KR20000077484A - Developing apparatus and developing nozzle - Google Patents
Developing apparatus and developing nozzleInfo
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 119
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 2
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 24
- 238000011161 development Methods 0.000 description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000002716 delivery method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007937 lozenge Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Abstract
레지스트도포막을 가진 기판이 놓이는 얹어놓는대와, 이 얹어놓는대 상의 기판에 현상액을 공급하는 노즐과, 이 노즐에 현상액을 공급하는 액공급기구와, 노즐과 기판을 상대적으로 이동시키는 이동기구를 구비하는 현상장치로서, 노즐은, 액공급기구에 연이어 통하는 액입구와, 이 액입구를 통하여 상기 액공급기구로부터 공급된 현상액을 잠정적으로 저장시켜 두는 액저장부와, 이 액저장부의 바닥부로 연이어 통하며, 액저장부로부터의 현상액을 압력손실시키는 좁은 유로와, 이 좁은 유로에 연이어 통하는 토출구 유로를 가진 직선상태의 액토출부와, 토출구 유로 내에 설치되고, 또한 좁은 유로의 출구근방에 배치되며, 좁은 유로에서 나온 현상액의 기세를 약하게 하여, 상기 토출구로부터 토출되는 현상액이 상기 레지스트도포막에 주는 충격력을 저감시키는 완충부재를 구비한다.A mounting stage on which a substrate having a resist coating film is placed, a nozzle for supplying a developer solution to the substrate on the mounting base, a liquid supply mechanism for supplying the developer solution to the nozzle, and a moving mechanism for relatively moving the nozzle and the substrate. The developing apparatus comprises a liquid inlet connected to a liquid supply mechanism in succession, a liquid storage portion for temporarily storing a developer supplied from the liquid supply mechanism through the liquid inlet, and a continuous flow through the bottom portion of the liquid storage portion. A liquid discharge part in a straight state having a narrow flow path for pressure loss of the developer from the liquid storage part, a discharge flow path connected to the narrow flow path, a discharge port flow path, and disposed near the outlet of the narrow flow path, Impact force applied to the resist coated film by the developer discharged from the discharge port by weakening the force of the developer from a narrow flow path And a buffer member for reducing.
Description
본 발명은, 반도체 디바이스나 액정표시장치(LCD)의 제조에 사용되는 현상장치 및 현상노즐에 관한 것으로서, 특히 반도체 디바이스의 포토리소그래피에 있어서 화학증폭형 레지스트막을 현상처리하기 위한 현상장치 및 현상노즐에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a developing apparatus and a developing nozzle used in the manufacture of a semiconductor device or a liquid crystal display device (LCD), and more particularly to a developing apparatus and a developing nozzle for developing a chemically amplified resist film in photolithography of a semiconductor device. It is about.
반도체 디바이스의 제조프로세스에서는, 반도체 웨이퍼에 레지스트를 도포하여, 레지스트도포막을 베이크하고 노광하여 현상한다. 이러한 처리에는 USP No. 5,664,254호 공보 및 USP No. 5,700,127호 공보에 기재된 도포현상처리시스템이 사용된다. 도포현상처리시스템은 노광장치와 조합하여 반도체 디바이스의 포토리소그래피에 사용되는 것으로, 레지스트도포유니트 및 현상유니트를 구비하고 있다.In the manufacturing process of the semiconductor device, a resist is applied to the semiconductor wafer, and the resist coating film is baked and exposed to develop. This treatment includes USP No. 5,664,254 and USP No. The coating and developing treatment system described in Japanese Patent No. 5,700,127 is used. The coating and developing processing system is used for photolithography of semiconductor devices in combination with an exposure apparatus, and includes a resist coating unit and a developing unit.
현상유니트에서는, 웨이퍼를 스핀척으로 유지하여, 노즐을 웨이퍼 바로 위에 위치시키고, 또한 노즐을 웨이퍼의 직경으로 오버랩시켜, 노즐의 토출구로부터 현상액을 웨이퍼로 향해 토출공급하면서, 웨이퍼를 적어도 1/2회전시킨다. 이에 따라 웨이퍼의 윗면 전체에 걸쳐 거의 일정한 두께의 현상액의 액막을 형성한다. 현상액의 액막을 얹은 웨이퍼를 정지상태에 놓고, 현상액을 레지스트막에 소정 시간만큼 접촉시켜 노광잠상을 현상한다. 이러한 현상방식을 퍼들현상(puddle development)이라고 한다.In the developing unit, the wafer is held at a spin chuck, the nozzle is positioned directly on the wafer, the nozzle is overlapped with the diameter of the wafer, and the developer is discharged and supplied toward the wafer from the discharge port of the nozzle for at least one half rotation. Let's do it. As a result, a liquid film of a developer of substantially constant thickness is formed over the entire upper surface of the wafer. The wafer on which the developer film is placed is placed in a stationary state, and the developer is brought into contact with the resist film for a predetermined time to develop an exposure latent image. This phenomenon is called puddle development.
그런데, 퍼들현상에서는, 회로 선폭의 균일성을 확보하기 위해서 웨이퍼의 전체 면에 걸쳐서 현상액의 합계 체류시간(합계 접촉시간)을 동일하게 하는 것이 바람직하다. 그 때문에 현상액을 가능한 한 신속하게 웨이퍼의 전체 면에 현상액을 도포해야 하기 때문에, 공급원으로부터 노즐로의 현상액의 공급압력을 높게 하고 있다.In the puddle phenomenon, however, in order to ensure uniformity of the circuit line width, it is preferable to make the total residence time (total contact time) of the developing solution equal over the entire surface of the wafer. Therefore, the developer must be applied to the entire surface of the wafer as quickly as possible, so that the supply pressure of the developer from the supply source to the nozzle is increased.
그러나, 노즐의 토출구는 지름이 작기 때문에, 현상액의 공급압력이 높아지면, 레지스트막중의 노광잠상에 대한 충격력이 과대하게 되어, 선폭의 균일성이 떨어질 우려가 있다. 특히 화학증폭형 레지스트막에 형성되는 패턴회로의 선폭은 서브미크론오더이기 때문에, 노즐로부터 토출되는 현상액이 큰 충돌력을 가지면, 레지스트막중의 노광잠상에 중대한 영향을 미칠 염려가 있다.However, since the discharge port of the nozzle has a small diameter, when the supply pressure of the developing solution becomes high, the impact force on the exposure latent image in the resist film becomes excessive, and there is a possibility that the uniformity of the line width is inferior. In particular, since the line width of the pattern circuit formed in the chemically amplified resist film is a submicron order, if the developer discharged from the nozzle has a large impact force, there is a possibility that it will have a significant effect on the exposure latent in the resist film.
또한, 이렇게 현상액의 토출속도가 빠르다는 점과, 현상노즐의 재질로서 발수성(撥水性)이 높은 수지가 사용되고 있다는 점 때문에, 토출구로부터 현상액이 토출될 때에 현상액의 토출범위가 좁아지기 쉽고, 웨이퍼 상에 현상액이 공급되지 않는 미현상 부분이 생길 우려가 있다. 이 경향은 웨이퍼면을 따라 노즐을 이동시키면서 현상액을 토출하는 스캐닝 방식인 경우에 특히 현저하다.In addition, since the development speed of the developing solution is high and a resin having high water repellency is used as the material of the developing nozzle, the developing range of the developing solution tends to be narrowed when the developing solution is discharged from the discharge port. There is a risk of developing an undeveloped portion to which the developer is not supplied. This tendency is particularly remarkable in the case of a scanning method in which the developer is discharged while moving the nozzle along the wafer surface.
본 발명의 목적은, 선폭의 균일성을 향상시킬 수 있고, 해상도의 불균형(현상 불균일)을 방지할 수 있는 현상장치를 제공하는 데에 있다.An object of the present invention is to provide a developing apparatus which can improve the uniformity of the line width and can prevent an unbalance (development unevenness) in resolution.
본 발명의 목적은, 레지스트막에 대한 현상액의 충돌력을 저감시킬 수 있으며, 기판의 전체 면에 빠짐없이 현상액을 공급할 수 있는 현상노즐을 제공하는 데에 있다.An object of the present invention is to provide a developing nozzle which can reduce the collision force of a developing solution against a resist film and can supply a developing solution to the entire surface of the substrate.
