KR20000038208A - 반도체 장치의 박막 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 장치의 박막 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 일 관점은 챔버, 박막을 구성하는 데 사용되는 주요 성분을 포함하는 주반응 가스를 상기 챔버에 공급하는 주반응 가스 공급 장치, 박막에 도핑되는 성분을 포함하는 부반응 가스를 상기 챔버에 공급하는 부반응 가스 공급 장치를 포함하는 반도체 장치 제조 설비의 챔버 내에 반도체 기판을 장착한다. 주반응 가스 공급 장치로부터 주반응 가스를 플로우(flow)하여, 플로우되는 주반응 가스를 챔버에 공급하지 않고 바이 패스(by pass)하여 배출한다. 다음에, 바이 패스하는 주반응 가스를 챔버로 유입시켜 챔버 내의 압력을 안정화시켜 압력의 헌팅(pressure hunting)을 방지하여 제1안정화 단계를 수행한다. 부반응 가스 공급 장치로부터 부반응 가스를 플로우하여 부반응 가스를 챔버에 공급하지 않고 바이 패스하여 배출한다. 바이 패스하는 부반응 가스를 챔버로 유입시켜 챔버 내의 압력을 안정화시켜 압력의 헌팅을 방지하는 제2안정화 단계를 수행한다. 제2안정화 단계는 제1안정화 단계와 동시에 수행한다. 안정화된 주반응 가스 및 부반응 가스를 챔버에 공급하여 반도체 기판 상에 BPSG막 등의 박막을 형성한다.

Description

반도체 장치의 박막 제조 방법
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 챔버에 반응 가스를 공급하여 반도체 기판 상에 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 기판 상에 박막을 증착하는 경우에 케미컬(chemical)의 액상 소오스(liquid source)로부터 기화시켜 반응 가스를 발생시키는 공정이 요구된다. 발생된 반응 가스는 반도체 기판이 장착되는 챔버(chamber)로 유입되어 반도체 기판 상에서 반응을 일으켜 막질로 증착된다.
예를 들어 BPSG((BoroPhosphoSilicate Glass)막을 형성하는 경우에, 액상 소오스는 TEOS(Si(C2H5O)4, Tetra Ethyoxy silane), TEB(B(C2H5O)3, TriEthyl Borate), TEPO(PO(C2H5O)3, Triethyl phosphate) 또는 TMPO(PO(CH3O)3, Trimethyl phosphate) 등과 같은 케미컬로부터 발생되는 가스를 이용한다. 이때, TEOS 가스는 오존(O3) 등과 함께 반응하여 막질을 구성하는 주요 성분으로 작용한다. 즉, 주반응 가스(primary reactive gas)로 이용된다. TEB 가스는 막질에 보론(Boron)을 도핑하는 데 이용되는 도판트(Dopant) 소오스이고, TEPO 가스 또는 TMPO 가스 등은 막질에 인을 도핑하는 데 이용되는 도판트 소오스이다. 즉, 부반응 가스(secondary reactive gas)로 이용된다.
이때, TEOS 등과 같은 액상 소오스는 주반응 가스 공급 장치에서 기화되어 챔버로 공급된다. 먼저, 주반응 가스 공급 장치를 턴 온(turn-on)시킨 후, 대략 4초 내지 15초 정도 시간 동안 안정화시킨다. 이때, 발생되는 TEOS 가스 등은 챔버로 흐른다. 그러나, 챔버에 오존(O3) 등이 공급되지 않으므로 실질적으로 반응이 발생하지는 않는다. 따라서, 오존 등은 상기한 대략 4초 내지 15초 정도 시간이 흐른 이후에 챔버로 공급되어 증착 반응이 수행되어 반도체 기판 상에 박막이 형성된다. 그러나, 도판트 등과 같은 부반응 가스는 안정화 단계를 거치지 않고 증착 반응을 수행하는 시점에서 챔버로 공급된다. 즉, 증착 단계를 수행하는 시점에 부반응 가스 공급 장치를 턴 온하여 도판트 소오스 등의 액상 소오스로부터 부반응 가스를 기화시켜 챔버에 공급한다.
