KR20000065912A - 반도체 제조장비의 공정부산물 배기구조 - Google Patents

반도체 제조장비의 공정부산물 배기구조 Download PDF

Info

Publication number
KR20000065912A
KR20000065912A KR1019990012673A KR19990012673A KR20000065912A KR 20000065912 A KR20000065912 A KR 20000065912A KR 1019990012673 A KR1019990012673 A KR 1019990012673A KR 19990012673 A KR19990012673 A KR 19990012673A KR 20000065912 A KR20000065912 A KR 20000065912A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pump
trap
vacuum line
traps
exhaust structure
Prior art date
Application number
KR1019990012673A
Other languages
English (en)
Inventor
박치균
Original Assignee
김영환
현대반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대반도체 주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR1019990012673A priority Critical patent/KR20000065912A/ko
Publication of KR20000065912A publication Critical patent/KR20000065912A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조장비의 공정부산물 배기구조에 관한 것으로, 공정챔버(11)에서 발생된 공정부산물을 배기시키기 위한 공정챔버(11)에 연결된 진공라인(L1)(L2)을 2개의 평행한 구조로 분기시켜 펌프(12)에 연결하고, 상기 각각의 진공라인(L1)(L2)에는 공정부산물을 걸러주기 위한 트랩(14-1)(14-2)을 구비하며, 상기 각 트랩(14-1)(14-2)의 상하측에는 트랩(14-1)(14-2)의 교체시 진공라인(L1)(L2)을 진공상태로 유지시키기 위한 밸브(15-1a)(15-1b)(15-2a)(15-2b)를 결합함으로써, 다량의 공정부산물을 펌프(12) 전단에서 진공라인(L1)(L2)의 오염없이 포집 제거가 가능하기 때문에 펌프(12)의 수명을 연장할 수 있으므로 장비의 유지비용 상승을 억제함과 동시에 공정 안정성 및 신뢰성을 향상시키고, 또한 펌프(12)의 작동을 중단하지 않고 트랩(14-1)(14-2)의 교체가 가능하므로 펌프(12)의 성능을 유지함과 아울러 장비의 가동율을 상승시키게 된다.

