KR20000056316A - Wafer loading boat - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체소자의 제조에 사용되는 장치에 관한 것으로서, 상세하게는 반도체 제조장치 내부에 다수의 웨이퍼를 로딩시키기 위한 웨이퍼 적재용 보트에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus used for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a wafer loading boat for loading a plurality of wafers into a semiconductor manufacturing apparatus.
일반적으로 반도체 소자의 제조에는 다양한 제조공정을 거치게 되며, 그 중에서 폴리실리콘막, 질화막, 산화막 등의 막질을 웨이퍼 상에 증착시키는 데에는 주로 화학기상증착(CVD: Chemical Vapor Deposition) 공정 또는 확산공정을 거치게 된다. 이러한 CVD 공정이나 확산공정을 수행하는 반도체 제조장치로는 하나의 웨이퍼를 처리하는 매엽방식과, 복수의 웨이퍼를 동시에 처리하는 배치방식(Batch Type)이 있다. 이 중에서 배치방식의 반도체 제조장치로는 주로 종형 확산로가 사용되며, 상기 종형 확산로 내부에는 다수의 웨이퍼를 적재한 보트가 로딩되어 공정이 진행된다.In general, semiconductor devices are manufactured through various manufacturing processes. Among them, polysilicon, nitride, and oxide films are deposited on a wafer through a chemical vapor deposition (CVD) process or a diffusion process. do. As a semiconductor manufacturing apparatus for performing such a CVD process or a diffusion process, there is a single sheet method for processing one wafer and a batch method for simultaneously processing a plurality of wafers. Among them, a vertical diffusion path is mainly used as a batch type semiconductor manufacturing apparatus, and a boat in which a plurality of wafers are loaded is loaded in the vertical diffusion path.
도 1은 종래의 웨이퍼 적재용 보트를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view showing a conventional wafer loading boat.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 적재용 보트(100)는 수십 매의 반도체 웨이퍼(10)를 종형 확산로 내부에 로딩시키기 위한 것으로, 주로 석영(Quartz) 재질로 되어 있다. 상기 보트(100)는 원판 형상의 상판부재(110)와 하판부재(120) 사이에 수직으로 세 개 또는 네 개의 로드(130)가 개재된 형상으로 되어 있으며, 상기 로드(130)에는 그 높이 방향으로 소정 간격을 갖고, 웨이퍼(10)의 가장자리부가 끼워지는 다수의 슬롯(140)이 형성되어 있다.Referring to FIG. 1, the wafer loading boat 100 is for loading dozens of semiconductor wafers 10 into a vertical diffusion path, and is mainly made of quartz. The boat 100 has a shape in which three or four rods 130 are vertically interposed between the upper plate member 110 and the lower plate member 120 having a disc shape, and the rod 130 has a height direction thereof. A plurality of slots 140 are formed at predetermined intervals and into which the edge portions of the wafer 10 are fitted.
한편, 이와 같은 보트(100)는 슬롯(140)들에 웨이퍼(10)가 적재될 경우 상측 포지션(A)과 하측 포지션(B)이 종형 확산로 내로 노출이 되어 있기 때문에, 개스 분사시 상기 개스가 상측 및 하측 포지션(A)(B)의 웨이퍼(10)에 직접 영향을 줌으로써, 상기 포지션(A)(B)에 적재된 웨이퍼(10)의 막질두께 및 균일도(Uniformity)가 불안정하게 되어 제품불량 웨이퍼가 증가되는 문제점이 발생하게 된다.On the other hand, such a boat 100 is the upper position (A) and the lower position (B) is exposed to the vertical diffusion path when the wafer 10 is loaded in the slots 140, the gas at the time of gas injection By directly affecting the wafer 10 in the upper and lower positions A and B, the film thickness and uniformity of the wafer 10 loaded in the positions A and B become unstable. The problem is that the defective wafers are increased.
도 2는 종래의 더미 웨이퍼가 적재된 웨이퍼 적재용 보트를 도시한 사시도이다.2 is a perspective view showing a wafer loading boat in which a conventional dummy wafer is loaded.