도 1은 도포/현상처리 시스템을 나타낸 내부 투시평면도,1 is an internal perspective plan view showing a coating / developing system;
도 2는 도포/현상처리 시스템을 나타낸 개략정면도,2 is a schematic front view showing a coating / developing system;
도 3은 도포/현상처리 시스템을 나타낸 개략배면도,3 is a schematic rear view showing a coating / developing system;
도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 현상장치를 나타낸 내부 투시단면블록도,4 is an internal perspective cross-sectional block diagram showing a developing apparatus according to an embodiment of the present invention;
도 5는 본 발명의 실시형태에 따른 현상장치를 나타낸 내부 투시평면도,5 is an internal perspective plan view showing a developing apparatus according to an embodiment of the present invention;
도 6은 본 발명의 실시형태에 따른 현상노즐을 나타낸 사시도,6 is a perspective view showing a developing nozzle according to an embodiment of the present invention;
도 7A는 본 발명의 실시형태에 따른 현상노즐을 위쪽에서 보아 나타낸 분해평면도,7A is an exploded top view showing a developing nozzle according to an embodiment of the present invention from above;
도 7B는 본 발명의 실시형태에 따른 현상노즐을 옆쪽에서 보아 나타낸 부분단면도,7B is a partial cross-sectional view showing the developing nozzle according to the embodiment of the present invention from the side;
도 8은 본 발명의 실시형태에 따른 현상노즐의 일부를 나타낸 분해도,8 is an exploded view showing a part of a developing nozzle according to an embodiment of the present invention;
도 9는 본 발명의 실시형태에 따른 현상노즐을 나타낸 단면도,9 is a cross-sectional view showing a developing nozzle according to an embodiment of the present invention;
도 10은 본 발명의 실시형태에 따른 현상노즐의 주요부를 나타낸 확대단면도,10 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of a developing nozzle according to an embodiment of the present invention;
도 11은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 현상노즐의 주요부를 나타낸 사시도,11 is a perspective view showing a main part of a developing nozzle according to another embodiment of the present invention;
도 12는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 현상노즐의 주요부를 나타낸 사시도,12 is a perspective view showing a main part of a developing nozzle according to another embodiment of the present invention;
도 13은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 현상노즐의 주요부를 나타낸 사시도,13 is a perspective view showing a main part of a developing nozzle according to another embodiment of the present invention;
도 14는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 현상노즐의 주요부를 나타낸 사시도,14 is a perspective view showing a main part of a developing nozzle according to another embodiment of the present invention;
도 15는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 현상노즐을 나타낸 단면도,15 is a cross-sectional view showing a developing nozzle according to another embodiment of the present invention;
도 16은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 현상노즐을 나타낸 사시도이다.16 is a perspective view showing a developing nozzle according to another embodiment of the present invention.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>
10 : 카세트부 11 : 프로세스부10: cassette portion 11: processor portion
12 : 인터페이스부 20 : 얹어놓는대12: interface unit 20: stand
20a : 돌기 21 : 제 1 서브아암기구20a: protrusion 21: first subarm mechanism
21a : 웨이퍼홀더 22 : 주아암기구21a: wafer holder 22: main arm mechanism
22a : 수직반송로 23 : 주변노광장치22a: vertical conveying path 23: peripheral exposure device
24 : 제 2 서브아암기구 25 : 안내레일24: second sub-arm mechanism 25: guide rail
30 : 현상유니트 31 : 레지스트도포유니트30: developing unit 31: resist coating unit
32 : 액처리용 컵 46 : 반송부32: liquid processing cup 46: conveying part
48 : 웨이퍼홀더 49 : 통형상 지지체48: wafer holder 49: cylindrical support
50 : 유니트 바닥판 52 : 스핀척50: unit bottom plate 52: spin chuck
54 : 모터 60 : 승강구동기구(실린더)54: motor 60: lifting drive mechanism (cylinder)
62 : 승강가이드 64 : 냉각자켓62: lifting guide 64: cooling jacket
70 : 반입반출구 88 : 현상액 공급관70: import and export outlet 88: developer supply pipe
88a : 개구 89 : 현상액 공급부88a: Opening 89: Developer Supply Unit
90 : 현상액 92 : 아암90: developer 92: arm
94 : 가이드레일 96 : 포스트94: guide rail 96: post
102 : 린스노즐 104 : 아암102: rinse nozzle 104: arm
110 : 제어부 111 : Y축 구동기구110 control unit 111 Y-axis drive mechanism
112 : Z축 구동기구 115 : 대기부112: Z axis drive mechanism 115: atmospheric portion
116 : 세정기구 120 : 노즐본체116: cleaning mechanism 120: nozzle body
121 : 액토출부 122 : 액저장부121: liquid discharge unit 122: liquid storage unit
123 : 토출구 유로 124 : 유출구123: discharge port flow path 124: outlet
125 : 미세구멍 130 : 완충막대125: fine hole 130: buffer rod
131 : 나사홈 132 : 캡스토퍼131: screw groove 132: cap stopper
141,142 : 벤트통로 150 : 미세구멍 토출구141, 142: vent passage 150: fine hole discharge port
본 발명에 따른 현상장치는, 레지스트도포막을 가진 기판이 놓이는 얹어놓는대와, 이 얹어놓는대 상의 기판으로 현상액을 공급하는 노즐과, 이 노즐에 현상액을 공급하는 액공급기구와, 상기 노즐과 기판을 상대적으로 이동시키는 이동기구를 구비하는 현상장치로서, 상기 노즐은, 상기 액공급기구에 연이어 통하는 액입구와, 이 액입구를 통해 상기 액공급기구로부터 공급된 현상액을 잠정적으로 저장시켜 두는 액저장부와, 이 액저장부의 바닥부로 연이어 통하며, 상기 액저장부로부터의 현상액을 압력손실시키는 좁은 유로와, 이 좁은 유로에 연이어 통하는 토출구 유로를 가진 직선형태의 액토출부와, 상기 토출구 유로내에 설치되고, 또한 상기 좁은 유로의 출구근방에 배치되며, 좁은 유로로부터 나온 현상액의 기세를 약하게 하여, 상기 토출구로부터 토출되는 현상액이 상기 레지스트도포막에 주는 충격력을 저감시키는 완충부재를 구비하는 것을 특징으로 한다.The developing apparatus according to the present invention includes a mounting stage on which a substrate having a resist coating film is placed, a nozzle for supplying a developing solution to the substrate on the mounting stage, a liquid supply mechanism for supplying a developing solution to the nozzle, and the nozzle and the substrate. A developing device having a moving mechanism for relatively moving the liquid, wherein the nozzle includes a liquid inlet communicating with the liquid supply mechanism and a liquid storage for temporarily storing a developer supplied from the liquid supply mechanism through the liquid inlet. A liquid discharge portion having a straight line connected to the bottom portion of the liquid storage portion, and having a narrow flow passage for pressure loss of the developer from the liquid storage portion, a discharge flow passage connected to the narrow flow passage, and in the discharge flow passage. It is provided, and is disposed near the outlet of the narrow passage, weakens the momentum of the developing solution from the narrow passage to the discharge port And a buffer member for reducing the impact force exerted on the resist coated film by the developer discharged from the film.
완충부재는, 액토출부에서 바깥쪽으로 나오지 않도록 상기 토출구 유로내에 수납되어 있다. 또한 완충부재는, 액토출부의 최하단부보다 위쪽에 위치하는 것이 바람직하다.The buffer member is housed in the discharge port flow passage so as not to go outward from the liquid discharge portion. In addition, the buffer member is preferably located above the lowest end of the liquid discharge portion.
완충부재는, 단일의 막대형상체로 이루어지며, 적어도 토출구 유로의 한 끝단부에서 다른 끝단부까지 설치되어 있다. 이 경우에 막대형상체는, 그 양 끝단부가 액토출부에 의해 지지되어 있다. 막대형상체의 횡단면형상을 원형, 타원형 또는 표주박형의 어떤 것으로 하여도 좋다. 또한 막대형상체의 표면은 나사홈 가공하여도 좋다.The shock absorbing member is composed of a single rod-shaped member, and is provided at least from one end portion to the other end portion of the discharge port flow path. In this case, both ends of the rod-shaped body are supported by the liquid discharge portion. The cross-sectional shape of the rod-shaped body may be one of circular, elliptical or circumferential shape. The surface of the rod-shaped body may be screw grooved.
또한, 완충부재는, 복수의 분말형상체 또는 덩어리형상체로 이루어지며, 적어도 토출구 유로의 한 끝단부에서 다른 끝단부까지 설치하도록 하여도 좋다. 이 경우에 복수의 분말형상체 또는 덩어리형상체는, 액토출부의 하부에 의해 지지되어 있는 것이 바람직하다.Further, the buffer member may be formed of a plurality of powder bodies or agglomerates, and may be provided at least from one end portion to the other end portion of the discharge port flow path. In this case, it is preferable that the plurality of powdery bodies or lumpy bodies are supported by the lower portion of the liquid discharge portion.
좁은 유로는, 액저장부의 바닥부 중앙에서 개구하고, 또한 토출구 유로의 간극보다 작은 지름을 가진 다수의 미세구멍으로 하여도 좋으며, 또한 액저장부의 바닥부 중앙에서 개구하고, 또한 상기 토출구 유로의 폭보다 좁은 폭을 가진 슬릿으로 하여도 좋다.The narrow passage may be formed at the center of the bottom portion of the liquid storage portion, and may be a plurality of micropores having a diameter smaller than the gap of the discharge passage flow passage, and may be opened at the bottom center of the liquid storage portion, and the width of the discharge passage flow passage. A slit having a narrower width may be used.
