KR20010009953A - Plasma Display Panel Driving with Radio Frequency Signal and Fabricating Method thereof - Google Patents

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KR20010009953A KR19990028573A KR19990028573A KR20010009953A KR 20010009953 A KR20010009953 A KR 20010009953A KR 19990028573 A KR19990028573 A KR 19990028573A KR 19990028573 A KR19990028573 A KR 19990028573A KR 20010009953 A KR20010009953 A KR 20010009953A
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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing an RF PDP(Radio Frequency Plasma Display Panel) is provided to improve the quality of address discharging by forming a dielectric layer having a regular thickness on a data electrode. CONSTITUTION: In an RF PDP having a lower plate, address discharging occurs at a contact between a scan electrode(108) and a data electrode(104) to be extended lengthwise to the data electrode by power supply thereto. An address discharging pattern is not extended any longer and limited within a discharge cell when the discharging reaches a dielectric barrier(114) in the cell. This is because the discharge voltage supplied to the discharge area becomes very low by voltage fall in the thick dielectric layer. However, most of voltage supplied to the two electrodes is supplied to the discharge area as each dielectric layer on the scan electrode and a groove(112) is thin. In the RF PDP having the groove(112), the voltage is lowered as most of voltage supplied to the data electrode is fed to the discharge area. Thereby, discharge particles are diffused to neighboring cells rarely in address discharging to reduce interference between the neighboring cells. The first dielectric layer(106) minimizes parasitic capacitance between the two electrodes to prevent unnecessary energy loss.

Description

고주파 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법{Plasma Display Panel Driving with Radio Frequency Signal and Fabricating Method thereof}High frequency plasma display panel and its manufacturing method {Plasma Display Panel Driving with Radio Frequency Signal and Fabricating Method

본 발명은 고주파 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 어드레스 방전 특성이 향상된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency plasma display panel and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a high frequency plasma display panel with improved address discharge characteristics and a method for manufacturing the same.

플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 함)은 가스방전에 의해 발생되는 자외선이 형광체를 여기시켜 형광체로부터 가시광선이 발생되는 것을 이용한 표시장치이다. PDP는 지금까지 표시수단의 주종을 이루어왔던 음극선관(Cathode Ray Tube : CRT)에 비해 두께가 얇고 가벼우며 고선명 대형화면의 구현이 가능하다는 점과 넓은 시야각을 갖는다는 점등의 장점이 있다. PDP는 매트릭스 형태로 배열된 다수의 방전셀들로 구성되며, 하나의 방전셀은 화면의 한 화소를 이루게 된다. PDP에서는 각각의 방전셀 내에서 유지방전의 횟수를 조절함에 의해 화상표시에 필요한 단계적인 밝기, 즉 그레이 스케일(Gray Scale)을 구현한다.Plasma Display Panel (hereinafter referred to as "PDP") is a display device in which ultraviolet light generated by gas discharge excites a phosphor to generate visible light from the phosphor. PDP has the advantages of being thin, light, high-definition large screen, and wider viewing angle than the cathode ray tube (CRT), which has been the dominant display device. PDP is composed of a plurality of discharge cells arranged in a matrix form, one discharge cell constitutes a pixel of the screen. In the PDP, by adjusting the number of sustain discharges in each discharge cell, stepwise brightness required for image display, that is, gray scale, is realized.

도 1은 종래의 교류 면방전 PDP에서 방전셀의 종단면 구조를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 상판(20)과 하판(22)이 일정한 거리를 두고 평행하게 설치되어 있다. 상판(20)을 구성하는 상부기판(24)의 배면에는 교류 구동 신호가 공급되어 면방전을 이루는 방전유지전극(26)쌍이 각각의 방전셀 별로 나란하게 형성된다. 방전유지전극(26)쌍 위에 균일한 두께로 형성되는 상부유전층(28)은 방전시 전하를 축적하는 기능을 갖는다. 상부유전층(28) 상에 전면 도포되는 보호층(30)은 방전시 하전입자의 스퍼터링 충격으로부터 방전유지전극(26)쌍과 상부유전층(28)을 보호하여 방전셀의 수명을 연장시킨다. 하판(22)을 구성하는 하부기판(32) 상에는 어드레스 방전을 위한 데이터전극(34)이 상부기판(24) 상의 방전유지전극(26)쌍과 상호 직각으로 교차되도록 형성된다. 하부기판(32)과 데이터전극(34) 상에는 방전시 벽전하 형성을 위한 하부유전층(36)이 전면 도포된다. 또한 상판(20)과 하판(22) 사이에는 격벽(42)이 수직으로 형성된다. 격벽(42)은 상판(20) 및 하판(22)과 함께 셀의 방전영역(38)을 형성하고, 방전셀들을 서로 구분하여 이웃한 셀 간의 전기적, 광학적 상호간섭을 차단한다. 방전영역(38) 내에는 방전시 자외선을 발생하는 He+Xe 또는 Ne+Xe의 혼합가스가 충진된다. 하판(22)의 하부유전층(36) 상에는 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 가시광선을 발생하는 형광층(40)이 도포된다.1 is a cross-sectional view illustrating a longitudinal cross-sectional structure of a discharge cell in a conventional AC surface discharge PDP. Referring to FIG. 1, the upper plate 20 and the lower plate 22 are provided in parallel with a predetermined distance. An AC drive signal is supplied to the rear surface of the upper substrate 24 constituting the upper plate 20 so that a pair of discharge sustaining electrodes 26 forming a surface discharge is formed side by side for each discharge cell. The upper dielectric layer 28 formed to have a uniform thickness on the pair of discharge sustaining electrodes 26 has a function of accumulating charge during discharge. The protective layer 30 entirely coated on the upper dielectric layer 28 protects the pair of discharge sustaining electrodes 26 and the upper dielectric layer 28 from sputtering shock of charged particles during discharge to extend the life of the discharge cell. On the lower substrate 32 constituting the lower plate 22, a data electrode 34 for address discharge is formed to cross at right angles with the pair of discharge sustaining electrodes 26 on the upper substrate 24. On the lower substrate 32 and the data electrode 34, a lower dielectric layer 36 is formed on the entire surface to form wall charges during discharge. In addition, the partition wall 42 is vertically formed between the upper plate 20 and the lower plate 22. The partition wall 42 forms the discharge region 38 of the cell together with the upper plate 20 and the lower plate 22, and separates the discharge cells from each other to block electrical and optical interference between neighboring cells. The discharge region 38 is filled with a mixed gas of He + Xe or Ne + Xe that generates ultraviolet rays during discharge. On the lower dielectric layer 36 of the lower plate 22, a fluorescent layer 40 that is excited by ultraviolet rays generated during discharge and generates visible light is applied.

