KR20000062749A - Reflect-type liquid crystal display device - Google Patents

Reflect-type liquid crystal display device Download PDF

Info

Publication number
KR20000062749A
KR20000062749A KR1020000010873A KR20000010873A KR20000062749A KR 20000062749 A KR20000062749 A KR 20000062749A KR 1020000010873 A KR1020000010873 A KR 1020000010873A KR 20000010873 A KR20000010873 A KR 20000010873A KR 20000062749 A KR20000062749 A KR 20000062749A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
reflective
display electrode
film
substrate
Prior art date
Application number
KR1020000010873A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
히시다미쯔오끼
Original Assignee
다카노 야스아키
산요 덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다카노 야스아키, 산요 덴키 가부시키가이샤 filed Critical 다카노 야스아키
Publication of KR20000062749A publication Critical patent/KR20000062749A/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Abstract

고작업 처리량으로서 실온에서 형성한 Al의 반사율과 마찬가지로 높은 반사율을 얻을 수 있는 반사형 액정 표시 장치를 제공한다.Provided is a reflective liquid crystal display device capable of obtaining a high reflectance similar to the reflectance of Al formed at room temperature as a high throughput.

스위칭 소자, 및 상기 스위칭 소자에 접속되어 도전성 반사 재료로 이루어지는 반사 표시 전극을 구비한 제1 기판과, 상기 표시 전극에 대향한 대향 전극을 구비한 제2 기판을 갖고 있고, 양 기판은 상호 대향하여 배치되어 양 기판 사이에 액정을 개재하고 있다. 반사 표시 전극(19)은 Al-Nd 합금으로 이루어져 있고, Al에의 Nd의 첨가량은 1wt% 이상으로 함으로써, 기판 가열 온도에 상관없이 고반사율의 반사 표시 전극을 얻을 수 있다.A first substrate having a switching element, and a reflective display electrode connected to the switching element and made of a conductive reflective material; and a second substrate having a counter electrode opposite to the display electrode. It arrange | positions and interposes liquid crystal between both board | substrates. The reflective display electrode 19 is made of an Al-Nd alloy, and the amount of Nd added to Al is 1 wt% or more, whereby a reflective display electrode having a high reflectance can be obtained regardless of the substrate heating temperature.

Description

반사형 액정 표시 장치{REFLECT-TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}Reflective Liquid Crystal Display {REFLECT-TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

본 발명은 반사형 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a reflective liquid crystal display device.

종래부터, 관찰 방향으로부터 입사한 빛을 반사시켜 표시를 보는 소위 반사형 액정 표시 장치가 제안되고 있다.Background Art Conventionally, a so-called reflection type liquid crystal display device that reflects light incident from an observation direction and sees a display has been proposed.

도 1은 일반적인 반사형 액정 표시 장치의 단면도를 나타낸다.1 is a cross-sectional view of a typical reflective liquid crystal display device.

동 도면에 도시된 바와 같이, 반사형 액정 표시 장치는, 석영 유리, 무알칼리 유리등으로 이루어지는 절연성 기판(10) 상에, 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(이하, 「TFT」라고 함.)를 형성한다.As shown in the figure, the reflective liquid crystal display device forms a thin film transistor (hereinafter referred to as "TFT") as a switching element on an insulating substrate 10 made of quartz glass, alkali free glass, or the like. .

우선, 절연성 기판(TFT 기판 : 10) 상에, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo)등의 고융점 금속으로 이루어지는 게이트 전극(11), 게이트 절연막(12), 및 다결정 실리콘막으로 이루어지는 능동층(13)을 순서대로 형성한다.First, an active layer made of a gate electrode 11 made of a high melting point metal such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), a gate insulating film 12, and a polycrystalline silicon film (TFT substrate: 10). 13) are formed in order.

그 능동층(13)에는, 게이트 전극(11) 상측의 채널(13c)과, 이 채널(13c)의 양측에, 채널(13c) 상의 스토퍼 절연막(14)을 마스크로 하여 이온 주입되어 형성되는 소스(13s) 및 드레인(13d)이 설치되어 있다.The active layer 13 is formed by ion implantation of the channel 13c on the upper side of the gate electrode 11 and the stopper insulating film 14 on the channel 13c as a mask on both sides of the channel 13c. 13s and 13d are provided.