직선형태의 액토출부는, 적어도 기판의 반경보다 길다. 이러한 노즐은 기판 상에 현상액을 액도포하기 쉽고, 퍼들현상을 용이하게 한다.The liquid discharge portion of the linear form is at least longer than the radius of the substrate. Such a nozzle is easy to apply liquid on a substrate and facilitates puddle development.
본 발명에 따른 현상노즐은, 포토리소그래피 프로세스에 사용되는 현상노즐로서, 현상액을 받아들이는 액입구와, 이 액입구를 통해 받아들인 현상액을 잠정적으로 저장시켜 두는 액저장부와, 이 액저장부의 바닥부에 연이어 통하며, 상기 액저장부로부터의 현상액을 압력손실시키는 좁은 유로와, 이 좁은 유로에 연이어 통하는 토출구 유로를 가진 직선형태의 액토출부와, 상기 토출구 유로내에 설치되고, 또한 상기 좁은 유로의 출구근방에 배치되며, 좁은 유로로부터 나온 현상액의 기세를 약하게 하여, 상기 토출구로부터 토출되는 현상액이 상기 레지스트도포막에 주는 충격력을 저감시키는 완충부재를 구비하는 것을 특징으로 한다.The developing nozzle according to the present invention is a developing nozzle used in a photolithography process, which includes a liquid inlet for receiving a developer, a liquid storage unit for temporarily storing a developer received through the liquid inlet, and a bottom of the liquid storage unit. A liquid discharge portion having a straight line having a narrow flow passage communicating with the portion and pressure-reducing the developing solution from the liquid storage portion, a discharge flow passage flowing through the narrow flow passage, and provided in the discharge flow passage; And a buffer member arranged near the exit of the outlet to weaken the momentum of the developing solution from the narrow flow path and to reduce the impact force of the developing solution discharged from the discharge port on the resist coating film.
완충부재는 좁은 유로의 개구의 바로 아래에 배치되고, 또한 액토출부의 최하단부보다 조금 위쪽에 위치하고 있다. 완충부재를 액토출부 속으로 끌어넣음으로써 액의 유지기능이 높아지고, 비사용시의 노즐의 토출구로부터 액이 낙하하지 않게 된다(액흐름 방지). 또한 완충부재가 토출구로부터 노출하지 않기 때문에, 이물질이 완충부재에 부착하지 않게 되어, 완충부재가 청정한 상태로 유지된다.The buffer member is disposed just below the opening of the narrow flow path, and is located slightly above the lowest end of the liquid discharge portion. By dragging the buffer member into the liquid discharge portion, the liquid retention function is increased, and the liquid does not fall from the discharge port of the nozzle when not in use (liquid flow prevention). In addition, since the buffer member is not exposed from the discharge port, foreign matter does not adhere to the buffer member, and the buffer member is kept in a clean state.
또한, 완충부재를 석영과 같은 친수성재료로 하기 때문에, 완충부재 및 토출구에 의한 액의 유지기능이 더욱 높아진다. 또한 액이 완충부재를 거쳐 좁은 유로로부터 토출구로 쉽게 인출되어, 액의 토출공급이 원활하게 된다.Further, since the buffer member is made of a hydrophilic material such as quartz, the holding function of the liquid by the buffer member and the discharge port is further enhanced. In addition, the liquid is easily drawn out from the narrow passage through the buffer member to the discharge port, so that the discharge supply of the liquid is smooth.
현상액은 알칼리성이기 때문에, 완충부재는 내알칼리성과 친수성을 겸비한 재료로 한다. 이러한 재료로서는 석영, 알루미나, 질화규소, 실리콘, 실리콘계 세라믹, 실리콘계 수지가 바람직하고, 석영이 가장 바람직하아. 석영은 친수성이 우수하기 때문에, 현상액이 헤더로부터 완충부재를 통하여 액토출구를 향해 신속하게 안내되어 공급되게 된다. 또한 석영으로 이루어진 완충부재는 현상액을 확실하게 유지하기 때문에, 액토출정지시에 있어서의 토출구로부터의 현상액의 낙하(액흐름)가 확실하게 방지된다. 또 실리콘 및 실리콘계 수지로 이루어진 완충부재는, 현상액에 용해되었다고 해도 해상도에 악영향을 미치지 않고, 오염이 되지 않는다.Since the developing solution is alkaline, the buffer member is made of a material having both alkali resistance and hydrophilicity. As such a material, quartz, alumina, silicon nitride, silicon, silicon-based ceramics and silicon-based resins are preferred, and quartz is most preferred. Since quartz has excellent hydrophilicity, the developer is rapidly guided and supplied from the header toward the liquid discharge port through the buffer member. In addition, the buffer member made of quartz reliably holds the developer, so that the drop (liquid flow) of the developer from the discharge port at the time of liquid discharge stop is reliably prevented. Moreover, even if it is melt | dissolved in a developing solution, the buffer member which consists of silicone and silicone resin does not adversely affect a resolution, and does not become a contamination.
(실시형태)Embodiment
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 여러가지 바람직한 실시형태에 대하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, various preferable embodiment of this invention is described with reference to an accompanying drawing.
도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이, 도포현상처리시스템(1)은, 카세트부 (10)와, 프로세스부(11)와, 인터페이스부(12)를 구비하고 있다. 이 시스템(1)은 인터페이스부(12)를 개재하여 도시하지 않은 노광장치에 접속되어 있다.1 to 3, the coating and developing processing system 1 includes a cassette section 10, a process section 11, and an interface section 12. This system 1 is connected to the exposure apparatus not shown through the interface part 12. As shown in FIG.
카세트부(10)는 얹어놓는대(20), 제 1 서브아암기구(21) 및 반송로를 구비하고 있다. 카세트 얹어놓는대(20)에는 도시하지 않은 반송로보트 또는 작업자가 카세트(CR)를 로드 또는 언로드하도록 되어 있다. 얹어놓는대(20)에 로드되는 카세트 (CR)에는 예를 들면 25매의 반도체 웨이퍼(W)가 수납되어 있다. 얹어놓는대(20) 상에는 4개의 돌기(20a)가 형성되며, 돌기(20a)에 의해 카세트(CR)가 처리시스템(1)에 대하여 각각 위치결정되도록 되어 있다.The cassette unit 10 includes a mounting table 20, a first subarm mechanism 21, and a conveying path. In the cassette mounting base 20, a conveying robot or an operator (not shown) loads or unloads the cassette CR. In the cassette CR loaded on the mounting table 20, for example, 25 semiconductor wafers W are stored. Four projections 20a are formed on the mounting table 20, and the cassettes CR are positioned with respect to the processing system 1 by the projections 20a, respectively.
반송로는 얹어놓는대(20)를 따라 X축방향으로 연이어져 나가고, 이 X축반송로 내에 제 1 서브아암기구(21)가 설치되어 있다. 제 1 서브아암기구(21)는 웨이퍼 (W)를 유지하기 위한 웨이퍼홀더(21a) 및 도시하지 않은 진퇴구동기구, X축구동기구, Z축구동기구, θ회전구동기구를 구비하고 있다. 진퇴구동기구는 웨이퍼홀더 (21a)를 전진 또는 후퇴시키고, X축구동기구는 웨이퍼홀더(21a)를 X축방향으로 이동시키며, Z축구동기구는 웨이퍼홀더(21a)를 Z축방향으로 이동시키고, θ회전구동기구는 웨이퍼홀더(21a)를 Z축 둘레로 회전시키도록 되어 있다. 제 1 서브아암기구 (21)는 카세트(CR)로부터 웨이퍼(W)를 출납시킴과 동시에, 프로세스부(11)의 얼라이먼트유니트(ALIM) 및 익스텐션유니트(EXT)로 억세스하도록 되어 있다.The conveyance path extends along the mounting table 20 in the X-axis direction, and the first sub-arm mechanism 21 is provided in the X-axis conveyance path. The first subarm mechanism 21 is provided with a wafer holder 21a for holding the wafer W, an advancing driving mechanism (not shown), an X axis driving mechanism, a Z axis driving mechanism, and a θ rotation driving mechanism. The advancing and driving mechanism moves the wafer holder 21a forward or backward, the X axis driving mechanism moves the wafer holder 21a in the X axis direction, and the Z axis driving mechanism moves the wafer holder 21a in the Z axis direction, θ. The rotary drive mechanism is configured to rotate the wafer holder 21a about the Z axis. The first subarm mechanism 21 takes out the wafer W from the cassette CR and accesses it to the alignment unit ALM and the extension unit EXT of the process unit 11.
프로세스부(11)는, 복수의 처리유니트군[G1∼G4(G5)], 주아암기구(22) 및 수직반송로(22a)를 구비하고 있다. 주아암기구(22)는 프로세스부(11)의 거의 중앙에 위치하고, 이 주아암기구(22)를 둘러싸도록 복수의 처리유니트군[G1∼G4(G5)]이 배치되어 있다.The process unit 11 includes a plurality of processing unit groups G1 to G4 (G5), a main arm mechanism 22, and a vertical transfer path 22a. The main arm mechanism 22 is located substantially in the center of the process section 11, and a plurality of processing unit groups G1 to G4 (G5) are arranged to surround the main arm mechanism 22.