빛이 방출되는 과정을 간략히 설명하면, 먼저 상판(20)의 방전유지전극(26)과 하판(22)의 데이터전극(34) 간에 전압을 인가하면 어드레스 방전이 일어나 상/하부 유전층(28,36)에 벽전하가 형성된다. 형성된 벽전하는 유지 방전에 필요한 방전전압을 낮추는 역할을 한다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀들에서는 방전유지전극(26)쌍에 공급되는 교류 신호에 의해 방전유지전극(26) 간에 유지 방전이 일어난다. 교류 신호로는 듀티(Duty)비가 1인 구형파 형태의 펄스가 주로 사용된다. 교류 신호의 주파수는 보통 200 ~ 300㎑ 정도이고, 이 때 방전펄스 폭은 10 ~ 20㎲ 정도가 된다. 유지 방전시 방전영역(38)에서는 하전입자가 생성된다. 이 하전입자에 의해 방전가스가 여기된 후 천이되는 과정에서 자외선이 발생한다. 발생된 자외선은 형광층(40)을 여기시켜 가시광선을 발생시키게 되고, 이로써 PDP의 화상이 구현되어진다.Briefly describing the light emission process, when a voltage is applied between the discharge sustaining electrode 26 of the upper plate 20 and the data electrode 34 of the lower plate 22, an address discharge occurs to cause the upper / lower dielectric layers 28 and 36. ) Wall charges are formed. The formed wall charges lower the discharge voltage required for sustain discharge. In the cells selected by the address discharge, sustain discharge occurs between the discharge sustain electrodes 26 by the AC signal supplied to the discharge sustain electrode 26 pairs. As an AC signal, a square wave pulse having a duty ratio of 1 is mainly used. The frequency of the AC signal is usually about 200 ~ 300 Hz, the discharge pulse width is about 10 ~ 20 Hz. Charged particles are generated in the discharge region 38 during the sustain discharge. Ultraviolet rays are generated in the process of transition after the discharge gas is excited by the charged particles. The generated ultraviolet rays excite the fluorescent layer 40 to generate visible light, thereby realizing an image of the PDP.

교류 면방전 PDP에서 유지방전은 하나의 구형펄스에 대해서 극히 짧은 순간에 한 번씩만 발생한다. 유지 면방전시 발생되는 하전입자들은 방전유지전극(26) 간에 형성된 방전경로를 전극 극성에 따라 이동함으로써 상부유전층(28) 표면에 벽전하를 형성한다. 형성된 벽전하에 의해 방전영역(38) 내의 방전전압이 감소하게 됨으로써 방전이 멈추게 된다. 이에 따라 교류 면방전 PDP에서는 대부분의 방전 시간이 벽전하 형성 및 다음 방전을 위한 준비 단계로 소비되어 방전효율이 낮아지게 된다. 또한 네가티브 글로우(Negative glow)를 이용함에 따라 방전영역에 인가된 전기에너지가 대부분 가스의 여기 및 이온화에 소모되어 발광효율 및 휘도가 낮아지는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 고주파(Radio Frequency) 신호에 의해 방전이 연속적으로 유지되는 PDP(이하 "RF PDP"라 함)가 제안되고 있다. RF PDP에서는 PDP에 공급되는 고주파 신호의 힘을 받아 방전영역 내에서 진동운동을 하는 전자가 방전가스를 연속적으로 이온화시킴으로써 거의 대부분의 방전시간동안 연속적인 방전이 이루어지게 된다.In AC surface discharge PDP, sustain discharge occurs only once in a very short moment for one spherical pulse. The charged particles generated during the sustain surface discharge move the discharge paths formed between the discharge sustain electrodes 26 according to the electrode polarities to form wall charges on the surface of the upper dielectric layer 28. The discharge is stopped because the discharge voltage in the discharge region 38 is reduced by the formed wall charge. Accordingly, in the AC surface discharge PDP, most of the discharge time is consumed as a preparation step for the formation of the wall charge and the next discharge, thereby lowering the discharge efficiency. In addition, since negative glow is used, most of the electrical energy applied to the discharge region is consumed for the excitation and ionization of the gas, thereby lowering the luminous efficiency and luminance. In order to solve this problem, a PDP (hereinafter referred to as "RF PDP") in which discharge is continuously maintained by a radio frequency signal has been proposed. In the RF PDP, electrons vibrating in the discharge area under the force of the high frequency signal supplied to the PDP continuously ionize the discharge gas, thereby causing continuous discharge for most of the discharge time.