그리고, 게이트 절연막(12), 능동층(13) 및 스토퍼 절연막(14) 상의 전면에, SiO2막, SiN막 및 SiO2막의 순서대로 적층된 층간 절연막(15)을 형성하고, 드레인(13d)에 대응하여 설치한 컨택트 홀에 알루미늄(Al)등의 금속을 충전하여 드레인 전극(16)을 형성한다. 또한, 전면에, 예를 들면 유기 수지로 이루어져 표면을 평탄하게 하는 평탄화 절연막(17)을 형성한다. 그리고, 그 평탄화 절연막(17)의 소스(13s)에 대응한 위치에 컨택트 홀을 형성하고, 이 컨택트 홀을 통해 소스(13s)와 컨택트한 알루미늄(Al)으로 이루어져 소스 전극(18)을 겸한 반사 전극인 반사 표시 전극(19)을 평탄화 절연막(17) 상에 형성한다. 그리고, 그 반사 표시 전극(19) 상에 폴리이미드등의 유기 수지로 이루어져 액정(21)을 배향시키는 배향막(20)을 형성한다.Then, on the entire surface of the gate insulating film 12, the active layer 13, and the stopper insulating film 14, an interlayer insulating film 15 laminated in the order of the SiO 2 film, the SiN film and the SiO 2 film is formed, and the drain 13d is formed. A drain electrode 16 is formed by filling a metal such as aluminum (Al) into the contact hole provided correspondingly. In addition, the planarization insulating film 17 which consists of organic resin, for example, and makes a surface flat is formed in the whole surface. A contact hole is formed at a position corresponding to the source 13s of the planarization insulating film 17, and is made of aluminum (Al) contacted with the source 13s through the contact hole to serve as a source electrode 18. The reflective display electrode 19, which is an electrode, is formed on the planarization insulating film 17. And the alignment film 20 which consists of organic resins, such as polyimide, on the reflective display electrode 19 and orients the liquid crystal 21 is formed.

또한, TFT 기판(10)에 대향하여 절연성 기판으로 이루어지는 대향 전극 기판(30)에는, TFT 기판(10)측에, 빨강(R), 초록(G), 파랑(B)의 각 색 및 차광 기능을 갖는 블랙 매트릭스(32)를 구비한 컬러 필터(31), 그 위에 형성된 수지로 이루어지는 보호막(33), 그 전면에 형성된 대향 전극(34) 및 배향막(35)을 구비하고 있고, 그 반대측의 면에는 위상 차판(43)과 편광판(41)이 배치되어 있다. 그리고, 대향 전극 기판(30)과 TFT 기판(10)의 주변을 시일 접착제(도시하지 않음)에 의해 접착하고, 이에 따라 형성된 공극에 트위스트 네마틱(TN) 액정(21)을 개재한다.In addition, the counter electrode substrate 30 made of an insulating substrate facing the TFT substrate 10 has a color and light blocking function of red (R), green (G), and blue (B) on the TFT substrate 10 side. A color filter 31 having a black matrix 32 having a structure; a protective film 33 made of a resin formed thereon; a counter electrode 34 formed on the entire surface thereof; and an alignment film 35; The retardation plate 43 and the polarizing plate 41 are arranged in this. Then, the periphery of the counter electrode substrate 30 and the TFT substrate 10 is adhered with a seal adhesive (not shown), and the twisted nematic (TN) liquid crystal 21 is interposed in the gap formed thereby.

상술된 반사형 액정 표시 장치를 관찰할 때의 빛의 진행 방법을 설명한다.A light propagation method when observing the above-described reflective liquid crystal display device will be described.