도 3에 나타낸 바와 같이, 주아암기구(22)는, 반송부(46), 통형상 지지체 (49) 및 도시하지 않은 진퇴구동기구, Z축구동기구, θ회전구동기구를 구비하고 있다. 통형상 지지체(49)는 Z축방향으로 연이어져 나와 있다. Z축구동기구는 반송부 (46)를 통형상 지지체(49) 내에서 Z축방향으로 이동시키고, θ회전구동기구는 반송부(46)를 통형상 지지체(49) 내에서 Z축 둘레로 회전시키도록 되어 있다. 반송부 (46)는 복수의 웨이퍼홀더(48) 및 진퇴구동기구를 구비하고 있다. 진퇴구동기구는 각 웨이퍼홀더(48)를 독립적으로 전진 또는 후퇴시키도록 되어 있다.As shown in FIG. 3, the main arm mechanism 22 is provided with the conveyance part 46, the cylindrical support body 49, and the not-shown drive mechanism, Z-axis drive mechanism, and (theta) rotation drive mechanism. The cylindrical support 49 is extended in the Z-axis direction. The Z-axis driving mechanism moves the conveyance section 46 in the Z-axis direction within the cylindrical support 49, and the θ rotational drive mechanism rotates the conveyance section 46 around the Z-axis within the cylindrical support 49. It is supposed to be. The transfer section 46 includes a plurality of wafer holders 48 and a forward and backward drive mechanism. The advance drive mechanism is adapted to independently advance or retract each wafer holder 48.
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 제 1 및 제 2 처리유니트군(Gl,G2)은 시스템(1)의 앞면쪽에 나란히 배치되어 있다. 도 1 및 도 3에 나타낸 바와 같이 제 3 처리유니트군(G3)은 카세트부(10)에 인접하여 배치되고, 제 4 처리유니트군(G4)은 인터페이스부(12)에 인접하여 배치되어 있다. 또 도 1에 나타낸 바와 같이, 제 5 처리유니트군(G5)을 시스템(1)의 배면쪽에 증설하도록 하여도 좋다.As shown in Figs. 1 and 2, the first and second processing unit groups Gl and G2 are arranged side by side on the front side of the system 1. As shown in FIG. 1 and FIG. 3, the third processing unit group G3 is disposed adjacent to the cassette unit 10, and the fourth processing unit group G4 is disposed adjacent to the interface unit 12. As shown in FIG. 1, the fifth processing unit group G5 may be expanded on the rear side of the system 1.
제 1 처리유니트군(G1)은 2개의 스피너형처리유니트(COT)/(DEV)를 구비하고 있다. 이들 스피너형 처리유니트(COT)/(DEV)는 상하 2단으로 적층되고, 액처리용 컵(32)을 갖는다. 본 실시형태에서는 레지스트도포유니트(31)와 현상유니트(30)를 아래에서부터 차례로 적층하고 있다. 제 2 처리유니트군(G2)은 실질적으로 제 1 처리유니트군(G1)과 동일한 구성이다.The first processing unit group G1 includes two spinner type processing units COT / DEV. These spinner processing units (COT) / (DEV) are stacked in two stages up and down, and have a liquid processing cup 32. In this embodiment, the resist coating unit 31 and the developing unit 30 are laminated in order from the bottom. The second processing unit group G2 has substantially the same configuration as the first processing unit group G1.
도 3에 나타낸 바와 같이, 제 3 처리유니트군(G3)은, 8개의 오븐형 처리유니트를 구비하고 있다. 오븐형 처리유니트로서 쿨링유니트(COL), 어드히젼유니트 (AD), 얼라이먼트유니트(ALIM), 익스텐션유니트(EXT), 4개의 핫플레이트유니트(HP)가 아래에서 차례로 적층되어 있다. 또 얼라이먼트유니트(ALIM) 대신에 쿨링유니트 (COL)를 설치하여, 쿨링유니트(COL)에 웨이퍼(W)를 위치맞춤시키는 기능을 가지도록 하여도 좋다.As shown in FIG. 3, the 3rd process unit group G3 is equipped with eight oven type process units. As the oven type treatment unit, a cooling unit (COL), an advice unit (AD), an alignment unit (ALIM), an extension unit (EXT), and four hot plate units (HP) are stacked in this order. In addition, a cooling unit COL may be provided in place of the alignment unit ALM so as to have a function of aligning the wafer W with the cooling unit COL.
제 4 처리유니트군(G4)도 8개의 오븐형 처리유니트를 구비하고 있다. 오븐형 처리유니트로서 쿨링유니트(COL), 익스텐션·쿨링유니트(EXTCOL), 익스텐션유니트 (EXT), 쿨링유니트(COL) 및 4개의 핫플레이트유니트(HP)가 아래로부터 차례로 적층되어 있다.The fourth processing unit group G4 also includes eight oven-type processing units. As the oven-type processing unit, a cooling unit (COL), an extension / cooling unit (EXTCOL), an extension unit (EXT), a cooling unit (COL), and four hot plate units (HP) are stacked in this order from the bottom.
주아암기구(22)의 배면쪽에는 제 5 처리유니트군(G5)을 더욱 증설하는 것이 가능하다. 제 5 처리유니트군(G5)은 안내레일(25)을 따라 Y축방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다. 이 때문에 주아암기구(22)를 배후에서 유지관리할 수 있다. 제 5 처리유니트군(G5)은 제 3 및 제 4 처리유니트군(G3,G4)과 실질적으로 동일한 구성으로 한다.On the back side of the main arm mechanism 22, it is possible to further expand the fifth processing unit group G5. The fifth processing unit group G5 can move in the Y-axis direction along the guide rail 25. For this reason, the main arm mechanism 22 can be maintained behind. The fifth processing unit group G5 has substantially the same configuration as the third and fourth processing unit groups G3 and G4.
인터페이스부(12)는, 반송가능한 픽업카세트(CR)와, 고정형의 버퍼카세트 (BR)와, 주변노광장치(23)와, 제 2 서브아암기구(24)를 구비하고 있다. 제 2 서브아암기구(24)는 상기의 제 1 서브아암기구(21)와 실질적으로 동일하다. 제 2 서브아암기구(24)는 프로세스부(11)의 익스텐션유니트(EXT) 및 노광장치의 웨이퍼 받아넘김대(도시하지 않음)에 대하여 억세스가 가능하다.The interface unit 12 includes a pickup cassette CR that can be transported, a fixed buffer cassette BR, a peripheral exposure apparatus 23, and a second subarm mechanism 24. The second subarm mechanism 24 is substantially the same as the first subarm mechanism 21 described above. The second subarm mechanism 24 is accessible to the extension unit EXT of the process unit 11 and the wafer receptacle (not shown) of the exposure apparatus.
다음에, 도 4 및 도 5를 참조하면서 현상유니트(30)(DEV)에 대하여 설명한다.Next, the developing unit 30 (DEV) will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
현상유니트(30)의 한쪽 측면에 반입반출구(70)가 설치되어 있다. 반입반출구 (70)는 도시하지 않은 셔터에 의해 개폐되도록 되어 있다. 셔터를 열면, 주아암기구(22)의 웨이퍼홀더(48)에 유지된 웨이퍼(W)가 반입반출구(70)를 통해 현상유니트 (30)로 반입 또는 반출된다.A carry-in / out port 70 is provided on one side of the developing unit 30. The carrying in / out port 70 is opened and closed by the shutter which is not shown in figure. When the shutter is opened, the wafer W held in the wafer holder 48 of the main arm mechanism 22 is carried in or taken out to the developing unit 30 through the carrying in / out port 70.
현상유니트(30)의 대략 중앙에는 컵(32)이 배치되고, 컵(32)의 안쪽에는 스핀척(52)이 설치되어 있다. 스핀척(52)은 회전구동기구, 승강구동기구 및 진공흡착기구(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 회전구동기구의 모터(54)는 제어부(110)에 의해 제어되고, 이에 따라 스핀척(52)이 회전되도록 되어 있다. 승강구동기구(60)인 실린더는 제어부(110)에 의해 제어되고, 이에 따라 스핀척(52)이 승강되도록 되어 있다. 진공흡착기구의 펌프(도시하지 않음)는 제어부(110)에 의해 제어되고, 이에 따라 웨이퍼(W)가 스핀척(52)에 흡착유지되도록 되어 있다. 또한 부호 (58)은 알루미늄제의 캡플랜지, 부호 (62)는 승강가이드, 부호 (64)는 스텐레스강제의 냉각자켓이다. 캡플랜지(58)는 냉각자켓(64)의 상반부를 덮도록 부착되어 있다. 승강가이드(62)는 실린더(60)의 축과 평행하게 되도록 캡플랜지(58)에 부착되어 있다.The cup 32 is arrange | positioned substantially in the center of the developing unit 30, and the spin chuck 52 is provided in the inside of the cup 32. As shown in FIG. The spin chuck 52 includes a rotation drive mechanism, a lift drive mechanism, and a vacuum suction mechanism (not shown). The motor 54 of the rotary drive mechanism is controlled by the controller 110, whereby the spin chuck 52 is rotated. The cylinder, which is the lift drive mechanism 60, is controlled by the control unit 110, whereby the spin chuck 52 is raised and lowered. The pump (not shown) of the vacuum suction mechanism is controlled by the controller 110, whereby the wafer W is sucked and held by the spin chuck 52. Reference numeral 58 denotes a cap flange made of aluminum, reference numeral 62 denotes a lifting guide, and reference numeral 64 denotes a cooling jacket made of stainless steel. The cap flange 58 is attached to cover the upper half of the cooling jacket 64. The lifting guide 62 is attached to the cap flange 58 so as to be parallel to the axis of the cylinder 60.
