KR20010017024A - Chip scale type semiconductor package - Google Patents

Chip scale type semiconductor package Download PDF

Info

Publication number
KR20010017024A
KR20010017024A KR1019990032315A KR19990032315A KR20010017024A KR 20010017024 A KR20010017024 A KR 20010017024A KR 1019990032315 A KR1019990032315 A KR 1019990032315A KR 19990032315 A KR19990032315 A KR 19990032315A KR 20010017024 A KR20010017024 A KR 20010017024A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor chip
films
bonding pads
chip
semiconductor package
Prior art date
Application number
KR1019990032315A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100570512B1 (en
Inventor
권대훈
정일규
강선원
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019990032315A priority Critical patent/KR100570512B1/en
Publication of KR20010017024A publication Critical patent/KR20010017024A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100570512B1 publication Critical patent/KR100570512B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Abstract

PURPOSE: A chip scale semiconductor package is provided to maximize supporting stability of solder balls and to minimize the semiconductor package in size, by forming a slim-type structure in a fan-out type semiconductor package. CONSTITUTION: A semiconductor chip has a plurality of bonding pads that are disposed along the center of a surface and separated by a constant interval. A pair of stress mitigating films is divided into right and left parts with reference to the bonding pads, of which one surface is settled on the semiconductor chip and the other surface is extended to the outside of the chip. A pair of adhesive tapes are settled on the surface of each stress mitigating film, and a plurality of solder ball windows are disposed in the respective surfaces. The adhesive tapes are divided into right and left parts with reference to the bonding pads, of which one surface corresponds to the surface of the chip and the other surface is extended to the outside of the chip. Beam leads are intervened between the stress mitigating films and polyimide tapes, wherein one end portion of the beam leads is exposed to the surface of the polyimide tapes through the solder ball windows and the other end portion is exposed to a side of the polyimide film to be electrically connected to the bonding pads. A plurality of solder balls is settled on the solder ball windows. A pair of supporting films is installed on both sides of the semiconductor chip.

Description

칩 스케일형 반도체 패키지{Chip scale type semiconductor package}Chip scale type semiconductor package

본 발명은 반도체 패키지, 예컨대, 칩 스케일형 반도체 패키지에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 종래의 써멀 스프레더를 대체할 수 있는 슬림형 구조물을 펜-아웃 타입 반도체 패키지의 구조에 새로이 배치하고, 이를 통해, 솔더볼들의 지지안정성을 극대화함으로써, "솔더볼들의 지지안정성 확보", "반도체 패키지의 사이즈 최소화" 등을 한꺼번에 달성시킬 수 있도록 하는 칩 스케일형 반도체 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor package, for example, a chip scale semiconductor package, and more particularly, a slim structure that can replace a conventional thermal spreader is newly placed in the structure of a pen-out type semiconductor package, and thus, solder balls The present invention relates to a chip scale semiconductor package capable of achieving "support stability of solder balls" and "minimizing the size of a semiconductor package" by maximizing their support stability.

최근, 전자·정보기기의 메모리용량이 대용량화되어 감에 따라 디램(DRAM), 에스램(SRAM)과 같은 반도체칩은 점차 고집적화되고 있으며, 이에 맞추어, 반도체칩의 사이즈 또한 점차 대형화되고 있다.In recent years, as the memory capacity of electronic and information devices has increased, semiconductor chips such as DRAM and SRAM have been increasingly integrated, and accordingly, the size of semiconductor chips has also increased.

그런데, 이러한 반도체칩의 대형화와 반대로, 반도체칩을 포장하는 패키징 기술은 전자·정보기기의 소형화, 경량화 추세에 따라, 최종 완성되는 반도체칩 패키지의 사이즈를 경박 단소화시키는 방향으로 나아가고 있다.However, in contrast to the increase in size of such semiconductor chips, packaging technologies for packaging semiconductor chips are moving toward the direction of making the size of the final semiconductor chip package light and small in accordance with the trend of miniaturization and light weight of electronic and information devices.

근래에, 반도체칩 패키징 기술이 급격한 발전을 이루면서, 좀더 대형화된 사이즈의 반도체칩을 수용할 수 있으면서도, 자신의 크기는 최소화시킬 수 있는 예컨대, BGA 타입 반도체 패키지와 같은 표면실장형 반도체 패키지가 개발되고 있으며, 기술의 발전이 거듭되면서, 반도체 패키지의 크기가 반도체칩 크기의 120%에 근접하는 예컨대, FBGA 타입 반도체 패키지, μBGA 타입 반도체 패키지와 같은 칩 스케일형 반도체 패키지가 개발되고 있다.In recent years, with the rapid development of semiconductor chip packaging technology, surface-mount semiconductor packages such as BGA type semiconductor packages have been developed that can accommodate semiconductor chips of larger sizes while minimizing their size. In addition, as the technology continues to develop, chip-scale semiconductor packages such as FBGA type semiconductor packages and μBGA type semiconductor packages are being developed in which the size of the semiconductor package approaches 120% of the semiconductor chip size.

이러한 종래의 칩 스케일형 반도체 패키지의 다양한 구조는 예컨대, 미국특허공보 제 5663593 호 "리드 프레임을 갖는 볼 그리드 어레이 패키지(Ball grid array package with lead frame)", 미국특허공보 제 5706178 호 "패키지의 패드솔더 내부에 배치된 비아를 갖는 볼 그리드 어레이 집적회로 패키지(Ball grid array integrated circuit package that has vias located within the solder pads of a package)", 미국특허공보 제 5708567 호 "링 타입 히트싱크를 갖는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지(Ball grid array semiconductor package with ring-type heat sink)", 미국특허공보 제 5729050 호 "반도체 패키지 기판 및 이를 이용한 볼 그리드 어레이 반도체 패키지(Semiconductor package substrate and ball grid array semiconductor package using same)", 미국특허공보 제 5741729 호 "집적회로용 볼 그리드 어레이 패키지(Ball grid array package for an integrated circuit)", 미국특허공보 제 5748450 호 "더미 볼을 사용한 비지에이 패키지 및 이의 리페어링 방법(BGA package using a dummy ball and a repairing method thereof)", 미국특허공보 제 5796170 호 "볼 그리드 어레이 집적회로 패키지(Ball grid array integrated circuit packages)" 등에 좀더 상세하게 제시되어 있다.Various structures of such conventional chip scale semiconductor packages are described, for example, in US Pat. No. 56,63593, "Ball grid array package with lead frame," US Pat. No. 5,706,178, "Pads of the package." Ball grid array integrated circuit package that has vias located within the solder pads of a package ", US Patent No. 5708567" Ball Grid with Ring Type Heat Sink " Ball grid array semiconductor package with ring-type heat sink ", US Patent No. 5729050" Semiconductor package substrate and ball grid array semiconductor package using same " , US Patent No. 5741729 "Ball grid array package for an integr ated circuit ", US Pat. No. 5748450," BGA package using a dummy ball and a repairing method, "US Pat. No. 5796170," Ball grid array integrated circuit. " Packages (Ball grid array integrated circuit packages) ".

