KR20000048140A - 코마수차 자동계측용 마크와 계측방법 - Google Patents

코마수차 자동계측용 마크와 계측방법 Download PDF

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KR20000048140A
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사이토우히로부미
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카네코 히사시
닛뽄덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

재현성이 좋게 코마수차를 자동으로 계측하는 것을 목적으로 한다. 가늘고 긴 이등변삼각형의 패턴(P1, P2, P3, P4, P5, P6)을 써서, 상기 이등변삼각형의 패턴을, 계측을 행하는 코히어런트한 빛이 회절되는 정도의 피치로 배열하여, 일차 회절격자로서의 코마수차 자동계측용 마크(M)을 구성하고, 일차원 회절격자(M)을 대칭으로 거리를 두고 배설하고, 일차원 회절격자(M)의 간격을 코히어런트한 빛을 써서 주사하고, 일차원 회절격자(M)에 의해 발생하는 회절광의 상대적인 거리를 계측함에 의해, 일차원 회절격자(M)의 간격을 계측한다.

Description

코마수차자동계측용 마크와 계측방법{MARK FOR MEASURING COMA ABERRATION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은, 축소투영 노광에 쓰이는 렌즈수차 중에서 코마수차만을 계측하기 위해서 쓰는 코마수차자동계측용 마크와, 코마수차 자동계측용 마크을 써서 코마수차를 계측하는 계측방법에 관한 것이다.
축소투영 렌즈의 코마수차를 고속이며 또한 간이하게 계측하는 것이 중요한 요소의 하나로 되어 있다.
축소투영 렌즈의 코마수차를 계측하는 종래 예에 관계되는 축소투영 렌즈의 코마수차를 계측하는 방법을 도 1A, 도 1B, 도 1C에 의거하여 설명한다.
도 1A에 도시하는 바와 같이, 종래 예에서는, 짧은 책 모양의 패턴(L1, L2, L3, L4, L5)이 노광 파장의 배 정도의 피치로 평행하게 배열되어, 코마수차 자동계측용 마크가 구성되어 있다.
그래서, 종래 예에서는, 짧은 책 모양의 패턴(L1, L2, L3, L4, L5)의 선 폭을 길이 측정(SEM) 등을 써서 계측하여, 도 1A, 1B, 1C에 도시한 바와 같이, 양 끝에 위치하는 패턴 L1과 L5와의 선 폭의 차이로 부터 수차량을 산출하고 있다.
도 1A에 도시하는 경우는, 수차가 없는 경우이고, 도 1B에 도시하는 경우는, 코마수차가 있는 경우이고 도 1C에 도시하는 경우는, 구면수차가 있는 경우이다.
그런데, 종래 예에서는, 코마수차가 대단히 큰 경우 등에는 화상처리를 쓴 자동계측기 등을 사용할 수가 없어서, 수동으로 계측을 하기 때문에 시간을 요한다는 문제가 있다.
이 때문에, 장치의 조정을 원활하게 할 수가 없고, 수동에 의한 계측이기 때문에, 재현성에 관해서도 충분하다고는 말 할 수 없다.
또한, 축소투영 렌즈에 의해서 생기는 다른 수차와의 분리도 곤란하다고 하는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 재현성이 좋고 코마수차 등을 자동으로 계측하기 위한 코마수차자동계측용 마크와, 코마수차 자동계측용 마크를 사용하여 코마수차를 계측하는 계측방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 관계되는 코마수차 자동계측용 마크는, 복수의 세장 이등변 삼각형의 패턴을, 그 이등변삼각형의 중심(中心)을 통하는 대칭축선이 서로 평행으로 위치하고, 또한, 복수의 이등변삼각형의 패턴의 반수가 나머지 반수의 이등변삼각형의 패턴과 역방향으로 위치하고, 또한, 복수의 이등변삼각형의 패턴이 서로 떨어져 위치하도록, 이등변삼각형의 중심을 통하는 대칭축선과 직각의 방향에, 계측을 하는 코히어런트한 빛이 회절되는 정도의 피치로 배열하여, 일차회절격자를 구성하는 것이다.
또한, 상기 계측을 행하는 코히어런트한 빛이 회절되는 정도의 피치는, 렌즈설계파장의 배정도의 피치이다.