도 2는 종래의 RF PDP에서 방전셀의 종단면 구조를 나타낸 단면도이다. 도 2를 참조하면, 상판(60)과 하판(62)이 일정한 거리를 두고 평행하게 설치되어 있다. 상판(60)을 구성하는 상부기판(64)의 배면에는 고주파 신호가 공급되어 고주파 유지 방전을 이루는 고주파전극(66)들이 각각의 방전셀별로 나란하게 형성된다. 고주파전극(66) 위에 형성되는 상부유전층(68)은 방전시 전하를 축적하는 기능을 갖는다. 상부유전층(68) 상에 전면 도포되는 상부보호층(70)은 방전시 하전입자의 스퍼터링 충격으로부터 고주파전극(66)과 상부유전층(68)을 보호하여 방전셀의 수명을 연장시킨다. 하판(62)을 구성하는 하부기판(72) 상에는 어드레스 방전을 위한 데이터전극(74)이 상판(60)의 고주파전극(66)과 상호 직각으로 교차되도록 형성된다. 데이터전극(74) 위에는 전극들간의 절연을 위한 제 1 유전층(76)을 사이에 두고 스캔전극(78)이 데이터전극(74)과 상호 직교하는 방향으로 형성된다. 스캔전극(78)과 상판(60)의 고주파전극(66)은 서로 평행을 이룬다. 스캔전극(78)은 데이터전극(74)과 함께 어드레스 방전을 일으킴과 아울러 상판(60)의 고주파전극(66)과 함께 고주파 유지 방전을 일으키게 된다. 스캔전극(78) 위에는 다시 제 2 유전층(80)과 하부보호층(82)이 순차적으로 형성된다. 또한 상판(60)과 하판(62) 사이에는 격벽(84)이 수직으로 형성된다. 격벽(84)은 상판(60) 및 하판(62)과 함께 셀의 방전영역(86)을 형성하고, 방전셀들을 서로 구분하여 이웃한 셀 간의 전기적, 광학적 상호간섭을 차단한다. 방전영역(86) 내에는 방전시 자외선을 발생하는 He+Xe 또는 Ne+Xe의 혼합가스가 충진된다. 하판(62)의 제 2 유전층(80) 상에는 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 가시광선을 발생하는 형광층(88)이 도포된다.2 is a cross-sectional view illustrating a longitudinal cross-sectional structure of a discharge cell in a conventional RF PDP. Referring to FIG. 2, the upper plate 60 and the lower plate 62 are provided in parallel at a predetermined distance. A high frequency signal is supplied to the rear surface of the upper substrate 64 constituting the upper plate 60 so that the high frequency electrodes 66 forming high frequency sustain discharge are formed side by side for each discharge cell. The upper dielectric layer 68 formed on the high frequency electrode 66 has a function of accumulating charge during discharge. The upper protective layer 70 coated on the upper dielectric layer 68 may protect the high frequency electrode 66 and the upper dielectric layer 68 from sputtering shocks of charged particles during discharge to extend the life of the discharge cell. On the lower substrate 72 constituting the lower plate 62, a data electrode 74 for address discharge is formed to cross at right angles with the high frequency electrode 66 of the upper plate 60. The scan electrode 78 is formed on the data electrode 74 in a direction orthogonal to the data electrode 74 with the first dielectric layer 76 interposed therebetween. The scan electrode 78 and the high frequency electrode 66 of the upper plate 60 are parallel to each other. The scan electrode 78 generates an address discharge together with the data electrode 74 and also generates a high frequency sustain discharge together with the high frequency electrode 66 of the upper plate 60. The second dielectric layer 80 and the lower passivation layer 82 are sequentially formed on the scan electrode 78. In addition, the partition wall 84 is formed vertically between the upper plate 60 and the lower plate 62. The partition wall 84 forms a discharge region 86 of the cell together with the upper plate 60 and the lower plate 62, and distinguishes the discharge cells from each other to block electrical and optical interference between neighboring cells. The discharge region 86 is filled with a mixed gas of He + Xe or Ne + Xe that generates ultraviolet rays during discharge. On the second dielectric layer 80 of the lower plate 62, a fluorescent layer 88 which is excited by ultraviolet rays generated during discharge and generates visible light is coated.

RF PDP의 방전 과정을 개략적으로 설명하면, 하판(62)의 데이터전극(74)과 스캔전극(78) 사이에 교류 구동 신호가 공급되어 두 전극(74,78) 간에 어드레스 방전이 일어난다. 이 과정에서 방전영역(86)에는 전자 등의 하전입자가 생성된다. 그 다음 상판(60)의 고주파전극(66)에 공급되는 고주파 신호에 의해 방전영역(86)에서는 전계의 방향이 교번적으로 바뀌게 된다. 이에 따라 방전영역(86) 내에 생성된 전자들은 고주파전극(66)과 스캔전극(78) 사이에서 상하로 진동운동을 하면서 연속적으로 유지 방전을 일으킨다. 그리하여 글로우(Glow) 방전에서 전극간의 거리가 긴 경우 방전효율이 매우 높아지는 양광주(Positive column)와 같은 효과를 거둘 수 있게 된다. 진동운동하는 전자들은 대부분의 방전시간동안 연속적으로 방전가스를 여기 및 이온화시키게 된다. 이 과정에서 발생되는 자외선이 형광층(88)을 여기시켜 가시광선을 발생시키게 되고, 이에 따라 PDP의 화상이 구현되게 된다.When the discharge process of the RF PDP is schematically described, an AC driving signal is supplied between the data electrode 74 and the scan electrode 78 of the lower plate 62 so that an address discharge occurs between the two electrodes 74 and 78. In this process, charged particles such as electrons are generated in the discharge region 86. Then, the direction of the electric field is alternately changed in the discharge region 86 by the high frequency signal supplied to the high frequency electrode 66 of the upper plate 60. Accordingly, the electrons generated in the discharge region 86 continuously generate a sustain discharge while vibrating up and down between the high frequency electrode 66 and the scan electrode 78. Thus, when the distance between the electrodes in the glow discharge is long, the discharge efficiency can be achieved, such as a positive column (Positive column) is very high. The vibrating electrons excite and ionize the discharge gas continuously during most discharge times. Ultraviolet rays generated in this process excite the fluorescent layer 88 to generate visible light, thereby realizing an image of the PDP.