도 2를 참조하면, 상술한 바와 같은 문제점을 극복하기 위하여 종래에는 상측 포지션(A)과 하측 포지션(B)의 슬롯(140)에 각각 상기 제품불량 웨이퍼에 해당하는 다수의 더미 웨이퍼(20)를 적재하였다. 즉, 앞서 도시된 도 1에서와 같이, 상측 포지션(A)과 하측 포지션(B)의 웨이퍼(10)가 외부로 노출되어 이들 포지션(A)(B)의 웨이퍼(10)에 불균일한 개스가 유입되거나, 열효율에 따른 온도제어가 취약하기 때문에 웨이퍼(10)가 적재되는 포지션 즉, 상측 포지션(A)과 하측 포지션(B)을 제외한 센터 포지션(C)에 비해 온도제어가 불안정하게 이루어져 균일도가 저하되는 문제점을 방지하기 위해 필수요소인 더미 웨이퍼(Dummy Wafer)(20)를 적재하는 것이다.Referring to FIG. 2, in order to overcome the problems described above, a plurality of dummy wafers 20 corresponding to the defective wafers are respectively formed in the slots 140 of the upper position A and the lower position B, respectively. Loaded. That is, as shown in FIG. 1 shown earlier, the wafer 10 of the upper position A and the lower position B is exposed to the outside so that a non-uniform gas is generated in the wafer 10 of these positions A and B. Since temperature control is poor due to inflow or thermal efficiency, the temperature control is unstable compared to the position where the wafer 10 is loaded, that is, the center position C except the upper position A and the lower position B. In order to prevent the problem of deterioration is to load the dummy wafer (Dummy Wafer) 20 which is an essential element.
그러나, 반도체 제조공정 중에서 특히 디퓨전(Diffusion) 단위 공정에서는 매엽식 설비 보다 배치방식의 설비가 주종을 이루고 있기 때문에 종형 확산로의 사용에 따른 더미 웨이퍼(20)의 사용량이 많아지게 된다. 또한, 더미 웨이퍼(20)들을 재사용할 경우 사용 횟수에 의한 파티클(Particle) 발생 및 기타 오염으로 인하여 필요수량에 비해 더미 웨이퍼(20)의 사용수량이 절대적으로 부족해지면서 그에 따른 수급이 불균형하게 됨으로써 원가가 상승하게 된다. 또한, 더미 웨이퍼(20)의 파티클이나 기타 오염물질들의 확산으로 인해 웨이퍼(10)에 대한 제품 품질의 불량이 가중되는 문제점이 있다.However, in the semiconductor manufacturing process, especially in the diffusion unit process, the batch type equipment is mainly used rather than the sheet type equipment, and thus the usage amount of the dummy wafer 20 increases due to the use of the vertical diffusion furnace. In addition, when the dummy wafers 20 are reused, due to particle generation and other contamination due to the number of times of use, the amount of use of the dummy wafers 20 is absolutely insufficient compared to the required amount, resulting in an unbalanced supply and demand. Will rise. In addition, due to the diffusion of particles or other contaminants of the dummy wafer 20, there is a problem that the product quality of the wafer 10 is increased.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창출된 것으로서, 양질의 웨이퍼 제조가 가능하며, 생산원가가 절감되도록 더미 웨이퍼가 배제된 웨이퍼 적재용 보트를 제공하는 점에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to improve the above problems, and an object thereof is to provide a wafer loading boat in which a wafer of high quality can be manufactured and a dummy wafer is removed so as to reduce production costs.