현상처리시에 있어서, 캡플랜지(58)의 하단은, 유니트 바닥판(50)의 개구의 바깥둘레부근에서 유니트 바닥판(50)에 밀착하고, 이에 따라 유니트 내부가 밀폐된다. 스핀척(52)과 주아암기구(22)의 사이에서 웨이퍼(W)의 받아넘김이 행해질 때에는, 승강구동기구(60)가 구동모터(54) 내지 스핀척(52)을 위쪽으로 들어올림으로써 캡플랜지(58)의 하단이 유니트 바닥판(50)에서 뜨도록 되어 있다. 또 현상유니트 (30)의 측면에는 반입반출구(70)가 설치되고, 반입반출구(70)를 통해서 홀더(48)에 유지된 웨이퍼(W)가 유니트(30)로 출입하도록 되어 있다.At the time of development, the lower end of the cap flange 58 is in close contact with the unit bottom plate 50 near the outer periphery of the opening of the unit bottom plate 50, thereby sealing the inside of the unit. When the wafer W is flipped between the spin chuck 52 and the main arm mechanism 22, the lifting drive mechanism 60 lifts the drive motor 54 to the spin chuck 52 upwards. The lower end of the cap flange 58 is allowed to float on the unit bottom plate 50. A carrying in / out port 70 is provided on the side of the developing unit 30 so that the wafer W held in the holder 48 can enter and exit the unit 30 through the carry-in / out port 70.
현상노즐(86)은 공급관(88)을 통해 현상액공급부(89)로 연이어 통하고 있다. 현상액공급부(89)에는 USP No. 5,866,307호 공보에 개시된 가스압송방식을 이용한다. 이러한 현상액공급부(89)는 현상액(90)을 1∼2kgf/cm2의 압력으로 노즐(86)로 보낸다. 현상액공급부(89)로서는 현상액의 농도 및 온도가 고정밀도로 조정되어 있다. 또 현상액공급부(89)의 공급원에는 현상액으로서 2.38% tetramethylammonium hydroxide solution(TMAH액)이 수용되어 있다. 현상액에는 TMAH 이외에 미량의 표면활성제가 포함되어 있다.The developing nozzle 86 communicates with the developing solution supply unit 89 through the supply pipe 88. The developer supply unit 89 has a USP No. It uses the gas delivery method disclosed in Japanese Patent No. 5,866,307. The developer supply unit 89 sends the developer 90 to the nozzle 86 at a pressure of 1 to 2 kgf / cm 2 . As the developer supply unit 89, the concentration and the temperature of the developer are adjusted with high accuracy. In addition, a 2.38% tetramethylammonium hydroxide solution (TMAH solution) is contained in the supply source of the developer supply unit 89 as a developer. The developer contains a trace amount of the surfactant in addition to TMAH.
현상노즐(86)은 아암(92)의 선단부에 장착 및 이탈이 가능하도록 부착되어 있다. 가이드레일(94)이 유니트 바닥판(50) 상에 설치되어, Y축방향으로 연이어져 나와 있다. 아암(92)은 Z축구동기구(112)를 통해 포스트(96)에 동작 가능하도록 지지되고, 또한 포스트(96)는 Y축구동기구(111)를 통해 가이드레일(94)에 동작 가능하도록 지지되어 있다. Y축구동기구(111) 및 Z축구동기구(112)는 제어부(110)에 의해 각각 제어되며, 현상노즐(86)은 홈 위치로부터 사용위치까지의 사이에서 Y축 및 Z으로 이동하도록 되어 있다.The developing nozzle 86 is attached to the distal end of the arm 92 so that attachment and detachment are possible. The guide rail 94 is provided on the unit bottom plate 50 and extends in the Y-axis direction. The arm 92 is supported to be operable to the post 96 through the Z axis drive mechanism 112, and the post 96 is supported to be operable to the guide rail 94 via the Y axis drive mechanism 111. It is. The Y-axis driving mechanism 111 and the Z-axis driving mechanism 112 are controlled by the control unit 110, respectively, and the developing nozzle 86 moves on the Y-axis and Z between the home position and the use position. .
또한, 린스노즐(102)이 아암(104)의 선단부에 장착 및 이탈이 가능하도록 부착되어 있다. 아암(104)은 Z축구동기구(도시하지 않음)를 통해 포스트(106)에 동작 가능하도록 지지되고, 또한 포스트(106)는 Y축구동기구(도시하지 않음)를 통해 가이드레일(94)에 동작 가능하도록 지지되어 있다. 도시하지 않은 Y축구동기구 및 Z축구동기구는 제어부(110)에 의해 각각 제어되며, 린스노즐(102)은 홈위치에서부터 사용위치까지의 사이에서 Y축 및 Z축방향으로 이동되도록 되어 있다.In addition, the rinse nozzle 102 is attached to the distal end of the arm 104 so that attachment and detachment are possible. Arm 104 is operatively supported on post 106 via a Z axis drive mechanism (not shown), and post 106 is also supported on guide rail 94 via a Y axis drive mechanism (not shown). It is supported to be operable. The Y-axis drive mechanism and the Z-axis drive mechanism (not shown) are respectively controlled by the controller 110, and the rinse nozzle 102 is moved in the Y-axis and Z-axis directions from the home position to the use position.
도 5에 나타낸 바와 같이, 현상노즐(86)의 홈위치에는 노즐대기부(115)가 설치되어, 비사용시의 현상노즐(86)이 대기부(115)에서 대기하도록 되어 있다. 대기부(115)는 세정기구(116)를 가지며, 이 세정기구(116)에 의해 노즐(86)의 액토출부 (121)가 세정되도록 되어 있다.As shown in FIG. 5, the nozzle standby part 115 is provided in the home position of the developing nozzle 86, and the developing nozzle 86 at the time of non-use is waiting in the waiting part 115. As shown in FIG. The atmospheric section 115 has a cleaning mechanism 116, and the liquid discharge part 121 of the nozzle 86 is cleaned by the cleaning mechanism 116.
다음에, 도 6, 도 7A, 도 7B, 도 8, 도 9, 도 10을 참조하면서 현상노즐(86)에 대하여 설명한다.Next, the developing nozzle 86 will be described with reference to FIGS. 6, 7A, 7B, 8, 9, and 10.
현상노즐(86)의 본체(120)는 직선형태의 박스형상을 이루고 있으며, 그 내부에 액저장부(122), 유출구(124), 다수의 미세구멍(125), 토출구 유로(123)가 각각 형성되어 있다. 위에서부터 차례로 액저장부(122), 유출구(124), 다수의 미세구멍 (125), 토출구 유로(123)는 연이어 통하고 있다.The main body 120 of the developing nozzle 86 has a straight box shape, and the liquid storage part 122, the outlet port 124, the plurality of micro holes 125, and the discharge port flow path 123 are respectively formed therein. Formed. The liquid reservoir 122, the outlet 124, the plurality of micropores 125, and the discharge port flow passage 123 are connected in order from the top.
노즐본체(120)의 상부에는 덮개(129)가 씌워져 있다. 덮개(129)의 적절한 부위에는 현상액 공급관(88)이 부착되어 있다. 공급관(88)의 개구(88a)는 액저장부 (122)로 연이어 통하며, 현상액 공급부(89)로부터 공급관(88)을 통해 액저장부 (122)로 현상액(90)이 도입되도록 되어 있다. 또한 두개 또는 세개의 공급관(88)을 덮개(129)에 설치하는 것이 바람직하지만, 공급관(88)은 하나만이어도 좋다.The cover 129 is covered on the top of the nozzle body 120. The developer supply pipe 88 is attached to an appropriate portion of the lid 129. The opening 88a of the supply pipe 88 is connected to the liquid storage unit 122 so that the developer 90 is introduced into the liquid storage unit 122 from the developer solution supply unit 89 through the supply pipe 88. Moreover, although it is preferable to provide two or three supply pipes 88 to the cover 129, only one supply pipe 88 may be sufficient.