이와 같은 RF PDP에서 유지 방전 효율은 종래의 교류 면방전 PDP에 비해 향상되기는 하지만 셀 선택과 하전입자 생성을 위한 어드레스 방전에 있어서는 여전히 문제점을 내포하고 있다. 도 3a 및 도 3b를 결부하여 이러한 문제점을 설명하기로 한다. 도 3a은 기존의 RF PDP에서 어드레스 방전을 이루는 하판의 종단면 구조를 상세히 도시한다. 도 3a에 도시된 바와 같이 패널의 하판(62)에 형성된 스캔전극(78)과 데이터전극(74) 사이에는 전기적 절연을 위한 제 1 유전층(76)이 형성되고, 그 위에는 또다시 제 2 유전층(80)이 형성되게 된다. 제 2 유전층(80) 위에 형성되는 보호층과 형광층은 도 3a에서 생략되어 있다. 종래의 교류 면방전 PDP에서는 유지 방전뿐만이 아니라 어드레스 방전을 일으키는 방전유지전극쌍이 방전셀마다 나란하게 배치되고, 그 위에 유전층이 균일한 두께로 형성된다. 방전을 일으키기 위해 전극에 전압을 걸면 유전층에서는 그 두께에 비례하여 전압강하가 일어나게 되고, 그에 따른 차전압이 방전영역에 인가되어 방전을 일으키게 된다. 방전유지전극쌍 위에 형성된 유전층은 그 두께가 서로 동일하므로 방전유지전극에 전압이 인가되었을 때 유전층에서 발생하는 전압 강하의 양은 어디서나 동일하다. 따라서 방전유지전극쌍 중 어느 전극에 전압이 인가되더라도 유전층에서 동일한 전압강하가 발생하므로 방전셀 내부 어디에서나 방전이 균일하게 일어난다. 이와 같은 교류 면방전 PDP에서는 유전층의 두께를 조절함으로써 방전효율을 최적화시키기가 용이하다. 하지만 RF PDP에서는 도 3a에 도시된 바와 같이 데이터전극(74) 위에 형성된 유전층의 두께(t1+t2)와 스캔전극(78) 위에 형성된 유전층의 두께(t1)가 서로 다르다. 이에 따라 어드레스 방전시 스캔전극(78)과 데이터전극(74)에 전압을 인가하였을 때 유전층의 두께 차이에 따른 전압강하의 차이에 의해 실제 방전영역(86)에 인가되는 방전전압이 서로 달라져 방전이 위치에 따라 불균일해지는 문제가 발생한다. 또한 스캔전극(78)과 데이터전극(74) 사이에 절연을 위해 추가로 형성된 제 1 유전층(76)에 의해 유전층에서 발생되는 전압강하의 양이 종래의 교류 면방전 PDP에 비해 더욱 커진다. 스캔전극(78)과 데이터전극(74) 상에 형성된 유전층들(76,80)에서 발생하는 전압강하에 의해 RF PDP의 방전영역(86) 상에 실제 인가되는 방전전압은 데이터전극(74)과 스캔전극(78) 간에 인가하는 구동전압의 60 ~ 70% 정도인 것으로 추정되고 있다. 그리하여 방전영역(86) 내에서 어드레스 방전을 일으키기 위해 필요한 전압이 200V라고 한다면 실제 데이터전극(74)과 스캔전극(78) 간에는 290 ~ 330V의 더 높은 전압을 걸어주어야 한다. 아울러 RF PDP에서는 데이터전극(74)과 스캔전극(78) 사이의 기생 커패시턴스 성분(C2)에 의해 불필요한 에너지 소비가 발생하게 되어 방전효율이 저하되는 문제점이 있다. 이러한 기생 커패시턴스 성분(C2)은 제 1 유전층(76)의 두께 t2를 증가시키면 감소하게 되지만, 제 1 유전층(76)의 두께를 증가시키면 유전층에서의 전압강하량이 커져 데이터전극(74)에 공급하는 구동전압을 높여야하고 이에 따른 또 다른 문제를 초래하게 된다. 어드레스 방전시 데이터전극(74)의 구동전압을 높이게 되면, 도 3b에 도시된 하판의 평면도에서 보여지는 바와 같이 데이터전극(74)의 길이 방향으로 어드레스 방전패턴(90)이 길게 형성된다. 그리하여 인접한 셀로의 하전입자의 확산 및 이동이 심해져 인접한 셀 간의 상호간섭이 발생한다. 이러한 문제는 패널의 전체적인 방전 균일성과 구동전압 마진에 심각한 영향을 미치게 된다.In this RF PDP, the sustain discharge efficiency is improved compared to the conventional AC surface discharge PDP, but still has problems in address discharge for cell selection and charged particle generation. This problem will be described with reference to FIGS. 3A and 3B. Figure 3a shows in detail the longitudinal cross-sectional structure of the bottom plate to make the address discharge in the conventional RF PDP. As shown in FIG. 3A, a first dielectric layer 76 for electrical insulation is formed between the scan electrode 78 and the data electrode 74 formed on the lower plate 62 of the panel, and on top of the second dielectric layer ( 80) is formed. The protective layer and the fluorescent layer formed on the second dielectric layer 80 are omitted in FIG. 3A. In the conventional AC surface discharge PDP, not only sustain discharge but also discharge sustaining electrode pairs which cause address discharge are arranged side by side in each discharge cell, and a dielectric layer is formed on it with a uniform thickness. When a voltage is applied to an electrode to cause a discharge, a voltage drop occurs in proportion to the thickness of the dielectric layer, and a difference voltage is applied to the discharge region to cause a discharge. Since the dielectric layers formed on the pair of discharge sustaining electrodes have the same thickness, the amount of voltage drop generated in the dielectric layer when the voltage is applied to the discharge sustaining electrode is the same everywhere. Therefore, even when a voltage is applied to any of the discharge sustaining electrode pairs, since the same voltage drop occurs in the dielectric layer, discharge occurs uniformly anywhere in the discharge cell. In such an AC surface discharge PDP, it is easy to optimize the discharge efficiency by adjusting the thickness of the dielectric layer. However, in the RF PDP, as illustrated in FIG. 3A, the thickness t 1 + t 2 of the dielectric layer formed on the data electrode 74 is different from the thickness t 1 of the dielectric layer formed on the scan electrode 78. Accordingly, when the voltage is applied to the scan electrode 78 and the data electrode 74 during the address discharge, the discharge voltage applied to the actual discharge region 86 is different due to the difference in the voltage drop according to the thickness difference of the dielectric layer. The problem arises that the position is uneven. In addition, the amount of the voltage drop generated in the dielectric layer by the first dielectric layer 76 additionally formed between the scan electrode 78 and the data electrode 74 becomes larger than that of the conventional AC surface discharge PDP. The discharge voltage actually applied to the discharge region 86 of the RF PDP due to the voltage drop generated in the dielectric layers 76 and 80 formed on the scan electrode 78 and the data electrode 74 is compared with the data electrode 74. It is estimated that it is about 60 to 70% of the driving voltage applied between the scan electrodes 78. Thus, if the voltage required to generate the address discharge in the discharge region 86 is 200V, a higher voltage of 290 to 330V should be applied between the actual data electrode 74 and the scan electrode 78. In addition, in the RF PDP, unnecessary energy consumption occurs due to the parasitic capacitance component C2 between the data electrode 74 and the scan electrode 78, resulting in a decrease in discharge efficiency. The parasitic capacitance component C2 decreases when the thickness t 2 of the first dielectric layer 76 is increased. However, when the thickness of the first dielectric layer 76 is increased, the voltage drop in the dielectric layer increases and is supplied to the data electrode 74. The driving voltage must be increased and this causes another problem. When the driving voltage of the data electrode 74 is increased during address discharge, the address discharge pattern 90 is formed long in the longitudinal direction of the data electrode 74 as shown in the plan view of the lower plate shown in FIG. 3B. As a result, diffusion and movement of charged particles into adjacent cells becomes severe, and mutual interference between adjacent cells occurs. This problem severely affects the overall discharge uniformity and driving voltage margin of the panel.