이에 따라, 부반응 가스는 안정화되지 못한 채 증착 반응에 참여하게 된다. 이와 같이 안정화되지 못한 부반응 가스에 의해서 반도체 기판 상에 형성되는 막질의 두께 또는 막질 내의 도판트의 농도의 균일도(uniformity)가 저하될 수 있다. 또한, 증착 단계에서만 도판트 등과 같은 부반응 가스가 챔버에 급격히 공급됨에 따라 헌팅(hunting) 등과 같은 챔버 압력의 요동이 일어날 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 도판트 소오스 등으로부터 기화된 부반응 가스와 박막을 주로 구성하는 주요 성분을 공급하는 주반응 가스를 반도체 기판이 장착된 챔버에 안정적으로 공급하여 증착되는 박막의 두께 및 도판트의 농도의 균일도를 향상시킬 수 있는 반도체 장치의 박막 제조 방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 박막 제조 방법에 이용되는 반도체 장치 제조 설비를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 박막 제조 방법에 따르는 반응 가스의 흐름 프로파일을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 반응 가스 흐름 프로파일을 설명하기 위해서 개략적으로 비교 도시한 참조 도면이다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은 챔버, 박막을 구성하는 데 사용되는 주요 성분을 포함하는 주반응 가스를 상기 챔버에 공급하는 주반응 가스 공급 장치, 상기 박막에 도핑되는 성분을 포함하는 부반응 가스를 상기 챔버에 공급하는 부반응 가스 공급 장치를 포함하는 반도체 장치 제조 설비의 상기 챔버 내에 반도체 기판을 장착한다.
상기 주반응 가스 공급 장치로부터 상기 주반응 가스를 플로우시켜 제1안정화시킨다. 상기 제1안정화 단계 이전에 상기 챔버에 분위기 가스를 공급하는 단계를 더 포함한다. 상기 분위기 가스는 질소 가스, 헬륨 가스 또는 질소 가스와 헬륨 가스의 혼합 가스를 이용한다. 상기 제1안정화 단계는 다음과 같이 수행된다. 먼저, 상기 플로우되는 주반응 가스를 상기 챔버에 공급하지 않고 바이 패스하여 배출한다. 다음에, 상기 바이 패스하는 상기 주반응 가스를 상기 챔버로 유입시켜 챔버 내의 압력을 안정화시켜 압력의 헌팅을 방지한다.
상기 부반응 가스 공급 장치로부터 상기 부반응 가스를 플로우시켜 제2안정화시킨다. 이때, 상기 제1안정화 단계 및 상기 제2안정화 단계는 동시에 이루어진다. 상기 제2안정화 단계는 상기 플로우되는 부반응 가스를 상기 챔버에 공급하지 않고 바이 패스하여 배출한다. 상기 바이 패스하는 상기 부반응 가스를 상기 챔버로 유입시켜 챔버 내의 압력을 안정화시켜 압력의 헌팅을 방지한다.
상기 안정화된 주반응 가스 및 부반응 가스를 상기 챔버에 공급하여 상기 반도체 기판 상에 박막을 형성한다. 상기 주반응 가스는 TEOS 가스를 이용하고, 상기 박막을 형성하는 단계는 상기 TEOS와 함께 상기 챔버 내에 오존을 공급하는 단계를 포함한다. 상기 부반응 가스는 상기 박막에 도판트를 제공하고, 상기 제공되는 도판트는 붕소 또는 인이고, 상기 부반응 가스는 TEB 가스, TEPO 가스 또는 TMPO 가스를 이용한다. 이에 따라 형성되는 상기 박막은 BPSG막이다.
본 발명에 따르면, 박막의 두께 및 도판트의 농도의 균일도를 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다.
본 발명의 실시예에 의한 반도체 장치의 박막 제조 방법은 주반응 가스뿐만 아니라 부반응 가스 모두를 안정화 단계를 거쳐 챔버에 공급한다. 주반응 가스로 TEOS 가스를 이용하고, 부반응 가스로 도판트를 공급하기 위한 TEB, TEPO 또는 TMPO 등과 같은 도판트 가스를 이용하여 BPSG 박막을 형성하는 공정을 예로 들어 본 발명을 설명한다.