노즐본체(120)의 길이 L1은 웨이퍼(W)의 직경보다 약간 크다. 노즐본체(120)의 하부에는 직선형태의 액토출부(121)가 설치되어 있다. 슬릿형상의 토출구 유로 (123)가 액토출부(121)의 최하단부에서 개구하고, 토출구 유로(123)로부터 현상액 (90)이 토출공급되도록 되어 있다.The length L1 of the nozzle body 120 is slightly larger than the diameter of the wafer (W). The liquid discharge part 121 of the linear form is provided in the lower part of the nozzle body 120. The slit-shaped discharge port flow passage 123 is opened at the lowermost end of the liquid discharge portion 121, and the developer 90 is discharged and supplied from the discharge port flow passage 123.
액저장부(122)의 하부 중앙에는 오목한 유출구(124)가 형성되어 있다. 유출구(124)의 바닥부에는 다수의 미세구멍(125)이 개구하고 있다. 이들 미세구멍(125)은 노즐본체(120)의 긴 방향을 따라 동일한 피치간격으로 직렬로 배치되어 있다. 액저장부(122)는 미세구멍(125)을 통해 토출구 유로(123)에 연이어 통하고 있다. 미세구멍(125)(좁은 유로)은 유체회로의 저항으로서 작용하여, 액저장부(122)로부터의 액(90)의 압력을 저감(압력손실)시켜, 저압의 액(90)을 토출구 유로(123)로 보내는 기능을 가지는 것이다. 또 토출구 유로(123)는 미세구멍(125)보다 확대하여 확장되어 있다.A concave outlet 124 is formed in the lower center of the liquid storage unit 122. A plurality of fine holes 125 are opened at the bottom of the outlet 124. These micro holes 125 are arranged in series at equal pitch intervals along the long direction of the nozzle body 120. The liquid storage part 122 communicates with the discharge port flow path 123 through the micro holes 125. The micro-holes 125 (narrow flow paths) act as a resistance of the fluid circuit, thereby reducing the pressure of the liquid 90 from the liquid storage unit 122 (pressure loss), thereby reducing the low pressure liquid 90 to the discharge port flow path ( 123). In addition, the discharge port flow passage 123 is expanded and expanded than the fine hole 125.
노즐본체(120)는 PCTFE와 같은 발수성이 높은 수지재료를 사용하여 만드는 것이 바람직하다. 한편 완충막대(130)는, 석영이나 세라믹스와 같이 내약품성(특히 내알칼리성)에 뛰어난 재료로 만드는 것이 바람직하다. 또한 완충막대(130)는 석영과 같이 친수성 내지는 흡수성을 가지는 것이 바람직하다. 또한 완충막대(130)에 흡수성을 갖게 하기 위해서는 완충막대(130) 자체를 다공질의 재료(예를 들면 다공질세라믹)로 하여도 좋다. 또 완충막대(130)의 직경 D1은 2.5∼5.0mm의 범위로 하는 것이 바람직하다. 또한 슬릿형상의 토출구 유로(123)의 입구직경 D2는 3∼6mm의 범위로 하는 것이 바람직하다.The nozzle body 120 is preferably made of a high water-repellent resin material such as PCTFE. On the other hand, the buffer rod 130 is preferably made of a material excellent in chemical resistance (particularly alkali resistance) such as quartz and ceramics. In addition, the buffer rod 130 is preferably hydrophilic or absorbent like quartz. In addition, in order to give absorbency to the buffer rod 130, the buffer rod 130 itself may be made into a porous material (for example, a porous ceramic). The diameter D1 of the buffer rod 130 is preferably in the range of 2.5 to 5.0 mm. In addition, the inlet diameter D2 of the slit-shaped discharge port flow passage 123 is preferably in the range of 3 to 6 mm.
도 9 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 완충막대(130)가 토출구 유로(123) 속에 설치되어 있다. 이 완충막대(130)는 미세구멍(125)의 하부 개구의 바로 아래에 배치되며, 또한 액토출부(121)의 최하단부보다 조금 위쪽에 위치하고 있다. 즉 완충막대(130)로부터 액토출부(121)의 최하단부까지는 거리 L6가 있다. 이와 같이 완충막대(130)를 액토출부(121)의 속으로 끌어넣음으로써 액(90)의 유지기능이 높아져, 비사용시의 노즐의 토출구 유로(123)로부터 액(90)이 낙하하지 않게 된다(액흐름 방지). 또 완충막대(130)가 토출구 유로(123)로부터 노출하지 않기 때문에, 완충막대(130)에 이물질이 부착하기 어려워진다. 또한 완충막대(130)를 석영과 같은 친수성재료로 하기 때문에, 완충막대(130) 및 토출구 유로(123)에 의한 액(90)의 유지기능이 더욱 높아진다. 또한 액(90)이 완충막대(130)를 거쳐 미세구멍(125)으로부터 토출구 유로(123)로 빠져 나오기 쉽게 되어, 액(90)의 토출공급이 원활하게 이루어진다.As shown in FIG. 9 and FIG. 10, the buffer rod 130 is provided in the discharge port flow path 123. As shown in FIG. The buffer rod 130 is disposed just below the lower opening of the microhole 125 and is located slightly above the lowermost end of the liquid discharge part 121. That is, the distance L6 is from the buffer rod 130 to the lowest end of the liquid discharge part 121. As the buffer rod 130 is drawn into the liquid discharge part 121 in this manner, the holding function of the liquid 90 is increased, and the liquid 90 does not fall from the discharge port flow path 123 of the nozzle when not in use. (No liquid flow). In addition, since the buffer rod 130 is not exposed from the discharge port flow passage 123, foreign matters are difficult to adhere to the buffer rod 130. In addition, since the buffer rod 130 is made of a hydrophilic material such as quartz, the holding function of the liquid 90 by the buffer rod 130 and the discharge port flow passage 123 is further enhanced. In addition, the liquid 90 easily exits from the micro-holes 125 through the buffer rod 130 to the discharge port flow path 123, so that the discharge supply of the liquid 90 is smoothly performed.
도 7B 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 액토출부(121)의 양측부에는 구멍(127)이 각각 형성되며, 완충막대(130)는 한쪽의 구멍(127)으로부터 다른쪽의 구멍(127)까지에 걸쳐 삽입되어 있다. 완충막대(130)의 양 끝단부는 지지부(126)에 의해 지지되어 있다. 이들 지지부(126)의 내면은 나사절삭되어 있으며, 이것에 캡스토퍼 (132)가 밀어 넣어져 있다. 이와 같이 완충막대(130)의 양 끝단부는 지지부(126)와 캡스토퍼(132)로서 구속되어 있기 때문에, 완충막대(130)는 토출구 유로(123)로부터 낙하하지 않는다.As shown in FIGS. 7B and 8, holes 127 are formed at both sides of the liquid discharge part 121, and the buffer rod 130 extends from one hole 127 to the other hole 127. It is inserted over. Both ends of the buffer rod 130 are supported by the support 126. The inner surface of these support parts 126 is screw-cut, and the cap stopper 132 is pushed in this. As described above, since both ends of the buffer rod 130 are constrained by the support portion 126 and the cap stopper 132, the buffer rod 130 does not fall from the discharge port flow passage 123.
다음에 직경이 8인치인 웨이퍼용 노즐(86)의 각 부의 크기 등을 나타낸다.Next, the size of each part of the wafer nozzle 86 of 8 inches in diameter, etc. are shown.
노즐본체의 길이 L1 ; 250mmLength of nozzle body L1; 250 mm
토출구의 길이 L2 ; 214mmLength of discharge port L2; 214 mm
완충막대의 길이 L3 ; 221mmLength of buffer rod L3; 221 mm
노즐본체의 폭 L4 ; 38mmWidth of the nozzle body L4; 38 mm
노즐본체의 높이 L5 ; 36mmHeight of the nozzle body L5; 36 mm
완충막대로부터 토출구 하단까지의 거리 L6 ; 0.5∼2.0mmDistance L6 from the buffer rod to the lower end of the discharge port; 0.5-2.0mm
완충막대로부터 미세구멍 하단까지의 거리 L7 ; 0.2∼1.0mmDistance L7 from the buffer rod to the bottom of the micropore; 0.2-1.0mm
토출구하단에서 웨이퍼까지의 거리 L8 ; 0.5∼10.0mmThe distance from the lower end of the discharge port to the wafer L8; 0.5-10.0mm
완충막대의 직경 Dl ; 3.0mmDiameter of buffer rod Dl; 3.0mm
토출구의 직경 D2 ; 3.4mmDiameter D2 of the discharge port; 3.4mm
미세구멍의 직경 D3 ; 0.4mmDiameter of micropores D3; 0.4mm
미세구멍의 수 : 106Number of micropores: 106
미세구멍의 피치간격 ; 2.0mmPitch spacing of micropores; 2.0mm
다음에, 노광후 베이크(포스트익스포져베이크)된 화확증폭형 레지스트막을 상기의 현상유니트(30)에 의해 현상처리하는 경우에 대하여 설명한다.Next, a description will be given of a case where the developing unit 30 is subjected to a post-exposure bake (post exposure bake) development process using the development unit 30 described above.