이러한 여러 가지 종류의 칩 스케일형 반도체 패키지 중에서, μBGA 타입 반도체 패키지는 크게, 펜-인 타입(Fan-in type) 및 펜-아웃 타입(Fan-out type)으로 분류된다.Among these various types of chip scale semiconductor packages, the μBGA type semiconductor package is largely classified into a fan-in type and a fan-out type.

통상, 펜-인 타입 μBGA 반도체 패키지는 반도체칩의 상부에 형성된 접착테이프가 반도체칩 이하의 사이즈를 유지함과 아울러, 모든 솔더볼들이 반도체칩의 상부에 배치된 구조를 갖는다. 이에 비해, 펜-아웃 타입 μBGA 반도체 패키지는 반도체칩의 상부에 형성된 접착테이프가 반도체칩 보다 큰 사이즈를 유지함과 아울러, 솔더볼들 중의 일부가 반도체칩의 표면으로부터 이탈된 영역에 배치된 구조를 갖는다.In general, a pen-in type μBGA semiconductor package has a structure in which an adhesive tape formed on an upper portion of a semiconductor chip maintains a size smaller than that of the semiconductor chip and all solder balls are disposed on the upper portion of the semiconductor chip. In contrast, the pen-out type μBGA semiconductor package has a structure in which an adhesive tape formed on an upper portion of the semiconductor chip maintains a larger size than that of the semiconductor chip, and a portion of the solder balls is disposed in a region deviated from the surface of the semiconductor chip.

이때, 상술한 바와 같이, 펜-인 타입 μBGA 반도체 패키지에 배치된 모든 솔더볼들은 반도체칩의 상부에 배치되어 안정적으로 지지되기 때문에, 별다른 문제점을 일으키지 않지만, 펜-아웃 타입 μBGA 반도체 패키지에 배치된 솔더볼들 중의 일부는 반도체칩의 표면으로부터 이탈된 영역에 배치되어 별다른 지지기반을 보유하지 못하기 때문에, 기구적으로 매우 불안정한 구조를 갖는 문제점을 유발한다.At this time, as described above, all the solder balls disposed in the pen-in type μBGA semiconductor package are disposed on top of the semiconductor chip to be stably supported, but do not cause any problems, but solder balls disposed in the pen-out type μBGA semiconductor package Some of them are disposed in regions deviated from the surface of the semiconductor chip, and thus have no support base, thereby causing a problem of mechanically very unstable structure.

종래의 생산라인에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 예컨대, "TechSearch International, Inc/1997년 3월호/97 페이지"에 제시된 바와 같이, 캐버티(Cavity)가 형성된 써멀 스프레더(Thermal spreader)를 패키지의 구조 내부에 배치하고, 이 써멀 스프레더를 이용하여, 반도체칩의 표면으로부터 이탈 배치된 솔더볼들을 지지하는 방식을 적극적으로 채용하고 있다.In order to solve this problem in a conventional production line, for example, as described in "TechSearch International, Inc / March 1997 issue / page 97", the structure of the package with a thermal spreader (cavity) is formed It arrange | positions inside and uses the thermal spreader, and actively adopts the method of supporting the solder balls arrange | positioned away from the surface of a semiconductor chip.

그러나, 이러한 종래의 칩 스케일형 반도체 패키지, 예컨대, μBGA 반도체 패키지를 운용하는데에는 몇 가지 중대한 문제점이 있다. 이를 설명하면 다음과 같다.However, there are some significant problems in operating such conventional chip scale semiconductor packages, such as μBGA semiconductor packages. This is described as follows.

상술한 바와 같이, 종래의 펜-아웃 타입 μBGA 반도체 패키지는 솔더볼들 중의 일부가 반도체칩의 표면으로부터 이탈 배치되어 별다른 지지기반을 보유하지 못하는 문제점을 갖게 되는데, 종래의 생산라인에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 캐버티가 형성된 써멀 스프레더를 구비하고, 이 써멀 스프레더를 이용하여, 반도체칩의 표면으로부터 이탈된 영역에 위치한 솔더볼들을 지지함으로써, 이 솔더볼들이 마치 반도체칩에 의해 지지된 것과 같은 안정성을 유지할 수 있도록 유도하고 있다.As described above, the conventional pen-out type μBGA semiconductor package has a problem in that some of the solder balls are disposed away from the surface of the semiconductor chip and thus do not have a special support base. In order to provide a thermal spreader having a cavity, the thermal spreader is used to support solder balls located in an area deviated from the surface of the semiconductor chip, thereby maintaining stability as if the solder balls were supported by the semiconductor chip. To induce.

그러나, 이와 같이, 펜-아웃 타입 μBGA 반도체 패키지의 구성에 써멀 스프레더를 이용하는 경우, 생산라인에서는 전체 반도체 패키지의 사이즈가 써멀 스프레더의 점유영역 만큼 대폭 증가되는 문제점을 어쩔 수 없이 감수하여야만 한다.However, in the case of using the thermal spreader in the construction of the pen-out type μBGA semiconductor package, the production line must bear the problem that the size of the entire semiconductor package is greatly increased by the area occupied by the thermal spreader.

이 경우, 전체 반도체 패키지의 사이즈가 대폭 증가하기 때문에, 생산라인에서는 최종 완성되는 반도체 패키지를 최근 요구되는 반도체 패키지의 경박 단소화에 탄력적으로 대응시킬 수 없는 또 다른 문제점 또한 감수하여야만 한다.In this case, since the size of the entire semiconductor package is greatly increased, there is another problem in the production line, in which the finished semiconductor package cannot be flexibly responded to the thin and light reduction of the recently required semiconductor package.

더욱이, 상술한 써멀 스프레더는 그 단가가 매우 고가이기 때문에, 최종 완성되는 반도체 패키지의 구조에 써멀 스프레더를 추가하는 경우, 반도체 패키지의 조립비용이 대폭 증가함으로써, 전체적인 제품 생산효율이 현저히 저하되는 문제점이 야기된다.In addition, since the thermal spreader described above is very expensive, when the thermal spreader is added to the structure of the final semiconductor package, the assembly cost of the semiconductor package is greatly increased, resulting in a significant decrease in overall product production efficiency. Is caused.

