KR20000060995A - Apparatus for collection contamination sample of semiconductor wafers surface - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼 표면의 오염분석에 필요한 샘플링 시료를 채취하기 위한 웨이퍼 표면 오염 시료 채취장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer surface contamination sampling device for collecting a sampling sample required for contamination analysis of a wafer surface.
종래의 웨이퍼 표면의 오염분석에 필요한 샘플링 시료를 채취하기 위한 VPD(Vapor Pressure Deposition)장치(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버(102)와, 웨이퍼(120)가 로딩되는 플레이트(104) 그리고 웨이퍼 표면의 산화(oxide)막을 산화시키기 위한 불산(HF)이 담겨진 용기(110)로만 이루어진다. 이와 같은 종래 웨이퍼 표면 오염 시료 장치(100)는 상기 챔버(102)에 설치된 플레이트(104)에 웨이퍼(120)를 로딩시킨 상태로 일정시간이 경과되면 상기 용기(110)에 담겨진 불산이 자연 증발되면서 상기 웨이퍼(120) 표면에 증착된다. 그 이후에는 작업자가 상기 웨이퍼(120)를 상기 챔버(102)에서 꺼낸 다음 웨이퍼 표면위에 스캐닝 용액을 떨어뜨린다. 그리고 작업자가 매뉴얼로 직접 웨이퍼(120) 표면을 상기 용액으로 스캐닝하여 웨이퍼 표면의 오염 분석을 위한 분석기의 분석에 필요한 샘플링 시료를 채취하였다.A vapor pressure deposition (VPD) apparatus 100 for collecting a sampling sample required for contamination analysis of a conventional wafer surface, as shown in FIG. 1, a chamber 104 and a plate 104 on which the wafer 120 is loaded. And a container 110 containing hydrofluoric acid (HF) for oxidizing an oxide film on the wafer surface. In the conventional wafer surface contamination sample apparatus 100, the hydrofluoric acid contained in the container 110 is naturally evaporated when a predetermined time elapses while the wafer 120 is loaded on the plate 104 installed in the chamber 102. The wafer 120 is deposited on the surface. Thereafter, the worker removes the wafer 120 from the chamber 102 and then drops the scanning solution onto the wafer surface. Then, the operator manually scanned the surface of the wafer 120 with the solution to take a sampling sample for analysis of the analyzer for contamination analysis of the wafer surface.
이와 같은 종래 웨이퍼 표면 오염 시료 장치(100)에 의한 반도체 웨이퍼 표면의 오염 분석을 위한 샘플링 시료 채취 작업은 작업자의 숙련된 정도에 따라 그 오차가 매우 크기 때문에 그 분석의 신뢰성이 매우 약했다. 예컨대, 숙련되지 않은 작업자는 숙달된 작업자에 비하여 웨이퍼 표면을 고르게 스캐닝하지 못하며, 스캐닝 도중 스캐닝 용액을 바닥에 떨어뜨리는 오류를 범하기도 한다. 특히, 반도체 웨이퍼가 외부 공기에 노출된 상태에서 스캐닝하기 때문에 외부의 오염원이 샘플링 시료를 오염시키게 되는 문제점이 있다. 따라서, 이러한 외부의 오염원에 의해 오염된 샘플링 시료로는 정확한 웨이퍼 표면의 오염 분석이 이루어지지 못하기 때문에 그 신뢰성이 떨어진다.The sampling sampling operation for contamination analysis of the semiconductor wafer surface by such a conventional wafer surface contamination sample apparatus 100 has a very weak reliability of the analysis because the error is very large according to the skill of the operator. For example, an inexperienced operator may not scan the wafer surface evenly compared to an experienced operator and may make the mistake of dropping the scanning solution on the floor during scanning. In particular, since the semiconductor wafer is scanned while exposed to the outside air, there is a problem that an external pollution source contaminates the sampling sample. Therefore, the reliability of the sampling sample contaminated by such an external pollution source is not accurate because contamination analysis on the wafer surface is not performed.
그리고, 반도체 웨이퍼의 사이즈 증가에 따라, 상술한 매뉴얼 스캐닝 방법으로는 반도체 웨이퍼 표면의 오염분석에 필요한 샘플링 시료를 채취하는데 재현성과 신뢰성 확보에 한계가 있다.In addition, as the size of the semiconductor wafer increases, the above-described manual scanning method has a limitation in securing reproducibility and reliability in taking sampling samples necessary for contamination analysis on the surface of the semiconductor wafer.