주아암기구(22)는 홀더(48)로서 웨이퍼(W)를 유지하여, 반입반출구(70)에서 현상유니트(30) 내로 웨이퍼(W)를 반입한다. 승강구동기구(60)가 스핀척(52)을 상승시켜, 홀더(48)로부터 스핀척(52) 상에 웨이퍼(W)를 옮겨 싣는다. 스핀척(52)은 웨이퍼(W)를 진공으로 흡착유지하고, 주아암기구(22)는 홀더(48)를 현상유니트(30)로부터 퇴출시킨다. 또한 현상유니트(30)의 내부에는 위쪽으로부터 아래쪽으로 향하는 청정공기의 하강류가 형성되어 있다.The main arm mechanism 22 holds the wafer W as the holder 48, and loads the wafer W into the developing unit 30 at the loading / unloading port 70. The lifting driving mechanism 60 raises the spin chuck 52 and moves the wafer W from the holder 48 onto the spin chuck 52. The spin chuck 52 sucks and holds the wafer W in a vacuum, and the main arm mechanism 22 removes the holder 48 from the developing unit 30. In addition, a downward flow of clean air is formed in the developing unit 30 from the top to the bottom.
이어서, 현상노즐(86)을 홈위치에서 사용위치까지 이동시켜, 액토출부(121)를 웨이퍼(W)에 근접시킨다. 현상액공급부(89)로부터 소정의 공급압력으로 노즐 (86)에 현상액을 공급하고, 이 공급압력에 의해 노즐(86)로부터 현상액(90)을 띠형태로 토출시킨다. 노즐(86)로부터 현상액(90)을 토출시키면서, 웨이퍼(W)를 1/2회전 이상, 예컨대 1회전시킴으로써, 또는 현상노즐(86)을 가이드레일(94)을 따라 스캔이동시킨다. 현상액(90)은 액저장부(122), 유출구(124) 및 미세구멍(125)을 차례로 통과하여, 완충막대(130)에 충돌한 후에, 토출구 유로(123)로 빠져 나간다.Subsequently, the developing nozzle 86 is moved from the home position to the use position to bring the liquid discharge part 121 close to the wafer W. FIG. The developing solution is supplied from the developing solution supply unit 89 to the nozzle 86 at a predetermined supply pressure, and the developing solution 90 is discharged from the nozzle 86 in the form of a band by this supply pressure. While discharging the developing solution 90 from the nozzle 86, the wafer W is rotated by 1/2 or more, for example, by one rotation, or the developing nozzle 86 is scanned and moved along the guide rail 94. FIG. The developing solution 90 passes through the liquid storage unit 122, the outlet port 124, and the fine holes 125 in order, collides with the buffer rod 130, and then exits into the discharge port flow path 123.
이 때 현상액(90)은, 먼저 미세구멍(125)을 통과할 때에 압력손실하고, 이어서 완충막대(130)에 충돌하여 기세가 약해져서, 완충막대(130)와 액토출부(121)의 내벽과의 간극[토출구 유로(123)의 일부]을 통하여 토출구 유로(123)에서 빠져 나간다. 이 때문에 현상액(90)은 레지스트도포막 상에 부드럽게 랜딩하여, 노광잠상에 중대한 영향을 미치지 않고, 퍼들현상에 필요한 양의 현상액(90)이 웨이퍼(W) 상으로 신속하게 공급된다.At this time, the developer 90 loses pressure when passing through the micro-holes 125 first, and then impinges on the buffer rod 130 to weaken the momentum. Thus, the inner wall of the buffer rod 130 and the liquid discharge part 121 and It exits from the discharge port flow path 123 through the clearance gap (part of discharge port flow path 123). For this reason, the developer 90 is gently landed on the resist coating film so that the developer 90 in the required amount for the puddle development is quickly supplied onto the wafer W without significantly affecting the latent exposure.
더구나, 액토출부(121)가 슬릿형상을 이루고 있기 때문에, 완충막대(130)를 따라 현상액(90)이 넓은 범위에 걸쳐 균일하게 확장하여 확산된다. 따라서 종래에, 특히 현상액의 공급 불균일이 생기기 쉽던 스캔 이동방식인 경우에도, 현상액이 공급되지 않은 부분을 없앨 수 있어, 현상처리를 균일하게 진행시킬 수 있다.In addition, since the liquid discharge part 121 has a slit shape, the developing solution 90 is uniformly expanded and spread over a wide range along the buffer rod 130. Therefore, even in the case of the scan movement method in which a supply unevenness of a developer tends to occur, in particular, the portion to which the developer is not supplied can be eliminated, and the development can be carried out uniformly.
이와 같이 하여 소정시간 현상처리가 종료한 후, 웨이퍼(W)가 스핀척(52)에 의해 회전되어 현상액이 웨이퍼(W)에서 원심분리제거된다. 그 후 린스노즐(102)이 웨이퍼(W)의 위쪽으로 이동되어, 린스노즐(102)로부터 세정액이 토출되어 웨이퍼 (W) 상에 잔존하는 현상액이 씻겨 나간다. 이어서 스핀척(52)이 고속으로 회전되어, 웨이퍼(W) 상에 잔존하는 현상액 및 세정액이 날려서 웨이퍼(W)가 건조되고, 이에 따라 일련의 현상처리가 종료한다.In this manner, after the predetermined time development processing is completed, the wafer W is rotated by the spin chuck 52 so that the developer is centrifuged off from the wafer W. As shown in FIG. Thereafter, the rinse nozzle 102 is moved above the wafer W, the cleaning liquid is discharged from the rinse nozzle 102, and the developer remaining on the wafer W is washed away. Subsequently, the spin chuck 52 is rotated at a high speed, and the developer and cleaning solution remaining on the wafer W are blown to dry the wafer W, thereby completing a series of development processes.
그 후, 현상노즐(86)을 대기부(115)로 이동시키고, 노즐세정기구(노즐버스) (116)에 의해 현상노즐(86)의 액토출부(121)를 세정한다.Thereafter, the developing nozzle 86 is moved to the standby section 115, and the liquid discharge part 121 of the developing nozzle 86 is cleaned by the nozzle cleaning mechanism (nozzle bus) 116.
다음에, 도 11 내지 도 16을 참조하면서 본 발명의 다른 실시형태에 대하여 각각 설명한다.Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 to 16, respectively.
도 11에 나타낸 바와 같이, 현상노즐(86A)은 단면이 타원형상인 충돌막대 (130A)를 가지고 있다. 충돌막대(130A)는 타원의 장축이 연직방향이 되도록 액토출부(121)에 지지되어 있다. 이러한 형상의 충돌막대(130A)는 토출구 유로(123) 중에서의 액(90)의 유동을 촉진시키기 때문에, 토출구 유로(123)로부터 액(90)이 더욱 원활하게 토출되게 된다. 또 충돌막대의 단면형상은 타원이나 둥근원에만 한정되지 않고, 이것을 역삼각형, 마름모꼴, 하트형으로 하여도 좋다.As shown in Fig. 11, the developing nozzle 86A has an impingement rod 130A having an elliptical cross section. The impingement rod 130A is supported by the liquid discharge part 121 so that the long axis of an ellipse becomes a perpendicular direction. Since the impingement rod 130A of this shape promotes the flow of the liquid 90 in the discharge port flow path 123, the liquid 90 is discharged more smoothly from the discharge port flow path 123. In addition, the cross-sectional shape of the collision bar is not limited to an ellipse or a round circle, but may be an inverted triangle, a lozenge, or a heart.
도 12에 나타낸 바와 같이, 현상노즐(86B)은 나사가공된 충돌막대(130B)를 가지고 있다. 충돌막대(130B)의 바깥둘레면에는 나사홈(131)이 형성되어 있다. 이러한 형상의 충돌막대(130B)는 액유지기능 및 액안내기능이 우수하다.As shown in Fig. 12, the developing nozzle 86B has a screw rod 130B. A screw groove 131 is formed on the outer circumferential surface of the collision bar 130B. The collision bar 130B of this shape is excellent in the liquid holding function and the liquid guide function.
또한, 현상노즐(86B)은 좁은 유로로서의 슬릿(125B)을 구비하고 있다. 슬릿 (125B)은 액저장부(122) 및 토출구 유로(123)에 각각 연이어 통하고 있다. 슬릿 (125B)(좁은 유로)은 유체회로의 저항으로서 작용하여, 액저장부(122)로부터의 액 (90)의 압력을 저감(압력손실)시킨다. 슬릿(125B)의 폭은 0.3∼0.5mm로 하는 것이 바람직하다. 이러한 슬릿(125B)에 의해 감압된 액(90)을 더욱 완충막대(130B)로서 기세를 약하게 하기 때문에, 토출구 유로(123)로부터 토출되는 액(90)은 웨이퍼(W)에 대하여 거의 충격을 주지 않게 된다.The developing nozzle 86B is also provided with a slit 125B as a narrow flow path. The slit 125B communicates with the liquid storage part 122 and the discharge port flow path 123, respectively. The slit 125B (narrow flow path) acts as a resistance of the fluid circuit to reduce the pressure of the liquid 90 from the liquid reservoir 122 (pressure loss). The width of the slit 125B is preferably 0.3 to 0.5 mm. Since the liquid 90 decompressed by the slit 125B is further weakened as the buffer rod 130B, the liquid 90 discharged from the discharge port flow path 123 hardly impacts the wafer W. FIG. Will not.