또한, 복수의 상기 이등변 삼각형의 패턴을 제1의 조와 제2의 조로 나누어, 제1의 조의 패턴과, 제2의 조의 패턴이, 이등변 삼각형의 중심을 지나는 대칭축선에 대하여 직각의 방향의 선에 대하여, 대칭으로 배치하고 있다.
또 상기 코마수차자동계측용 마크는 코마수차의 계측, 광축의 텔레센트릭성의 계측에 적응하는 것이다.
또 본 발명에 관련된 코마수차 자동계측용 마크를 이용하여 코마수차를 계측하는 계측방법은, 코마수차자동계측용 마크를 이용하여 코마수차를 계측하는 계측방법이고,
상기 코마수차 자동계측용 마크는, 복수의 세장 이등변삼각형의 패턴을 그 이등변삼각형의 중심을 통하는 대칭축선이 서로 평행으로 위치하고, 또한, 복수의 이등변삼각형의 패턴의 반수가 나머지 반수의 이등변삼각형의 패턴과 역방향으로 위치하고, 또한, 복수의 이등변삼각형의 패턴이 서로 떨어져 위치하도록, 이등변삼각형의 중심을 통하는 대칭축선과 직각의 방향에, 계측을 하는 코히어런트한 빛이 회절되는 정도의 피치로 배열하여, 일차회절격자를 구성하는 것으로서,
적어도 2개의 일차원회절격자를, 이등변삼각형의 중심을 통하는 대칭축선에 대해, 이등변삼각형의 패턴이 대칭이 되도록, 거리를 두고 배설하고,
상기 일차원 회절격자의 간격을 코히어런트한 빛을 써서 주사하고, 상기 일차원 회절격자에 의해 발생하는 회절광의 거리를 측정함에 의해, 상기 일차원 회절격자의 간격을 계측하는 것이다.
또한 상기 일차원 회절격자를 대칭으로 배치하는 거리는, 계측을 하는 코히어런트한 빛의 파장에 대하여 충분히 길지만, 그 좌표계측계에 의해 샌기는 아뻬(Abbe)오차나 축소투영 렌즈에 의해 생기는 디스토션을 무시할 수 있는 거리로 설정한다.
또한 상기 측정방법은, 코마수차의 계측 대신에, 광축의 텔레센트릭성의 계측에 적응하는 것이다.
더욱이 상기 코마수차 자동계측용 마크를 구성하는 삼각형의 패턴은, 세장 이등변삼각형에 한정되는 것은 아니다. 삼각형의 패턴이, 세장 삼각형의 패턴으로서, 복수의 세장 삼각형의 패턴의 반수가 나머지 반수의 세장 삼각형 패턴의 역방향으로 위치하고, 각 세장 삼각형의 패턴의 3변 중의 긴 2변 사이의 정점과 3변 중위 나머지 가장 짧은 변의 중심과를 연결하는 장축에 대해 거의 직각방향으로, 세장 삼각형의 패턴이 서로 평행하게 떨어져 위치하도록, 계측을 하는 코히어런트한 빛이 회절되는 정도의 피치로 배열할 수 있는 세장 삼각형의 패턴이면, 충분하다.
도 1A, 도 1B, 도 1C는, 축소투영 렌즈의 코마수차를 계측하는 종래 예에 관계되는 방법을 도해하는, 종래예에 관계되는 코마수차 자동계측용 마크를 도시하는 개략도이다.
도 2는, 본 발명의 1실시형태에 관계되는 코마수차 자동계측용 마크를 도시하는 개략도이다.
도 3은, 본 발명의 1실시형태에 관계되는 코마수차 자동계측용 마크를 써서 코마수차를 계측하는 계측방법을 도해하는 개략도이다.
도 4는, 본 발명의 1실시형태에 관계되는 코마수차 자동계측용 마크를 써서 코마수차를 계측하는 계측방법을 도시하는 개략도이다.
도 5는, 코마수차가 존재하는 경우에 코마수차 자동계측용 마크에 의해 발생하는 회절광 도시하는 개략도이다.
도 6은, 구면수차가 존재하는 경우에 코마수차 자동계측용 마크에 의해 발생하는 회절광을 도시하는 개략도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
M 코마수차 자동계측용 마크(M)
P1, P2, P3, P4, P5, P6 이등변삼각형의 패턴
K 회절광
이하, 본 발명의 실시의 형태를 도면에 의해 설명한다.