먼저, 반도체 기판을 다음의 도 1에 개략적으로 도시한 바와 같은 반도체 장치 제조용 설비의 챔버에 장착한다.
도 1은 박막 제조에 이용되는 반도체 장치 제조 설비를 개략적으로 도시한 도면이다.
반도체 장치 제조 설비는 반도체 기판이 장착되고 박막을 형성하는 반응이 수행되는 챔버(100)를 구비한다. 또한, 박막을 구성하는 데 사용되는 주요 성분을 포함하는 주반응 가스를 상기 챔버(100)에 공급하는 역할을 하는 주반응 가스 공급 장치(110)가 배관에 의해서 상기 챔버(100)에 연결된다. 주반응 가스로 TEOS 가스를 사용하는 경우에 액상의 TEOS 소오스로부터 TEOS를 기화시키는 장치를 주반응 가스 공급 장치(110)로 이용한다. 주반응 가스들이 챔버(100)에 공급되는 통로인 배관에는 바이 패스를 위한 배출 라인이 더 연결된다.
또한, 상기 박막에 도핑되는 성분을 포함하는 부반응 가스를 상기 챔버에 공급하는 부반응 가스 공급 장치(121, 123, 125)를 상기 챔버(100)에 연결한다. 부반응 가스로는 BPSG 박막을 형성하는 경우에 TEB 가스, TMPO 가스 또는 TEPO 가스 등을 이용한다. 이와 같은 부반응 가스들은 각각 TEB 액상 소오스로부터 TEB 가스를 발생시키는 TEB 공급 장치(121), TMPO 액상 소오스로부터 TMPO 가스를 발생시키는 TMPO 공급 장치(123) 및 TEPO 액상 소오스로부터 TEPO 가스를 발생시키는 TEPO 공급 장치(125)로부터 챔버(100)에 공급된다. 이와 같은 부반응 가스들이 챔버(100)에 공급되는 통로인 배관에는 바이 패스를 위한 배출 라인들이 더 연결된다.
추가로, 챔버(100) 내에 분위기 가스를 제공하는 가스 공급 장치, 예를 들어, 질소 가스(N2) 공급 장치(131) 또는 헬륨 가스(He) 공급 장치(133) 등이 챔버(100)에 더 연결된다. 이와 같은 분위기 가스는 상기 TEOS 가스, TEPO 가스, TMPO 가스 또는 TEB 가스 등과 함께 공급되므로, 질소 가스 공급 장치(131) 또는 헬륨 가스 공급 장치(133) 등은 주반응 가스, 즉, TEOS 가스 공급 장치(110), TEB 공급 장치(121), TMPO 공급 장치(123) 또는/및 TEPO 공급 장치(125)들의 전단에 설치된다.
한편, TEOS 가스를 이용하는 경우에 TEOS 가스의 증착 반응을 위해서 오존(O3)을 발생시키는 오존 공급 장치(135) 및 산화 분위기 형성을 위한 산소 가스(O2) 공급 장치(137)가 추가적으로 챔버(100)에 더 연결된다.
이와 같은 반도체 장치 제조 설비, 예를 들어, 화학 기상 증착 설비의 챔버(100)에 반도체 기판을 장착한다. 이후에, 상기 주반응 가스 공급 장치(110)로부터 상기 주반응 가스를 플로우(flow)시켜 제1안정화시킨다.
예를 들어, 주반응 가스 공급 장치(110)를 턴 온하여 기화되는 주반응 가스, 즉, TEOS 가스가 플로우되게 한다. 이때, 플로우되는 TEOS 가스는 챔버(100)와의 중간에 연결되는 배출 라인에 의해서 챔버(100)를 거치지 않고 배출된다. 이후에, 바이 패스하는 주반응 가스의 흐름을 챔버(100)로 변경시켜 챔버(100) 내로 주반응 가스를 유입시킨다. 이는 챔버 내에 반응 가스를 공급함에 따른 챔버(100) 내의 압력의 급격한 변화를 안정화하기 위함이다. 즉, 헌팅을 방지하기 위함이다.