도 1은 종래의 웨이퍼 적재용 보트를 도시한 사시도이고,1 is a perspective view showing a conventional wafer loading boat,
도 2는 종래의 더미 웨이퍼가 적재된 웨이퍼 적재용 보트를 도시한 사시도이고,2 is a perspective view showing a wafer loading boat loaded with a conventional dummy wafer;
도 3은 본 발명에 따른 홀 플레이트가 채용된 웨이퍼 적재용 보트를 도시한 사시도이고,3 is a perspective view illustrating a wafer loading boat employing a hole plate according to the present invention;
그리고 도 4는 도 3의 홀 플레이트를 절개하여 나타내 보인 사시도이다.4 is a perspective view illustrating the hole plate of FIG.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>
10... 웨이퍼(Wafer) 20... 더미웨이퍼(Dummy Wafer)10 ... Wafer 20 ... Dummy Wafer
100,200... 보트(Boat) 110,210... 상판부재100,200 ... Boat 110,210 ... Top member
120,220... 하판부재 130,230... 로드120,220 ... Bottom plate 130,230 ... Rod
140,240... 슬롯 250... 제1홀플레이트140,240 ... Slot 250 ... First hole plate
250a... 제1홀 260... 제2홀플레이트250a ... hole 1 260 ... hole 2 plate
260b... 제2홀 270... 제3홀플레이트260b ... hole 2 270 ... hole 3 plate
270a... 제3홀270a ... Hall 3
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 웨이퍼 적재용 보트는 반도체 제조장치 내부에 다수의 웨이퍼를 로딩하기 위한 것으로, 상판부재와 하판부재 사이에 수직으로 개재되는 복수의 로드 각각에 높이방향으로 소정간격을 갖고 상기 웨이퍼의 가장자리부가 끼워지는 다수의 슬롯이 마련되는 웨이퍼 적재용 보트에 있어서, 상기 로드의 상하부 슬롯들에는 각각 다수의 홀들이 형성된 복수개의 홀 플레이트가 소정 간격을 두고 장착되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a wafer loading boat according to the present invention is for loading a plurality of wafers into a semiconductor manufacturing apparatus, and is arranged in a height direction in each of a plurality of rods interposed vertically between an upper plate member and a lower plate member. A wafer loading boat provided with a plurality of slots having a predetermined interval and fitted with edges of the wafer, wherein the upper and lower slots of the rod are provided with a plurality of hole plates each having a plurality of holes at predetermined intervals. It is done.
본 발명에 따르면, 상기 홀 플레이트는 석영으로 이루어진 것이 바람직하며, 상기 홀 플레이트들의 홀 직경은 점차적으로 작아지고, 상기 홀 플레이트들의 홀 갯수는 점차적으로 증가되는 것이 바람직하다.According to the present invention, it is preferable that the hole plate is made of quartz, and the hole diameter of the hole plates is gradually decreased, and the number of holes of the hole plates is gradually increased.
따라서, 종래와는 달리 웨이퍼 적재용 보트에 더미 웨이퍼가 배제되므로 더미 웨이퍼의 수급불량에 긴급히 대처할 수 있으며, 그에 따른 원가절감 및 양질의 웨이퍼를 생산할 수 있는 점에 그 특징이 있다.Therefore, unlike the prior art, since the dummy wafer is excluded from the wafer loading boat, it is possible to urgently cope with a shortage of supply and demand of the dummy wafer, thereby reducing the cost and producing a wafer of high quality.
이러한 특징으로 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 웨이퍼 적재용 보트를 상세하게 설명하기로 한다.With this feature, a wafer loading boat according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 따른 홀 플레이트가 채용된 웨이퍼 적재용 보트를 도시한 사시도이고, 도 4는 도 3의 홀 플레이트를 절개하여 나타내 보인 도시한 사시도이다.3 is a perspective view illustrating a wafer loading boat employing a hole plate according to the present invention, and FIG. 4 is a perspective view illustrating the hole plate of FIG.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 적재용 보트는 그 기본적인 구조에 있어서 종래의 웨이퍼 적재용 보트(도 1의 100)와 크게 다르지는 않다. 즉, 웨이퍼 적재용 보트(200)는 수십매 또는 100매 이상의 반도체 웨이퍼(10)를 종형 확산로 내부에 로딩시키기 위한 것으로 주로 석영(Quartz)으로 되어 있다. 상기 보트(200)는 원판 형상의 상판부재(210)와 하판부재(220) 사이에 수직으로 세 개 또는 네 개의 로드(230)가 개재된 형상으로 세워져 있다. 그리고, 상기 로드(230)에는 그 높이방향으로 소정간격을 갖고 웨이퍼(10)들의 가장자리부가 끼워지는 다수의 슬롯(240)들이 형성되어 있다. 그러나 본 발명의 웨이퍼 적재용 보트(200)는 상기 로드(230)의 상하부 슬롯(240)들에 각각 다수의 홀(250a)(260a)(270a)들이 형성된 복수개의 홀 플레이트(250)(260)(270)가 소정 간격을 두고 순차적으로 장착되는 점이 특징적으로 다르다.3 and 4, the wafer loading boat according to the present invention is not significantly different from the conventional wafer loading boat (100 in FIG. 1) in its basic structure. That is, the wafer loading boat 200 is for loading dozens or 100 or more semiconductor wafers 10 into a vertical diffusion path, and is mainly made of quartz. The boat 200 is erected in a shape in which three or four rods 230 are vertically interposed between the upper plate member 210 and the lower plate member 220 having a disc shape. In addition, a plurality of slots 240 are formed in the rod 230 to have edges of the wafers 10 with predetermined intervals in the height direction thereof. However, the wafer loading boat 200 of the present invention has a plurality of hole plates 250 and 260 having a plurality of holes 250a, 260a, and 270a formed in upper and lower slots 240 of the rod 230, respectively. It is characteristically different that 270 is sequentially mounted at predetermined intervals.