이와 같이 종래 반도체 웨이퍼 표면 오염시료 장치에서는 스캐닝 용액의 로스(loss)와 불완전하고 불균일한 스캐닝에 의한 웨이퍼 표면 오염분석의 신뢰성 및 재현성이 저하되는 문제점이 있다.As described above, in the conventional semiconductor wafer surface contamination sample apparatus, there is a problem that the reliability and reproducibility of the wafer surface contamination analysis due to the loss of the scanning solution and the incomplete and non-uniform scanning are reduced.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 웨이퍼 표면의 오염분석에 필요한 시료 준비 과정이 용이하고 재현성 및 신뢰성을 확보할 수 있는 새로운 형태의 반도체 웨이퍼 표면 오염 시료 채취장치를 제공하는데 있다.The present invention is to solve such a conventional problem, the object of the present invention is to provide a new type of semiconductor wafer surface contamination sampling device that can easily prepare a sample required for contamination analysis of the wafer surface and ensure reproducibility and reliability. It is.
도 1은 종래 반도체 웨이퍼 표면의 오염 시료를 채취하기 위한 장치를 보여주는 단면도;1 is a cross-sectional view showing an apparatus for collecting a contamination sample on a conventional semiconductor wafer surface;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 표면의 오염 시료를 채취하기 위한 장치를 보여주는 사시도;2 is a perspective view showing an apparatus for collecting a contamination sample on a surface of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention;
도 3은 도 2에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 표면의 오염 시료를 채취하기 위한 장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of an apparatus for collecting a contamination sample on the surface of a semiconductor wafer according to the embodiment of the present invention shown in FIG.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
12 : 챔버 14 : ULPA 필터12 chamber 14 ULPA filter
16 : 도어 18 : 베이스16 door 18 base
20 : 턴테이블 30 : 용기20 turntable 30 container
34 : 가열 플레이트 40 : 스캐닝 용액 분사 노즐34 heating plate 40 scanning solution injection nozzle
50 : 시료 용기 52 : 커버50 sample container 52 cover
54 : 배관 56 : 펌프54: piping 56: pump
60 : 초순수 분사 노즐 80 : 웨이퍼60: ultrapure water spray nozzle 80: wafer
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 웨이퍼 표면의 오염 시료를 채취하기 위한 장치는 챔버와; 상기 챔버에 설치되는 그리고 오염 시료를 채취하기 위한 웨이퍼가 놓여지는 테이블과; 상기 웨이퍼 표면의 산화막을 산화시키기 위한 제 1 용액이 담겨진 용기와; 상기 제1 용액의 증기에 의해 산화된 상기 웨이퍼 표면을 스캐닝하기 위한 제 2 용액을 상기 웨이퍼 표면위에 분사하기 위한 수단 및; 상기 웨이퍼 표면에 분사된 제 2 용액이 상기 웨이퍼 표면을 스캐닝하도록 상기 웨이퍼가 로딩된 상기 테이블을 회전시키기 위한 수단을 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, an apparatus for collecting a contamination sample on the surface of a semiconductor wafer comprises a chamber; A table installed in the chamber and on which a wafer for collecting a contaminated sample is placed; A container containing a first solution for oxidizing an oxide film on the wafer surface; Means for spraying a second solution on the wafer surface for scanning the wafer surface oxidized by the vapor of the first solution; Means for rotating the table loaded with the wafer such that a second solution sprayed on the wafer surface scans the wafer surface.
이와 같은 본 발명에서 상기 용기를 가열하기 위한 가열 플레이트를 더 포함할 수 있다.In the present invention as described above may further include a heating plate for heating the container.
이와 같은 본 발명에서 상기 웨이퍼 표면을 스캐닝한 시료 용제를 상기 챔버 외부에 설치된 시료용기로 모으기 위한 수단을 더 포함하되; 상기 수집(collect) 수단은 상기 테이블 주변을 감싸도록 설치되고 원심력에 의해 상기 테이블의 주변으로 떨어지는 상기 웨이퍼의 표면을 스캐닝한 시료 용제를 테이블 바닥으로 캐처(catch) 하기 위한 커버와; 일단은 상기 테이블의 바닥부분으로 연통되도록 상기 커버에 연결되고 타단은 상기 챔버 외부에 설치된 시료 용기에 연결되는 배관 및; 상기 배관에 설치되고 상기 커버에 의해 상기 테이블의 바닥에 캐처된 시료 용제를 강제 흡입하여 상기 시료 용기로 이송시키기 위한 펌프를 구비할 수 있다.In the present invention further comprises a means for collecting the sample solvent scanning the wafer surface into a sample container installed outside the chamber; The collecting means includes: a cover installed to surround the table and for catching a sample solvent on the table bottom scanning the surface of the wafer falling to the periphery of the table by centrifugal force; A pipe connected at one end to the cover to communicate with a bottom portion of the table, and at the other end to a sample container installed outside the chamber; It may be provided with a pump installed in the pipe and for forcibly suctioning the sample solvent caught in the bottom of the table by the cover to the sample container.
이와 같은 본 발명에서 새로운 오염 시료 채집을 위해 상기 테이블을 세정하기 위한 수단을 더 포함하되; 상기 세정 수단은 상기 테이블의 상단에 위치되도록 설치되고, 상기 테이블에 초순수를 분사하기 위한 노즐 및; 상기 챔버의 바닥과 외부의 메인 배수 라인과 연결 설치되며 상기 테이블을 세정한 초순수를 상기 메인 배수 라인으로 배출하기 위한 배출관을 구비할 수 있다.The present invention further includes means for cleaning the table for collecting new contaminated samples; The cleaning means is installed so as to be located at the top of the table, the nozzle for injecting ultrapure water to the table; It may be provided with a discharge pipe for discharging ultrapure water cleaning the table to the main drain line is installed connected to the bottom and the main drain line of the chamber.
이와 같은 본 발명에서 상기 테이블의 하단에 설치되고 상기 웨이퍼 표면에 도포된 제 1 용액 증기가 표면에서 작용한 후 응축되는 것을 높이기 위하여 상기 테이블을 쿨링하기 위한 냉각수 순환라인을 더 포함할 수 있다.In the present invention as described above may further include a cooling water circulation line for cooling the table in order to increase the condensation after the first solution vapor is applied to the surface and the first solution vapor applied to the wafer surface on the surface.
이와 같은 반도체 웨이퍼 표면의 오염 시료를 채취하기 위한 장치에 의하면, 챔버 내부에서 불산 증기를 이용해 웨이퍼의 산화막을 산화시킨 후 스캐닝 용제를 분사하여 웨이퍼 표면을 자동으로 스캐닝할 수 있다. 특히, 외부 공기중으로 노출되지 않은 상태에서 그 스캐닝된 시료 용액을 시료 용기에 바로 모을 수 있다. 따라서, 웨이퍼 표면의 오염 시료 용액의 채취시 외부 오염원의 접근이 차단되기 때문에 외부 오염원으로 인한 오염 시료 용액의 오염을 예방할 수 있다. 그 결과 그 오염 시료 용액에 대한 정확한 분석이 이루어지기 때문에 그 분석에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to the apparatus for collecting the contamination sample on the surface of the semiconductor wafer, the wafer surface can be automatically scanned by oxidizing the oxide film of the wafer using hydrofluoric acid vapor in the chamber and then spraying a scanning solvent. In particular, the scanned sample solution can be collected directly in the sample container without being exposed to the outside air. Therefore, the contamination of the contaminated sample solution due to the external contaminant can be prevented because the access of the external contaminant is blocked when the contaminated sample solution is collected on the wafer surface. As a result, accurate analysis of the contaminated sample solution can be performed, thereby improving the reliability of the analysis.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 2 및 도 3에 의거하여 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3. In addition, in the drawings, the same reference numerals are denoted together for components that perform the same function.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 표면의 오염 시료를 채취하기 위한 장치(10)를 보여주는 사시도이다. 도 3은 도 2에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 표면의 오염 시료를 채취하기 위한 장치의 단면도이다.2 is a perspective view showing an apparatus 10 for collecting a contamination sample on a surface of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention. 3 is a cross-sectional view of an apparatus for collecting a contamination sample on the surface of a semiconductor wafer according to the embodiment of the present invention shown in FIG.
도 2 및 도 3을 참조하면, 반도체 웨이퍼 표면의 오염 시료를 채취하기 위한 장치(10)는 챔버(12), 턴테이블(20), 용기(30), 가열 플레이트(34), 초순수 분사노즐, 스캐닝 용액 분사노즐 그리고 냉각수 순환 라인 등으로 크게 이루어진다.2 and 3, an apparatus 10 for collecting a contaminated sample on a semiconductor wafer surface includes a chamber 12, a turntable 20, a container 30, a heating plate 34, an ultrapure water injection nozzle, and scanning. It consists of solution injection nozzle and cooling water circulation line.
상기 챔버(12)에는 상면의 ULPA 필터(14;또는 헤파 필터)를 통해 필터링된 깨끗한 에어가 유입된다. 상기 챔버(12) 내부는 샘플링 환경 상의 오염 제어를 위하여 10 이하의 청정도로 유지되는 것이 바람직하다. 상기 챔버(12)에는 도어(16)의 오픈에 따른 외부 에어의 유입과 불산 증기 증착(HF vapor deposition) 후 챔버(12) 내부를 이너트(inert)한 상태로 유지시키기 위한 분위기 가스가 가스공급관(17)을 통해 공급된다. 예컨대, 상기 분위기 가스로는 질소가스가 사용될 수 있다.Clean air filtered through the upper surface of the ULPA filter 14 (or HEPA filter) is introduced into the chamber 12. The interior of the chamber 12 is preferably maintained at a purity of 10 or less for pollution control in the sampling environment. The chamber 12 has an atmosphere gas for inleting the inside of the chamber 12 after inflow of external air due to the opening of the door 16 and HF vapor deposition. Supplied via 17. For example, nitrogen gas may be used as the atmosphere gas.
웨이퍼(80)는, 이송 장치(미도시됨) 또는 작업자에 의해서, 상기 챔버(12)에 설치된 도어(16)를 통하여, 상기 턴테이블(20)에 로딩된다. 상기 턴테이블(20)은 상기 챔버(12)의 베이스(18)상에 설치되며 상기 턴테이블(20)에는 모터(22)가 설치된 회전축(24)이 연결된다. 예컨대, 상기 베이스(18)에는 웨이퍼의 사이즈에 맞는 다른 사이즈의 턴테이블을 설치할 수 있다. 상기 용기(30)에는 상기 웨이퍼(80) 표면의 산화막을 산화시키기 위한 불산(32)이 담겨져 있다. 상기 용기(30)는 상기 가열 플레이트(34)에 놓여진다. 상기 가열 플레이트(34)는 상기 용기를 가열시킨다. 가열된 상기 용기(30)에서는 불산이 짧은 시간에 보다 많이 증발된다. 이렇게 상기 용기(30)로부터 증발되는 불산 증기는 상기 웨이퍼(80) 표면에 도포된다. 상기 웨이퍼(80) 표면에 도포된 불산 증기는 웨이퍼 표면에서 작용한 후 응축된다. 예컨대, 온도가 낮을수록 상기 응축 반응은 높아진다. 이를 위해 상기 턴테이블(20)이 설치된 베이스(18)에는 상기 턴테이블(20)을 쿨링하기 위한 냉각수 순환라인(26)이 설치된다. 상기 냉각수 순환라인(26)은 상기 베이스(18)를 쿨링한다. 상기 턴테이블(20)은 상기 쿨링된 베이스(18)에 의해 쿨링되며 상기 턴테이블(20)에 놓여진 웨이퍼(80)도 쿨링된다.The wafer 80 is loaded onto the turntable 20 through a door 16 provided in the chamber 12 by a transfer device (not shown) or by an operator. The turntable 20 is installed on the base 18 of the chamber 12, and the turntable 20 is connected to a rotating shaft 24 provided with a motor 22. For example, the base 18 may be provided with a turntable having a different size to match the size of the wafer. The container 30 contains hydrofluoric acid 32 for oxidizing an oxide film on the surface of the wafer 80. The vessel 30 is placed on the heating plate 34. The heating plate 34 heats the vessel. In the heated vessel 30, hydrofluoric acid evaporates more in a short time. The hydrofluoric acid vapor evaporated from the vessel 30 is applied to the surface of the wafer 80. The hydrofluoric acid vapor applied to the surface of the wafer 80 condenses after acting on the surface of the wafer. For example, the lower the temperature, the higher the condensation reaction. To this end, a coolant circulation line 26 for cooling the turntable 20 is installed in the base 18 on which the turntable 20 is installed. The coolant circulation line 26 cools the base 18. The turntable 20 is cooled by the cooled base 18 and the wafer 80 placed on the turntable 20 is also cooled.
상기 스캐닝 용액 분사 노즐(40)은 상기 턴테이블(20)의 상단에 위치되도록 설치된다. 상기 스캐닝 용액 분사 노즐(40)에서는 상기 불산 증기에 의해 산화된 상기 웨이퍼 표면을 스캐닝하기 위한 불산 용액이 분사된다. 상기 웨이퍼(80)의 중심부분으로 분사된 불산 용액은 상기 턴테이블(20)의 회전에 의한 원심력에 의해 상기 웨이퍼 표면을 고르게 스캐닝하게 된다. 따라서, 이와 같은 상기 턴테이블(20)의 회전에 의한 자동 스캐닝 방법은 작업자의 숙련된 정도에 따라 오차가 발생되는 종래 매뉴얼 스캐닝 방법에 비하여 신뢰성이 매우 뛰어나다.The scanning solution spray nozzle 40 is installed to be located at the top of the turntable 20. In the scanning solution spray nozzle 40, a hydrofluoric acid solution for scanning the wafer surface oxidized by the hydrofluoric acid vapor is injected. The hydrofluoric acid solution injected into the center portion of the wafer 80 evenly scans the wafer surface by centrifugal force caused by the rotation of the turntable 20. Therefore, the automatic scanning method by the rotation of the turntable 20 is much more reliable than the conventional manual scanning method in which an error occurs according to the skill of the operator.
한편, 상기 챔버(12)에는 상기 웨이퍼(80) 표면을 스캐닝한 시료 용액을 상기 챔버(12) 외부에 설치된 시료 용기(50)로 모으기 위한 수집 수단이 설치된다. 상기 수집 수단은 커버(52)와 배관(54) 그리고 펌프(56)로 이루어진다. 상기 커버(52)는 상기 턴테이블(20) 주변을 감싸도록 상기 베이스(18) 상에 설치된다. 상기 배관(54)의 일단은 상기 턴테이블(20) 주변 바닥부분(상기 베이스의 상면)에 연통되도록 상기 커버(52)에 연결되며 타단은 상기 챔버 외부에 설치된 시료 용기(50)에 연결된다. 한편, 상기 배관(54)에는 상기 커버(52)에 의해 상기 턴테이블(20) 주변의 베이스(18) 상면에 캐처(catch)된 시료 용액을 상기 시료 용기(50)로 이송시키기 위하여 상기 시료 용액을 강제 흡입하기 위한 펌프(56)가 설치될 수 있다. 또는, 상기 시료 용액이 상기 배관(54)으로 자연스럽게 흘러 들어가도록 상기 턴테이블(20) 주변의 베이스(18) 상면을 경사지게 형성할 수 있다. 예컨대, 원심력에 의해 상기 턴테이블(20)의 주변으로 떨어지는 상기 웨이퍼의 표면을 스캐닝한 시료 용액은 상기 커버(52)에 의해 상기 턴테이블 주변의 베이스(18) 상면에 캐처된다. 그리고 그 시료 용액은 상기 펌프(56)의 흡입력에 의해서 상기 배관(54)을 통해 상기 시료 용기(50)에 담겨진다.On the other hand, the chamber 12 is provided with a collecting means for collecting the sample solution scanning the surface of the wafer 80 to the sample container 50 provided outside the chamber 12. The collecting means consists of a cover 52, a pipe 54 and a pump 56. The cover 52 is installed on the base 18 to surround the turntable 20. One end of the pipe 54 is connected to the cover 52 so as to communicate with a bottom portion (upper surface of the base) around the turntable 20, and the other end is connected to a sample container 50 installed outside the chamber. On the other hand, the pipe 54 is supplied with the sample solution in order to transfer the sample solution caught on the upper surface of the base 18 around the turntable 20 by the cover 52 to the sample container 50. A pump 56 for forced suction may be installed. Alternatively, the upper surface of the base 18 around the turntable 20 may be inclined so that the sample solution naturally flows into the pipe 54. For example, the sample solution scanning the surface of the wafer falling to the periphery of the turntable 20 by centrifugal force is captured by the cover 52 on the upper surface of the base 18 around the turntable. The sample solution is contained in the sample container 50 through the pipe 54 by the suction force of the pump 56.
이와 같이 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면의 오염 시료를 채취하기 위한 장치는 상기 수집 수단에 의해서 상기 시료 용액을 외부에 노출시키지 않고 바로 시료 용기에 담을 수 있다.Thus, the apparatus for collecting the contaminated sample on the surface of the semiconductor wafer of the present invention can be directly contained in the sample container without exposing the sample solution to the outside by the collecting means.
따라서, 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면의 오염 시료를 채취하기 위한 장치는 , 웨이퍼의 표면을 스캐닝한 시료 용액을 시료 용기에 담을 때, 그 시료 용액이 외부 오염원에 오염되는 것이 방지되므로, 초극미량 분석에 있어서의 신뢰성을 확보할 수 있는 것이다.Therefore, the apparatus for collecting the contaminated sample on the surface of the semiconductor wafer of the present invention prevents the sample solution from being contaminated by an external contaminant when the sample solution scanning the surface of the wafer is contained in the sample container. It is possible to secure reliability.
상기 챔버(12)에는 새로운 오염 시료 채집을 위해 상기 턴테이블(20)을 세정하기 위한 세정 수단이 설치된다. 상기 세정 수단은 초순수 분사 노즐(과 배출관(62)으로 이루어진다. 상기 초순수 분사 노즐(60)은 상기 턴테이블(20)의 상단에 위치되도록 설치된다. 상기 배출관(62)은 상기 챔버(12)의 바닥과 외부의 메인 배수라인(미도시됨)과 연결 설치된다. 상기 배출관(62)으로는 상기 턴테이블(20)을 세정한 초순수가 배출된다.The chamber 12 is provided with cleaning means for cleaning the turntable 20 for collecting new contaminant samples. The cleaning means comprises an ultrapure water spray nozzle (and a discharge tube 62. The ultrapure water spray nozzle 60 is installed to be located at the top of the turntable 20. The discharge pipe 62 is the bottom of the chamber 12) And an external main drain line (not shown) and ultrapure water cleaning the turntable 20 is discharged to the discharge pipe 62.
이와 같이 반도체 웨이퍼 표면의 오염 시료를 채취하기 위한 장치(10)는 하나의 오염 시료 채취 전 후에 새로운 오염 시료 채집을 위해 상기 턴테이블과 그 주변을 초순수로 세정한다. 따라서, 초극미량 분석에 있어서의 절대적 구성요소인 시료 전처리과정중의 간섭오염을 제거하므로서 분석의 신뢰성을 확보할 수 있다.As such, the apparatus 10 for collecting a contamination sample on the surface of the semiconductor wafer cleans the turntable and its surroundings with ultrapure water for collecting new contamination samples before and after one sample of contamination. Therefore, it is possible to secure the reliability of the analysis by eliminating the interference contamination during the sample pretreatment process, which is an absolute component in the ultra trace analysis.
이와 같은 본 발명의 반도체 웨이퍼 표면의 오염 시료를 채집하기 위한 장치에 의하면, 웨이퍼 표면의 오염분석에 필요한 시료 채집 과정이 용이하고 재현성 및 신뢰성을 확보할 수 있는 이점이 있다.According to the apparatus for collecting the contamination sample on the surface of the semiconductor wafer of the present invention, there is an advantage that the sample collection process required for contamination analysis on the wafer surface is easy and reproducibility and reliability can be ensured.
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019990009707A KR20000060995A (en) | 1999-03-22 | 1999-03-22 | Apparatus for collection contamination sample of semiconductor wafers surface |
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| Country | Link |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100854373B1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-09-02 | 주식회사 포스코 | Acid cleaning solution sampling apparatus of the acid solution tank |
| KR101970338B1 (en) * | 2017-10-12 | 2019-04-18 | 주식회사 위드텍 | Apparatus and method for analyzing surface of wafer using spinning |
-
1999
- 1999-03-22 KR KR1019990009707A patent/KR20000060995A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100854373B1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-09-02 | 주식회사 포스코 | Acid cleaning solution sampling apparatus of the acid solution tank |
| KR101970338B1 (en) * | 2017-10-12 | 2019-04-18 | 주식회사 위드텍 | Apparatus and method for analyzing surface of wafer using spinning |
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