이때, 제1안정화 단계 이전에 챔버(100)에 분위기 가스를 공급하는 단계를 더 포함한다. 예를 들어, 주반응 가스 공급 장치(110)를 턴 온하기 이전에 질소 가스 공급 장치(131) 또는 헬륨 가스 공급 장치(133)를 턴 온하여 챔버(100)에 질소 가스 또는/ 및 헬륨 가스로 분위기를 조성한다. 이러한 분위기 가스의 공급은 증착 반응이 수행되는 도중에도 계속 챔버(100)에 공급된다.
또한, 주반응 가스로 TEOS 가스를 이용하는 경우에, 분위기 가스를 공급하기 이전에, 산소 가스 공급 장치(137)를 턴 온하여 챔버(100) 내에 산소 가스를 공급한다. 이러한 산소 가스의 공급은 증착 반응이 수행되며 중단된다. 즉, 오존이 챔버(100)에 공급됨과 동시에 중단된다.
부반응 가스 공급 장치(120)로부터 부반응 가스를 플로우시켜 제2안정화시킨다. 예를 들어, 형성되는 막질 내에 도판트를 제공하는 도판트 가스, 즉, TEB 가스, TEPO 가스 또는 TMPO 가스를 플로우시킨다. 부반응 가스 공급 장치(120), 즉, TEB 공급 장치(121), TMPO 공급 장치(123) 및 TEPO 공급 장치(125)를 턴 온하여 기화되는 TEB 가스, TEPO 가스 또는 TMPO 가스가 플로우되게 한다. 이때, 플로우되는 TEB 가스, TEPO 가스 또는 TMPO 가스 등은 각기 챔버(100)와의 중간에 연결되는 배출 라인에 의해서 챔버(100)를 거치지 않고, 즉, 바이 패스되어 배출된다.
이후에, 바이 패스하는 부반응 가스의 흐름을 챔버(100)로 변경시켜 챔버(100) 내로 부반응 가스를 유입시킨다. 이는 챔버 내에 반응 가스를 공급함에 따른 챔버(100) 내의 압력의 급격한 변화를 안정화하기 위함이다. 즉, 헌팅을 방지하기 위함이다.
이때, 제1안정화 단계 및 상기 제2안정화 단계는 동시에 이루어지는 것이 바람직하다. 즉, 주반응 공급 장치(110)가 턴 온됨과 동시에 TEB 공급 장치(121), TMPO 공급 장치(123) 및 TEPO 공급 장치(125)를 턴 온하고, TEOS 가스를 플로우하여 바이 패스할 때, TEB 가스, TEPO 가스 또는 TMPO 가스 등을 플로우하여 바이 패스하고, 바이 패스하는 주반응 가스의 흐름을 챔버(100)로 변경시켜 챔버(100) 내로 주반응 가스를 유입시킬 때 부반응 가스의 흐름을 챔버(100)로 변경시켜 챔버(100) 내로 부반응 가스를 유입시킨다.
챔버(100) 내부로 유입된 주반응 가스, 즉, TEOS 가스 그리고 부반응 가스, 즉, TEB 가스, TEPO 가스 또는 TMPO 가스, 및 이와 함께 공급되는 오존이 반응하여 반도체 기판 상에 BPSG막 등과 같은 박막이 형성된다.
한편, 도판트를 제공하기 위한 상기 부반응 가스가 증착 단계를 수행하기 이전에 챔버(100)에 공급되면, 부반응 가스들의 반응에 의해서 챔버(100) 내에 파티클(particle) 등이 발생할 수 있다. 그러나, 제2안정화 단계에서 부반응 가스 등을 바이 패스시켜 배출함으로써 이러한 파티클의 발생을 방지할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따르는 박막 제조 방법의 공정 레시피(recipe)를 다음의 표 1에 제시하고 이에 의한 반응 가스 흐름의 프로파일(profile)을 도 2에 도시한다. 이에 비교되는 종래의 기술에 따르는 레시피를 표 2에 제시하고 이에 의한 반응 가스 흐름의 프로파일(profile)을 도 3에 도시한다.
본 발명에 따르는 박막 제조 방법에 의한 제1공정 레시피
단계 번호 단위 1 2 3 4 5
설명 제1셋업 제2셋업 바이 패스 헌팅방지용 안정화 증착
단계 종료 시간까지 압력 ＞190Torr 시간까지 시간까지 시간까지
최대 단계 시간 초 2 60 20 5 66
압력 Torr 터틀 밸브 개(開) 터틀 밸브 폐(閉) 200 200 200
섭셉터 온도 ℃ 490 490 480 480 480
섭셉터 간격 mils 230 230 230 230 230
온도 예정 설정(Temp. preset) mWatt 1200 1200 1200 1200 0
반응 가스 경로 챔버 챔버 배출 챔버 챔버
O2 sccm 2900 2900 2900 2900
O3 sccm 4500
N2 sccm 4000 4000 4000 4000
He mgm 2000 2000 2000 2000
TEOS mgm 560 560 560
TEB mgm 125 125 125
TEPO mgm 76 76 76
종래의 박막 제조 방법에 의한 제2공정 레시피
단계 번호 단위 1 2 3 4 5
설명 제1셋업 제2셋업 제3셋업 안정화 증착
단계 종료 시간까지 시간까지 압력 ＞180Torr 시간까지 시간까지
최대 단계 시간 초 2 5 60 30 66
압력 Torr 터틀 밸브 개(開) 터틀 밸브 폐(閉) 200 200 200
섭셉터 온도 ℃ 490 490 480 480 480
섭셉터 간격 mils 230 230 230 230 230
온도 예정 설정(Temp. preset) mWatt 1200 1200 1200 1200 0
반응 가스 경로 챔버 챔버 챔버 챔버 챔버
O2 sccm 2900 2900 2900 2900
O3 sccm 4500
N2 sccm 4000 4000 4000 4000
He mgm 2000 2000 2000 2000
TEOS mgm 560 560 560
TEB mgm 125
TEPO mgm 76
표 1 및 도 2를 표 2 및 도 3과 비교하면, 본 발명의 실시예에 의한 제1공정 레시피에서는 증착 단계(5) 이전에 TEB 가스 및 TEPO 가스가 플로우된다. 그리고, 플로우되는 TEB 가스 및 TEPO 가스는 바이 패스(3)에서 배출되며 안정화된다. 또한, 헌팅을 방지하는 안정화 단계(4)에서 짧은 시간, 예를 들어, 5초 정도 시간 동안 챔버(도 1의 100)로 유입된다. 이후에, 증착 단계(5)에서 챔버(100)로 유입되어 TEOS 가스 등과 함께 반도체 기판 상에 BPSG막 등을 증착하는 데 참여한다.
챔버(100)로 유입되는 TEB 가스 및 TEPO 가스는 도 2에 명확히 도시되어 있는 바와 같이 증착 반응에 참여하기 이전에 TEB 공급 장치(도 1의 121) 및 TEPO 공급 장치(125)가 턴온되어 설비 내에서 플로우된다.
표 2 및 도 3을 참조하면, 종래의 기술에 따르는 제2공정 레시피에서는 증착 단계(5) 이전에 턴 온되어 플로우되는 반응 가스는 TEOS 가스일 뿐, TEB 가스 또는 TEPO 가스 등과 같은 부반응 가스는 플로우되지 않는다. 즉, 증착 단계(5) 이전에는 TEB 공급 장치(121) 및 TEPO 공급 장치(125) 등과 같은 부반응 가스 공급 장치(120)는 턴 온되지 않고, 단지, 증착 단계(5)에서 턴 온되어 챔버(100)로 바로 공급된다.
따라서, 챔버(100)에 공급되는 TEB 가스 및 TEPO 가스 등은 안정화될 시간을 가지지 못한다. 따라서, 챔버(100) 내에 파티클 등을 발생시키거나 도판트 농도의 불균일 또는 박막 두께 불균일을 일으키는 요소가 될 수 있다. 또한, 챔버(100) 내에 상기 TEB 가스 및 TEPO 가스가 바로 공급되므로, 챔버(100) 내의 압력의 급격한 변동이 수반되어 압력의 헌팅이 발생할 수 있다.
