기 캐패시터는 상기 충전 전압으로부터 절연되는 단계,

   c) 상기 캐패시터는 캐패시터상에 존재하는 전하가 측정 캐패시터로 흐르는 방식으로 측정 캐패시터에 접속되는 단계,

   d) 상기 단계 a) 내지 c)는 측정 캐패시터의 소정 충전 동작 수가 이루어지거나 목표된 전압이 측정 캐패시터 양단에 걸릴때까지 반복되는 단계, 및

   e) 측정 캐패시터 양단 전압 또는 충전 동작 수가 결정되고 측정될 캐패시턴스가 확인되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 다수의 캐패시터의 캐패시턴스는 단계 a 및 b가 다수의 캐패시터에 대하여 함께 실행되고 단계 c가 개별 측정 캐패시터를 사용하여 이들 캐패시터에 대하여 동시에 실행되어 결정되는 것을 특징으로 하는 방법.
3. 용량성 측정 장치를 가지는 센서에 있어서,

   상기 측정 장치는 가변 캐패시턴스를 가지는 적어도 하나의 캐패시터를 포함하고,

   상기 캐패시터를 위하여 측정 캐패시터가 제공되고,

   전압이 상기 캐패시터에 인가되고 상기 전압이 캐패시터로부터 절연되는 수단이 제공되고,

   캐패시터상에 존재하는 전기 전하가 측정 캐패시터에 전달될수있는 수단이 제공되고,

   측정 캐패시터의 전압 또는 충전 상태를 검출하거나 측정 캐패시터의 달성된 다수의 충전 동작을 검출하는 것이 가능한 수단이 제공되고,

   평가 장치가 제공되어,

   캐패시터가 반복적으로 충전되게 하고,

   캐패시터상에 존재하는 전하가 측정 캐패시터에 전달되게 하고,

   결정되고 의존하는 측정 장치의 캐패시터의 캐패시턴스 또는 양이 측정 캐패시터 양단의 전압 또는 충전 상태 또는 측정 캐패시터의 충전 동작 횟수로부터 결정되게 하는 것을 특징으로 하는 센서.
4. 제 3 항에 있어서, 상기 측정 캐패시터는 소스 및 드레인을 위하여 제공된 영역(10)이 서로 단락되는 필드 효과 트랜지스터에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 센서.
5. 지문 센서에 있어서,

   금속 영역(4)의 그리드를 형성하기 위하여 구성된 금속화 평면,

   다수의 측정 캐패시터(1),

   스위치(S)를 포함하는데, 상기 스위치를 통하여 목표된 전위가 소정 수의 금속 영역에 인가되고 각각의 이들 금속 영역이 측정 캐패시터에 전기 전도적으로 접속될수있고,

   상기 금속화 평면상 패시베이션 층,

   상기 패시베이션 층상 지문용 지지 표면(6), 및

   측정 캐패시터의 전압 또는 충전 상태를 결정하기 위한 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 센서.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 회로는 기준 전압과 관련 측정 캐패시터 양단 전압을 비교하기 위하여 제공된 비교기(2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 센서.
7. 제 6 항에 있어서, 상기 카운팅 장치(3)는 기준 전압에 도달되기전 이루어진 각각의 측정 캐패시터에 대하여 충전 동작 수를 결정하기 위하여 제공되는 것을 특징으로 하는 지문 센서.
8. 제 5 항에 있어서, 상기 회로는 기준 전압의 크기와 관련 측정 캐패시터 양단의 전압을 비교하기 위하여 제공된 다수의 비교기를 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 센서.
9. 제 5 항 내지 제 8 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 측정 캐패시터는 소스 및 드레인에 대하여 제공된 지역(10)이 서로 단락되는 필드 효과 트랜지스터에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 지문 센서.
10. 제 5 항 내지 제 9 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 측정 캐패시터의 캐패시턴스는 캐패시터를 형성하기 위하여 지지 표면의 평면에 배열된 전기 전도체가 하나의 금속 영역에 추가될때 발생하는 캐패시턴스보다 100 배 내지 1000 배 큰 것을 특징으로 하는 지문 센서.