도 13에 나타낸 바와 같이, 현상노즐(86C)은 단면이 표주박형상인 충돌막대 (130C)를 가지고 있다. 충돌막대(130C)는 오목부분(130n)이 좌우양측에 위치하도록 액토출부(121)에 지지되어 있다. 이러한 형상의 충돌막대(130C)도 액유지기구 및 액안내기능이 우수하다.As shown in Fig. 13, the developing nozzle 86C has a collision rod 130C having a circumferential thin cross section. The impingement rod 130C is supported by the liquid ejecting portion 121 so that the recessed portions 130n are located at the left and right sides. The impingement rod 130C of this shape is also excellent in the liquid holding mechanism and the liquid guide function.
도 14에 나타낸 바와 같이, 현상노즐(86D)은 완충부재로서 다수의 완충구 (130D)를 가지고 있다. 이들 완충구(130D)는 토출구 유로(123) 내에서 일렬로 나란하도록 액토출부(121)에 유지되어 있다. 또 완충구(130D)의 직경은 3∼5mm로 하는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 14, the developing nozzle 86D has a plurality of buffer holes 130D as buffer members. These buffer holes 130D are held in the liquid discharge part 121 so as to be parallel to each other in the discharge port flow path 123. Moreover, it is preferable that the diameter of the buffer opening 130D shall be 3-5 mm.
도 15에 나타낸 바와 같이, 현상노즐(86E)은 복수의 벤트통로(141,142)를 구비하고 있다. 벤트통로(141)의 하단은 토출구 유로(123)에 연이어 통하고 있다. 벤트통로(141)의 상단은 벤트통로(142)에 연이어 통하고 있다. 한쪽의 벤트통로(141)는 노즐본체(120)의 측벽 내부에 형성되고, 다른쪽의 벤트통로(142)는 덮개(129)를 관통하여 위쪽으로 개구하고 있다. 이러한 벤트통로(141,142)는 토출구 유로(123)의 내압을 대기압으로 유지할 수 있기 때문에, 토출구 유로(123)로부터의 액(90)의 토출을 촉진시킨다. 또한 벤트통로(141,142)는 미세구멍이어도 좋고 슬릿이더라도 좋다.As shown in FIG. 15, the developing nozzle 86E includes a plurality of vent passages 141 and 142. The lower end of the vent passage 141 is in communication with the discharge port passage 123. The upper end of the vent passage 141 is in communication with the vent passage 142. One vent passage 141 is formed inside the side wall of the nozzle body 120, and the other vent passage 142 opens upward through the cover 129. Since the vent passages 141 and 142 can maintain the internal pressure of the discharge passage flow passage 123 at atmospheric pressure, the vent passages 141 and 142 promote discharge of the liquid 90 from the discharge passage flow passage 123. The vent passages 141 and 142 may be fine holes or slits.
도 16에 나타낸 바와 같이, 현상노즐(86F)은 액토출부(121)의 선단에 더욱 복수의 미세구멍 토출구(150)를 구비하고 있다. 이들 미세구멍 토출구(150)는 토출구 유로(123)에 연이어 통하고 있다. 이러한 미세구멍 토출구(150)에 의해 더욱 액(90)의 토출압력이 저감된다.As shown in FIG. 16, the developing nozzle 86F is further provided with the some micro hole discharge port 150 at the front-end | tip of the liquid discharge part 121. FIG. These fine hole discharge ports 150 communicate with the discharge port flow path 123 in succession. The micro-hole discharge port 150 further reduces the discharge pressure of the liquid 90.
본 발명에 의하면, 완충부재에 의해 현상액의 토출압력(또는 토출속도)을 저감하고, 현상액이 기판에 충돌하였을 때의 충격력을 될 수 있는 한 작게 할 수 있기 때문에, 패턴잠상을 손상시키지 않고 고해상도로 레지스트막을 현상할 수 있다.According to the present invention, it is possible to reduce the discharge pressure (or discharge speed) of the developing solution by the buffer member and to reduce the impact force when the developing solution collides with the substrate as small as possible, so that the pattern latent image is not damaged. The resist film can be developed.
Claims (20)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP151362 | 1999-05-31 | ||
| JP15136299A JP3616275B2 (en) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | Liquid treatment apparatus, treatment liquid supply nozzle used therefor, and liquid treatment method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000077484A true KR20000077484A (en) | 2000-12-26 |
| KR100596957B1 KR100596957B1 (en) | 2006-07-04 |
Family
ID=15516893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000029242A KR100596957B1 (en) | 1999-05-31 | 2000-05-30 | Developing apparatus and developing nozzle |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6267516B1 (en) |
| JP (1) | JP3616275B2 (en) |
| KR (1) | KR100596957B1 (en) |
| TW (1) | TW478051B (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100788390B1 (en) * | 2001-12-29 | 2007-12-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Manufacturing Apparatus of Liquid Crystal Display Devices |
| KR100811068B1 (en) * | 2007-03-27 | 2008-03-06 | 한국기계연구원 | Mixing gas injection nozzle for liquid crystal display photo register exclusion |
| KR100984349B1 (en) * | 2003-05-28 | 2010-09-30 | 삼성전자주식회사 | Spreading apparatus |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3526266B2 (en) * | 2000-10-12 | 2004-05-10 | 沖電気工業株式会社 | Photoresist developing nozzle, photoresist developing apparatus, and photoresist developing method |
| JP3713447B2 (en) * | 2001-04-05 | 2005-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | Development processing equipment |
| TW548143B (en) * | 2001-06-29 | 2003-08-21 | Dainippon Screen Mfg | Substrate application apparatus, liquid supply apparatus and method of manufacturing nozzle |
| JP3869306B2 (en) | 2001-08-28 | 2007-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | Development processing method and developer coating apparatus |
| JP4632595B2 (en) * | 2001-09-07 | 2011-02-16 | 大日本印刷株式会社 | Coating device |
| US6811613B2 (en) * | 2001-11-26 | 2004-11-02 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming apparatus |
| KR100959740B1 (en) | 2002-06-07 | 2010-05-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing device |
| US6770424B2 (en) * | 2002-12-16 | 2004-08-03 | Asml Holding N.V. | Wafer track apparatus and methods for dispensing fluids with rotatable dispense arms |
| US7041172B2 (en) * | 2003-02-20 | 2006-05-09 | Asml Holding N.V. | Methods and apparatus for dispensing semiconductor processing solutions with multi-syringe fluid delivery systems |
| JP4199102B2 (en) * | 2003-12-18 | 2008-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing method, substrate processing system, and developer supply nozzle |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7255747B2 (en) | 2004-12-22 | 2007-08-14 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with independent stations |
| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| CN102320753A (en) * | 2011-08-09 | 2012-01-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | The coating apparatus of glass substrate and coating process thereof |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221345A (en) * | 1990-10-12 | 1993-06-22 | National Galvanizing Inc. | Method and apparatus for coating a strip |
| TW297910B (en) | 1995-02-02 | 1997-02-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| TW309503B (en) | 1995-06-27 | 1997-07-01 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JP3280883B2 (en) * | 1996-05-08 | 2002-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Development processing method and development processing apparatus |
| TW535216B (en) | 1996-09-13 | 2003-06-01 | Tokyo Electron Ltd | Photoresist processing method and photoresist processing system |
-
1999
- 1999-05-31 JP JP15136299A patent/JP3616275B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-05-30 TW TW089110504A patent/TW478051B/en not_active IP Right Cessation
- 2000-05-30 KR KR1020000029242A patent/KR100596957B1/en active IP Right Grant
- 2000-05-30 US US09/583,384 patent/US6267516B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100788390B1 (en) * | 2001-12-29 | 2007-12-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Manufacturing Apparatus of Liquid Crystal Display Devices |
| KR100984349B1 (en) * | 2003-05-28 | 2010-09-30 | 삼성전자주식회사 | Spreading apparatus |
| KR100811068B1 (en) * | 2007-03-27 | 2008-03-06 | 한국기계연구원 | Mixing gas injection nozzle for liquid crystal display photo register exclusion |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000340495A (en) | 2000-12-08 |
| US6267516B1 (en) | 2001-07-31 |
| KR100596957B1 (en) | 2006-07-04 |
| TW478051B (en) | 2002-03-01 |
| JP3616275B2 (en) | 2005-02-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130531 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140603 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150601 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160527 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170530 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180618 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190618 Year of fee payment: 14 |