그러나, 본 발명의 실시예에 따르는 제1공정 레시피에서는 TEB 가스 및 TEPO 가스 등과 같은 부반응 가스가 안정화될 시간을 가지도록 하고 있다. 또한, 챔버(100)에 상기한 부반응 가스 등이 증착 단계 이전에 미리 공급되어 압력을 안정화시키는 단계(도2의 4)를 구비하므로, 압력의 급격한 변화 또는 헌팅을 방지할 수 있다. 더욱이, 제2공정 레시피와는 달리 챔버(100)의 압력이 일정 압력, 예를 들어, 190 Torr에 다다른 이후에 TEOS 가스 등의 플로우를 실시한다. 이는 TEB 가스 또는 TEPO 가스 등의 플로우가 TEOS 가스의 플로우와 동시에 이루어지도록 하기 위함이다.
다음의 표 3에 제시된 제1공정 레시피 및 제2공정 레시피에 의해 제조된 박막의 특성을 비교치를 참조하여 본 발명의 실시예에 의한 효과를 설명한다.
제1공정 레시피 및 제2공정 레시피에 의해 제조된 박막의 특성 비교
구 분 제1공정 레시피에 의한 박막 제2공정 레시피에 의한 박막
두께 균일도(%) 0.77 1.15
보론 농도 균일도(%) 0.86 1.49
인 농도 균일도(%) 0.34 0.35
표 3에 나타나듯이 본 발명의 실시예에 따르는 제1공정 레시피에 의한 박막의 경우에 두께 균일도 및 보론 농도 균일도에서 큰 개선 효과가 있음을 알 수 있다. 또한, 인 농도 균일도 또한 개선됨을 알 수 있다.
상술한 본 발명에 따르면, TEOS 가스 등과 같은 박막을 구성하는 주요 성분을 제공하는 주반응 가스의 플로우 시 안정화 단계를 구비할 뿐만 아니라, 박막에 도판트를 제공하는 부반응 가스의 플로우 시에도 안정화 단계를 함께 구비한다. 이와 같이 하면, 박막 두께의 균일도 및 보론 또는 인 등과 같은 도판트 농도의 균일도를 크게 향상시킬 수 있다.

Claims (11)

  1. 챔버, 박막을 구성하는 데 사용되는 주요 성분을 포함하는 주반응 가스를 상기 챔버에 공급하는 주반응 가스 공급 장치, 상기 박막에 도핑되는 성분을 포함하는 부반응 가스를 상기 챔버에 공급하는 부반응 가스 공급 장치를 포함하는 반도체 장치 제조 설비의
    상기 챔버 내에 반도체 기판을 장착하는 단계;
    상기 주반응 가스 공급 장치로부터 상기 주반응 가스를 플로우시켜 안정화시키는 제1안정화 단계;
    상기 부반응 가스 공급 장치로부터 상기 부반응 가스를 플로우시켜 안정화시키는 제2안정화 단계; 및
    상기 안정화된 주반응 가스 및 부반응 가스를 상기 챔버에 공급하여 상기 반도체 기판 상에 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 박막 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1안정화 단계 이전에
    상기 챔버에 분위기 가스를 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 박막 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 분위기 가스는 질소 가스, 헬륨 가스 및 질소 가스와 헬륨 가스의 혼합 가스로 이루어지는 일군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 박막 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1안정화 단계 및 상기 제2안정화 단계는 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 박막 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1안정화 단계는
    상기 플로우되는 주반응 가스를 상기 챔버에 공급하지 않고 바이 패스하여 배출하는 단계; 및
    상기 바이 패스하는 상기 주반응 가스를 상기 챔버로 유입시켜 챔버 내의 압력을 안정화시켜 압력의 헌팅을 방지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 박막 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2안정화 단계는
    상기 플로우되는 부반응 가스를 상기 챔버에 공급하지 않고 바이 패스하여 배출하는 단계; 및
    상기 바이 패스하는 상기 부반응 가스를 상기 챔버로 유입시켜 챔버 내의 압력을 안정화시켜 압력의 헌팅을 방지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 박막 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 주반응 가스는 TEOS 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 박막 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 박막을 형성하는 단계는
    상기 TEOS와 함께 상기 챔버 내에 오존을 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 박막 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 부반응 가스는 상기 박막에 도판트를 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 박막 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제공되는 도판트는 붕소 또는 인이고, 상기 부반응 가스는 TEB 가스, TEPO 가스 또는 TMPO 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 박막 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 박막은 BPSG막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 박막 제조 방법.
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