따라서, 본 발명의 목적은 종래의 써멀 스프레더를 대체할 수 있는 슬림형(Slim type) 구조물을 펜-아웃 타입 반도체 패키지의 구조에 새로이 배치함으로써, 솔더볼들의 지지안정성을 극대화하면서도, 반도체 패키지의 사이즈 증가를 최소화하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to newly place a slim type structure that can replace a conventional thermal spreader in the structure of a pen-out type semiconductor package, thereby increasing the size of the semiconductor package while maximizing the support stability of the solder balls. To minimize.

본 발명의 다른 목적은 써멀 스프레더의 추가에 의한 반도체 패키지 조립비용의 증가를 억제시킴으로써, 전체적인 제품 생산효율을 향상시키는데 있다.Another object of the present invention is to improve the overall product production efficiency by suppressing an increase in the cost of assembling a semiconductor package by the addition of a thermal spreader.

본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부된 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.Still other objects of the present invention will become more apparent from the following detailed description and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 칩 스케일형 반도체 패키지를 도시한 예시도.1 is an exemplary view showing a chip scale semiconductor package according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 단면도.2 is a cross-sectional view of FIG.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 칩 스케일형 반도체 패키지를 도시한 예시도.3 is an exemplary view showing a chip scale semiconductor package according to another embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 단면도.4 is a cross-sectional view of FIG.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 일정간격 이격된 상태로 표면의 중앙을 따라 배열된 다수개의 본딩패드들이 구비된 반도체칩과, 본딩패드들을 기준으로 좌우로 분리되며, 반도체칩의 표면에 일부면이 안착된 상태로 다른 일부면이 반도체칩의 외곽으로 연장된 한쌍의 응력완화필름들과, 각 응력완화필름들의 표면에 안착되며, 각각의 표면에 다수개의 솔더볼 윈도우들이 배열되고, 상술한 본딩패드들을 기준으로 좌우로 분리되며, 일부면이 반도체칩의 표면에 대응되도록 위치되고, 다른 일부면이 반도체칩의 외곽으로 연장된 한쌍의 접착테이프들과, 응력완화필름들 및 폴리이미드 테이프들의 사이에 개재되며, 일측 단부가 솔더볼 윈도우들을 통해 각 폴리이미드 테이프들의 표면으로 노출되고, 다른 일측 단부가 폴리이미드 필름들의 측부로 노출되어 본딩패드들과 전기적으로 연결되는 빔리드들과, 이 빔리드들과 전기적으로 접촉된 상태로 솔더볼 윈도우들상에 안착되는 다수개의 솔더볼들을 포함한다.The present invention for achieving the above object is a semiconductor chip having a plurality of bonding pads arranged along the center of the surface at a predetermined interval spaced apart from the left and right relative to the bonding pads, the surface of the semiconductor chip A pair of stress-relaxing films having some surfaces seated on the surface of the semiconductor chip, and a portion of the surface of each of the stress-releasing films, and a plurality of solder ball windows are arranged on each surface. A pair of adhesive tapes, stress relief films, and polyimide tapes, which are separated from side to side with respect to the bonding pads, and whose surface is positioned to correspond to the surface of the semiconductor chip, and the other surface extends to the outside of the semiconductor chip. Interposed between, one end exposed through the solder ball windows to the surface of each polyimide tape, the other end being polyimide films Is exposed to the side portion includes a plurality of solder balls are mounted on the bonding pads and beam leads and electrically, the beam lead and the solder balls electrically coupled to the window in contact with.

이때, 반도체칩의 양 측부에는 반도체칩의 외곽으로 연장된 응력완화필름들의 다른 일부면을 지지하는 한쌍의 지지필름들이 형성된다.In this case, a pair of support films are formed at both sides of the semiconductor chip to support other surface of the stress relaxation films extending to the outside of the semiconductor chip.

이러한 지지필름들은 상술한 종래의 써멀 스프레더에 비해 매우 적은 사이즈를 갖기 때문에, 본 발명이 실시되는 경우, 생산라인에서는 반도체칩의 표면으로부터 이탈된 영역에 위치한 솔더볼들을 마치 반도체칩에 의해 지지된 것과 같이 안정적으로 지지할 수 있으면서도, 전체적인 반도체 패키지의 크기를 대폭 줄일 수 있는 이점을 획득할 수 있다.Since these supporting films have a much smaller size than the conventional thermal spreader described above, in the production line of the present invention, the solder balls positioned in the area deviated from the surface of the semiconductor chip are as if they were supported by the semiconductor chip. While being able to stably support, it is possible to obtain an advantage of greatly reducing the size of the overall semiconductor package.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 칩 스케일형 반도체 패키지를 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a chip scale semiconductor package according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 칩 스케일형 반도체 패키지는 전체적으로 보아, 반도체칩(1), 이 반도체칩(1)의 상부에 분리되어 배치된 한쌍의 접착테이프들(13), 이 접착테이프들(13)의 상부에 배치된 다수개의 솔더볼들(15)의 조합으로 이루어진다. 이 경우, 접착테이프들(13)은 예컨대, 폴리이미드 재질을 갖는다.As shown in FIG. 1, a chip scale semiconductor package according to an embodiment of the present invention, as a whole, includes a semiconductor chip 1 and a pair of adhesive tapes disposed separately on the semiconductor chip 1. 13), a combination of a plurality of solder balls 15 arranged on the adhesive tapes 13. In this case, the adhesive tapes 13 have a polyimide material, for example.

이때, 반도체칩(1)의 표면에는 일정간격 이격된 상태로 중앙을 따라 배열된 다수개의 본딩패드들(2)이 배치되는데, 이러한 본딩패드들(2)은 후술하는 빔리드들(12)과 전기적으로 연결되어, 외부의 회로블록, 예컨대, 인쇄회로기판(도시안됨)과 일련의 통전로를 형성함으로써, 인쇄회로기판으로부터 출력된 전기적인 신호가 반도체칩(1)으로 신속히 입력될 수 있도록 하거나, 그 반대로, 반도체칩(1)으로부터 출력된 전기적인 신호가 인쇄회로기판으로 신속히 입력될 수 있도록 하는 역할을 수행한다.In this case, a plurality of bonding pads 2 are arranged on the surface of the semiconductor chip 1 along a center at a predetermined interval, and the bonding pads 2 may be formed by beam leads 12 and will be described later. Electrically connected to form a series of conductive paths with an external circuit block, such as a printed circuit board (not shown), so that an electrical signal output from the printed circuit board can be quickly input to the semiconductor chip 1, or On the contrary, the electric signal output from the semiconductor chip 1 can be quickly input to the printed circuit board.