외부로부터 입사되는 자연광(100)은, 파선 화살표로 나타낸 바와 같이, 관찰자(101)측의 편광판(41)으로부터 입사하고, 대향 전극 기판(30), 컬러 필터(31), 보호막(33), 대향 전극(34), 배향막(35), 배향막(20), TN 액정(21), TFT 기판(10) 상의 배향막(20)을 투과하여, 반사 표시 전극(19)으로서 반사되고, 그 후 입사와 역의 방향으로 각 층을 투과하여 대향 전극 기판(30) 상의 편광판(41)으로부터 출사하여 관찰자의 눈(101)으로 들어간다.The natural light 100 incident from the outside enters from the polarizing plate 41 on the observer 101 side as indicated by the broken arrow, and opposes the electrode substrate 30, the color filter 31, the protective film 33, and the opposing side. After passing through the electrode 34, the alignment film 35, the alignment film 20, the TN liquid crystal 21, and the alignment film 20 on the TFT substrate 10, they are reflected as the reflective display electrode 19, and thereafter, the inverse of the incidence Through each layer in the direction of, it exits from the polarizing plate 41 on the counter electrode substrate 30 and enters the observer's eye 101.

그런데, 반사 표시 전극(19)은 스퍼터법을 이용하여 형성하지만, 종래부터 막형성시나 기판 가열중에 발생하는 잔류 불순물 가스, 주로 진공 챔버 내로부터 발생하는 수분에 의해 형성하는 막내에의 영향이 확인되고 있다. Al막의 형성시에는 잔류 불순물 가스에 의해 Al의 표면에 발생하는 힐록 및 표면의 백탁이 확인되고 있다. 그러나, 기판을 가열하지 않고 챔버 내벽으로부터의 가스 발생을 적게 하여 실온에서 스퍼터하는 경우에는, Al막의 표면에 힐록이 발생하거나, 잔류 불순물 가스에 의한 표면의 백탁은 발생하기 어렵기 때문에, 실온에서의 성막시에는 고반사율의 Al 막을 얻을 수 있다.By the way, although the reflective display electrode 19 is formed using the sputtering method, the influence in the film | membrane formed by the residual impurity gas which generate | occur | produces conventionally at the time of film formation or the substrate heating, mainly the moisture generated in the vacuum chamber, is confirmed, have. At the time of formation of the Al film, hillocks and turbidity on the surface of Al are confirmed by the residual impurity gas. However, when sputtering at room temperature with less generation of gas from the inner wall of the chamber without heating the substrate, it is difficult to generate hillocks on the surface of the Al film or to cause turbidity of the surface due to residual impurity gas. At the time of film formation, an Al film having a high reflectance can be obtained.

특히, 복수의 성막 공정, 즉 다른 타겟 재료를 하나의 스퍼터 장치로 연속하여 행하는 경우, 예를 들면 TFT의 게이트 전극을 형성하는 공정에서 스퍼터 장치 내를 약 200℃ 정도로 가열하여 Cr의 스퍼터를 행한 후에, 연속하여 동일 스퍼터 장치로 반사 표시 전극의 Al을 스퍼터할 때에는, 스퍼터 장치 내의 내벽으로부터 발생하는 잔류 불순물 가스가 스퍼터한 Al로 혼입하고, Al 표면에 힐록이 생겨 표면이 요철 형상으로 되고, 반사율이 저하한다는 결점이 있었다.In particular, in the case where a plurality of film forming processes, that is, different target materials are successively performed in one sputtering apparatus, for example, in the process of forming a gate electrode of a TFT, after the inside of the sputtering apparatus is heated to about 200 ° C., sputtering of Cr is performed. When continuously sputtering Al of the reflective display electrode with the same sputtering device, residual impurity gas generated from the inner wall of the sputtering device is mixed into sputtered Al, and hillocks are formed on the Al surface, and the surface becomes uneven. There was a drawback to deterioration.

또한, 스퍼터 장치 내의 내벽으로부터 발생하는 잔류 불순물 가스의 Al에의 혼입에 의해 Al막 표면이 백탁해 반사율이 저하한다는 결점도 있었다.In addition, there is a drawback that the Al film surface becomes cloudy due to mixing of residual impurity gas generated from the inner wall in the sputter device into Al, resulting in a decrease in reflectance.