이와 같은 특징을 만족하도록 상기 보트(200)의 슬롯(240)들은 상측 포지션(A), 하측 포지션(B) 및 센터 포지션(C)으로 구분되어 진다.Slot 240 of the boat 200 is divided into an upper position (A), a lower position (B) and a center position (C) to satisfy this feature.
상기 홀 플레이트(250)(260)(270)들은 소정직경을 가진 다수의 제1홀(250a)들이 형성된 제1홀플레이트(250)와, 상기 제1홀(250a)들 보다 직경이 작고 홀 갯수가 많은 제2홀(260a)들이 형성된 제2홀플레이트(260)와, 상기 제2홀(260a)들 보다 직경이 더 작고 홀 갯수가 더 많은 제3홀(270a)들이 형성된 제3홀플레이(270)로 구성된다.The hole plates 250, 260, and 270 have a first hole plate 250 in which a plurality of first holes 250a having a predetermined diameter are formed, and the number of holes is smaller than that of the first holes 250a. A second hole plate 260 having many second holes 260a, and a third hole play having third holes 270a having a smaller diameter and larger number of holes than the second holes 260a. 270).
이로써, 상기 상측 포지션(A)에는 최상단부터 그 슬롯(240)에 제1홀플레이트(250), 제2홀플레이트(260) 및 제3홀플레이트(270)의 가장자리부가 소정 간격을 두고 순차적으로 장착되며, 이러한 제1, 제2 및 제3홀플레이트(250)(260)(270)는 상기 슬롯(240)에 고정되도록 고정식으로 설치된다. 또한, 상기 하측 포지션(B)에도 최하단부터 상기와 같은 제1홀플레이트(250), 제2홀플레이트(260) 및 제3홀플레이트(270)의 가장자리부가 슬롯(240)에 소정 간격을 두고 순차적으로 장착되며, 이러한 제1, 제2 및 제3홀플레이트(250)(260)(270)는 상기 슬롯(240)에 고정되도록 고정식으로 설치된다.As a result, edge portions of the first hole plate 250, the second hole plate 260, and the third hole plate 270 are sequentially mounted in the slot 240 at the uppermost position A at predetermined intervals. The first, second and third hole plates 250, 260, and 270 are fixedly installed to be fixed to the slot 240. In addition, the lower position B of the first hole plate 250, the second hole plate 260 and the third hole plate 270 as described above, the edge portion of the slot 240 is sequentially spaced at a predetermined interval The first, second and third hole plates 250, 260, 270 are fixedly installed to be fixed to the slot 240.
여기서, 상기 홀플레이트(250)(260)(270)들의 수량 및 각각의 홀(250a)(260a)(270a)들의 직경크기 그리고, 홀(250a)(260a)(270a)들의 갯수는 후술되는 웨이퍼(10)가 최적의 균일한 막질두께 및 균일도를 가질 수 있도록 변동가능하게 배치하여도 무방하나 본 발명에 있어서는 상술한 바와 같이 세 개의 홀플레이트(250)(260)(270)들을 상하측 포지션(A)(B)에 순차적으로 각각 배치한다.Here, the number of the hole plates 250, 260, 270, the diameter size of each of the holes 250a, 260a, 270a, and the number of holes 250a, 260a, 270a are described below. The holes 10, 250, 260, and 270 may be arranged so as to be variably arranged so that the 10 may have an optimal uniform film thickness and uniformity. It arrange | positions in A) (B) sequentially, respectively.