따라서, 본 발명의 목적은 어드레스 방전 특성이 향상된 고주파 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a high frequency plasma display panel having improved address discharge characteristics and a method of manufacturing the same.

도 1은 종래의 교류 면방전 PDP에서 방전셀의 종단면 구조를 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing the longitudinal cross-sectional structure of the discharge cell in the conventional AC surface discharge PDP.

도 2는 종래의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서 방전셀의 종단면 구조를 나타낸 단면도.2 is a cross-sectional view illustrating a longitudinal cross-sectional structure of a discharge cell in a conventional high frequency plasma display panel.

도 3a는 종래의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서 하판의 종단면 구조를 도시하는 단면도.3A is a cross-sectional view showing a longitudinal cross-sectional structure of a lower plate in a conventional high frequency plasma display panel.

도 3b는 종래의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서의 어드레스 방전 패턴을 도시하는 하판의 평면도.Fig. 3B is a plan view of the lower plate showing the address discharge pattern in the conventional high frequency plasma display panel.

도 4a는 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서 하판의 종단면 구조를 도시하는 단면도.4A is a cross-sectional view illustrating a longitudinal cross-sectional structure of a lower plate in a high frequency plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서의 어드레스 방전 패턴을 도시하는 하판의 평면도.4B is a plan view of a lower plate showing an address discharge pattern in the high frequency plasma display panel according to the embodiment of the present invention;

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서 하판의 평면 구조를 도시하는 평면도.5A and 5B are plan views illustrating a planar structure of a lower plate in a high frequency plasma display panel according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 하판 제조방법을 단계적으로 도시하는 도면.6A to 6E are diagrams showing in steps a method of manufacturing a lower plate of a high frequency plasma display panel according to an embodiment of the present invention.

〈 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 〉<Description of the code | symbol about the principal part of drawing>

20,60 : 상판 22,62,100 : 하판20,60: top plate 22,62,100: bottom plate

24,64 : 상부기판 26 : 방전유지전극24,64: upper substrate 26: discharge sustaining electrode

28,68 : 상부유전층 30 : 보호층28,68: upper dielectric layer 30: protective layer

32,72,102 : 하부기판 34,74,104 : 데이터전극32,72,102: lower substrate 34,74,104: data electrode

36 : 하부유전층 38,86 : 방전영역36: lower dielectric layer 38,86: discharge area

40,88 : 형광층 42,84 : 격벽40,88 Fluorescent layer 42,84 Bulkhead

66 : 고주파전극 70 : 상부보호층66: high frequency electrode 70: upper protective layer

76,106 : 제 1 유전층 78,108 : 스캔전극76,106: first dielectric layer 78,108: scan electrode

80,110 : 제 2 유전층 82 : 하부보호층80,110 second dielectric layer 82 lower protective layer

90,116 : 어드레스 방전패턴 112 : 홈90,116: address discharge pattern 112: groove

114,118,120 : 유전체 장벽 140 : 포토 레지스트114,118,120: dielectric barrier 140: photoresist

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널은 데이터전극과 스캔전극 사이에 형성되는 제 1 유전층과, 제 1 유전층과 스캔전극 상에 형성되는 제 2 유전층과, 스캔전극 양측의 제 1 및 제 2 유전층 상에 소정 깊이로 형성되는 홈을 구비한다.In order to achieve the above object, the high frequency plasma display panel of the present invention includes a first dielectric layer formed between the data electrode and the scan electrode, a second dielectric layer formed on the first dielectric layer and the scan electrode, and first and second sides of the scan electrode. A groove is formed on the second dielectric layer to a predetermined depth.

본 발명에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 제 2 유전층 상에서 스캔전극과 방전셀의 외곽부분이 마스킹되도록 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 마스크 패턴을 통하여 노출된 유전층들의 노출부분을 노광시키는 단계와, 유전층들을 열처리하는 단계와, 유전층들의 노광부분을 에칭하여 유전층들 상에 소정 깊이의 홈을 형성하는 단계와, 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a high frequency plasma display panel according to the present invention includes the steps of forming a mask pattern on the second dielectric layer to mask the outer portion of the scan electrode and the discharge cell, exposing exposed portions of the dielectric layers exposed through the mask pattern; Heat treating the dielectric layers, etching the exposed portions of the dielectric layers to form grooves of predetermined depth on the dielectric layers, and removing the mask pattern.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 4a내지 도 6e를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 4A to 6E.

도 4a는 본 발명의 실시 예에 따른 RF PDP의 하판의 종단면 구조를 도시한다. 도 4a를 참조하면, 하판(100)을 구성하는 하부기판(102) 상에 데이터전극(104)이 형성되고, 그 위에 제 1 유전층(106)이 전면 도포된다. 제 1 유전층(106) 상에는 스캔전극(108)이 데이터전극(104)과 직교하는 방향으로 형성되며, 그 위에 다시 제 2 유전층(110)이 도포된다. 각 방전셀 별로 형성되는 스캔전극(108) 사이의 일부 유전층 영역은 에칭 작업에 의해 식각된다. 식각된 영역은 홈(112)을 형성하고, 식각되지 않은 영역은 유전체 장벽(114)을 형성한다. 이러한 하판(100) 구조상에 또한 형성되는 보호층과 형광층은 도면에서 생략되어 있다. 스캔전극(108)과 데이터전극(104) 사이의 제 1 유전층(106)은 50 ~ 70㎛ 정도의 충분한 두께로 형성된다. 홈(112)에서는 제 1 유전층(110)은 물론 제 1 유전층(106)의 일부가 식각되어 데이터전극(104)과 방전영역 사이의 유전층 두께가 매우 얇게 된다. 유전체 장벽(114)에서는 데이터전극(104)과 방전영역 사이의 유전층 두께가 종래의 구조와 마찬가지로 매우 두껍다.4A illustrates a longitudinal cross-sectional structure of a bottom plate of an RF PDP according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4A, the data electrode 104 is formed on the lower substrate 102 constituting the lower plate 100, and the first dielectric layer 106 is coated on the entire surface thereof. The scan electrode 108 is formed in the direction orthogonal to the data electrode 104 on the first dielectric layer 106, and the second dielectric layer 110 is applied thereon. Some dielectric layer regions between the scan electrodes 108 formed for each discharge cell are etched by an etching operation. The etched regions form grooves 112 and the unetched regions form dielectric barriers 114. The protective layer and the fluorescent layer which are also formed on the structure of the lower plate 100 are omitted in the drawing. The first dielectric layer 106 between the scan electrode 108 and the data electrode 104 is formed to a sufficient thickness of about 50 to 70 μm. In the groove 112, not only the first dielectric layer 110 but also a portion of the first dielectric layer 106 is etched so that the thickness of the dielectric layer between the data electrode 104 and the discharge region becomes very thin. In the dielectric barrier 114, the thickness of the dielectric layer between the data electrode 104 and the discharge region is very thick as in the conventional structure.