도 2는, 본 발명의 1실시형태에 관계되는 코마수차 자동계측용 마크를 도시하는 개략도, 도 3은, 본 발명의 1실시형태에 관계되는 코마수차 자동계측용 마크를 써서 코마수차를 측정하는 측정방법을 도해하는 개략도이다.
본 발명의 특징은, 축소투영 노광에 쓰이는 렌즈 수차 중의 코마수차만을 자동 더욱이 정량적으로 계측 가능하게 하는 것에 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이 본 발명의 1실시형태에 관계되는 코마수차 자동계측용 마크는, 이등변삼각형의 패턴(P1, P2, P3, P4, P5, P6)을 써서, 이등변삼각형의 패턴(P1, P2, P3, P4, P5, P6)를 렌즈 설계 파장의 배 정도의 피치로 배열한 것이다. 상술하면, 복수의 이등변삼각형의 패턴(P1, P2, P3, P4, P5, P6)을, 그 복수의 이등변삼각형의 패턴의 반수(P1, P2, P3)가 나머지 반수의 이등변삼각형 패턴 (P4, P5, P6)의 역방향으로 위치하고, 또한 복수의 이등변삼각형의 패턴이 서로 떨어져서 위치하도록 이등변삼각형의 중심을 통하는 대칭축선과 직각방향으로, 계측을 하는 코히어런트한 빛이 회절되는 정도의 피치로 배열하여, 일차회절격자를 구성한 것이다. 여기서, 세장 이등변삼각형의 패턴(P1, P2, P3, P4, P5, P6)은, 그 길이가, 그 폭의 5배에서 10배이다. 그러나, 길이는, 이 범위만에 한정되는 것은 아니다.
도 2에 도시하는 바와 같이 본 발명의 1실시형태에 관계되는 코마자동계측용 마크(M)을 구성하는 패턴(P1, P2, P3, P4, P5, P6)으로서, 도 1에 도시하느 짧은 책 모양의 라인 및 스페이스를 쓰지 않고 삼각형의 패턴로 구성한 이유는, 삼각형의 패턴을 쓰는 쪽이, 보다 코마수차의 영향을 받기 쉽기 때문에, 민감하게 코마수차를 계측할 수가 있기 때문이다.
도 2에 도시한 바와 같이 본 발명의 1실시형태에 관계되는 코마수차 자동계측용 마크(M)은, 이등변삼각형의 패턴(P1, P2, P3, P4, P5, P6)을 3개씩 조로 나누고, 3개의 이등변삼각형의 패턴(P1, P2, P3)과, 나머지 3개의 이등변삼각형의 패턴 (P4, P5, P6)를 방향을 다르게 하여, 계측을 하는 코히어런트한 빛이 충분히 회절되는 (렌즈 설계 파장의 배 정도의 피치)로 배열하여, 일차원 회절격자를 형성하고 있다. 또한, 코마수차 자동계측용 마크(M)을 구성하는 이등변삼각형의 패턴 P의 개수는, 도 2에 도시하는 6개로 한정되는 것이 것이 아니고, 그 개수는 적절히 선택하여, 일차원 회절격자를 형성하도록 하면 된다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 1실시형태에 관계되는 코마수차 자동계측용 마크를 써서 코마수차를 계측하는데는, 도 2에 도시하는 코마수차 자동계측용 마크(M), 즉 M1과 M2와를, 코마수차 자동계측용 마크(M)1과 코마수차 자동계측용 마크(M)2와의 사이에 대칭축S(이등변삼각형의 패턴(P1, P2, P3, P4, P5, P6)의 중심을 통하는 대칭축선에 대해 직각 방향의 선)에 대해, 대칭이 되도록, 거리 R을 두고 배설한다.
또한, 이 경우에, 대칭인 코마수차 자동계측용 마크(M)1을 구성하는 이등변삼각형의 패턴(P1, P2, P3, P4, P5, P6)의 방향은, 코마수차 자동계측용 마크(M)2를 구성하는 대응하는 이등변삼각형 패턴의 방향과는 , 서로 반대방향이 되도록 배치한다. 따라서, 서로 대칭인 코마수차 자동계측용 마크(M)1과 M2의 한쪽의 코마수차 자동계측용 마크(M)1의 이등변삼각형의 패턴(P1, P2, P3, P4, P5, P6)은, 다른쪽의 코마수차 자동계측용 마크(M)1의 이등변삼각형의 패턴과는, 대칭축S에 대해 대칭으로 배치되어 있다.