Description

반도체 제조장비의 공정부산물 배기구조{EXHAUST STRUCTURE OF BY-PRODUCT IN SEMICONDUTOR FABRICATING DEVICE}
본 발명은 반도체 제조장비의 공정부산물 배기구조에 관한 것으로, 특히 펌프의 전단에 트윈 트랩을 설치하여 반도체 제조공정 중에 발생하는 부산물을 효과적으로 제거할 수 있도록 한 것이다.
일반적으로 반도체 제조장비들은 공정챔버(1)에 연결된 진공라인(L)의 일단부에 공정부산물을 펌핑하기 위한 펌프(2)가 설치되어 있고, 이 펌프(2)의 일측에는 스크러버(3)가 연결 설치되어 있다.
이와 같은 반도체 제조장비 중에서 도 1은 부산물이 비교적 적은 공정에 사용되는 것으로, 공정챔버(1)와 펌프(2)의 사이 그리고 펌프(2)와 스크러버(3) 사이에 트랩(4)을 설치하지 않은 상태로 공정을 진행할 때 사용된다.
도 2는 공정부산물이 비교적 많이 발생되는 공정에서 사용되는 것으로, 펌프(2)와 스크러버(3)를 연결하는 진공라인(L)에 트랩(4)을 설치하여 공정부산물을 제거하기 위한 구조이다.
이와 같은 반도체 제조장비에서 공정부산물을 제거하기 위해서는 펌프(2)와 스크러버(3) 사이에 설치된 트랩(4)에 일정 기간 경과후 공정부산물이 쌓이면 공정을 중단하고 펌프(2)와 스크러버(3)의 가동을 멈춘 다음 트랩(4)을 분리하여 새로운 트랩을 장착한다. 그후 펌프(2)와 스크러버(3)의 가동을 시작하고 공정을 재개한다.
그리고 도 3은 공정부산물이 유난히 많이 발생되는 공정에서 사용되는 것으로, 공정챔버(1)와 펌프(2) 사이에 트랩(4)을 설치하여 공정부산물을 제거하기 위한 구조이다.
이와 같은 구조에서는 공정챔버(1)와 펌프(2)를 연결하는 진공라인(L)에 트랩(4)을 설치하여 일정 기간 경과후 부산물이 쌓이면 공정을 중단하고 펌프(2)와 스크러버(3)의 가동을 멈춘 다음 트랩(4)을 분리하고 준비된 새로운 트랩을 장착한다. 그 다음 펌프(2)와 스크러버(3)의 가동을 시작하고 트랩(4) 교체시 연결 부위의 누수 여부를 확인하고 확인이 완료되면 공정을 재개한다.
한편, 도 2 및 도 3에 도시된 반도체 제조장비에서 교체된 트랩(4)은 내부 세척 및 부품 교환 후 다음 교체 주기 때 사용할 수 있도록 보관한다.
그러나, 도 2와 같은 기술은 펌프(2)의 뒷단에 트랩(4)이 설치되어 있어 부산물들이 펌프(2)를 거쳐가기 때문에 펌프(2) 내부에 부산물이 퇴적되어 펌프(2)가 부하를 받으므로 진공 성능이 저하되고 펌프(2)의 수명도 짧아지는 문제점이 있었다.
그리고 도 3과 같은 기술은 부산물이 많이 발생하기 때문에 펌프(2) 전단에 트랩(4)을 설치하여 자주 교체하여 부산물을 제거하기 위한 것인데, 트랩(4)의 교체시 펌프(2)와 스크러버(3)의 운전을 멈추어야 하며 트랩(4) 분리시 공정챔버(1)와 펌프(2) 사이의 진공라인(L)이 대기에 노출되어 오염될 우려가 있으며, 진공라인(L)을 자주 세척해야 하므로 장비의 가동률을 저하시키는 문제점이 있었다.
또한, 펌프(2)의 잦은 운전 정지와 펌프(2)의 대기 접촉으로 펌프(2) 내부에 부산물이 증가하여 펌프(2)의 진공 성능이 떨어져 펌프(2)의 수명이 짧아지는 문제점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 펌프의 전단에 트윈 트랩을 설치하여 한개의 트랩은 공정 진행시에 사용하고, 다른 한개는 트랩의 교체시 펌프의 가동 중단없이 교체 사용할 수 있도록 함으로써 진공라인의 오염방지 및 펌프의 수명 유지와 공정 신뢰성을 확보할 수 있도록 한 반도체 제조장비의 공정부산물 배기구조를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1 내지 도 4는 종래 기술에 의한 공정부산물 배기구조를 보인 개략도.
도 5는 본 발명에 의한 공정부산물 배기구조를 보인 개략도.
도 6 및 도 7은 도 5의 공정부산물 배기구조를 이용하여 공정을 진행하는 상태를 보인 개략도.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**
11 ; 공정챔버 12 ; 펌프
13 ; 스크러버 14-1,14-2 ; 트랩
15-1a,15-1b,15-2a,15-2b ; 밸브 16-1,16-2 ; 벤트라인
17-1,17-2 ; 벤트밸브 L1,L2 ; 진공라인
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 공정챔버에서 발생된 공정부산물을 배기시키기 위한 공정챔버에 연결된 진공라인을 2개의 평행한 구조로 분기시켜 펌프에 연결하고, 상기 각각의 진공라인에는 공정부산물을 걸러주기 위한 트랩을 구비하며, 상기 각 트랩의 상하측에는 트랩의 교체시 진공라인을 진공상태로 유지시키기 위한 밸브를 결합하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 의한 반도체 제조장비의 공정부산물 배기구조를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 공정부산물 배기구조는 도 5에 도시한 바와 같이, 공정챔버(11)에 연결된 진공라인을 제 1진공라인(L1)과 제 2진공라인(L2)의 2개의 평행한 구조로 분기하여 펌프(12)에 연결하고, 이 각각의 진공라인(L1)(L2)에는 공정챔버(11)에서 발생된 공정부산물을 걸러주기 위한 트랩(14-1)(14-2)을 구비한다.
그리고 상기 각각의 트랩(14-1)(14-2)의 상하측에는 트랩(14-1)(14-2)의 교체시 진공라인(L1)(L2)을 진공상태로 유지시키기 위한 밸브(15-1a)(15-1b)(15-2a)(15-2b)가 결합된다.
또한, 상기 각 트랩(14-1)(14-2)과 트랩의 하단부에 설치된 밸브(15-1b)(15-2b)의 사이에는 트랩(14-1)(14-2)의 분리시 진공라인(L1)(L2)으로부터 트랩(14-1)(14-2)을 용이하게 분리하도록 질소 벨트라인(16-1)(16-2)이 연결되며, 이 각각의 질소 벤트라인(16-1)(16-2)에는 벤트밸브(17-1)(17-2)가 구비된다.
미설명부호 (13)은 스크러버이다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 의한 공정부산물 배기구조의 작용을 설명하면 다음과 같다.
우선, 공정챔버(11)에서 발생된 공정부산물을 배기시키기 위해서 제 1트랩(14-1)을 사용할 때는 도 6에 도시한 바와 같이 제 1, 2밸브(15-1a)(15-1b)는 개방되고, 제 2트랩(14-2)의 양단에 결합된 제 3, 4밸브(15-2a)(15-2b)는 닫힌 상태이다.
사용 중인 제 1트랩(14-1)의 교체 주기가 되면, 제 1진공라인(L1)의 제 1, 2밸브(15-1a)(15-1b)를 닫음과 동시에 제 2진공라인(L2)의 제 3, 4밸브(15-2a)(15-2b)를 연다.
그와 동시에 제 1벤트밸브(16-1)를 열어 제 1진공라인(L1)에 질소를 공급하여 제 1진공라인(L1)에 잔존하는 공정부산물을 벤트시킨다.
그후, 제 1트랩(14-1)을 제 1진공라인(L1)으로부터 분리하고 준비된 새로운 트랩으로 교체하고, 제 2밸브(15-1b)를 열어 교체된 트랩을 진공으로 만들고 제 1진공라인(L1)과의 연결부에 누수가 발생하는지를 검사한다.
한편, 상기 제 1트랩(14-1)을 교체하는 동안 공정부산물은 도 7에 도시한 바와 같이 제 2진공라인(L2)에 설치된 제 2트랩(14-2)을 통해 제거되므로 공정은 중단되지 않고 지속적으로 진행된다. 따라서, 장비의 운행 중단없이 공정이 이루어지기 때문에 펌프의 성능 유지에도 기여할 수 있고, 아울러 생산성을 향상시키게 된다.
그리고 상기 제 2트랩(14-2)의 교체시에도 상술한 제 1트랩(14-1)의 교체 경우와 동일하다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 다량의 공정부산물을 펌프 전단에서 진공라인의 오염없이 포집 제거가 가능하기 때문에 펌프의 수명을 연장할 수 있으므로 장비의 유지비용 상승을 억제함과 동시에 공정 안정성 및 신뢰성을 향상시키고, 또한 펌프의 작동을 중단하지 않고 트랩의 교체가 가능하므로 펌프의 성능을 유지함과 아울러 장비의 가동율을 상승시키게 된다.