여기서, 도면에 도시된 바와 같이, 접착테이프들(13) 및 반도체칩(1)사이에는 이른바, "엘라스토머"라 명명되는 한쌍의 응력완화필름들(11)이 개재되는데, 이러한 응력완화필름들(11)은 외부의 충격이 반도체칩(1)으로 전달되는 것을 완충시킴으로써, 반도체칩(1)이 외력에 의해 손상되는 것을 미리 방지하는 역할을 수행한다.Here, as shown in the figure, between the adhesive tapes 13 and the semiconductor chip 1 is a pair of so-called stress relief films 11, called "elastomer" is interposed, such stress relief films ( 11) buffers the external shock transmitted to the semiconductor chip 1, thereby preventing the semiconductor chip 1 from being damaged by external force.

이때, 솔더볼들(15)이 어태치된 지점에 해당하는 접착테이프(13)의 표면에는 접착테이프(13)의 외부로 연장되는 빔리드들(12)이 배치된다. 이러한 빔리드들(12)은 반도체칩(1)의 중앙을 따라 연속 배열된 본딩패드들(2)과 전기적으로 연결되는 구조를 이룬다. 이 상태에서, 외부의 인쇄회로기판이 반도체칩(1)의 상부에 실장되는 경우, 반도체칩(1)과 인쇄회로기판은 빔리드들(12)을 매개로하여, 일련의 전기적인 통전로를 형성한다.In this case, beam leads 12 extending to the outside of the adhesive tape 13 are disposed on the surface of the adhesive tape 13 corresponding to the point where the solder balls 15 are attached. The beam leads 12 form a structure in which the beam leads 12 are electrically connected to the bonding pads 2 continuously arranged along the center of the semiconductor chip 1. In this state, when an external printed circuit board is mounted on top of the semiconductor chip 1, the semiconductor chip 1 and the printed circuit board connect the series of electric conduction paths through the beam leads 12. Form.

여기서, 접착테이프(13)의 표면에는 예컨대, 원형상을 갖는 다수개의 솔더볼 윈도우들(14)이 형성되는데, 이러한 솔더볼 윈도우들(14)은 솔더볼들(15)이 안착될 수 있는 영역을 미리 정의하는 역할을 수행함과 아울러, 접착테이프(13)의 표면을 일정 크기로 오픈시킴으로써, 접착테이프(13)의 저부에 매설된 빔리드들(12)이 솔더볼들(15)과 좀더 안정적으로 접촉될 수 있도록 유도하는 역할을 수행한다.Here, for example, a plurality of solder ball windows 14 having a circular shape is formed on the surface of the adhesive tape 13, and the solder ball windows 14 may define a region in which the solder balls 15 may be seated in advance. In addition, by opening the surface of the adhesive tape 13 to a predetermined size, the beam leads 12 embedded in the bottom of the adhesive tape 13 can be more stably contacted with the solder balls 15. Act as a guide.

이때, 도 2에 도시된 바와 같이, 상술한 응력완화필름들(11)은 반도체칩(1)의 중앙을 따라 배열된 본딩패드들(2)을 기준으로 좌우로 분리됨과 아울러, 일부면은 반도체칩(1)의 표면에 안착되고, 다른 일부면은 반도체칩(1)의 외곽으로 연장된 구조를 이룬다.In this case, as shown in FIG. 2, the above-described stress relaxation films 11 are separated from side to side based on the bonding pads 2 arranged along the center of the semiconductor chip 1, and a part of the surface is semiconductor. It is seated on the surface of the chip 1, and the other side surface has a structure extending to the outside of the semiconductor chip (1).

응력완화필름들(11)의 상부에 배치된 접착테이프들(13) 또한, 상술한 본딩패드들(2)을 기준으로 좌우로 분리됨과 아울러, 일부면은 반도체칩(1)의 표면에 안착되고, 다른 일부면은 반도체칩(1)의 외곽으로 연장된 구조를 이룬다.The adhesive tapes 13 disposed on the stress relief films 11 are also separated from side to side based on the above-described bonding pads 2, and some surfaces thereof are seated on the surface of the semiconductor chip 1. Some other surfaces form a structure extending outwardly of the semiconductor chip 1.

이 경우, 접착테이프들(13)은 전체적으로 보아, 자신의 저부에 배치된 반도체칩(1) 보다 큰 사이즈를 유지하여, 펜-아웃 타입 반도체 패키지를 이루게 되며, 이 접착테이프들(13)의 상부에 배치된 솔더볼들(15) 중의 일부는 반도체칩(1)의 표면으로부터 이탈된 영역에 배치된 구조를 이루게 된다.In this case, the adhesive tapes 13 generally have a size larger than that of the semiconductor chip 1 disposed at the bottom thereof, thereby forming a pen-out type semiconductor package, and the upper portion of the adhesive tapes 13. Some of the solder balls 15 arranged at the upper portion of the solder balls 15 form a structure disposed in a region separated from the surface of the semiconductor chip 1.

이때, 도면에 도시된 바와 같이, 상술한 빔리드들(12)이 본딩패드들(2)과 접촉되는 부위에는 본딩패드영역을 외부의 충격으로부터 보호하는 봉지체(3)가 배치된다.At this time, as shown in the figure, an encapsulant 3 for protecting the bonding pad region from external impact is disposed at a portion where the beam leads 12 are in contact with the bonding pads 2.

본 발명의 접착테이프들(13)이 상술한 구조를 이룰 때, 생산라인에서, 반도체 패키지의 구조에 별다른 조치를 취하지 않는다면, 접착테이프들(13)의 상부에 배치된 솔더볼들(15) 중의 일부는 반도체칩(1)의 표면으로부터 이탈된 영역에 배치되어, 별다른 지지기반을 보유하지 못함으로써, 기구적으로 매우 불안정한 구조를 이루게 된다.When the adhesive tapes 13 of the present invention have the above-described structure, in the production line, some of the solder balls 15 disposed on the adhesive tapes 13 are not taken, unless special measures are taken on the structure of the semiconductor package. Is disposed in a region deviated from the surface of the semiconductor chip 1, and thus does not have a support base, resulting in a very unstable structure mechanically.