또한, 그 스퍼터 장치 내의 내벽으로부터 발생하는 불순물 잔류 가스를 제거하기 위해서는 더욱 고진공으로 하거나 또는 불순물 잔류 가스가 발생하기 어렵도록 스퍼터 장치 내의 기판 온도가 저하하는 것을 기다렸다가 스퍼터할 필요가 있다. Cr를 200℃에서 스퍼터한 후에 실온까지 내려가는데 약 7시간이나 걸리고, 매우 작업 처리량이 저하한다는 결점도 있었다.In addition, in order to remove the impurity residual gas generated from the inner wall of the sputtering apparatus, it is necessary to wait for the substrate temperature in the sputtering apparatus to decrease and to sputter so as to make it more vacuum or hard to generate the impurity residual gas. After sputtering Cr at 200 ° C, it took about 7 hours to drop to room temperature, and there was a drawback that the throughput was very low.

그래서 본 발명은, 상기된 종래의 결점에 감안하여 이루어진 것으로, 고작업 처리량으로서 실온에서 형성한 Al의 반사율과 마찬가지로 높은 반사율을 얻는 것이 가능한 반사형 액정 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above-described conventional drawbacks, and an object thereof is to provide a reflective liquid crystal display device capable of obtaining a high reflectance similar to that of Al formed at room temperature as a high throughput.

본 발명의 반사형 액정 표시 장치는, 상호 대향하여 배치된 제1 및 제2 기판사이에 액정을 개재하고 있어, 상기 제1 기판에는 스위칭 소자, 및 상기 스위칭 소자에 접속되어 도전성 반사 재료로 이루어지는 반사 표시 전극을 구비하고, 상기 제2 기판에는 상기 표시 전극에 대향한 대향 전극을 구비하고 있고, 상기 반사 표시 전극은 알루미늄 합금으로 이루어지는 것이다.In the reflective liquid crystal display device of the present invention, a liquid crystal is interposed between the first and second substrates disposed to face each other, and the first substrate includes a switching element and a reflection connected to the switching element and made of a conductive reflective material. A display electrode is provided, The second substrate is provided with an opposing electrode facing the display electrode, and the reflective display electrode is made of an aluminum alloy.

또한, 본 발명은, 상기 알루미늄 합금이 알루미늄(Al)과 네오지움(Nd)의 합금인 반사형 액정 표시 장치이다.In addition, the present invention is a reflective liquid crystal display device wherein the aluminum alloy is an alloy of aluminum (Al) and neodymium (Nd).

또한, 본 발명은, 상기 알루미늄 합금에의 네오지움의 혼합비는 1중량% 이상인 반사형 액정 표시 장치이다.Moreover, this invention is a reflection type liquid crystal display device whose mixing ratio of the neodymium to the said aluminum alloy is 1 weight% or more.

도 1은 본 발명의 반사형 액정 표시 장치의 단면도.1 is a cross-sectional view of a reflective liquid crystal display device of the present invention.

도 2는 본 발명의 반사형 액정 표시 장치의 Al에의 Nd의 첨가량에 대한 힐록 발생율의 관계를 나타낸 도면.Fig. 2 is a graph showing the relationship between the hillock generation rate and the amount of Nd added to Al in the reflective liquid crystal display of the present invention.

도 3은 본 발명의 반사형 표시 장치의 Al-Nd 합금의 반사율을 나타낸 도면.3 is a view showing reflectance of an Al-Nd alloy of the reflective display device of the present invention.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

10 : TFT 기판10: TFT substrate

13 : 능동층13: active layer

19 : 반사 표시 전극19: reflective display electrode

21 : 액정21: liquid crystal

22 : 층간 절연막22: interlayer insulation film

26 : 평탄화 절연막26: planarization insulating film

30 : 대향 전극 기판30: counter electrode substrate

31 : 컬러 필터31: color filter

본 발명의 반사형 액정 표시 장치에 대해 이하에 설명한다.The reflective liquid crystal display device of the present invention will be described below.

도 1은 본 발명의 반사형 액정 표시 장치의 단면도를 도시한다.1 is a cross-sectional view of a reflective liquid crystal display device of the present invention.

동 도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 경우에는, 석영 유리, 무알칼리 유리등으로 이루어지는 절연성 기판(10) 상에 스위칭 소자인 TFT를 형성한다.As shown in the figure, in the present embodiment, a TFT which is a switching element is formed on an insulating substrate 10 made of quartz glass, alkali-free glass, or the like.