또한, 본 발명에 있어서는 상기 홀(250a)(260a)(270a)들의 갯수를 제1홀플레이트(250)에는 16개의 제1홀(250a)들이 형성되게 하고, 제2홀플레이트(260)에는 61개의 제2홀(260a)들이 형성되게 하고, 제3홀플레이트(270)에는 97개의 제3홀(270a)들이 형성되게 하는 것이 바람직하다.In addition, in the present invention, the number of the holes 250a, 260a, and 270a is defined such that sixteen first holes 250a are formed in the first hole plate 250 and 61 in the second hole plate 260. It is preferable that the second holes 260a are formed and 97 third holes 270a are formed in the third hole plate 270.
한편, 상기 상하측 포지션(A)(B)을 제외한 센터 포지션(C)에는 실제 반도체소자가 형성될 웨이퍼(10)들 즉, 물질막이 형성될 웨이퍼(10)들이 그에 대응되는 슬롯(240)에 다수 적재된다. 상기 물질막들은 폴리실리콘막, 질화막, 산화막들로 이루어진다.Meanwhile, in the center position C except for the upper and lower positions A and B, the wafers 10 on which the actual semiconductor device is to be formed, that is, the wafers 10 on which the material film is to be formed, are slots 240 corresponding thereto. It is loaded with a number. The material films are made of a polysilicon film, a nitride film, and an oxide film.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 웨이퍼 적재용 보트는 다음과 같이 작용한다.The wafer loading boat according to the present invention configured as described above acts as follows.
우선, 상기 보트(200)가 종형 확산로 내로 로딩되면, 히팅부재(미도시)에 의해 내부가 소정온도로 가열되고, 미도시된 가스분사관으로부터 화학소스 가스가 주입된다. 예를 들어, 상기 웨이퍼(10) 상에 전도성을 갖는 폴리실리콘 박막을 형성하기 위해서는 실란(SiH4) 가스와 포스핀(PH3) 가스를 주입하거나, 또는 형성된 폴리실리콘 박막에 전도성을 주기 위해 포스핀(PH3) 가스만을 가스공급관을 통해 공급시킨다.First, when the boat 200 is loaded into the vertical diffusion furnace, the inside of the boat 200 is heated to a predetermined temperature by a heating member (not shown), and the chemical source gas is injected from the gas injection pipe (not shown). For example, in order to form a conductive polysilicon thin film on the wafer 10, a silane (SiH 4 ) gas and a phosphine (PH 3 ) gas may be injected, or a force may be applied to the formed polysilicon thin film. Only the fin (PH 3 ) gas is supplied through the gas supply pipe.
그러면, 상기 화학소스 가스는 종형 확산로 내로 흘러들어가 웨이퍼(10)의 표면에 막질을 형성하게 되는데, 상기 화학소스 가스는 본 발명에 따른 상하측 포지션(A)(B)에 장착된 제1, 제2 및 제3홀플레이트(250)(260)(270)들의 제1, 제2 및 제3홀(250a)(260a)(270a)들을 통하여 센터 포지션(C)에 적재된 상기 웨이퍼(10)들에 원활히 흐르게 된다.Then, the chemical source gas flows into the vertical diffusion path to form a film on the surface of the wafer 10. The chemical source gas is formed in the upper and lower positions (A) and (B) according to the present invention. The wafer 10 loaded in the center position C through the first, second and third holes 250a, 260a, 270a of the second and third hole plates 250, 260, 270. It flows smoothly in the fields.
이는 각각의 홀플레이트(250)(260)(270)들에 형성된 각각의 홀(250a)(260a)(270a)들의 직경이 제1홀플레이트(250)에서 제2, 제3홀플레이트(260)(270)로 갈수록 작아지게 구비되고, 상기 홀(250a)(260a)(270a)들의 갯수가 많게 형성되어 있기 때문에 전체적인 상기 화학소스 가스가 제일 먼저 상하측 포지션(A)(B)의 제1홀플레이트(250)에 형성된 16개의 제1홀(250a)들을 통해 유입되고, 이렇게 유입된 상기 화학소스 가스는 제1홀(250a)들 보다 직경이 작고 61개로 분산된 제2홀플레이트(260)의 제2홀(260a)들을 통해 유입된다. 또한, 제2홀(260a)들을 통과한 상기 화학소스 가스는 제2홀(260a)들 보다 직경이 작고 97개로 더 분산된 제3홀플레이트(270)의 제3홀(270a)들을 통해 그 흐름이 원할하게 분산되어 적재된 웨이퍼(10)들로 유입 확산된다. 즉, 더미 웨이퍼(도 2의 20)를 사용하지 않았던 종래와는 달리, 상하측 포지션(A)(B)에 각기 다른 홀(250a)(260a)(270a)들을 가진 제1, 제2 및 제3홀플레이트(250)(260)(270)가 장착됨으로써, 상기 화학소스 가스 전체가 직접 노출된 웨이퍼(10)의 표면으로 흘러가지 않고 상기 홀(250a)(260a)(270a)들을 통해 분산되어 각각의 웨이퍼(10)에 골고루 영향을 미치게 된다.This is because the diameters of the respective holes 250a, 260a, and 270a formed in the respective hole plates 250, 260, and 270 have the diameters of the second and third hole plates 260 in the first hole plate 250. Since the number of holes 250a, 260a, and 270a is large, the overall chemical source gas is the first hole of the upper and lower positions (A) and (B). The chemical source gas introduced through the sixteen first holes 250a formed in the plate 250 is smaller than the first holes 250a and is divided into 61 holes of the second hole plate 260. It is introduced through the second holes 260a. In addition, the chemical source gas passing through the second holes 260a flows through the third holes 270a of the third hole plate 270 having a diameter smaller than those of the second holes 260a and 97 more dispersed. This is smoothly distributed and diffused into the loaded wafers 10. That is, unlike the prior art in which the dummy wafer (20 in FIG. 2) was not used, the first, second and first having different holes 250a, 260a and 270a in the upper and lower positions A and B are used. By mounting the three-hole plates 250, 260, 270, the entire chemical source gas is dispersed through the holes 250a, 260a, 270a without flowing directly to the surface of the exposed wafer 10. Each wafer 10 is evenly affected.
이로써, 종래와 같이 더미 웨이퍼(도 2의 20)를 사용하지 않고서도 파티클 및 기타 오염을 줄여 웨이퍼(10) 표면의 결함 발생을 방지할 수 있게 되며, 막질두께 및 균일도가 개선된 웨이퍼(10)들을 생산해 낼 수 있게 된다.As a result, particles and other contamination can be reduced to prevent defects on the surface of the wafer 10 without using a dummy wafer (20 in FIG. 2) as in the related art, and the wafer 10 with improved film thickness and uniformity can be obtained. Will be able to produce them.
또한, 상술한 바와 같이, 더미 웨이퍼(도 2의 20)가 배제된 채 공정을 진행함으로써, 더미 웨이퍼(도 2의 20)의 수급 불균형에 긴급히 대처하여 원가를 절감시킬 수 있게 된다.In addition, as described above, by proceeding the process without the dummy wafer (20 in FIG. 2), the supply and demand imbalance of the dummy wafer (20 in FIG. 2) can be urgently handled to reduce the cost.
이상에서의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 적재용 보트는 종래와 달리 더미 웨이퍼가 배제되므로 더미 웨이퍼의 수급불량에 긴급히 대처할 수 있으며, 그에 따른 원가절감 및 양질의 웨이퍼를 생산할 수 있는 점에 그 장점이 있다.As described above, since the wafer stacking boat according to the present invention removes the dummy wafer differently from the prior art, it is possible to urgently cope with the supply and demand failure of the dummy wafer, thereby reducing the cost and producing a good quality wafer. It has its advantages.
Claims (4)
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019990005530A KR20000056316A (en) | 1999-02-19 | 1999-02-19 | Wafer loading boat |
Applications Claiming Priority (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111312637A (en) * | 2020-02-28 | 2020-06-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Wafer bearing device and vertical diffusion furnace |
| CN111933541A (en) * | 2020-08-10 | 2020-11-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Method and system for processing wafer in semiconductor equipment |
-
1999
- 1999-02-19 KR KR1019990005530A patent/KR20000056316A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111312637A (en) * | 2020-02-28 | 2020-06-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Wafer bearing device and vertical diffusion furnace |
| CN111312637B (en) * | 2020-02-28 | 2023-03-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Wafer bearing device and vertical diffusion furnace |
| CN111933541A (en) * | 2020-08-10 | 2020-11-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Method and system for processing wafer in semiconductor equipment |
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |