KR20000035641A - 기판 유지용 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

기판 유지용 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20000035641A
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길베르트 하우스만
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Abstract

본 발명은 기판 유지용 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 존슨-라벡 효과 정전기 척은 척 바디, 상기 척 바디에 배치된 적어도 하나의 전극 및 상기 적어도 하나의 전극 둘레에 형성된 배리어를 포함한다. 상기 배리어는 도전성 재료와 반도전성 재료를 포함하는 그룹으로부터 선택된 재료로 제조되고 일례로서 전극이 제조되는 재료의 합금이다. 대안적으로, 상기 배리어는 척 바디가 제조되는 재료와 동일하지않은 유전체 재료로 형성된다. 얻어지는 장치는 전극/척 바디 인터페이스에서 감소된 전하 축적 효과를 가지는 정전기 척을 제공한다. 전하 축적의 감소는 상기 장치에서의 요구된 정전기 척킹력을 유지한다.

Description

기판 유지용 장치 및 그 제조 방법 {IMPROVED SUBSTRATE SUPPORT APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATING SAME}
본 발명은 기판 지지 장치에 관한 것으로서, 특히 척에서의 전하 가속 현상을 감소시키기 위한 배리어 증진된 전극을 갖는 정전기 척에 관한 것이다.
정전기 척은 반도체 웨이퍼 처리 챔버내에 기판을 고정하는 것을 포함한 다양한 응용에서 제품을 유지하는데 사용된다. 정전기 척이 설계에서 변경되더라도, 이들은 모두 제품과 전극에 각각 반대 극성 전하를 유도하기 위해 척의 하나 이상의 전극에 전압을 인가하는 원리에 기초한다. 반대 전하 사이의 정전 유인력은 척에 대해 제품을 가압하고, 그결과 제품을 유지시킨다.
반도체 웨이퍼 처리 장비에서, 정전기 척은 처리 챔버에 배치된 페데스탈에 웨이퍼를 고정 또는 클램핑하기 위해 사용된다. 상기 페데스탈은 수율을 최적화하도록 웨이퍼 처리동안 온도, 전기적 바이어스, 및 다른 챔버 조건을 조정하기 위한 부가적 장비, 예를 들어 히터, 가열기, 흡열부, 열전달 가스 포트, 부가적 전극 등을 가진다. 전형적 웨이퍼 처리 주기동안, 웨이퍼는 처리 챔버로 유입되어 정전기 척의 지지 표면상에 배치된다. 전극은 웨이퍼 처리(예를 들어, 물리적 기상 증착(PVD), 화학적 기상 증착(CVD), 화학적 기계적 연마(CMP) 등)가 수행되는 수 밀리초에서 30초에 달할 수 있는 시간 주기동안 척킹 전압으로 에너지가 공급된다. 다음에, 전극에 대한 에너지 공급이 중지되고 웨이퍼가 처리 챔버에서 제거된다.
이상적으로, 전극에 에너지 공급이 중지될 때 정전기 척에 유지되는 잔류 또는 축적된 전하는 없다. 이와 같이, 웨이퍼는 정전기 척의 지지 표면으로부터 쉽게 제거된다. 다시 말해서, 정전기 척에서의 잔류 전하 축적은 웨이퍼가 챔버에서 제거될 수 있기 이전에 극복되어야 하는 잔류 척킹력을 형성한다. 초과 힘이 잔류 척킹력을 극복하는데 사용된다면, 웨이퍼는 균일 및 파손될 수 있고, 그 위의 회로 소자가 손상될 수 있다. 또한 잔류 전하는 이들이 지지 표면상에 웨이퍼를 유지하기 위한 유효한 척킹력을 감소시키기 때문에 손해이다. 차례로 이런 상태는 빈약한 처리 상태를 가져온다. 예를 들면, 감소된 척킹력은 웨이퍼의 후방에 인가되는 불균일한 열전달 가스 압력에 기여할 수 있다. 이런 동일하지않은 힘은 웨이퍼 시프팅 또는 이탈을 초래하고 빈약한 처리 상태 또는 입자 오염을 초래하는 온도 제어를 내포한다. 부가적으로, 배치 처리의 과정동안, 정전기 척에서의 이런 전하 축적 때문에 처리된 웨이퍼의 "디척킹" 또는 제거를 상당히 어렵게 만든다.
도 1은 처리 챔버(도시안됨)에서 반도체 웨이퍼(106)와 같은 기판을 지지하고 유지하기 위해 사용되는 전형적인, 바이폴라 정전기 척(100)을 도시한다. 상기 척(100)은 보통 알루미늄 질화물 또는 붕소 질화물과 같은 유전체 재료로 형성되는 척 바디(102)를 가지고, 척 바디(102)내에 하나 이상의 전극(1081과 1082)이 배치된다. 파워 소스(110)가 요구된 정전기 필드와 척킹력을 형성하기 위해 각각의 전극에 연결되어 그것들을 거꾸로 바이어싱시킨다. 이와 같이, 상기 웨이퍼(106)는 정전기 척의 지지 표면(104)상에 유지된다.
어떤 보기에서, 상기 전극은 알루미늄 질화물 척 바디와 관련한 그것의 전기적 특성 및 상당히 밀접한 열팽창 계수 때문에 바람직한 재료가 되는 몰리브덴으로부터 제조된다. 그러나, 음전위가 알루미늄 질화물 바디내의 몰리브덴 전극에 인가될 때, 음전극상의 지지 표면에서의 전위가 저하되거나 또는 그렇지않으면 양전극에 인가된 전위와 관련하여 감소되고 양전극상의 지지 표면에서 발견된다는 것을 알게 되었다.
도 2는 상기 현상을 더욱 상세히 도시하고 있다. 특히, 도 2는 정전기 척(100)의 양전극 및 음전극상의 지지 표면(104)에서의 시간(초) 대 전위(볼트)의 그래프(200)를 도시한다. 그래프(200)의 섹션 A는 시간 t의 주기에 대응하는데, 여기에서 0〈t〈T1이고 전극에 인가된 척킹 전압은 0이다. 섹션 B는 T1〈t〈T2가 되는 시간 t에 대응하는데, 양의 척킹 전압이 양전극(1081)(라인 202)에 인가되고 음의 척킹 전압이 음전극(1082)(라인 204)에 인가된다. 알수 있는 바와 같이, 척킹 전압이 인가될 때, 양의 전압은 안정된 상태값을 유지한다. 그러나, 음전압은 우선 크기에서 양의 값과 거의 동일한 값에 도달하고(그러나, 방향 부호가 반대이다), 다음에 작은 음의 값으로(예를 들어, 더욱 양으로) 감소한다. 지지 표면에서의 이런 전위 변화는 ΔVn으로서 표시된다. 섹션 C는 t〉T2가 되는 시간 t에 대응하고 척킹 전압이 차단되게 된다. 상기 양의 전압은 0으로 급속히 강하하고 약간, 그러나 상대적으로 무의미한 나머지 값을 가질 수 있다. 그러나, 음의 값은 대략 ΔVn의 값만큼 Y=0 축을 지나서 약간 감소하기 시작한다.
섹션 B에서 볼 수 있는 감소된 음의 전위는 지지 표면에서의 감소된 척킹력 때문에 바람직하지 못하다. 이런 동일한 상태는 지지 표면으로부터 웨이퍼를 신속히 제거(또는 디척킹)할 수 없기 때문에 섹션 C에서 바람직하지 못하다. 부가적으로, 전극에 대한 파워 단절 또는 전극의 임시 극성 반전이 상기 상태를 경감시키지 못한다는 것을 알았다. 상기 값(ΔVn)은 국부화된 양전하가 척 바디에 연속적으로 존재하도록 전기화학적 프로세스에 의해 전극/척 바디 인터페이스 사이에 형성된다는 것이 제안되었다. 사실상, 알루미늄 질화물 척 바디에 대한 몰리브덴 전극의 근접은 정전기 척킹력에 해로운 축적된 전하 또는 내부 배터리 상태를 형성한다. 특히, 음으로 대전되어야 하는 어떤 영역에서의 양전하에 의해 형성된 반발력은 척킹력을 포함하고 심지어 웨이퍼가 기판 지지대에서 완전히 이탈되게 할 수 있다.
본 발명의 목적은 반복된 사용후 바람직하지않은 전하 축적을 겪지않는 개선된 정전기 척을 제공하는 것이다.
도 1은 종래 기술의 바이폴라 정전기 척의 단면도.
도 2는 저하된 음전위를 나타내는 종래 기술의 바이폴라 정전기 척의 표면 전위 대 시간 그래프를 도시하는 도면.
도 3은 본 발명에 다른 장치의 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 장치를 형성하는 방법의 일련의 단계들을 도시하는 도면.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※
300 : 정전기 척 302 : 척 바디
304 : 지지 표면 306 : 기판
308 : 전극 310 : 파워 서플라이
312 : 배리어 층 314 : 전극/척 바디 인터페이스
종래 기술과 관련된 지금까지의 단점은 본 발명의 기판 유지용 장치 및 그 제조 방법에 의해 극복된다. 특히, 본 발명은 척 바디, 상기 척 바디내에 배치된 적어도 하나의 전극 및 적어도 하나의 전극 둘레에 형성된 배리어를 포함하는 정전기 척에 관한 것이다. 바람직하게 상기 척 바디는 존슨-라벡 효과의 촉진 목적을 위해 도핑된 알루미늄 질화물과 같은 비순수 유전체 재료로 제조되고 전극은 몰리브덴과 같은 도전성 재료로 제조된다. 상기 배리어는 도전성 재료와 반도전성 재료로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 제조되고, 일례로서 몰리브덴 질화물과 같은 전극이 제조되는 재료의 합금이다. 본 발명의 다른 실시예에서, 상기 배리어는 척 바디가 재조되는 재료와 동일하지않은 유전체 재료로 제조된다. 이런 다른 배리어 재료는 붕소 질화물, 탄탈 질화물 및 티타늄 질화물이 될 수 있고, 또한 이들은 이들이 한정된 저항도를 가지고 존슨-라벡 효과를 생성할 수 있도록 도핑된다.
정전기 척을 형성하는 방법은 적어도 하나의 전극을 제공하는 단계, 하나의 전극 둘레에 배리어를 형성하는 단계 및 척 바디내에 배리어/전극 결합부를 제공하는 단계를 포함한다. 상기 전극은 텅스텐 또는 몰리브덴으로 제조되고 도전성 또는 반도전성 배리어 재료로 코팅된다. 상기 코팅은 제한되지는 않지만 물리적 기상 증착, 화학적 기상 증착, 프레임 스프레잉, 전기도금, 열 어닐링 및 플라즈마 어닐링을 포함한 여러가지 가능한 방법에 의해 수행된다. 바람직한 실시예에서, 배리어 재료는 몰리브덴 질화물과 같은 전극을 형성하기 위한 재료의 합금이다. 다른 실시예에서, 배리어는 척 바디가 제조되는 것과 동일한 비순수 유전체 재료로 형성된다. 예를 들면, 상기 배리어 유전체 재료는 탄탈 질화물이고 척 바디 재료는 알루미늄 질화물이며, 둘다 한정된 저항도 특성을 위해 부가된 도펀트를 가진다.
상기한 방법 및 얻어지는 장치는 전극/척 바디 인터페이스에서의 감소된 전하 축적 현상을 가지는 정전기 척을 제공한다. 이런 구조물의 중요성은 감소된 전하 축적이 전극중 하나에 형성되는 "배터리 효과"를 감소시킨다는 점에서 이해된다. 상기 배터리 효과는 요구된 정전기 척킹력을 약화시키거나 또는 저하시킨다.
본 발명의 기술은 첨부된 도면과 관련하여 다음의 상세한 설명을 고려함으로써 쉽게 이해될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 장치의 단면도를 도시한다. 특히, 정전기 척(300)은 정전기 척(300)의 지지 표면(304)상에 기판(예를 들어, 반도체 웨이퍼(306))을 지지하고 유지할 수 있는 것으로 도시되어 있다. 상기 정전기 척(300)은 비순수 유전체 재료 및 도핑된 알루미늄 질화물, 알루미늄 및 도핑된 붕소 질화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 도전성 재료로 제조되는 척 바디(302)를 포함한다. 또한 상기 정전기 척(300)은 하나 이상의 전극(308)을 가진다. 상기 전극은 지지 표면(304)상에 기판(306)을 유지하기 위해 요구되는 전류 및 전계를 형성한다. 도펀트가 저항도 감소를 위해 유저체 재료에 부가되어, 정전 척킹을 위한 존슨-라벡 효과를 촉진시킨다. 상기 효과는 지지 표면(304)에서의 큰 정전기 전위에 대해 척 바디에서 작지만 상당히 효과적인 전류의 사용을 가능케한다. 존슨-라벡 효과 및 그것의 정전기 척에서의 사용에 대해서는, Burkhart 등에게 1993년 8월 12일에 허여된 미국 특허 제5,656,093호 및 Watanabe 등에게 1992년 5월 26일에 허여된 미국 특허 제5,463,526호를 참조하라.
본 발명의 바람직한 실시예에서 그리고 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 정전기 척(300)은 바이폴라 정전기 척이다. 특히, 적어도 2개의 전극(3081, 3082)이 척 바디(302)내에 제공된다. 각각의 바이폴라 정전기 척 전극은 파워 서플라이(310)에 접속된다. 특히, 각각의 전극은 상기 파워 서플라이(310)의 반대 단자에 접속함으로써 다른 전극과 관련하여 거꾸로 바이어싱된다. 상기한 개념으로 척 바디에서 얻어지는 전류와 전계는 정전기 척(300)의 지지 표면(304)상에 기판(306)을 유지시킨다. 예시적 바이폴라 정전기 척은 Burkhart 등에게 1998년 6월 9일에 허여된 미국 특허 제5,764,471호에 개시되어 있다.
또한 본 발명의 정전기 척(300)은 전극/척 바디 인터페이스(314)에서의 전하 축적을 감소시키는 부가적 특징으로 제공되어진다. 특히, 배리어 층(312)은 상기 각각의 전극(3081, 3082) 둘레에 제공된다. 상기 배리어 층(312)은 전극(308)과 척 바디 재료(302) 사이의 전기화학적 상호작용 가능성을 감소시킨다. 상기 배리어 층(312)은 도전성 및 반도전성 재료로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 제조된다. 따라서, 상기 배리어 층(312)은 절연 재료가 되어서는 안되는데, 그 이유는 절연재료가 전류 흐름을 금지시키고 존슨-라벡 효과를 제거하기 때문이다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 배리어 층은 몰리브덴에 기초한 전극을 위한 몰리브덴 질화물과 같은 전극 재료의 합금이다. 상기 배리어 층(312)의 전기적 특성은 전극/척 바디 인터페이스(314)에서의 전하 축적 가능성을 감소시키며, 그러므로 지지 표면에서의 어떤 얻어지는 전위 변화(예를 들면, ΔVn)가 최소화된다.
또한 본 발명은 배리어 증진된 전극을 가지는 기판 지지대를 형성하는 방법을 포함한다. 상기 방법이 모노폴라 또는 멀티폴라 정전기 척을 제조하는데에도 적용될 수 있더라도, 상기 기판 지지대는 예를 들어 도 3에 개시된 바와 같은 바이폴라 정전기 척이 될 수 있다. 상기 방법은 도 4에서 일련의 단계들(400)로서 설명된다. 특히, 상기 방법은 단계(402)에서 시작하고 전극이 제공되는 단계(40)로 진행한다. 상기 전극은 도전성 재료로 제조되고 바람직하게 몰리브덴이다. 대안적으로, 상기 전극은 텅스텐 또는 모노폴라 척의 경우 고체 알루미늄 블록으로 제조될 수 있다. 단계(406)에서, 상기 전극 둘레에 배리어가 형성된다. 당업자는 정전기 척 설계와 제조가 전극 배리어가 형성될 수 있는 다양한 수단을 알고 있을 것이다. 상기 수단은 제한되지는 않지만 상기 전극을 배리어 재료로 코팅하고, 전극 위에 배리어 재료를 증착하는 것 등을 포함한다. 예를 들면, 상기 배리어 재료는 전극상에 증착될 수 있는(예를 들어, 물리적 기상 증착(PVD), 화학적 기상 증착(CVD), 프레임 스프레잉 등) 도전성 또는 반도전성 재료이다. 또한 상기 배리어 층은 전극 재료의 합금을 형성하기 위해 전극 재료와 결합 또는 반응하게 될 재료가 풍부한 환경에 전극을 노출시킴으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 몰리브덴 전극이 고온에서 또는 플라즈마에서 질소가 풍부한 대기에 노출된다. 상기 질소는 전극의 노출된 표면에 몰리브덴 질화물을 형성하기 위해 몰리브덴과(예를 들어, 열 또는 플라즈마 어닐링에 의해) 반응한다. 본 발명의 일실시예에서, 몰리브덴 와이어 메시 전극이 배리어 재료를 함유한 전해액에 담가진다. 그러므로, 상기 와이어 메시 전극이 배리어 재료로 완전히 커버된다. 본 발명의 다른 실시예에서, 다른 타입의 척 바디 재료가 배리어를 형성할 때 상기 합금을 대체할 수 있다. 척이 동작할 온도 범위에 의존할 적당한 도펀트를 가지는 상기 다른 척 바디 재료, 예를 들어 탄탈 질화물, 붕소 질화물 또는 티타늄 질화물은 알루미늄 질화물과 몰리브덴을 사용할때 전극/척 바디 인터페이스와 관련하여 이전에 개시된 바람직하지않은 전하 축적 특성을 가지지않을 것이다.
배리어/전극 결합부가 형성될 때, 그것은 척 바디내에 제공되거나 또는 배치된다. 예를 들면, 바이폴라 정전기 척을 형성할 때, 적어도 2개의 전극이 경화되지않은 층 또는 "그린 바디 상태" 세라믹 테이프 층내에 배치된다. 척 바디의 요구된 형태가 형성되고 전극이 제공될 때, 상기 척 바디는 소결된다. 상기 소결 프로세스는 그린 바디 재료를 경화시켜 척 바디내에 영구적인 형태로 전극을 유지시킨다. 전극과 척 바디 층의 형성 및 정전기 척을 형성하는 재료의 소결에 대한 더욱 상세한 설명은 1997년 4월 1일에 제출된 미국 출원 일련번호 제08/834,702호를 참조하라. 상기 방법은 단계(410)에서 종결하는데, 여기에서 배리어 층 전극을 갖는 완성된 척 바디가 형성된다.
상기 논의된 방법과 얻어지는 장치는 전극/척 바디 인터페이스에서의 감소된 전하 축적 효과를 가지는 정전기 척을 제공한다. 이런 구조물의 중요성은 감소된 전하 축적이 전극중 하나에 형성되는 "배터리 효과"를 감소시킨다는 점에서 이해된다. 상기 배터리 효과는 요구된 정전기 척킹력을 약화시키거나 또는 저하시킨다. 상기 정전기 척킹력이 균일하지않거나 약화될 때, 상기 표면(304)에 지지된 기판(306)이 이동할 수 있어 프로세싱 이상을 초래할 수 있다. 최악의 경우에, 상기 웨이퍼는 음으로 대전되어야 하는 어떤 영역에서의 양전하에 의해 형성된 반발력 때문에 완전히 기판 지지대에서 이탈할 수 있다. 결과적으로, 상기 웨이퍼는 손상되어 쓸모없게 된다. 본 발명이 주로 존슨-라벡 효과 바이폴라 정전기 척을 개시하더라도, 다른 타입의 정전기 척이 본 기술에 의해 형성될 수 있다. 예를 들면, 논의된 "배터리 효과"를 나타내는 유전체로 코팅되는 알루미늄(또는 다른 유사한 도전성 재료) 바디를 가지는 모노폴라 정전기 척은 상기 효과를 감소시키기 위해 상기 배리어를 포함할 수 있다.