한쪽 절연성 기판(10) 상에 Cr, Mo 등의 고융점 금속으로 이루어지는 게이트 전극(11)의 형성으로부터 평탄화 절연막(17)의 형성까지는 종래의 구조와 동일하므로 설명을 생략한다.The formation of the planarization insulating film 17 from the formation of the gate electrode 11 made of high melting point metals such as Cr and Mo on the one insulating substrate 10 to the formation of the planarization insulating film 17 is omitted.

평탄화 절연막(17) 상에는, 다결정 실리콘막으로 이루어지는 능동층(13)의 소스(13s)에 접속된 반사 표시 전극(19)을 형성한다.On the planarization insulating film 17, the reflective display electrode 19 connected to the source 13s of the active layer 13 which consists of a polycrystalline silicon film is formed.

여기서, 반사 표시 전극(19)에 대해 설명한다.Here, the reflective display electrode 19 will be described.

반사 표시 전극(19)은 반사 도전성 재료로 이루어지고, 그 재료는 Al과 네오지움(Nd)의 합금으로 이루어지고 있다.The reflective display electrode 19 is made of a reflective conductive material, and the material is made of an alloy of Al and neodymium (Nd).

이와 같이, 반사 표시 전극(19)을 Al와 네오지움(Nd)과의 합금으로 형성함으로써, 높은 반사율의 반사 표시 전극을 형성할 수 있다.In this way, the reflective display electrode 19 is formed of an alloy of Al and neodymium Nd, whereby a reflective display electrode having a high reflectance can be formed.

도 2는 본 발명의 반사형 액정 표시 장치의 표시 전극의 상대 반사율을 나타낸다. 또, 동 도면 중, 기판 온도 200℃에서 성막한 Al-Nd 합금을 이용한 경우의 반사율을 실선으로 나타내고, 기판 온도 200℃에서 성막한 순수한 Al를 이용한 경우의 반사율을 일점 쇄선으로 나타낸다. 또, 실온에서 성막한 순수한 Al를 이용한 경우의 반사율을 파선으로 나타내었다. 또한, 동 도면의 횡축은 Al 표면에 조사한 빛의 파장을 나타내고, 종축은 기준으로 한 Al 시료의 각 파장에 있어서의 반사율을 100으로 하고, 그것에 대한 상대적인 반사율을 나타낸다.2 shows the relative reflectance of the display electrode of the reflective liquid crystal display of the present invention. Moreover, in the same figure, the reflectance at the time of using the Al-Nd alloy formed into a film at the substrate temperature of 200 degreeC is shown by the solid line, and the reflectance at the time of using pure Al formed into a film at the substrate temperature of 200 degreeC is shown by a dashed-dotted line. Moreover, the reflectance at the time of using pure Al formed into a film at room temperature is shown with the broken line. In addition, the horizontal axis | shaft of the same figure shows the wavelength of the light irradiated to the Al surface, and the vertical axis | shaft makes the reflectance in each wavelength of Al sample which is a reference | standard into 100, and shows the relative reflectance with respect to it.

동 도면에 도시된 바와 같이, 200℃에서 성막한 순수한 Al만을 이용한 경우에는, 400㎚로부터 700㎚에 걸쳐 서서히 반사율이 높게는 이루어지지만, 기껏 700㎚로부터 800㎚에 있어서 대강 95% 정도의 반사율밖에 얻을 수 없다.As shown in the figure, when only pure Al deposited at 200 ° C. is used, the reflectance gradually increases from 400 nm to 700 nm, but at most 700 nm to 800 nm, the reflectance is approximately 95%. Can not get

그런데, 200℃에서 성막한 Al-Nd 합금의 반사율은 각 파장에서 대강 105% 정도의 고반사율을 얻을 수 있다. 이것은, 성막을 실온에서 행한 경우의 순수한 Al의 경우와 동일한 고반사율이다.By the way, the reflectance of the Al-Nd alloy formed into a film at 200 degreeC can obtain the high reflectance of about 105% at each wavelength. This is the same high reflectance as that of pure Al when film formation is performed at room temperature.