또한, 일차원 회절격자(M)을 대칭으로 배치하는 거리 R은, 계측을 하는 코히어런트한 빛의 파장에 대하여 충분히 길지만, 그 좌표계측계에 의해 생기는 아뻬(Abbe)오차나 축소투영 렌즈에 의해 생기는 디스토션을 무시 가능한 거리로 설정한다.
본 발명의 1실시형태에 관계되는 코마수차 자동계측용 마크(M)을 써서 코마수차를 계측하는데는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 거리 R을 두고 대칭으로 배치한 2개의 일차원 회절격자(M)의 간격을 코히어런트한 빛을 써서 주사하여, 도 4에 도시하는 바와 같이, 2개의 일차원 회절격자(M)에 의해 발생하는 회절광(K)의 상대적인 거리 R1을 계측한다.
코마수차가 존재하는 경우에는, 2개의 일차원 회절격자(M)의 간격은, 코마수차량에 상당하는 것으로 하여 환산하고, 같은 조건으로 몇개의 패터닝을 하는데, 동일 패턴을 몇회 측정함에 의해, 계측경과를 평균화하여, 오차를 가급적 작게한다.
즉, 본 발명은, 코마수차를 고속으로 자동계측을 써서 정량화 함에 의해, 축소 노광 렌즈가 갖는 코마수차를 단기간에 정확히 계측할 수 있는 것으로서, 코마수차 자동계측용 마크(M)을 도 3에 도시하는 세로방향만이 아니라, 가로방향, 더욱이 사지탈(sagittal)방향과 메리디오날(meridional)방향으로도 배치하고, 렌즈의 코마수차를 계측하려 하는 장소에 씀에 의해, 코마수차의 렌즈면 내의 분포를 명확하게 하는 것이 가능하게 된다.
코마수차의 렌즈면 내의 분포의 데이터를 축소투영렌즈의 조정으로 피드백함에 의해, 실제의 패턴에 있어서의 코마수차를 보정하고, 코마수차가 디바이스·패턴의 치수 제어에 미치는 치수의 가늘어짐, 선 폭의 불균일 등의 영향을 개선할 수가 있다.
다음에, 도 3 도시하는 본 발명의 1실시형태에 관계되는 코마수차 자동계측용 마크(M)을 써서 코마수차를 계측하는 방법을 구체예를 써서 설명한다.
도 5는, 코마수차가 존재하는 경우에 코마수차 자동계측용 마크(M)에 의해 발생하는 회절광(K)를 도시하는 도면이다.
코마수차는, 혜성 모양으로 콘트라스트가 저하하는 수차로서, 코마수차 자동계측용 마크(M)을 구성하는 패턴 P의 끝(도 5 예에서는 패턴 P1, P2)이 가늘어지는 현상으로 나타나서, 도 5 도시하는 바와 같이 각 코마수차 자동계측용 마크(M)의 패턴P1 내지 P3과 P4 내지 P6과가 비대칭으로된다.
그 때문에, 코마수차 자동계측용 마크(M)을 계측하는 코히어런트한 빛으로 주사한 때에 코마수차 자동계측용 마크(M)에 의해 발생하는 회절광(K)의 피크 위치 S1이 정규 피크 위치 S에 대해 어긋난다.
여기서 생긴 2개의 일차원 회절격자(M) 사이의 피크 위치 S1의 거리를 계측함에 의해, 코마수차량을 계측한다.
도 6는, 구면수차가 존재하는 경우에 코마수차 자동계측용 마크(M)에 의해 발생하는 회절광(K)를 도시하는 도면이다.
구면수차는, 콘트라스트가 저하하는 수차로서, 코마수차 자동계측용 마크(M)을 구성하는 패턴 P의 끝(도 6의 예에서는 패턴 P1, P2, P5, P6)이 가늘어지는 현상으로 나타나고, 도 6에 도시하는 바와 같이 각 코마수차 자동계측용 마크(M)의 패턴 P1 내지 P3와 P4 내지 P6와가 비대칭이 된다,
도 6에 도시하는 구면수차가 존재하는 경우, 구면수차에 의해 패턴 끝이 가늘어지지만, 본 발명의 코마수차 자동계측용 마크을 씀에 의해, 계측한 신호는 비대칭이 되지 않고, 피크 중심도 어긋나지 않는다. 이는 본 발명에 있어서, 한쪽의 일차원회절격자(M)1의 이등변삼각형의 패턴(P1, P2, P3, P4, P5, P6)과 다른쪽의 일차원회절격자(M)2의 이등변삼각형의 패턴과를, 이등변삼각형의 중심을 통하는 대칭축선에 대해, 이등변삼각형이 서로 대칭이 되도록 배치됨에 의한 것이다.
또한, 도 2 내지 도 6에서의 실시형태에서는, 코마수차에 대해 적응하였지만, 광축의 텔레센트릭성의 계측에 대하여도 적응할 수가 있다.
즉, 코마수차는 베스트 포커스만이 아니라, 디포커스시에도 신호의 중심위치느 그다지 변하지 않는다.
그러나, 광축의 텔레센트릭성이 어긋난는 경우에는 (+)방향으로 디포커스된 경우와, (-)방향으로 디포커스된 경우와 에서는, 계측신호의 피크 중심위치가 변화한다.
텔레센트릭성의 어긋남에 의해, 코마수차 자동계측용 마크에 비대칭이 생긴다. 이 비대칭성은, 베스트 포커스에서는 0으로 되지만 디포커스 되면 커지게 되어, 기본적으로 (+)방향과 (-)방향에서 역의 비대칭성이 생긴다.
그래서, 도 2에 도시하는 바와 같이 코마수차자동측정용 마크(M)을 쓴 2개의 일차원 회절격자(M), M을 주사하여, 거리 R을 측정하고, 디포커스에 대한 피크 중심거리의 경사성분을 구하여, 그 량을 가지고 텔레센트릭성의 어긋남으로 하면, 텔레센트릭성을 자동 계측할 수가 있다.
이 계측결과를 써서, 렌즈 조정을 하면, 코마수차와 마찬가지로 텔레센트릭성의 어긋남에 의해 생기는 선 폭의 불균일성을 저감할 수가 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 계측용 마크를 구성하는 패턴으로서 삼각형의 패턴을 쓰기 때문에, 보다 코마수차의 영향을 받기 쉽고, 민감하게 코마수차를 계측할 수가 있다.
그러므로, 상기 코마수차자동계측용 마크를 구성하는 삼각형의 패턴은, 세장 이등변삼각형에 하넝되는 것이 아니다. 삼각형의 패턴이, 세장 삼각형의 패턴으로서, 복수의 세장 이등변 삼각형의 패턴의 반수가 나머지 반수의 세장 삼각형 패턴과 역방향으로 위치하고, 각 세장 삼각형 패턴의 3변중 긴 2변의 사이의 정점과 3변중 가장 짧은 변의 중심과를 연결하는 장축에 대해 거의 직각인 방향에, 세장 삼각형의 패턴이 서로 평행하게 떨어저 우치하도록, 계측을 하는 코히어런트한 빛이 회절되는 정도의 피치로 배열할 수 있는 세장 삼각형의 패턴이면, 충분하다. 이 경우에, 바람직하기는, 삼각형의 3변중 긴 2변 사이의 정점과 삼각형의 3변중 나머지 가장 짧은 변의 중심과가, 각각 같은 피치로 배열되도록 배치한다. 세장 삼각형의 패턴은, 예를 들면, 아래와 같이 배열된다. 각 세장 삼각형의 패턴의 3변중의 긴 2변 사이의 정점에서 3변중의 나머지 가장 짧은 변에 대해 직각으로 연결하는 장축이, 서로 평행하고, 복수의 세장 삼각형의 패턴의 반수가 나머지 반수의 세장 삼각형의 패턴과 역방향으로 위치하고, 세장 삼각형의 패턴이 서로 떨어저 위치하도록, 세장 삼각형의 상기 장축에 대해 거의 직각 방향으로, 계측을 하는 커히어런트한 빛이 회절되는 정도의 피치로 배열된다.
또한, 이등변삼각형의 패턴을 써서, 해당 이등변삼각형의 패턴을, 계측을 하는 코히어런트한 빛이 회절되는 정도의 피치로 배열하여, 일차회절격자를 구성하고, 일차원 회절격자를 대칭으로 거리를 두고 배설하고, 일차원 회절격자의 간격을 코히어런트한 빛을 써서 주사하고, 상기 일차원 회절격자에 의해 발생하는 회절광의 상대적인 거리를 계측함에 의해, 상기 일차원 회절격자의 간격을 계산하기 때문에, 재현성이 좋고 코마수차만을 자동으로 계측할 수가 있다.