본 발명에 따른 하판 구조를 갖는 RF PDP에서 데이터전극(104)과 스캔전극(108)에 구동전압을 인가하면 어드레스 방전은 스캔전극(108)과 데이터전극(104)의 교차부에서 발생하여 데이터전극(104)의 길이 방향으로 확대되어 간다. 이 때 방전이 셀 내의 유전체 장벽(114)에 도달하게 되면 어드레스 방전패턴(116)은 더 이상 확대되지 못하고 도 4b에 도시되는 바와 같이 방전셀 내에 한정되게 된다. 그 이유는 두꺼운 유전층에서의 큰 전압강하로 인해 유전체 장벽(114) 위의 방전영역에 인가되는 방전전압이 매우 낮아지기 때문이다. 하지만 스캔전극(108) 위에 형성된 유전층과 홈(112)에서의 유전층 두께는 비교적 얇기 때문에 데이터전극(104)과 스캔전극(108)에 공급되는 구동전압의 대부분이 방전영역에 인가되게 된다. 이에 따라 어드레스 방전은 스캔전극(108) 위의 방전영역과 홈(112)의 방전영역에서 집중적으로 발생하고 유전체 장벽(114) 위에서는 방전이 억제된다. 또한 홈(112)을 갖는 본 발명의 RF PDP에서는 데이터전극(104)에 공급되는 구동전압 대부분이 방전영역에 인가될 수 있기 때문에 구동전압을 낮출 수 있게 된다. 데이터전극(104)의 구동전압이 낮아지면 어드레스 방전시 하전입자들이 인접한 셀로 확산되는 현상이 줄어들게 되므로 인접한 셀 간의 상호간섭을 더욱 줄일 수 있게 된다. 한편 제 1 유전층(106)은 충분한 두께로 형성되어 스캔전극(108)과 데이터전극(104) 사이의 기생 커패시턴스 성분을 최소화시킨다. 이에 따라 불필요한 에너지 손실을 막을 수 있게 된다. 본 발명에서는 스캔전극(108)과 데이터전극(104) 사이의 유전층 두께를 충분히 두껍게 함과 동시에 데이터전극(104) 위에 형성된 유전층 두께는 얇게 할 수 있어, 유전층에서의 에너지 손실과 전압강하의 문제를 동시에 해결할 수 있게 된다.When the driving voltage is applied to the data electrode 104 and the scan electrode 108 in the RF PDP having the bottom plate structure according to the present invention, an address discharge is generated at the intersection of the scan electrode 108 and the data electrode 104 and thus the data electrode. It extends in the longitudinal direction of 104. At this time, when the discharge reaches the dielectric barrier 114 in the cell, the address discharge pattern 116 is no longer enlarged and is limited in the discharge cell as shown in FIG. 4B. This is because a large voltage drop in the thick dielectric layer causes the discharge voltage applied to the discharge region on the dielectric barrier 114 to be very low. However, since the thickness of the dielectric layer formed on the scan electrode 108 and the groove 112 is relatively thin, most of the driving voltages supplied to the data electrode 104 and the scan electrode 108 are applied to the discharge region. Accordingly, address discharge is concentrated in the discharge region on the scan electrode 108 and the discharge region of the groove 112, and the discharge is suppressed on the dielectric barrier 114. In addition, in the RF PDP of the present invention having the grooves 112, most of the driving voltage supplied to the data electrode 104 can be applied to the discharge region, thereby lowering the driving voltage. When the driving voltage of the data electrode 104 is lowered, the phenomenon in which charged particles are diffused into adjacent cells during address discharge is reduced, thereby further reducing mutual interference between adjacent cells. Meanwhile, the first dielectric layer 106 is formed to a sufficient thickness to minimize the parasitic capacitance component between the scan electrode 108 and the data electrode 104. Accordingly, unnecessary energy loss can be prevented. In the present invention, the thickness of the dielectric layer between the scan electrode 108 and the data electrode 104 is sufficiently thick and the thickness of the dielectric layer formed on the data electrode 104 can be made thin. Thus, energy loss and voltage drop in the dielectric layer can be solved. It can be solved at the same time.

도 4b에 도시된 하판의 평면도에서 보여지는 바와 같이 어드레스 방전패턴(116)은 데이터전극(104)을 따라 분포하고 유전체 장벽(114)에서 멈추게 된다. 유전체 장벽(114)은 이러한 분포를 갖는 어드레스 방전패턴(116)이 인접한 셀로 확장되지 못하도록 막는 범위 내에서 다양한 형태로 형성될 수 있다. 즉 어드레스 방전패턴(116)은 데이터전극(104)의 길이 방향으로 분포하므로, 도 5a 내지 도 5b에 도시되는 바와 같이 짧은 직사각형 형태나 타원 형태를 갖는 유전체 장벽(118,120)이 데이터전극(104) 주변을 중심으로 형성되도록 하는 것도 가능하다. 그 외의 다른 어떠한 형태도 가능하며, 이러한 다양한 형태의 유전체 장벽은 유전층을 원하는 형태로 에칭하기 위해 하판 상에 도포하는 포토 레지스트(Photo-Resist)를 적절한 형태로 패터닝(Patterning)함으로써 손쉽게 구현될 수 있다.As shown in the top view of the bottom plate shown in FIG. 4B, the address discharge pattern 116 is distributed along the data electrode 104 and stopped at the dielectric barrier 114. The dielectric barrier 114 may be formed in various shapes within a range that prevents the address discharge pattern 116 having such a distribution from being extended to adjacent cells. That is, since the address discharge pattern 116 is distributed in the longitudinal direction of the data electrode 104, dielectric barriers 118 and 120 having a short rectangular shape or an elliptic shape are surrounded by the data electrode 104 as shown in FIGS. 5A to 5B. It is also possible to be formed around the. Any other form is possible, and these various types of dielectric barriers can be easily realized by patterning appropriately the photo-resist applied on the bottom plate to etch the dielectric layer in the desired form. .