이와 같이, 반사 표시 전극의 재료를 Al-Nd 합금으로 함에 따라, 종래와 같이 순수한 Al를 재료로 하는 경우와 같이, 스퍼터 장치 내의 기판 온도를 실온으로까지 저하시켜 성막하지 않아도 고반사율의 반사 표시 전극을 얻을 수 있다.In this way, the material of the reflective display electrode is made of Al-Nd alloy, so that the reflective display electrode of high reflectivity is required even if the film temperature in the sputtering device is lowered to room temperature and not formed, as in the case of using pure Al as a conventional material. Can be obtained.

도 3은 Al에의 Nd의 첨가량과, 그 첨가량에 따르는 Al-Nd 합금에 발생하는 힐록 발생율과의 관계를 나타내는 그래프를 나타낸다. 또, 동 도면은, Nd의 첨가량이 0중량 %(wt%)의 경우를 100으로 하고, 각각의 Nd 첨가량에 따른 힐록의 발생율을 상대적으로 나타낸 것이다.Fig. 3 shows a graph showing the relationship between the amount of Nd added to Al and the Hillock generation rate generated in the Al-Nd alloy according to the amount added. In addition, the same figure shows the case where the addition amount of Nd is 0 weight% (wt%) as 100, and the generation | occurrence | production rate of Hillock according to each addition amount of Nd is shown comparatively.

동 도면에 도시된 바와 같이, 힐록 발생율은 Al에의 Nd 첨가량이 1wt%를 경계로 그 이상의 경우에는 힐록의 발생율이 0으로 되어 있다.As shown in the figure, the hillock generation rate is that when the amount of Nd added to Al is more than 1 wt%, the hillock generation rate is zero.

즉, Nd 첨가량을 1wt% 이상으로 함으로써 힐록이 발생하지 않고, Al 합금의 표면이 평탄한 것을 알 수 있다. 따라서, Al-Nd 합금, 특히 Nd 첨가량을 1wt%이상의 Al-Nd 합금을 반사 표시 전극으로서 이용함에 따라, 반사율의 향상을 도모할 수 있다.That is, it turns out that hillock does not generate | occur | produce by making Nd addition amount 1 wt% or more, and the surface of Al alloy is flat. Therefore, the Al-Nd alloy, especially the Al-Nd alloy of 1 wt% or more of Nd addition amount, is used as the reflective display electrode, whereby the reflectance can be improved.

상술된 바와 같이, 반사 표시 전극의 재료를 Al-Nd 합금으로 함에 따라, 복수의 공정을 연속하여 스퍼터 장치로써 성막할 때에, 고온으로 기판을 가열한 후에 Al-Nd 합금을 성막했다고 해도 표면에 힐록 및 Al표면의 백탁이 발생하는 일이 없다.As described above, when the material of the reflective display electrode is made of Al-Nd alloy, when a plurality of processes are successively formed with a sputtering device, even if the Al-Nd alloy is formed after heating the substrate at a high temperature, it is possible to heel-lock the surface. And clouding of the Al surface does not occur.

따라서, 고온의 재료를 스퍼터한 후에 반사 표시 전극 재료를 성막하는 데, 기판 온도가 실온으로 저하할 때까지 장시간 대기할 필요가 없어지고, 작업 처리량이 매우 높아짐과 함께, 고반사율의 반사 표시 전극막을 얻을 수 있다.Therefore, in order to form a reflective display electrode material after sputtering a high temperature material, it is not necessary to wait for a long time until the substrate temperature falls to room temperature, the throughput becomes very high, and the reflective display electrode film of high reflectance is formed. You can get it.

본 발명에 따르면, 고작업 처리량으로서 실온에 있어서의 잔류 불순물 가스의 발생이 없는 상태에서 형성한 Al의 반사율과 마찬가지로 높은 반사율을 얻는 것이 가능한 반사형 액정 표시 장치를 얻을 수 있다.According to the present invention, it is possible to obtain a reflective liquid crystal display device capable of obtaining a high reflectance similar to the reflectance of Al formed in a state where no residual impurity gas is generated at room temperature as a high throughput.

Claims (3)

서로 대향하여 배치된 제1 및 제2 기판 사이에 액정을 개재하고, 상기 제1 기판에는 스위칭 소자, 및 상기 스위칭 소자에 접속되고 도전성 반사 재료로 이루어지는 반사 표시 전극을 구비하고, 상기 제2 기판에는 상기 표시 전극에 대향한 대향 전극을 구비하고, 상기 반사 표시 전극은 알루미늄 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.A liquid crystal is interposed between the first and second substrates disposed to face each other, and the first substrate includes a switching element, and a reflective display electrode connected to the switching element and made of a conductive reflective material. And a counter electrode facing the display electrode, wherein the reflective display electrode is made of an aluminum alloy. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 알루미늄 합금은 알루미늄(Al)과 네오디뮴(Nd)의 합금인 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.And the aluminum alloy is an alloy of aluminum (Al) and neodymium (Nd). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 알루미늄 합금에의 네오디뮴의 혼합비는 1중량% 이상인 것을 특징으로 하는 반사형 액정 표시 장치.The mixing ratio of neodymium to the aluminum alloy is 1% by weight or more.
KR1020000010873A 1999-03-05 2000-03-04 Reflect-type liquid crystal display device KR20000062749A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1999-058740 1999-03-05
JP11058740A JP2000258787A (en) 1999-03-05 1999-03-05 Reflection type liquid crystal display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000062749A true KR20000062749A (en) 2000-10-25

Family

ID=13092931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000010873A KR20000062749A (en) 1999-03-05 2000-03-04 Reflect-type liquid crystal display device

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2000258787A (en)
KR (1) KR20000062749A (en)
TW (1) TW484025B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100742985B1 (en) * 2001-02-13 2007-07-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 a reflective and transflective LCD and a method of fabricating thereof

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3908552B2 (en) 2001-03-29 2007-04-25 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR100467944B1 (en) * 2002-07-15 2005-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Transflective Liquid Crystal Display Device and Method for fabricating the same
EP1592050A4 (en) * 2003-02-05 2007-10-17 Idemitsu Kosan Co Method for manufacturing semi-transparent semi-reflective electrode substrate, reflective element substrate, method for manufacturing same, etching composition used for the method for manufacturing the reflective electrode substrate
CN107861287B (en) * 2017-12-13 2020-06-26 京东方科技集团股份有限公司 Display panel, display device and preparation method of display panel

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100742985B1 (en) * 2001-02-13 2007-07-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 a reflective and transflective LCD and a method of fabricating thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000258787A (en) 2000-09-22
TW484025B (en) 2002-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3908552B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP3732956B2 (en) Reflective liquid crystal display
US6285424B1 (en) Black mask, color filter and liquid crystal display
US7068335B2 (en) Reflective-transmission type thin film transistor liquid crystal display with non-oxidizing metal layer in first pixel electrode
KR100628679B1 (en) Array panel, method for fabricating a Liquid crystal display device
KR20020014993A (en) Liquid crystal display device
KR100846958B1 (en) Liquid crystal display and manufacturing thereof
KR100602546B1 (en) Reflection type liquid crystal display device
KR100604717B1 (en) Liquid crystal display and method for fabricating the same
JPH1039334A (en) Array substrate and liquid crystal display device
KR20000062749A (en) Reflect-type liquid crystal display device
JP4019080B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
KR100292049B1 (en) Liquid crystal display
KR100922792B1 (en) Method for manufacturing array substrate of the liquid crystal display device
JP4380821B2 (en) Liquid crystal display
CN100476536C (en) In plane mode-switching LCD device
KR20000012085A (en) Reflective liquid crystal display device
JP2000250067A (en) Liquid crystal display device
JP4183329B2 (en) Liquid crystal display
JP4127919B2 (en) Liquid crystal display
KR101030523B1 (en) method for manufacturing array substrate of the liquid crystal display device
JP2000162589A (en) Reflective liquid crystal display device and its manufacture
KR101003669B1 (en) Trans-reflective liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP4183330B2 (en) Liquid crystal display
KR920003706B1 (en) Plate type thin film transistor and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application