또한, 코마수차의 계측, 및 광축의 텔레센트릭성의 계측에 적응할 수가 있어서, 범용성을 확대할 수가 있다.

Claims (12)

  1. 복수의 가늘고 긴 이등변 삼각형의 패턴을, 그 이등변 삼각형의 중심을 지나는 대칭축선이 서로 평행하게 위치하고, 또한, 복수의 이등변 삼각형의 패턴의 반수가 나머지의 반수의 이등변 삼각형의 패턴과 반대방향에 위치하고, 추가로 복수의 2등변삼각형의 패턴이 서로 떨어져 위치하도록, 이등변 삼각형의 중심을 지나는 대칭축선과 직각의 방향으로, 계측을 행하는 코히어런트의 빛이 회절 될 정도의 피치에 배열하고, 일차 회절 격자를 구성한 것을 특징으로 하는 코마수차 자동계측용 마크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 계측을 행하는 코히어런트의 빛이 회절될 정도의 피치는, 렌즈설계파장의 배 정도의 피치인 것을 특징으로 하는 코마수차 자동계측용 마크.
  3. 제1항에 있어서,
    복수의 상기 이등변 삼각형의 패턴을 제1의 조와 제2의 조에 나누어, 제1의 조의 패턴과, 제2의 조의 패턴과가, 이등변 삼각형의 중심을 지나는 대칭축선에 대하여 직각의 방향의 선에 대하여, 대칭으로 배치한 것을 특징으로 하는 코마수차 자동계측용 마크.
  4. 제1, 2 또는 3항에 있어서,
    상기 코마수차 자동계측용 마크는 코마수차의 계측, 광축의 텔레센트릭성의 계측에 적응하는 것을 특징으로 하는 코마수차 자동계측용 마크.
  5. 코마수차 자동계측용 마크을 써 코마수차를 계측하는 계측방법이고, 상기 코마수차 자동계측용 마크는, 복수의 가늘고 긴 이등변 삼각형의 패턴을, 그 이등변 삼각형의 중심을 지나는 대칭축선이 서로 평행하게 위치하고, 또한, 복수의 이등변 삼각형의 패턴의 반수가 나머지의 반수의 이등변 삼각형의 패턴과 역방향에 위치하고, 추가로, 복수의 이등변 삼각형의 패턴이 서로 떨어져 위치하도록, 이등변 삼각형의 중심을 지나는 대칭축선과 직각의 방향에, 계측을 행하는 코히어런트의 빛이 회절되는 정도의 피치에 배열하고, 1차 회절 격자를 구성한 것이고,
    적어도 2개의 일차원 회절 격자를, 이등변 삼각형의 중심을 지나는 대칭축선에 대하여 직각의 방향의 선에 대하여, 이등변 삼각형의 패턴이 대칭이 되도록, 거리를 두어 배설하고,
    상기 일차원 회절 격자의 간격을 코히어런트 빛을 써 주사하여, 상기 일차원 회절 격자에 의해 발생하는 회절광의 상대적인 거리를 계측하는 것에 의해, 상기 일차원 회절 격자의 간격을 계측하는 것을 특징으로 하는 계측방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 일차원 회절 격자M을 대칭으로 배치하는 거리는, 계측을 행하는 코히어런트인 빛의 파장에 대하여 충분히 길지만, 그 좌표계측계에 의해 생기는 아뻬(Abbe)오차나 축소투영렌즈에 의하여 발생하는 디스토션을 무시가능한 거리에 설정하는 것을 특징으로 하는 계측방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 계측방법은 코마수차의 계측에 대신하여, 광축의 텔레센트릭성의 계측에 적응하는 것인 것을 특징으로 하는 계측방법.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 1차회절격자는, 복수의 가늘고 긴 삼각형의 패턴을 복수의 가늘고 긴 삼각형의 패턴의 반수가 나머지의 반수의 가늘고 긴 삼각형의 패턴과 역방향으로 위치하고, 각 가늘고 긴 삼각형의 패턴의 3변의 내의 긴 2변의 사이의 정점과 3변의 내의 나머지의 가장 짧은 변에 직각으로 결합하는 장축에 대하여 거의 직각의 방향으로, 가늘고 긴 3각형의 패턴이 서로 평행하게 떨어져 위치하도록, 계측을 행하는 코히어런트의 빛이 회절되는 정도의 피치에 배열되어, 구성되는 것을 특징으로 하는 계측방법.
  9. 복수의 가늘고 긴 이등변 삼각형의 패턴을, 복수의 가늘고 긴 삼각형의 패턴의 반수가 나머지의 반수의 가늘고 긴 삼각형의 패턴과 역방향으로 위치하고, 각 가늘고 긴 삼각형의 패턴의 3변의 내의 긴 2변의 사이의 정점과 3변의 내의 나머지의 가장 짧은 변에 직각으로 결합하는 장축에 대하여 거의 직각의 방향으로, 가늘고 긴 삼각형의 패턴이 서로 평행하게 떨어져 위치하도록, 계측을 행하는 코히어런트의 빛이 회절되는 정도의 피치로 배열하고, 일차회절격자를 구성한 것을 특징으로 하는 코마수차 자동계측용 마크.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 계측을 행하는 코히어런트의 빛이 회절될 정도의 피치는, 렌즈설계파장의 배 정도의 피치인 것을 특징으로 하는 코마수차 자동계측용 마크.
  11. 제9항에 있어서,
    복수의 상기 이등변 삼각형의 패턴을 제1의 조와 제2의 조에 나누어, 제1의 조의 패턴과, 제2의 조의 패턴과가, 가늘고 긴 삼각형의 상기 장축에 대하여 직각의 방향의 선에 대하여, 대칭으로 배치한 것을 특징으로 하는 코마수차 자동계측용 마크.
  12. 제9, 10 또는 11항에 있어서,
    상기 코마수차 자동계측용 마크는 코마수차의 계측, 광축의 텔레센트릭성의 계측에 적응하는 것을 특징으로 하는 코마수차 자동계측용 마크.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002131185A (ja) * 2000-10-20 2002-05-09 Nec Corp コマ収差の測定用マスク及びコマ収差の測定方法
US6538753B2 (en) 2001-05-22 2003-03-25 Nikon Precision, Inc. Method and apparatus for dimension measurement of a pattern formed by lithographic exposure tools
US6956659B2 (en) * 2001-05-22 2005-10-18 Nikon Precision Inc. Measurement of critical dimensions of etched features
US6974653B2 (en) * 2002-04-19 2005-12-13 Nikon Precision Inc. Methods for critical dimension and focus mapping using critical dimension test marks
JP2009277711A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Canon Inc 露光装置、補正方法及びデバイス製造方法
CN104330240B (zh) * 2013-12-13 2016-08-31 北京印刷学院 一种用分光光度计测量光柱镭射纸光栅参数的方法
CN106644410B (zh) * 2016-12-21 2019-04-09 信利光电股份有限公司 一种摄像模组光心位置测量方法及系统

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4814829A (en) * 1986-06-12 1989-03-21 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JP2621179B2 (ja) * 1987-06-09 1997-06-18 株式会社ニコン アライメント方法
US4908656A (en) * 1988-01-21 1990-03-13 Nikon Corporation Method of dimension measurement for a pattern formed by exposure apparatus, and method for setting exposure conditions and for inspecting exposure precision
US5402224A (en) * 1992-09-25 1995-03-28 Nikon Corporation Distortion inspecting method for projection optical system
US5615006A (en) * 1992-10-02 1997-03-25 Nikon Corporation Imaging characteristic and asymetric abrerration measurement of projection optical system
US5300786A (en) * 1992-10-28 1994-04-05 International Business Machines Corporation Optical focus phase shift test pattern, monitoring system and process
JPH10232185A (ja) 1996-12-19 1998-09-02 Nikon Corp 投影光学系の収差測定方法
TW357262B (en) * 1996-12-19 1999-05-01 Nikon Corp Method for the measurement of aberration of optical projection system, a mask and a exposure device for optical project system
US5835227A (en) 1997-03-14 1998-11-10 Nikon Precision Inc. Method and apparatus for determining performance characteristics in lithographic tools
US6088113A (en) * 1998-02-17 2000-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Focus test mask for projection exposure system, focus monitoring system using the same, and focus monitoring method
JPH11297614A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Nikon Corp コマ収差測定装置および該装置を備えた投影露光装置

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