종래의 경우, 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 예컨대, 일정 사이즈의 캐버티가 형성된 써멀 스프레더를 구비하고, 이 써멀 스프레더를 이용하여, 반도체칩의 표면으로부터 이탈 배치된 솔더볼들을 지지하는 방식을 채용하였었다.In the related art, in order to solve this problem, for example, a method is provided in which a thermal spreader having a cavity of a predetermined size is formed, and using the thermal spreader to support solder balls arranged away from the surface of the semiconductor chip.

그러나, 이러한 종래의 방식을 솔더볼들의 지지용도에 응용하는 경우, 생산라인에서는 전체 반도체 패키지의 사이즈가 써멀 스프레더의 점유영역만큼 대폭 증가되는 문제점을 어쩔 수 없이 감수하여야만 하였으며, 이 경우, 전체 반도체 패키지의 사이즈가 대폭 증가하여, 생산라인에서는 최종 완성되는 반도체 패키지가 최근 요구되는 경박 단소화에 탄력적으로 대응하지 못하는 문제점 또한 감수하여야만 하였다.However, when applying the conventional method to the support of the solder balls, the production line had to bear the problem that the size of the entire semiconductor package is greatly increased by the occupied area of the thermal spreader. Due to the significant increase in size, the production line also had to suffer from the problem that the finished semiconductor package could not flexibly cope with the recently required thin and short reduction.

그러나, 본 발명의 경우, 이러한 종래의 경우와 달리, 단지, 반도체칩(1)의 양 측부에 반도체칩(1)의 외곽으로 연장된 응력완화필름들(11)의 일부면을 지지하는 한쌍의 지지필름들(20)을 배치하는 것으로 솔더볼들(15)의 지지안정성을 확보한다. 이 경우, 도면에 도시된 바와 같이, 응력완화필름들(11) 및 지지필름들(20) 사이에는 지지필름들(20)을 응력완화필름들(11)의 저부에 안정적으로 접착시키기 위한 어테치필름들(21)이 개재된다.However, in the case of the present invention, unlike this conventional case, only a pair of supporting the partial surface of the stress relaxation films 11 extending to the outside of the semiconductor chip 1 on both sides of the semiconductor chip 1 By arranging the support films 20, the support stability of the solder balls 15 may be secured. In this case, as shown in the drawing, between the stress relief films 11 and the support films 20, the attach for stably adhering the support films 20 to the bottom of the stress relief films 11 The films 21 are interposed.

이러한 지지필름들(20)은 종래의 써멀 스프레더에 비해 그 구성이 매우 단순하여, 전체적으로 슬림형 구조를 갖는다.The support films 20 have a very simple configuration compared to the conventional thermal spreader, and have a slim structure as a whole.

이 경우, 반도체칩(1)의 표면으로부터 이탈된 영역에 위치한 솔더볼들(15)의 지지기반을 이루는 응력완화필름들(11), 접착제필름들(13)은 지지필름들(20)에 의해 안정적인 지지를 받기 때문에, 이 응력완화필름들(11), 접착제필름들(13)을 지지기반으로 하는 솔더볼들(13) 역시, 마치 반도체칩에 의해 지지된 것과 같은 안정적인 지지상태를 유지할 수 있다.In this case, the stress relaxation films 11 and the adhesive films 13 forming the support base of the solder balls 15 located in the region deviated from the surface of the semiconductor chip 1 are stable by the support films 20. Since it is supported, the solder balls 13 based on the stress relaxation films 11 and the adhesive films 13 can also maintain a stable support state as if supported by a semiconductor chip.

물론, 상술한 바와 같이, 본 발명의 지지필름들(20)은 종래의 써멀 스프레더에 비해 매우 단순한 구조를 이루어 슬림형 사이즈를 갖기 때문에, 본 발명이 달성되는 경우, 생산라인에서는 전체적인 반도체 패키지의 크기를 대폭 줄일 수 있는 이점을 획득할 수 있다.Of course, as described above, since the support films 20 of the present invention have a very simple structure compared to a conventional thermal spreader and have a slim size, in the production line, the size of the overall semiconductor package is determined in the production line. The advantage that can greatly reduce can be obtained.

이 경우, 생산라인에서는 전체 반도체 패키지의 사이즈를 종래에 비해 대폭 저감시킬 수 있음으로써, 최종 완성되는 반도체 패키지를 최근 요구되는 경박 단소화에 탄력적으로 대응시킬 수 있다.In this case, the size of the entire semiconductor package can be significantly reduced in the production line as compared with the conventional one, so that the finally completed semiconductor package can be flexibly responded to the recently required light and thin reduction.

상술한 바와 같이, 본 발명의 지지필름들(20)은 상술한 써멀 스프레더에 비해 매우 간단한 구조를 유지하기 때문에, 생산라인에서는 저렴한 비용으로 본 발명의 반도체 패키지 구조를 구현할 수 있으며, 결국, 반도체 패키지의 조립비용을 종래의 경우 보다 크게 줄일 수 있음으로써, 전체적인 제품 생산효율을 현저히 향상시킬 수 있다.As described above, since the support films 20 of the present invention maintain a very simple structure compared to the above-described thermal spreader, the semiconductor package structure of the present invention can be implemented at a low cost in a production line. By assembling cost can be significantly reduced than in the conventional case, the overall product production efficiency can be significantly improved.

이때, 본 발명의 지지필름들(20)은 예컨대, 세라믹, 실리콘, 메탈 등의 재질을 갖는다.At this time, the support films 20 of the present invention, for example, has a material such as ceramic, silicon, metal.

한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 칩 스케일형 반도체 패키지는 전체적으로 보아, 반도체칩(1), 이 반도체칩(1)의 상부에 분리되어 배치된 다수의 접착테이프들(13), 이 접착테이프들(13)의 상부에 배치된 다수의 솔더볼들(15)의 조합으로 이루어진다.On the other hand, as shown in Figure 3, the chip-scale semiconductor package according to another embodiment of the present invention as a whole, the semiconductor chip 1, a plurality of adhesive tapes disposed separately on the upper portion of the semiconductor chip 1 Field 13, a combination of a plurality of solder balls 15 arranged on the adhesive tapes 13.

이때, 반도체칩(1)의 표면에는 상술한 실시예와 달리, 일정간격 이격된 상태로 반도체칩(1)의 가장자리를 따라 배열된 다수개의 본딩패드들(2)이 구비된다.At this time, unlike the above-described embodiment, the surface of the semiconductor chip 1 is provided with a plurality of bonding pads 2 arranged along the edge of the semiconductor chip 1 at a predetermined interval.

