KR20000059701A - 반도체 제조용 프로세서 챔버 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 반도체 제조용 프로세서 챔버는, 반도체 웨이퍼 가공을 위한 프로세서 챔버에 관한 것으로서, 프로세서 챔버내의 일정 영역에 플라즈마를 형성시키기 위해 프로세서 챔버의 상하에 상호 대향되도록 설치된 캐소스 및 에노드와, 프로세서 챔버의 외벽에 설치되되, 적어도 2개 이상이 반대 외벽에 부착되어 프로세서 챔버내의 압력 상태를 감지하는 압력 감지기들, 및 압력 감지기들에 의해 감지된 압력 상태에 따라 프로세서 챔버내의 압력 상태를 적절하게 조절하기 위하여 설치되되, 적어도 2개 이상이 상호 이격되어 설치된 펌핑 라인들을 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로서, 더 상세하게는 반도체 제조용 프로세서 챔버에 관한 것이다.
일반적으로 식각 설비 또는 화학 기상 증착 설비와 같이 고진공 상태에서 공정을 진행하는 설비의 프로세서 챔버는 그 내부 압력 상태를 적절하게 유지하는 것이 중요하다. 이와 같이 프로세서 챔버의 내부 압력 상태를 적절하게 유지하기 위해서는 프로세서 챔버 내부의 압력을 정확히 모니터링하고, 모니터링한 결과에 따라 소망하는 압력 상태가 될 수 있도록 프로세서 챔버 내부의 압력을 조절하여야 한다.
도 1은 종래의 반도체 제조용 프로세서 챔버를 개략적으로 나타내 보인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 프로세서 챔버(10)의 하단부에는 캐소드(11)가 배치되어 있고, 캐소드(11)상에 반도체 웨이퍼(12)가 안착된다. 그리고 반도체 웨이퍼(12)와 대향되는 상단부에는 에노드(13)가 배치된다. 캐소드(11)와 에노드(13)에는 각각 RF(Radio Frequency) 전원(14, 15)이 연결되어 프로세서 챔버(10) 내의 일정 공간에 플라즈마를 형성시킨다. 또한 프로세서 챔버(10)의 측면 외벽에는 프로세서 챔버(10) 내부의 압력을 모니터링하기 위한 압력 감지기(16)가 부착되어 있고, 밑면에는 프로세서 챔버(10) 내부의 압력 상태를 실질적으로 진공 상태로 만들기 위한 펌프(17)가 연결되어 있다.
그런데 상기와 같은 종래 반도체 제조용 프로세서 챔버는 프로세서 챔버(10) 내부의 압력을 모니터링하기 위한 압력 감지기(16)가 프로세서 챔버(10)의 좌우 또는 전후 측벽중 어느 한 측벽에만 부착되어 있으며, 프로세서 채버(10) 내부를 실질적으로 진공 상태로 만들어 주기 위한 펌프(17)도 프로세서 챔버(10)의 밑면중 어느 한 부분에만 연결되어 있다. 따라서 프로세서 챔버(10)내의 위치에 따른 압력을 다양하게 측정할 수 없으며, 특히 처리하고자 하는 반도체 웨이퍼(12)가 예컨대 300㎜ 이상의 대구경인 경우에는 프로세서 챔버(10)의 대형화 및 반도체 웨이퍼(12)의 단위 면적 확대로 인하여 프로세서 챔버(10)의 위치별 공정의 재현성을 보장할 수 없다는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 프로세서 챔버내의 위치별 압력을 정확하게 모니터링할 수 있으며 모니터링한 결과에 따라 프로세서 챔버내의 압력을 균일하게 조절할 수 있는 반도체 제조용 프로세서 챔버를 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 반도체 제조용 프로세서 챔버를 개략적으로 나타내 보인 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조용 프로세서 챔버를 나타내 보인 단면도이다.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
100...프로세서 챔버 110...캐소드 120...반도체 웨이퍼
130...에노드 140, 150...RF 전원 161, 162...압력 감지기
171, 172...펌프
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 제조용 프로세서 챔버는, 반도체 웨이퍼 가공을 위한 프로세서 챔버에 있어서, 상기 프로세서 챔버내의 일정 영역에 플라즈마를 형성시키기 위해 상기 프로세서 챔버의 상하에 상호 대향되도록 설치된 캐소스 및 에노드; 상기 프로세서 챔버의 외벽에 설치되되, 적어도 2개 이상이 반대 외벽에 부착되어 상기 프로세서 챔버내의 압력 상태를 감지하는 압력 감지기들; 및 상기 압력 감지기들에 의해 감지된 압력 상태에 따라 상기 프로세서 챔버내의 압력 상태를 적절하게 조절하기 위하여 설치되되, 적어도 2개 이상이 상호 이격되어 설치된 펌핑 라인들을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 프로세서 챔버는 고진공 상태에서 300㎜ 이상의 반도체 웨이퍼 가공을 위한 식각용 챔버 또는 화학 기상 증착용 챔버일 수 있다. 그리고 상기 압력 감지기들 및 펌핑 라인들은 상호 이격 거리가 최대가 되도록 설치되는 것이 바람직하다.
이하 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어 져서는 안된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조용 프로세서 챔버(100)를 나타내 보인 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 프로세서 챔버(100)의 하단부에는 캐소드(110)가 배치되어 있고, 캐소드(110)상에 반도체 웨이퍼(120)가 안착된다. 통상적으로 캐소드(110)와 반도체 웨이퍼(120) 사이에는 웨이퍼 척이 개재된다. 반도체 웨이퍼(120)의 노출면에 대향되는 프로세서 챔버(100)의 상단부에는 에노드(130)가 배치된다. 캐소드(110)와 에노드(130)에는 각각 RF(Radio Frequency) 전원(140, 150)이 연결되어 프로세서 챔버(100) 내의 일정 공간, 즉 반도체 웨이퍼(120)의 상면과 에노드(130) 사이의 공간에 플라즈마를 형성시킨다.
프로세서 챔버(100)의 측면 외벽에는 프로세서 챔버(100) 내부의 압력을 모니터링하기 위하여 적어도 2개 이상의 압력 감지기들(160, 161)이 부착된다. 압력 감지기들(160, 161)로서는 마노미터(manometer)를 사용할 수 있다. 상기 압력 감지기들(160, 161)은 상호 이격 거리가 최대가 되도록 설치되는 것이 바람직하다. 즉 예컨대 300㎜ 이상의 대구경 반도체 웨이퍼 처리를 위한 프로세서 챔버(100)는 그 용량이 크므로 압력 감지기에서 멀리 떨어진 부분의 압력을 정확히 모니터링하기가 용이하지 않다. 따라서 프로세서 챔버(100) 내부의 압력 상태를 균일하게 모니터링하기 위해서는 적어도 2개 이상의 압력 감지기들(160, 161)이 최대한 이격되어 설치되는 것이 바람직하다.
한편, 프로세서 챔버(100)의 밑면에는 프로세서 챔버(100) 내부의 압력 상태를 실질적으로 진공 상태로 만들기 위하여 적어도 2개 이상의 펌핑 라인이 연결된다. 각 펌핑 라인에는 펌프들(171, 172)이 연결된다. 마찬가지로 펌프들(171, 172)이 각각 연결되는 펌핑 라인들을 상호 이격 거리가 최대가 되도록 배치하여 프로세서 챔버(100) 내부의 압력 상태를 적절하고도 균일하게 유지되도록 하는 것이 바람직하다.
일반적으로 서브-마이크론급 이하의 반도체 공정에서, 밀집된 패턴 부위와 덜 밀집된 패턴 부위에서의 건식 식각시에 플라즈마 상태의 에천트(etchant)와 식각될 부위의 반응 생성물의 증기압이 밀집된 패턴 부위에 현저하게 떨어짐으로써 식각 균일성을 악화시키는 로딩 효과(loading effect)가 문제시되고 있다. 그러나 본 발명에서와 같이 적어도 2개 이상의 압력 감지기들 및 펌핑 라인들이 부착된 프로세서 챔버를 사용하면 서브-마이크론급 이하의 반도체 제조 공정에서도 프로세서 챔버 내부의 압력을 균일하게 모니터링하는 한편, 모니터링한 결과에 의해 적절한 펌핑을 가하여 프로세서 챔버 내부의 압력 상태를 적절하면서도 균일하게 유지시킬 수 있으므로 상기와 같은 로딩 효과를 제거시킬 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 당업자의 수준에서 그 변형 및 개량이 가능하다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조용 프로세서 챔버에 의하면, 적어도 2개 이상의 압력 감지기들 및 펌핑 라인들이 프로세서 챔버에 부착되므로 프로세서 챔버내의 반도체 웨이퍼 위치에 따라 달라지지 않고 균일하게 공정을 재현시킬 수 있으며, 특히 서브-마이크론급 반도체 제조 공정에서는 균일한 압력 상태를 유지시킴으로써 로딩 효과를 억제할 수 있다는 이점이 있다.
Claims (3)
- 반도체 웨이퍼 가공을 위한 프로세서 챔버에 있어서,상기 프로세서 챔버내의 일정 영역에 플라즈마를 형성시키기 위해 상기 프로세서 챔버의 상하에 상호 대향되도록 설치된 캐소스 및 에노드;상기 프로세서 챔버의 외벽에 설치되되, 적어도 2개 이상이 반대 외벽에 부착되어 상기 프로세서 챔버내의 압력 상태를 감지하는 압력 감지기들; 및상기 압력 감지기들에 의해 감지된 압력 상태에 따라 상기 프로세서 챔버내의 압력 상태를 적절하게 조절하기 위하여 설치되되, 적어도 2개 이상이 상호 이격되어 설치된 펌핑 라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 프로세서 챔버.
- 제1항에 있어서,상기 프로세서 챔버는 고진공 상태에서 300㎜ 이상의 반도체 웨이퍼 가공을 위한 식각용 챔버 또는 화학 기상 증착용 챔버인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 프로세서 챔버.
- 제1항에 있어서,상기 압력 감지기들 및 펌핑 라인들은 상호 이격 거리가 최대가 되도록 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 프로세서 챔버.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990007508A KR20000059701A (ko) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 반도체 제조용 프로세서 챔버 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019990007508A KR20000059701A (ko) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 반도체 제조용 프로세서 챔버 |
Publications (1)
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| KR20000059701A true KR20000059701A (ko) | 2000-10-05 |
Family
ID=19575796
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| KR1019990007508A KR20000059701A (ko) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 반도체 제조용 프로세서 챔버 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20000059701A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9793103B2 (en) | 2008-04-25 | 2017-10-17 | Lg Chem, Ltd. | Epoxy-based composition, adhesive film, dicing die-bonding film and semiconductor device |
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1999
- 1999-03-08 KR KR1019990007508A patent/KR20000059701A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9793103B2 (en) | 2008-04-25 | 2017-10-17 | Lg Chem, Ltd. | Epoxy-based composition, adhesive film, dicing die-bonding film and semiconductor device |
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