도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 실시 예에 따른 RF PDP의 하판 제조방법을 단계적으로 도시하는 도면이다. 먼저 도 6a를 참조하면, 하부기판(102) 상에 데이터전극(104)과, 제 1 유전층(106)과, 데이터전극(104)과 직교하는 방향으로 배치되는 스캔전극(108)과, 제 2 유전층(110)이 순차적으로 적층된 하판(100)이 마련된다. 본 발명에서는 제 1 및 제 2 유전층(106,110)의 재료로서 자외선에 반응하여 그 형질이 변형되는 특성을 갖는 감광성 유리를 사용한다. 하판(100) 상에는 도 6b에 도시된 바와 같이 적절한 형태로 패터닝된 포토 레지스트(140)가 도포된다. 포토 레지스트(140)는 스캔전극(108)과 유전체 장벽이 형성되는 위치에만 형성되도록 패터닝된다. 그 다음 단계로 도 6c에 도시된 바와 같이 포토 레지스트(140)가 형성된 하판(100) 상에 자외선을 조사한다. 하판(100)에 자외선을 조사한 후 열처리하면, 자외선이 조사된 유전층 부분과 포토 레지스트(140)에 가려져 자외선이 조사되지 않은 유전층 부분은 조직적으로 서로 차이가 나게 된다. 자외선 조사 및 열처리 단계를 거친 후 하판(100)은 불산(HF)을 포함하는 수용액에 소정 시간동안 침전되어 에칭된다. 에칭되는 부분은 자외선 조사량과 열처리 온도 등에 따라 달라지게 된다. 자외선이 조사된 유전층 부분이 에칭되도록 하는 방법을 포지티브 감광성 유리 에칭법이라고 하고, 포토 레지스트(140)에 가려져 자외선이 조사되지 않은 부분이 에칭되도록 하는 방법을 네가티브 감광성 유리 에칭법이라고 한다. 도 6d에 도시된 방법은 자외선이 조사된 부분이 에칭되도록 하는 포지티브 감광성 유리 에칭법으로서, 이 경우 노광된 유전층 부분에는 열처리에 의해 결정상이 석출됨으로써 에칭액에 의해 에칭되게 된다. 네가티브 감광성 유리 에칭법의 경우에는 조사하는 자외선의 에너지가 포지티브 감광성 유리 에칭법의 경우보다 낮고, 반면 열처리 온도는 포지티브 감광성 유리 에칭법의 경우보다 더 높다. 네가티브 감광성 유리 에칭법에서 노광된 유전층 부분은 결정상이 형성된 치밀한 조직 구조를 갖는 반면, 포토레지스트에 가려진 미노광 부분은 과다 결함이 존재하는 비정질 구조를 갖게 된다. 이에 따라 에칭시에는 비정질 구조를 갖는 미노광 부분에 에칭액의 침투가 용이해져 미노광 부분이 빠르게 에칭되어 제거되게 된다. 이와 같은 네가티브 감광성 유리 에칭법을 본 발명의 제조방법에 이용할 경우에는 도 6b에 도시된 형태와는 반대로 포토 레지스트가 유전체 우물이 형성될 부분에만 형성되도록 하여야 한다. 포지티브 감광성 유리 에칭법에 의해 노광된 유전층을 제거하면 도 6d에 도시된 바와 같이 유전체 장벽(114)과 홈(112)이 형성된다. 마지막으로 도 6e의 과정에서 하판(100) 상의 포토 레지스트를 제거한 후 도면에 도시되지 않은 보호층과 형광층을 입히면 본 발명에 따른 RF PDP의 하판이 완성되게 된다.6A to 6E are diagrams illustrating step-by-step manufacturing methods of the RF PDP according to an embodiment of the present invention. Referring first to FIG. 6A, the data electrode 104, the first dielectric layer 106, the scan electrode 108 disposed in a direction orthogonal to the data electrode 104, and the second substrate 102 are disposed on the lower substrate 102. The lower plate 100 in which the dielectric layers 110 are sequentially stacked is provided. In the present invention, as the material of the first and second dielectric layers 106 and 110, photosensitive glass having a property of changing its trait in response to ultraviolet rays is used. On the lower plate 100, a photoresist 140 patterned in a suitable form is applied as shown in FIG. 6B. The photoresist 140 is patterned to be formed only at the position where the scan electrode 108 and the dielectric barrier are formed. Next, as shown in FIG. 6C, ultraviolet rays are irradiated onto the lower plate 100 on which the photoresist 140 is formed. When the lower plate 100 is irradiated with ultraviolet rays and then subjected to heat treatment, the dielectric layer portion irradiated with ultraviolet rays and the dielectric layer portion not irradiated with ultraviolet rays are systematically different from each other. After the ultraviolet irradiation and heat treatment steps, the lower plate 100 is etched by being precipitated in an aqueous solution containing hydrofluoric acid (HF) for a predetermined time. The portion to be etched will vary depending on the amount of ultraviolet radiation and the heat treatment temperature. A method of causing the portion of the dielectric layer irradiated with ultraviolet light to be etched is called a positive photosensitive glass etching method, and a method of covering a portion of the photoresist 140 that is not irradiated with ultraviolet light to be etched is called a negative photosensitive glass etching method. The method shown in Fig. 6D is a positive photosensitive glass etching method in which a portion irradiated with ultraviolet rays is etched. In this case, the exposed dielectric layer portion is etched by the etchant by depositing a crystal phase by heat treatment. In the case of the negative photosensitive glass etching method, the energy of irradiated ultraviolet rays is lower than that of the positive photosensitive glass etching method, while the heat treatment temperature is higher than that of the positive photosensitive glass etching method. In the negative photosensitive glass etching method, the exposed dielectric layer portion has a dense structure in which a crystal phase is formed, while the unexposed portion covered by the photoresist has an amorphous structure in which excessive defects exist. Accordingly, during etching, the penetration of the etchant into the unexposed portion having the amorphous structure is facilitated, and the unexposed portion is quickly etched and removed. When such a negative photosensitive glass etching method is used in the manufacturing method of the present invention, the photoresist should be formed only at the portion where the dielectric well will be formed, as opposed to the form shown in FIG. 6B. Removing the dielectric layer exposed by the positive photosensitive glass etching method forms the dielectric barrier 114 and the groove 112 as shown in FIG. 6D. Finally, after removing the photoresist on the lower plate 100 in the process of Figure 6e and coating a protective layer and a fluorescent layer not shown in the figure is completed the lower plate of the RF PDP according to the present invention.

본 발명에서 제 1 및 제 2 유전층(106,110)의 재료로서 사용되는 감광성 유리는 이방성 에칭 특성을 가지고 있다. 그리하여 에칭 시간을 적절히 조절하면 에칭되는 부분의 폭과 깊이를 쉽게 조절할 수 있어 정밀한 형상을 구현할 수 있게 된다. 이에 따라 본 발명의 하판 제조방법은 데이터전극 위의 유전층 두께를 균일하게 할 수 있어 어드레스 방전의 방전 균일성을 높일 수 있다.Photosensitive glass used as the material of the first and second dielectric layers 106 and 110 in the present invention has anisotropic etching characteristics. Thus, if the etching time is properly adjusted, the width and depth of the portion to be etched can be easily adjusted to realize a precise shape. Accordingly, the lower plate manufacturing method of the present invention can make the thickness of the dielectric layer on the data electrode uniform, thereby increasing the discharge uniformity of the address discharge.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널은 유전체 장벽을 이용하여 어드레스 방전시 인접한 셀 간의 상호간섭을 효과적으로 억제할 수 있고, 이로써 방전셀 별 방전 균일성과 구동전압 마진을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 또한 데이터전극 위에 형성되는 유전층의 두께를 줄임으로써 어드레스 방전에 필요한 구동전압을 낮출 수 있다. 이에 따라 구동 소자의 부담을 줄이고 인접한 셀 간의 상호간섭을 더욱 줄일 수 있게 된다. 아울러 데이터전극과 스캔전극 사이의 유전층을 충분히 두껍게 형성함으로써 기생 커패시턴스 값을 줄일 수 있게 되고, 이에 따라 불필요한 에너지 손실을 줄일 수 있게 된다.As described above, the high frequency plasma display panel according to the present invention can effectively suppress mutual interference between adjacent cells during address discharge by using a dielectric barrier, thereby improving discharge uniformity and driving voltage margin for each discharge cell. There is this. In addition, the driving voltage required for the address discharge can be reduced by reducing the thickness of the dielectric layer formed on the data electrode. Accordingly, it is possible to reduce the load on the driving device and to further reduce mutual interference between adjacent cells. In addition, by forming a sufficiently thick dielectric layer between the data electrode and the scan electrode, parasitic capacitance values can be reduced, thereby reducing unnecessary energy loss.

본 발명에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에서는 감광성 유리를 이용한 이방성 에칭법을 이용하여 유전체 장벽 및 홈이 마련된 하판을 정밀하게 형성할 수 있다. 이에 따라 데이터전극 위에 형성된 유전층의 두께를 균일하게 할 수 있어 어드레스 방전의 방전 균일성과 구동전압 마진을 향상시킬 수 있게 된다.In the method for manufacturing a high frequency plasma display panel according to the present invention, a lower plate provided with a dielectric barrier and a groove may be precisely formed by using an anisotropic etching method using photosensitive glass. Accordingly, the thickness of the dielectric layer formed on the data electrode can be made uniform, thereby improving the discharge uniformity of the address discharge and the driving voltage margin.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (6)

방전셀 내에 어드레스 방전을 일으키기 위한 다수의 데이터전극과 스캔전극을 포함하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,A high frequency plasma display panel comprising a plurality of data electrodes and a scan electrode for causing an address discharge in a discharge cell, 상기 데이터전극과 상기 스캔전극 사이에 형성되는 제 1 유전층과,A first dielectric layer formed between the data electrode and the scan electrode; 상기 제 1 유전층과 상기 스캔전극 상에 형성되는 제 2 유전층과,A second dielectric layer formed on the first dielectric layer and the scan electrode; 상기 스캔전극 양측의 상기 제 1 및 제 2 유전층 내에 소정 깊이로 형성되는 홈을 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.And a groove formed at a predetermined depth in the first and second dielectric layers on both sides of the scan electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 홈은 그 바닥면이 평탄하게 형성된 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.And the groove has a flat bottom surface thereof. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 홈에서부터 상기 방전셀의 외곽부까지 소정 두께의 유전체 장벽이 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.And a dielectric barrier having a predetermined thickness from the groove to an outer portion of the discharge cell. 방전셀 내에 어드레스 방전을 일으키기 위한 데이터전극과 스캔전극과, 상기 데이터전극과 상기 스캔전극 사이에 형성되는 제 1 유전층과, 상기 스캔전극 및 상기 제 1 유전층 상에 형성되는 제 2 유전층이 형성되는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서,A high frequency in which a data electrode and a scan electrode for causing an address discharge in a discharge cell, a first dielectric layer formed between the data electrode and the scan electrode, and a second dielectric layer formed on the scan electrode and the first dielectric layer are formed In the method of manufacturing a plasma display panel, 상기 제 2 유전층 상에서 상기 스캔전극과 상기 방전셀의 외곽부분이 마스킹되도록 마스크 패턴을 형성하는 단계와,Forming a mask pattern on the second dielectric layer to mask an outer portion of the scan electrode and the discharge cell; 상기 마스크 패턴을 통하여 노출된 유전층들의 노출부분을 노광시키는 단계와,Exposing exposed portions of the dielectric layers exposed through the mask pattern; 상기 유전층들을 열처리하는 단계와,Heat treating the dielectric layers; 상기 유전층들의 노광부분을 에칭하여 상기 유전층들 상에 소정 깊이의 홈을 형성하는 단계와,Etching the exposed portions of the dielectric layers to form grooves of a predetermined depth on the dielectric layers; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.And removing the mask pattern. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 홈에서부터 방전셀 외곽부까지 소정 두께의 유전체 장벽이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.And a dielectric barrier having a predetermined thickness is formed from the groove to the outer edge of the discharge cell. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 1 유전층과 상기 제 2 유전층은 노광과 열처리에 의해 결정 상태가 달라짐과 아울러 이방적 에칭 특성을 갖는 감광성 유리인 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.And said first dielectric layer and said second dielectric layer are photosensitive glass having anisotropic etching characteristics and changing crystal states by exposure and heat treatment.
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