이러한 본딩패드들(2)의 구조변경에 맞추어, 본 발명의 다른 실시예에서는 응력완화필름들(11), 접착테이프들(13)의 구조를 변경한다.In accordance with the structure change of the bonding pads 2, in another embodiment of the present invention, the structures of the stress relaxation films 11 and the adhesive tapes 13 are changed.

이 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 응력완화필름들(11)은 상술한 본딩패드들(2)을 기준으로 다수로 분리됨과 아울러, 일부면은 반도체칩(1)의 표면에 안착되고, 다른 일부면은 반도체칩(1)의 표면으로부터 분리된 구조를 이룬다.In this case, as shown in Figure 4, the stress relaxation films 11 according to another embodiment of the present invention is separated into a plurality of based on the above-described bonding pads (2), and some surfaces of the semiconductor chip ( It is seated on the surface of 1) and the other part forms a structure separated from the surface of the semiconductor chip 1.

본 발명의 다른 실시예에 따른 접착테이프들(13) 또한 상술한 응력완화필름들(11)과 유사한 구조를 이루어, 각 응력완화필름들(11)의 표면에 안착된 상태에서, 상술한 본딩패드들(2)을 기준으로 다수로 분리됨과 아울러, 일부면은 반도체칩(1)의 표면에 대응되도록 위치되고, 다른 일부면은 반도체칩(1)의 표면으로부터 분리되는 구조를 이룬다.The adhesive tapes 13 according to another embodiment of the present invention also have a structure similar to that of the above-described stress relaxation films 11, and the bonding pads described above are mounted on the surfaces of the stress relaxation films 11. In addition to being separated into a plurality of reference to the field (2), some surfaces are positioned to correspond to the surface of the semiconductor chip 1, and the other some surface is separated from the surface of the semiconductor chip (1).

이러한 본 발명의 다른 실시예의 경우에도, 접착테이프들(13)은 전체적으로 보아, 자신의 저부에 배치된 반도체칩(1) 보다 큰 사이즈를 유지하여, 펜-아웃 타입 반도체 패키지를 이루게 되며, 이 접착테이프들(13)의 상부에 배치된 솔더볼들 (15)중의 일부는 반도체칩(1)의 표면으로부터 이탈된 영역에 배치된 구조를 이루게 된다.Even in the case of another embodiment of the present invention, the adhesive tapes 13 are generally larger than the semiconductor chips 1 disposed on their bottoms to form a pen-out type semiconductor package. Some of the solder balls 15 disposed on the tapes 13 form a structure disposed in a region separated from the surface of the semiconductor chip 1.

물론, 이 경우에도, 생산라인에서, 반도체 패키지의 구조에 별다른 조치를 취하지 않는다면, 접착테이프들(13)의 상부에 배치된 솔더볼들(15) 중의 일부는 반도체칩(1)의 표면으로부터 이탈된 영역에 배치되어, 별다른 지지기반을 보유하지 못함으로써, 기구적으로 매우 불안정한 구조를 이루게 된다.Of course, even in this case, in the production line, if no action is taken on the structure of the semiconductor package, some of the solder balls 15 arranged on the adhesive tapes 13 are separated from the surface of the semiconductor chip 1. Placed in the area, they do not have a special support base, resulting in a very unstable structure mechanically.

본 발명의 다른 실시예에서는 이러한 문제점을 미리 감안하여, 상술한 실시예의 경우와 같이, 반도체칩(1)의 양 측부에, 반도체칩(1)의 표면으로부터 분리된 응력완화필름들(11)의 다른 일부면을 지지하는 다수개의 지지필름들(30)을 형성시킨다. 이러한 본 발명의 다른 실시예의 경우에도, 응력완화필름들(11) 및 지지필름들(20) 사이에는 지지필름들(20)을 응력완화필름들(11)의 저부에 안정적으로 접착시키기 위한 어태치필름들(31)이 개재된다.In another embodiment of the present invention, in consideration of such a problem in advance, as in the case of the above-described embodiment, the stress relief films 11 separated from the surface of the semiconductor chip 1, on both sides of the semiconductor chip 1 A plurality of support films 30 are formed to support the other part surface. Even in this embodiment of the present invention, the attachment between the stress relief films 11 and the support films 20 for attaching the support films 20 to the bottom of the stress relief films 11 stably The films 31 are interposed.

물론, 이러한 지지필름들(30)은 종래의 써멀 스프레더에 비해 그 구성이 매우 단순하며, 전체적으로 슬림형 구조를 갖는다.Of course, these support films 30 have a very simple configuration compared to the conventional thermal spreader, and has a slim structure as a whole.

이러한 본 발명의 다른 실시예가 실시되는 경우, 반도체칩(1)의 표면으로부터 이탈된 영역에 위치한 솔더볼들(15)의 지지기반을 이루는 응력완화필름들(11), 접착제필름들(13)은 지지필름들(30)에 의해 안정적인 지지를 받기 때문에, 이 응력완화필름들(11), 접착제필름들(13)을 지지기반으로 하는 솔더볼들(15) 역시, 마치 반도체칩(1)에 의해 지지된 것과 같은 안정적인 지지상태를 유지할 수 있다.When this embodiment of the present invention is carried out, the stress relief films 11 and the adhesive films 13 forming the support base of the solder balls 15 located in a region deviated from the surface of the semiconductor chip 1 are supported. Since the film 30 is stably supported, the solder balls 15 on which the stress relaxation films 11 and the adhesive films 13 are supported are also supported by the semiconductor chip 1. It can maintain a stable support state such as.

이러한 본 발명의 다른 실시예가 적용되는 경우, 솔더볼들(15)을 지지하는 지지필름들(30)은 종래의 써멀 스프레더에 비해 매우 단순한 구조를 이룰 수 있기 때문에, 생산라인에서는 전체적인 반도체 패키지의 크기를 대폭 줄일 수 있는 이점을 획득할 수 있다. 이 경우, 생산라인에서는 최종 완성되는 반도체 패키지를 최근 요구되는 경박 단소화에 탄력적으로 대응시킬 수 있음은 물론, 반도체 패키지의 조립비용을 종래의 경우 보다 크게 줄일 수 있음으로써, 전체적인 제품 생산효율을 현저히 향상시킬 수 있다.When this embodiment of the present invention is applied, since the support films 30 for supporting the solder balls 15 may have a very simple structure compared to the conventional thermal spreader, the production line may reduce the overall size of the semiconductor package. The advantage that can greatly reduce can be obtained. In this case, in the production line, the finished semiconductor package can be flexibly responded to the recently required light and thin reduction, and the assembly cost of the semiconductor package can be greatly reduced than in the conventional case, thereby significantly reducing the overall product production efficiency. Can be improved.

이후, 본 발명의 칩 스케일형 반도체 패키지는 추후 공정, 예컨대, "전기적인 테스트 공정", "인쇄회로기판 실장공정" 등을 거침으로써, 전자기기의 핵심소자로 제조 완료된다.Subsequently, the chip scale semiconductor package of the present invention is manufactured through core processes of an electronic device by going through a later process, for example, an “electric test process”, a “printed circuit board mounting process”, and the like.

이상의 설명에서와 같이, 본 발명에서는 종래의 써멀 스프레더를 대체할 수 있는 슬림형 구조물을 펜-아웃 타입 반도체 패키지의 구조에 새로이 배치하고, 이를 통해, 솔더볼들의 지지안정성을 극대화함으로써, "솔더볼들의 지지안정성 확보", "반도체 패키지의 사이즈 최소화" 등을 한꺼번에 달성시킬 수 있다.As described above, in the present invention, by placing a slim structure that can replace the conventional thermal spreader in the structure of the pen-out type semiconductor package, thereby maximizing the support stability of the solder balls, "support stability of solder balls" Securing, "" minimizing the size of the semiconductor package "and the like can be achieved at once.

이러한 본 발명은 볼 어레이 타입을 이루는 다양한 품종의 반도체 패키지에서 전반적으로 유용한 효과를 나타낸다.The present invention has an overall useful effect in the semiconductor package of various varieties constituting the ball array type.

그리고, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.And while certain embodiments of the invention have been described and illustrated, it will be apparent that the invention may be embodied in various modifications by those skilled in the art.

이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 기술적사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 첨부된 특허청구의 범위안에 속한다 해야 할 것이다.Such modified embodiments should not be understood individually from the technical spirit or point of view of the present invention and such modified embodiments should fall within the scope of the appended claims of the present invention.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 칩 스케일형 반도체 패키지에서는 반도체칩의 양 측부에, 반도체칩의 표면으로부터 이탈된 응력완화필름들의 다른 일부면을 지지하는 한쌍의 지지필름들을 형성시킨다. 이 경우, 솔더볼들의 지지기반을 이루는 응력완화필름들, 접착제필름들은 지지필름들에 의해 안정적인 지지를 받기 때문에, 이 응력완화필름들, 접착제필름들을 지지기반으로 하는 솔더볼들 역시, 마치 반도체칩에 의해 지지된 것과 같은 안정적인 지지상태를 유지할 수 있다.As described in detail above, in the chip scale semiconductor package according to the present invention, a pair of support films are formed on both sides of the semiconductor chip to support other partial surfaces of the stress relaxation films separated from the surface of the semiconductor chip. In this case, since the stress relaxation films and the adhesive films forming the support base of the solder balls are stably supported by the supporting films, the stress relaxation films and the solder balls based on the adhesive films are also supported by the semiconductor chip. It can maintain a stable support state such as supported.

이러한 지지필름들은 종래의 써멀 스프레더에 비해 단층형의 심플한 구조를 이룰 수 있기 때문에, 본 발명이 달성되는 경우, 생산라인에서는 솔더볼들의 지지안정성을 극대화하면서도, 최종 완성되는 제품을 최근에 요구되는 경박 단소화에 탄력적으로 대응시킬 수 있고, 또한, 제품의 조립비용을 종래의 경우 보다 크게 삭감시킬 수 있음으로써, 결국, 전체적인 제품 생산효율을 현저히 향상시킬 수 있다.Since these supporting films can achieve a simple structure of a single layer type compared to a conventional thermal spreader, when the present invention is achieved, the production line is required to achieve the final finished product while maximizing the support stability of the solder balls in the production line. It is possible to flexibly cope with fire extinguishment, and to reduce the assembly cost of the product more than in the conventional case, which in turn can significantly improve the overall product production efficiency.

Claims (3)