Claims (2)

  1. 공정챔버에서 발생된 공정부산물을 배기시키기 위한 공정챔버에 연결된 진공라인을 2개의 평행한 구조로 분기시켜 펌프에 연결하고, 상기 각각의 진공라인에는 공정부산물을 걸러주기 위한 트랩을 구비하며, 상기 각 트랩의 상하측에는 트랩의 교체시 진공라인을 진공상태로 유지시키기 위한 밸브를 결합하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 공정부산물 배기구조.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 각 트랩과 트랩의 하측에 설치된 밸브 사이에는 질소 벤트라인을 연결하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 공정부산물 배기구조.
KR1019990012673A 1999-04-10 1999-04-10 반도체 제조장비의 공정부산물 배기구조 KR20000065912A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990012673A KR20000065912A (ko) 1999-04-10 1999-04-10 반도체 제조장비의 공정부산물 배기구조

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990012673A KR20000065912A (ko) 1999-04-10 1999-04-10 반도체 제조장비의 공정부산물 배기구조

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000065912A true KR20000065912A (ko) 2000-11-15

Family

ID=19579341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990012673A KR20000065912A (ko) 1999-04-10 1999-04-10 반도체 제조장비의 공정부산물 배기구조

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20000065912A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100964320B1 (ko) * 2008-03-25 2010-06-17 주식회사 미래보 입자 관성을 이용한 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및부산물 포집장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100964320B1 (ko) * 2008-03-25 2010-06-17 주식회사 미래보 입자 관성을 이용한 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및부산물 포집장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100923695B1 (ko) 반응과 이송 섹션으로 구분된 챔버를 포함하는 반도체가공장치
WO2015182699A1 (ja) 真空排気システム
CN208444821U (zh) 晶圆传送装置及半导体工艺设备
CN102192400B (zh) 高压干燥空气供给系统
KR19990003264A (ko) 반도체장치 제조설비 및 이의 구동방법
CN113351591A (zh) 一种真空系统和管道清洁的方法
JP2015227618A (ja) 真空排気システム
KR20000065912A (ko) 반도체 제조장비의 공정부산물 배기구조
US20230143115A1 (en) Preventive Maintenance Method for Chamber of Metal Etching Machine
CN104743523B (zh) 一种气体净化装置及其气体净化方法
KR100983335B1 (ko) 태양전지용 웨이퍼의 이송장치
JP5342386B2 (ja) イオン発生装置のソースハウジングに堆積したフッ素化合物を除去する方法およびイオン発生装置
CN115083643A (zh) 高温气冷堆系统及其气氛切换系统和气氛切换方法
CN210509523U (zh) 一种环保施工用空压机消声装置
JP2002217166A (ja) ガス処理装置のクリーニング方法
CN215319042U (zh) 一种用于真空吸附过程的除水装置
CN205461421U (zh) 智能式净化结构
CN112657992A (zh) 一体化半导体晶圆清洗机及清洗方法
CN104746551A (zh) 双过滤反冲自清污取水装置及其工作方式
CN217829476U (zh) 一种高效的VOCs气体吸附装置
CN211575125U (zh) 用于炉渣风冷工艺的危废物焚烧系统
JP2020056373A (ja) 真空排気システム
CN105642030B (zh) 智能式净化方法和结构
CN206566642U (zh) 一种用于印刷台面的真空管道
CN103157329B (zh) 一种陶瓷过滤板的清洗方法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
WITN Withdrawal due to no request for examination