비록 본 발명이 바람직한 실시예를 참조하여 기술되었지만, 당업자는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 변형이 이루어진다는 것을 인식할 것이다.
반복된 사용후에도 바람직하지않은 전하 축적을 겪지않는 개선된 정전기 척을 제공한다.

Claims (22)

  1. 기판 유지용 장치에 있어서,
    척 바디;
    상기 척 바디내에 배치된 적어도 하나의 전극; 및
    상기 적어도 하나의 전극 둘레에 형성된 배리어를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 유지용 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 척 바디는 유전체 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 기판 유지용 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 유전체 재료는 도핑된 알루미늄 질화물인 것을 특징으로 하는 기판 유지용 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 전극은 도전성 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 기판 유지용 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 도전성 재료는 몰리브덴인 것을 특징으로 하는 기판 유지용 장치.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 배리어는 도전성 재료와 반도전성 재료로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 기판 유지용 장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 배리어는 전극이 제조되는 재료의 합금인 것을 특징으로 하는 기판 유지용 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 합금은 몰리브덴 질화물인 것을 특징으로 하는 기판 유지용 장치.
  9. 제 2항에 있어서, 상기 배리어는 상기 척 바디가 제조되는 재료와 동일하지않은 유전체 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 유지용 장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 배리어 재료는 붕소 질화물, 탄탈 질화물 및 티타늄 질화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 기판 유지용 장치.
  11. 기판 유지용 장치에 있어서,
    알루미늄 질화물 척 바디;
    상기 척 바디내에 배치된 2개의 몰리브덴 전극; 및
    상기 전극 둘레에 형성된 배리어를 포함하며, 상기 배리어는 상기 전극의 합금으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 기판 유지용 장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 합금은 몰리브덴 질화물인 것을 특징으로 하는 기판 유지용 장치.
  13. 척 바디, 상기 척 바디에 배치된 적어도 하나의 전극 및 상기 적어도 하나의 전극 둘레에 배치된 배리어를 포함하는 정전기 척 형성 방법에 있어서,
    (a) 상기 적어도 하나의 전극을 제공하는 단계;
    (b) 상기 적어도 하나의 전극 둘레에 상기 배리어를 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 척 바디내에 상기 배리어/전극을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 척 형성 방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 적어도 하나의 전극은 텅스텐과 몰리브덴으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 정전기 척 형성 방법.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 단계 b)는 물리적 기상 증착, 화학적 기상 증착, 프레임 스프레잉, 전기도금, 열 어닐링 및 플라즈마 어닐링으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 배리어 재료로 상기 전극을 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 척 형성 방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 배리어 재료는 도전성 및 반도전성 재료로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 정전기 척 형성 방법.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 배리어 재료는 상기 전극을 형성하기 위한 재료의 합금인 것을 특징으로 하는 정전기 척 형성 방법.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 합금은 몰리브덴 질화물인 것을 특징으로 하는 정전기 척 형성 방법.
  19. 제 13항에 있어서, 상기 척 바디는 유전체 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 정전기 척 형성 방법.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 단계 b)는 상기 척 바디가 제조되는 유전체 재료와 동일하지않은 유전체 재료로 상기 배리어를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 척 형성 방법.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 배리어 유전체 재료는 탄탈 질화물이고 상기 척 바디 재료는 알루미늄 질화물인 것을 특징으로 하는 정전기 척 형성 방법.
  22. 제 13항에 있어서, 상기 단계 c)는 경화되지않은 척 바디 재료층의 사이에 상기 배리어/전극을 배치하고, 다음에 상기 척 바디와 배리어/전극을 소결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 척 형성 방법.
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