일정간격 이격된 상태로 표면의 중앙을 따라 배열된 다수개의 본딩패드들이 구비된 반도체칩과;A semiconductor chip having a plurality of bonding pads arranged along a center of the surface at a predetermined interval; 상기 본딩패드들을 기준으로 좌우로 분리되며, 상기 반도체칩의 표면에 일부면이 안착된 상태로 다른 일부면이 상기 반도체칩의 외곽으로 연장된 한쌍의 응력완화필름들과;A pair of stress relaxation films separated left and right on the basis of the bonding pads, the other part of which extends to the outside of the semiconductor chip with a part of which is seated on a surface of the semiconductor chip; 상기 각 응력완화필름들의 표면에 안착되며, 각각의 표면에 다수개의 솔더볼 윈도우들이 배열되고, 상기 본딩패드들을 기준으로 좌우로 분리되며, 일부면이 상기 반도체칩의 표면에 대응되도록 위치되고, 다른 일부면이 상기 반도체칩의 외곽으로 연장된 한쌍의 접착테이프들과;Seated on the surface of each of the stress relaxation films, a plurality of solder ball windows are arranged on each surface, and separated from side to side based on the bonding pads, some surface is positioned to correspond to the surface of the semiconductor chip, the other part A pair of adhesive tapes whose surfaces extend outwardly of the semiconductor chip; 상기 응력완화필름들 및 폴리이미드 테이프들의 사이에 개재되며, 일측 단부가 상기 솔더볼 윈도우들을 통해 각 폴리이미드 테이프들의 표면으로 노출되고, 다른 일측 단부가 상기 폴리이미드 필름들의 측부로 노출되어 상기 본딩패드들과 전기적으로 연결되는 빔리드들과;The bonding pads are interposed between the stress relaxation films and the polyimide tapes, and one end is exposed to the surface of each polyimide tape through the solder ball windows, and the other end is exposed to the sides of the polyimide films. Beam leads electrically connected to the beam leads; 상기 빔리드들과 전기적으로 접촉된 상태로 상기 솔더볼 윈도우들상에 안착되는 다수개의 솔더볼들을 포함하며,A plurality of solder balls seated on the solder ball windows in electrical contact with the beam leads, 상기 반도체칩의 양 측부에는 상기 반도체칩의 외곽으로 연장된 상기 응력완화필름들의 다른 일부면을 지지하는 한쌍의 지지필름들이 형성되는 것을 특징으로 하는 칩 스케일형 반도체 패키지.A chip scale semiconductor package, characterized in that a pair of support films are formed on both sides of the semiconductor chip to support the other partial surface of the stress relaxation films extending to the outside of the semiconductor chip. 제 1 항에 있어서, 상기 지지필름들은 실리콘, 세라믹 또는 메탈 중 어느 하나의 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 칩 스케일형 반도체 패키지.The chip scale semiconductor package of claim 1, wherein the support films are made of any one material of silicon, ceramic, or metal. 일정간격 이격된 상태로 표면의 가장자리를 따라 배열된 다수개의 본딩패드들이 구비된 반도체칩과;A semiconductor chip having a plurality of bonding pads arranged along the edge of the surface at a predetermined interval; 상기 본딩패드들을 기준으로 다수로 분리되며, 일부면은 상기 반도체칩의 표면에 안착되고, 다른 일부면은 상기 반도체칩의 표면으로부터 분리된 다수개의 응력완화필름들과;A plurality of stress relaxation films separated into a plurality of bonding pads based on the bonding pads, a part of which is seated on a surface of the semiconductor chip, and another part of which is separated from a surface of the semiconductor chip; 상기 각 응력완화필름들의 표면에 안착되며, 각각의 표면에 다수개의 솔더볼 윈도우들이 배열되고, 상기 본딩패드들을 기준으로 다수로 분리되며, 일부면이 상기 반도체칩의 표면에 대응되도록 위치되고, 나머지 일부면이 상기 반도체칩의 표면으로부터 분리된 다수개의 접착테이프들과;It is seated on the surface of each of the stress relaxation films, a plurality of solder ball windows are arranged on each surface, separated into a plurality of the bonding pads, a part of the surface is positioned to correspond to the surface of the semiconductor chip, the other part A plurality of adhesive tapes whose surfaces are separated from the surface of the semiconductor chip; 상기 응력완화필름들 및 접착테이프들의 사이에 개재되며, 일측 단부가 상기 솔더볼 윈도우들을 통해 각 접착테이프들의 표면으로 노출되고, 다른 일측 단부가 상기 접착테이프들의 측부로 노출되어 상기 본딩패드들과 전기적으로 연결되는 빔리드들과;Interposed between the stress relaxation films and the adhesive tapes, one end is exposed to the surface of each adhesive tape through the solder ball windows, and the other end is exposed to the side of the adhesive tapes to be electrically connected to the bonding pads. Connected beam leads; 상기 빔리드들과 전기적으로 접촉된 상태로 상기 솔더볼 윈도우들상에 안착되는 다수개의 솔더볼들을 포함하며,A plurality of solder balls seated on the solder ball windows in electrical contact with the beam leads, 상기 반도체칩의 양 측부에는 상기 반도체칩의 표면으로부터 분리된 상기 응력완화필름들의 다른 일부면을 지지하는 한쌍의 지지필름들이 형성되는 것을 특징으로 하는 칩 스케일형 반도체 패키지.A chip scale semiconductor package, characterized in that a pair of support films are formed on both sides of the semiconductor chip to support the other partial surface of the stress relaxation films separated from the surface of the semiconductor chip.
KR1019990032315A 1999-08-06 1999-08-06 Chip scale type semiconductor package KR100570512B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990032315A KR100570512B1 (en) 1999-08-06 1999-08-06 Chip scale type semiconductor package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990032315A KR100570512B1 (en) 1999-08-06 1999-08-06 Chip scale type semiconductor package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010017024A true KR20010017024A (en) 2001-03-05
KR100570512B1 KR100570512B1 (en) 2006-04-13

Family

ID=19606408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990032315A KR100570512B1 (en) 1999-08-06 1999-08-06 Chip scale type semiconductor package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100570512B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100344833B1 (en) * 2000-04-03 2002-07-20 주식회사 하이닉스반도체 Package of semiconductor and method for fabricating the same
KR100485111B1 (en) * 2002-07-31 2005-04-27 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 chip size package
KR100886701B1 (en) * 2002-07-09 2009-03-04 주식회사 하이닉스반도체 Method for packaging a semiconductor chip in fbga type

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970077561A (en) * 1996-05-23 1997-12-12 김광호 Chip Scale Package Using Metal Substrate
KR100248792B1 (en) * 1996-12-18 2000-03-15 김영환 Chip size semiconductor package using single layer ceramic substrate
KR100211421B1 (en) * 1997-06-18 1999-08-02 윤종용 Semiconductor chip package using flexible circuit board with central opening
KR200321607Y1 (en) * 1999-06-07 2003-07-31 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Semiconductor device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100344833B1 (en) * 2000-04-03 2002-07-20 주식회사 하이닉스반도체 Package of semiconductor and method for fabricating the same
KR100886701B1 (en) * 2002-07-09 2009-03-04 주식회사 하이닉스반도체 Method for packaging a semiconductor chip in fbga type
KR100485111B1 (en) * 2002-07-31 2005-04-27 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 chip size package

Also Published As

Publication number Publication date
KR100570512B1 (en) 2006-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6518655B2 (en) Multi-chip package-type semiconductor device
US7154172B2 (en) Integrated circuit carrier
KR100447869B1 (en) Stack Semiconductor Chip Package Having Multiple I/O Pins and Lead Frame Suitable For Use in Such a Stack Semiconductor Chip Package
US20060231952A1 (en) BGA semiconductor chip package and mounting structure thereof
US20060249852A1 (en) Flip-chip semiconductor device
KR20020062820A (en) Semiconductor device having stacked multi chip module structure
US6300685B1 (en) Semiconductor package
KR20030000529A (en) Package device with a number of chips stacked and having central electrode pads and manufacturing method thereof
US20060102998A1 (en) Flip-chip component
KR20150136393A (en) Flip chip package having chip fixing structure
US7002255B2 (en) Multi-chips stacked package
US6897566B2 (en) Encapsulated semiconductor package free of chip carrier
KR950014677B1 (en) Integrated circuit mounting apparatus
KR100570512B1 (en) Chip scale type semiconductor package
KR100426608B1 (en) Center pad type integrated circuit chip that means for jumpering is mounted on the active layer and manufacturing method thereof and multi chip package
US7183655B2 (en) Packaged semiconductor device
KR100233861B1 (en) Bga semiconductor package
KR19980025890A (en) Multi-chip package with lead frame
JPH08250529A (en) Plastic molded type semiconductor device and manufacture thereof
KR100352117B1 (en) Semiconductor package structure
KR100668865B1 (en) Fbga package with dual bond finger
KR200278535Y1 (en) Chip size package
KR100355745B1 (en) Semiconductor package
KR20010068589A (en) Chip scale stack package
KR20050022650A (en) BGA Package Using Lead Frame

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100315

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee