KR20000055740A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20000055740A KR20000055740A KR1019990004519A KR19990004519A KR20000055740A KR 20000055740 A KR20000055740 A KR 20000055740A KR 1019990004519 A KR1019990004519 A KR 1019990004519A KR 19990004519 A KR19990004519 A KR 19990004519A KR 20000055740 A KR20000055740 A KR 20000055740A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- address
- counter
- odd
- lsb
- address counter
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/04—Arrangements for selecting an address in a digital store using a sequential addressing device, e.g. shift register, counter
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/06—Address interface arrangements, e.g. address buffers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/10—Decoders
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/18—Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 메모리 억세스 스피드(Memory Access Speed)를 향상시키는데 적당한 반도체 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor devices, and more particularly, to semiconductor devices suitable for improving memory access speed.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래의 반도체 장치를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a conventional semiconductor device will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래의 반도체 장치를 나타낸 구성블록도이다.1 is a block diagram illustrating a conventional semiconductor device.
도 1에 도시한 바와 같이, 원하는 어드레스를 출력하는 어드레스 카운터(Address Counter)(11)와, 상기 어드레스 카운터(11)에서 출력되는 어드레스와 외부의 데이터(Data) 및 제어신호(Control)를 받아 데이터를 읽거나 쓰는 메모리 셀(12)로 구성된다.As shown in FIG. 1, an address counter 11 outputting a desired address, an address output from the address counter 11, external data Data, and a control signal Control are received. It consists of a memory cell 12 that reads or writes.
여기서 상기 어드레스 카운터(11)는 어드레스 래치(Address Latch)와 카운터 그리고 디코더(Decoder)로 구성되고, 상기 메모리 셀(12)은 일정한 크기를 갖는 복수개의 뱅크(Bank)로 구성된다.The address counter 11 includes an address latch, a counter, and a decoder, and the memory cell 12 includes a plurality of banks having a predetermined size.
상기와 같이 구성된 종래의 반도체 장치는 어드레스 카운터(11)에서 출력되는 어드레스에 의해 메모리 셀(12)의 뱅크가 선택되면 어드레스 카운터(11)를 1씩 증가시켜 어드레스를 발생시키고 디코딩하여 원하는 어드레스를 지정한다.In the conventional semiconductor device configured as described above, when the bank of the memory cells 12 is selected by the address output from the address counter 11, the address counter 11 is incremented by one to generate and decode the address to designate a desired address. do.
따라서 다음 어드레스를 지정하기 위해 1을 증가시키려면 어드레스 카운터(11)를 1증가 시키는데 소요되는 시간을 기다린 후 안정된 신호가 나온 후 디코딩하여야 한다.Therefore, to increase 1 to designate the next address, wait for the time required to increase the address counter 11 and then decode after a stable signal is output.
즉, 다음 어드레스를 지정하기 위해서는 일정한 시간이 소요된다.In other words, it takes a certain time to specify the next address.
상기와 같은 종래의 반도체 장치에 있어서 다음과 같은 문제점이 있었다.In the conventional semiconductor device as described above, there are the following problems.
즉, 다음 어드레스를 지정하기 위해 어드레스 카운터를 1증가시키고 디코딩하는데 일정한 시간에 소요되기 때문에 억세스 시간(Access Time)을 줄이는데 한계가 있다.That is, since it takes a certain time to increment and decode the address counter by one to designate the next address, there is a limit in reducing the access time.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 어드레스 생성에 소요되는 시간을 줄임으로써 억세스 시간을 줄이도록 한 반도체 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a semiconductor device which reduces the access time by reducing the time required to generate an address.
도 1은 종래의 반도체 장치를 나타낸 구성블록도1 is a block diagram showing a conventional semiconductor device
도 2는 본 발명에 의한 반도체 장치를 나타낸 구성블록도2 is a block diagram illustrating a semiconductor device according to the present invention.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings
21 : 짝수 어드레스 카운터 22 : 홀수 어드레스 카운터21: Even Address Counter 22: Odd Address Counter
23 : 카운터 인에이블 비트 24 : 짝수 메모리 셀23: Counter Enable Bit 24: Even Memory Cell
25 : 홀수 메모리 셀25: odd memory cells
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 장치는 카운터 인에이블 신호를 출력하는 카운터 인에이블 비트와, 상기 카운터 인에이블 비트의 카운터 인에이블 신호를 받아 짝수 어드레스를 출력하는 제 1 어드레스 카운터와, 상기 카운터 인에이블 비트의 카운터 인에이블 신호를 받아 홀수 어드레스를 출력하는 제 2 어드레스 카운터와, 상기 제 1 어드레스 카운터의 짝수 어드레스와 데이터 및 외부의 제어신호를 받아 데이터를 라이트 또는 리드하는 제 1 메모리 셀과, 상기 제 2 어드레스 카운터의 홀수 어드레스와 데이터 및 외부의 제어신호를 받아 데이터를 라이트 또는 리드하는 제 2 메모리 셀을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, a semiconductor device includes a counter enable bit for outputting a counter enable signal, a first address counter for receiving an even address and receiving a counter enable signal of the counter enable bit; A second address counter that receives the counter enable signal of the counter enable bit and outputs an odd address, and a first memory that receives or writes data from an even address and data of the first address counter and an external control signal to write or read data; And a second memory cell which writes or reads data in response to an odd address and data of the second address counter and an external control signal.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 반도체 장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a semiconductor device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 의한 반도체 장치를 나타낸 구성블록도이다.2 is a block diagram illustrating a semiconductor device according to the present invention.
도 2에 도시한 바와 같이, 짝수 어드레스 카운터(Even address counter)(21), 홀수 어드레스 카운터(odd address counter)(22), 카운터 인에이블 비트(CT_EN)(23), 짝수 메모리 셀(24), 홀수 메모리 셀(25)로 구성된다.As shown in FIG. 2, an even address counter 21, an odd address counter 22, a counter enable bit (CT_EN) 23, an even memory cell 24, It is composed of odd memory cells 25.
여기서 상기 짝수 어드레스 카운터(21)는 어드레스 래치, 짝수 어드레스 카운터, 디코더로 구성되어 있고, 상기 홀수 어드레스 카운터(22)는 어드레스 래치, 홀수 어드레스 카운터, 디코더로 구성되어 있다.The even address counter 21 is composed of an address latch, an even address counter, and a decoder, and the odd address counter 22 is composed of an address latch, an odd address counter, and a decoder.
그리고 상기 카운터 인에이블 비트(CT_EN)(23)는 토글 플립플롭(Toggle F/F)으로 구성되어 상기 짝수 어드레스 카운터(21)와 홀수 어드레스 카운터(22)에 제어신호(Control Signal)를 출력하여 제어하고, 상기 짝수 메모리 셀(24)과 홀수 메모리 셀(25)은 각각 복수개의 뱅크로 구성되어 있다.The counter enable bit (CT_EN) 23 is composed of a toggle flip-flop (Toggle F / F) to control and output a control signal (Control Signal) to the even address counter 21 and the odd address counter 22. The even memory cells 24 and the odd memory cells 25 are each composed of a plurality of banks.
상기와 같이 구성된 본 발명의 반도체 장치는 짝수 어드레스 카운터(21)와 홀수 어드레스 카운터(22)를 두고 입력되는 어드레스의 LSB가 "0"이면, 상기 LSB를 제외한 어드레스를 짝수 어드레스 카운터(21)와 홀수 어드레스 카운터(22)에 그대로 래치하고 디코딩하여 출력한다.The semiconductor device of the present invention configured as described above has an even address counter 21 and an odd address counter 22, and if the LSB of the address input is "0", the address excluding the LSB is changed to the even address counter 21 and the odd number. The address counter 22 is latched as it is, decoded, and output.
만약, 상기 LSB가 "1"이면 홀수 어드레스 카운터(22)에는 LSB를 제외한 어드레스를 그대로 래치하고 짝수 어드레스 카운터(21)에는 어드레스 +1하여 LSB를 제외한 어드레스를 래치한다.If the LSB is "1", the odd address counter 22 latches the address except the LSB as it is, and the even address counter 21 latches the address except the LSB.
그리고 리드 또는 라이트될 때마다 카운터 인에이블 비트(23)가 "0"이면 짝수 어드레스 카운터(21)를 1증가시키고, 상기 카운터 인이에블 비트(23)가 "1"'이면 홀수 어드레스 카운터(22)를 1증가시킨다.Each time the read enable bit 23 is "0", the even address counter 21 is incremented by one. When the counter enable bit 23 is "1", the odd address counter 22 is increased. Increase 1).
한편, 상기 입력되는 어드레스의 LSB는 카운터 인에이블 비트(23)에 래치하고, 상기 카운터 인에이블 비트(23)는 리드 또는 라이트가 될 때마다 토글한다.On the other hand, the LSB of the input address is latched in the counter enable bit 23, and the counter enable bit 23 toggles whenever it is read or written.
이때 상기 카운터 인에이블 비트(23)가 "0"이면 짝수 메모리 셀(24)의 제어신호는 인에이블(Enable)하고 홀수 메모리 셀(25)의 제어신호는 디져블(Disable)한다.At this time, when the counter enable bit 23 is "0", the control signal of the even memory cell 24 is enabled and the control signal of the odd memory cell 25 is disabled.
그리고 상기 카운터 인에이블 비트(23)가 "1"이면 짝수 메모리 셀(24)의 제어신호는 디져블하고 홀수 메모리 셀(25)의 제어신호는 인에이블한다.When the counter enable bit 23 is "1", the control signal of the even memory cell 24 is disabled and the control signal of the odd memory cell 25 is enabled.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 반도체 장치는 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the semiconductor device according to the present invention has the following effects.
즉, 각각의 어드레스 카운터는 리드/라이트 신호의 1/2주기로 카운트하기 때문에 카운트 스피드를 증가시킬 수 있어 억세스 시간을 줄일 수 있어 억세스 스피드를 증가시킬 수 있다.That is, since each address counter counts at 1/2 cycles of the read / write signal, the count speed can be increased, thereby reducing the access time, thereby increasing the access speed.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990004519A KR20000055740A (en) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990004519A KR20000055740A (en) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | Semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000055740A true KR20000055740A (en) | 2000-09-15 |
Family
ID=19573917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990004519A KR20000055740A (en) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | Semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20000055740A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9374095B2 (en) | 2013-10-08 | 2016-06-21 | SK Hynix Inc. | Counter circuit and semiconductor device including the same |
-
1999
- 1999-02-09 KR KR1019990004519A patent/KR20000055740A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9374095B2 (en) | 2013-10-08 | 2016-06-21 | SK Hynix Inc. | Counter circuit and semiconductor device including the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5953280A (en) | Bank selection for synchronous readable and writable semiconductor memory | |
DE60130437D1 (en) | SIMULTANEO MULTIBRANGE FOR FLASH MEMORY | |
US6708255B2 (en) | Variable input/output control device in synchronous semiconductor device | |
WO2006017461A2 (en) | Byte enable logic for memory | |
US7133992B2 (en) | Burst counter controller and method in a memory device operable in a 2-bit prefetch mode | |
WO2013011848A1 (en) | Semiconductor memory device | |
KR930007185B1 (en) | Register bank circuit | |
US6714475B2 (en) | Fast accessing of a memory device using decoded address during setup time | |
KR20000055740A (en) | Semiconductor device | |
US6333894B1 (en) | Semiconductor storage device | |
US7672177B2 (en) | Memory device and method thereof | |
US6014333A (en) | Semiconductive memory device capable of carrying out a write-in operation at a high speed | |
JP3284281B2 (en) | Semiconductor storage device | |
KR20020071709A (en) | Device and method for controlling bank refresh | |
EP3929924A1 (en) | Write operation circuit, semiconductor memory and write operation method | |
KR100290545B1 (en) | Register file array having a two-bit to four-bit encoder | |
KR920000401B1 (en) | Data buffering circuit | |
KR20000021309A (en) | Initializing circuit for multi bank dram | |
KR100208794B1 (en) | Register common circuit | |
JPH07249291A (en) | Decoding device for generating address | |
KR100461970B1 (en) | Latch Circuit for Area Reduction_ | |
KR100205305B1 (en) | Page mode circuit | |
JPS59122117A (en) | Digital delay circuit | |
JPH05173927A (en) | Address extension control system | |
JP2000029784A (en) | High-speed response circuit for device and high-speed response circuit for memory |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
WITN | Withdrawal due to no request for examination |