KR20000031956A - 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 횡전계방식 액정표시장치는 제1기판 및 제2기판과; 상기한 제1기판 위에 형성된 데이터전극, 공통전극, 및 공통배선과; 상기한 데이터전극 및 공통전극 위로 제1기판 전체에 걸쳐 형성되며 상기한 데이터전극 영역에 데이터홀을 갖는 게이트절연막과; 상기한 공통배선 또는 상기한 공통전극과 오버랩되도록 게이트절연막 위에 형성된 스토리지전극과; 상기한 스토리지전극 위로 상기한 제1기판 전체에 걸쳐 형성되며 상기한 데이터홀과 같은 위치에 홀을 가지며 상기한 스토리지전극 영역에 스토리지홀을 갖는 보호막과; 상기한 데이터홀 및 상기한 스토리지홀 영역을 덮도록 상기한 보호막 위에 형성되어 상기한 데이터전극과 상기한 스토리지전극을 전기적으로 연결하는 연결전극과; 상기한 제1기판과 상기한 제2기판 사이에 형성된 액정층으로 구성된다. 상기한 구조에서는 공통전극과 데이터전극이 같은 층에 같은 재질로 형성되기 때문에 두 전극 간격이 균일해지고 CD 균일성이 확보되어 균일한 전계가 액정층에 인가되고, 따라서, 얼룩이 방지된 우수한 화질을 얻을 수 있다.

Description

횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 기판에 평행한 전계로 액정의 배열을 조절하는 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 휴대용 텔레비젼이나 노트북 컴퓨터에 많이 사용되는 박막트랜지스터 액정표시장치(TFT LCD)에서 대면적화가 강력하게 요구되고 있지만, 상기한 TFT LCD에는 시야각에 따라 콘트라스트비(contrast ratio)가 변하는 문제가 있었다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 광보상판이 장착된 트위스트네마틱(twisted nematic) 액정표시장치, 멀티도메인(multi-domain) 액정표시장치 등과 같은 여러가지 액정표시장치가 제안되고 있지만, 이러한 여러가지 액정표시장치로는 시야각에 따라 콘트라스트비가 저하되고 색상이 변하는 문제를 해결하기 힘든 실정이다.
광시야각을 실현하기 위해, 기판과 평행한 전계에 의해 액정의 배열을 조절하는 횡전계방식 액정표시장치가 제안되고 있다.
도 1 및 도 2는 종래의 횡전계방식 액정표시장치의 박막트랜지스터 기판을 나타내는 평면도 및 단면도로서, 도 2는 도 1의 A-A'선 단면도이다. 도면에 나타낸 바와 같이, 게이트배선(1)과 데이터배선(2)은 제1기판(10) 위에 형성되어 제1기판(10)을 복수의 화소로 나눈다. 도면에는 편의상 하나의 화소만을 나타내었다. 공통배선(3)은 화소내에 게이트배선(1)과 평행하게 배열되며, 게이트배선(1)과 데이터배선(2)의 교차점에는 게이트전극(5)과, 게이트절연막(12)과, 반도체층(15)과, 소스전극(6), 드레인전극(7)으로 구성되는 박막트랜지스터가 형성된다. 화소내에는 데이터전극(8)과 공통전극(9)이 데이터배선(2)과 평행하게 형성된다. 데이터전극(8)은 축적용량을 형성하기 위하여 공통배선(3) 및 공통전극(9)과 오버랩되는 영역을 가진다. 공통전극(9)은 공통배선(3)에 연결되며, 데이터전극(8)은 게이트절연막(12) 위에 형성되어 드레인전극(7)에 연결된다. 박막트랜지스터, 데이터전극(8) 및 게이트 절연막(12) 위에는 보호막(13)이 형성된다.
제2기판(20)에는 칼라필터층(21)이 형성되며, 두 기판(10,20) 사이에 액정층(22)이 형성된다.
또한, 도면에는 나타내지 않았지만, 두 기판(10,20)의 외측면에는 투과하는 빛을 선편광시키는 편광자가 설치되며, 두 기판(10,20)의 내측면에는 액정층과 접하도록 배향막이 형성되어 액정층의 배향방향을 결정한다.
상기한 바와 같이 구성된 종래의 횡전계방식 액정표시장치에 있어서, 외부구동회로로부터 전압이 인가되면, 데이터전극(8)과 공통전극(9) 사이에 기판(10,20)과 평행한 횡전계가 발생한다. 따라서, 액정층(22) 내에 배향된 액정분자가 상기한 횡전계를 따라 기판에 평행한 상태에서 회전하게 되며, 그 결과 액정층(22)을 통과하는 빛의 양을 제어하게 된다. 이때, 액정분자가 기판에 평행한 상태에서 계조표시(grey scale)가 구동되기 때문에, 시야각에 따른 광투과율의 차가 감소한다.
하지만, 상기한 종래의 횡전계방식 액정표시장치에서는 액정층에 전계를 인가하는 데이터전극(8)과 공통전극(9)이 다른 층에 형성되기 때문에, 게이트전극형성시와, 소스 및 드레인전극 형성시에 층 중첩시 전극의 배열이 잘못되어 데이터전극과 공통전극 사이의 간격이 불균일하게 된다. 따라서 전극사이의 거리가 다르게 되며 이때 전극사이에 있는 액정에 서로 다른 전계가 인가되게 되어 원하는 액정의 배열을 얻을 수 없게 된다.
또한, 상기한 구조에서는 전체 화면의 크기가 클수록 CD 균일성에 차이가 나며 이로 인한 데이터전극과 공통전극 사이의 간격이 불균일해져서, 화면구동시 얼룩이 발생하게 된다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 극복하기 위한 것으로, 데이터전극과 공통전극을 같은재질로 동일층에 형성하여 CD 균일성이 향상되며, 화면의 얼룩이 방지되어 우수한 화질을 갖는 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 제1실시예는 제1기판 및 제2기판과; 제1기판 위에 형성된 데이터전극, 공통전극, 및 공통배선과; 데이터전극 및 공통전극 위로 제1기판 전체에 걸쳐 형성되며, 데이터전극 영역에 데이터홀을 갖는 제1절연막과; 공통배선 또는 공통전극과 오버랩되도록 제1절연막 위에 형성된 적어도 하나의 스토리지전극과; 스토리지전극 위로 제1기판 전체에 걸쳐 형성되며, 상기한 데이터홀과 같은 위치에 홀을 가지며, 스토리지전극 영역에 스토리지홀을 갖는 제2절연막과; 데이터홀 및 스토리지홀 영역을 덮도록 제2절연막 위에 형성되어 데이터전극과 스토리지전극을 전기적으로 연결하는 연결전극과; 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다.
상기한 공통전극과 데이터전극은 Al, Cr, Ta, Al 합금 또는 ITO 등으로 이루어진다.
상기한 연결전극은 데이터홀을 통하여 데이터전극과 연결되며, 스토리지홀을 통하여 스토리지전극과 연결되며, ITO와 같은 투명전도성재질로 형성하는 것이 바람직하다.
상기한 구조의 횡전계방식 액정표시장치를 제조하는 방법은 제1기판 및 제2기판을 제공하는 단계와, 상기한 제1기판 위에 금속막을 적층한 후 패터닝하여 공통배선, 공통전극, 및 데이터전극을 형성하는 단계와; 그 위에 제1절연막을 적층하는 단계와; 상기한 제1절연막 위에 금속막을 적층한 후 패터닝하여 스토리지전극을 형성하는 단계와; 상기한 스토리지전극 위에 제2절연막을 적층하는 단계와; 상기한 제2절연막의 스토리지전극 영역의 일부를 식각하여 스토리지홀을 형성하고, 상기한 제1 및 제2절연막의 데이터전극 영역의 일부를 식각하여 데이터홀을 형성하는 단계와; 상기한 제2절연막 위에 전기전도성물질을 도포한 후 패터닝하여 데이터홀 및 스토리지홀을 덮는 연결전극을 형성하는 단계와; 제1기판과 제2기판 사이에 액정을 주입하여 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다. 상기한 연결전극은 ITO와 같은 투명전도성물질로 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 제2실시예는 제1기판 및 제2기판과; 상기한 제1기판 위에 형성된 데이터전극, 공통전극, 및 공통배선과; 상기한 데이터전극 및 상기한 공통전극 위로 제1기판 전체에 걸쳐 형성되며, 상기한 데이터전극 영역에 데이터홀을 갖는 제1절연막과; 상기한 제1절연막 위로 형성되며, 상기한 데이터홀과 같은 위치에 홀을 갖는 제2절연막과; 상기한 공통전극 또는 공통배선의 일부와 오버랩되도록 형성되며, 상기한 데이터홀을 덮도록 상기한 제2절연막 위에 형성된 연결전극과; 상기한 제1기판과 상기한 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 제3실시예의 횡전계방식 액정표시장치는 제1기판 및 제2기판과; 상기한 제1기판 위에 형성된 데이터전극, 공통전극, 및 공통배선과; 상기한 데이터전극 및 상기한 공통전극 위로 제1기판 전체에 걸쳐 형성되며, 데이터전극 영역에 데이터홀을 갖는 제1절연막과; 상기한 공통배선 또는 상기한 공통전극과 오버랩되도록 제1절연막 위에 형성되며, 상기한 데이터전극과 연결되기 위하여 상기한 데이터홀을 덮도록 형성된 스토리지전극과; 상기한 제1기판과 상기한 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다.
상기한 구조의 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치는 데이터전극과 공통전극이 같은 층에 같은 물질로 형성하기 때문에, 상기한 두 전극 사이의 간격을 균일하게 할 수 있어서, 액정층에 인가되는 전계의 세기가 균일해지고, CD균일성이 향상되어 우수한 화질을 얻을 수 있다.
도 1은 종래의 횡전계방식 액정표시장치의 제1기판을 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 제1기판을 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 B-B'선 단면도이다.
도 5는 도 3의 C-C'선 단면도이다.
도 6은 도 3의 D-D'선 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제2실시예를 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제3실시예를 나타낸 평면도이다.
이하, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 제1기판을 나타낸 평면도이며, 도 4는 도 3의 B-B'선 단면도이고, 도 5는 도 3의 C-C'선 단면도이며, 도 6은 D-D'선 단면도이다.
도면에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 게이트배선(101)과 데이터배선(102)은 제1기판(110) 위에 형성되어 복수의 화소를 정의한다. 도면에는 편의상 하나의 화소만 나타내었다. 공통배선(103)은 화소내에 게이트배선(101)과 평행하게 배열되며, 게이트배선(101)과 데이터배선(102)의 교차점에는 박막트랜지스터가 형성된다. 박막트랜지스터는 제1기판(110) 위에 형성된 게이트전극(105)과, 그 위에 형성된 게이트절연막(112)과, 그 위에 형성된 반도체층(115)과, 그 위에 형성된 소스전극(106) 및 드레인전극(107)으로 구성된다. 공통배선(103)과 일체로 연결된 공통전극(109)은 화소내에 게이트배선(101)과 나란하게 형성되며, 공통배선(103)과 연결된 부분의 반대쪽에 축적용량을 얻기 위한 축적용량부(109')를 갖는다. 데이터전극(108)은 종래와 달리 공통전극(109)과 같은 층에 공통전극(109)과 평행하게 형성되고, 양 끝부분이 공통전극(109) 또는 공통배선(103)과 일정거리 떨어지도록 형성된다. 게이트절연막(112)은 게이트배선(101), 공통배선(103), 게이트전극(105), 데이터전극(108) 및 공통전극(109)을 모두 덮도록 형성된다.
도 3 및 도 6에 나타낸 바와 같이, 게이트절연막(112) 위에 형성된 제1스토리지전극(131)은 드레인전극(107)과 일체로 형성되고, 축적용량을 얻기 위하여 게이트절연막(112)을 사이에 두고 공통전극(109)의 축적용량부(109')와 오버랩되도록 형성된다.
또한, 제1스토리지전극(131)과 같은 층에 형성되는 제2스토리지전극(132)은 축적용량을 얻기 위하여 공통배선(103)과 오버랩되도록 형성된다.
드레인전극(107), 소스전극(106), 제1 및 제2스토리지전극(131,132) 위에는 제1기판(110) 전체에 걸쳐 보호막(113)이 형성된다. 도 3 및 도6에 나타낸 바와 같이, 보호막(113)의 제1스토리지전극(131) 영역에는 제1스토리지홀(141)이 형성되며, 제2스토리지전극(132) 영역에는 제2스토리지홀(142)이 형성되고, 도 3 및 도5에 나타낸 바와 같이, 보호막(113)의 데이터전극(108) 영역에는 제1데이터홀(143), 제2데이터홀(144), 제3데이터홀(145), 및 제4데이터홀(146)이 형성된다. 보호막(113) 위에는 상기 데이터홀과 스토리지홀을 모두 덮도록 도전성재질의 제1연결전극(151) 및 제2연결전극(152)이 형성된다. 따라서, 제1연결전극(151)은 제1스토리지홀(141)을 통하여 제1스토리지전극(131)과 연결되고, 제2연결전극은 제2스토리지홀(142)을 통하여 제2스토리지전극(132)과 연결된다. 또한, 제1연결전극(151)은 제1 및 제2데이터홀(143,144)을 통하여 데이터전극(108)과 연결되며, 제2연결전극(152)은 제3 및 제4데이터홀(145,146)을 통하여 데이터전극(108)과 연결된다. 따라서, 제1연결전극(151)은 제1스토리지전극(131)과 데이터전극(108)을 연결하는 역할을 하게 되고, 제2연결전극(152)은 제2스토리지전극(132)과 데이터전극(108)을 연결하는 역할을 하게 된다. 연결전극(151,152)은 금속성 도전물질로 형성할 수도 있고, IOP(ITO On Passivation:보호막 위의 ITO) 구조가 되도록 투명성 도전물질인 ITO(Indium Tin Oxide)로 형성하는 것이 바람직하며, 연결전극(51,152)이 데이터전극(108)과 공통전극(109) 사이에 형성되는 전계를 차단할 수 있기 때문에 데이터전극(108)과 공통전극(109) 사이 영역에는 연결전극을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
제2기판(120)에는 컬러필터층(29)이 형성되며, 제1기판(110)과 제2기판(120) 사이에는 액정층(122)이 형성된다.
도면에는 나타내지 않았지만, 두 기판(110,120)의 내측면에는 액정층(122)에 접하도록 배향막이 형성되어 액정의 배향방향을 결정한다.
이러한 구조의 횡전계방식 액정표시장치를 제조하기 위해서는, 우선 제1기판(110) 위에 Al, Mo, Ta, Al합금 또는 ITO등과 같은 도전성물질을 스퍼터링(sputtering)방법으로 적층한 후 사진식각(photolithography)방법으로 패터닝하여 게이트전극(105), 게이트배선(102), 공통전극(109), 공통배선(103), 및 데이터전극(108)을 형성한다.
이어서, 그 위에 SiNx 또는 SiOx 등을 플라즈마 CVD(plasma chmeical vapor deposition)방법으로 적층하여 게이트절연막(112)을 형성한다.
이어서, 그 위에 비정질실리콘(amorphous silicon)을 플라즈마 CVD방법에 의해 적층하고 식각하여 반도체층(115)을 형성하며, 도면에는 나타내지 않았지만, 반도체층(115)의 소스 및 드레인 영역에 n+a-Si을 적층하여 오우믹콘택층을 형성한다. 이때, 게이트절연막(112)과 반도체층(7)과 상기한 n+a-Si층을 연속으로 적층 한 후 동시에 패터닝하는 것도 가능하다.
이어서, 그 위에 Al, Cr, Ti, Al합금 등의 금속을 스퍼터링방법으로 적층하고 패터닝하여 소스 및 드레인전극(106,107)과 스토리지전극(131,132)을 형성한다.
이어서, SiOx나 SiNx 등과 같은 무기물 또는 BCB(benzocyclobutene) 또는 아크릴(Acryl)과 같은 유기물을 제1기판(110) 전체에 적층하여 보호막(113)을 형성한 후, 제1, 제2, 제3, 및 제4데이터홀(143,144,145,146) 영역의 보호막(113)과 게이트절연막(112)을 식각하고, 제1 및 제2스토리지홀(141,142) 영역의 보호막(113)을 식각한다. 이때, 도면에는 나타내지 않았지만, 게이트배선(101)과 게이트구동회로와 연결되는 게이트패드영역의 게이트절연막(112)과 보호막(113)을 식각하여 게이트패드홀을 형성하며, 데이터배선(102)과 데이터구동회로와 연결되는 데이터패드영역의 보호막(113)을 식각하여 데이터패드홀을 형성한다.
이어서, 그 위에 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명전도성물질을 적층한 후 패터닝하여 연결전극(131,132)을 형성하며, 도면에는 나타내지 않았지만, 두 배선(101,102)과 각각의 구동회로와의 전기적 연결특성을 좋게 하기 위하여, 패드영역에도 ITO를 적층한다. 이때, 연결전극(131,132)을 Al, Mo, Ta 또는 Al합금 등과 같은 금속으로 형성하는 것도 가능하다.
이어서, 도면에는 나타내지 않았지만, 그 위에 폴리이미드 등을 도포한 후 러빙하여 제1배향막을 형성한다. 제1배향막을 폴리실록산 또는 셀룰로스신나메이트 등의 광배향물질로 형성할 수 있으며, 이 경우에는 러빙 대신에 자외선을 조사하여 배향방향을 결정한다.
제2기판(120) 위에는 칼라필터층(121)을 형성하며, 그 위에 제1배향막과 같은 방법으로 제2배향막(도면에 나타내지 않음)을 형성한다.
이어서, 제1기판(110)과 제2기판(120) 위에 실재를 프린팅 한 후, 두 기판을 합착하고, 두 기판 사이에 진공에서 액정을 주입하여 액정층(122)을 형성한다.
본 실시예에서는 데이터전극(108)과 공통전극(109)이 같은 층에 같은 물질로 형성하기 때문에, 두 전극(108,109) 사이의 간격을 균일하게 할 수 있어서, 액정층(122)에 인가되는 전계의 세기가 균일해지고, CD균일성이 향상되는 장점이 있다.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 제1기판(110)을 나타낸 평면도로서, 이하, 제1실시예와 같은 구조는 같은 부분은 같은 참조번호로 나타내며, 그 설명을 생략한다. 본 실시예는 제1실시예에서의 스토리지전극을 형성하지 않고, 제3연결전극(133)을 공통배선(134)과 오버랩하도록 형성하며, 제4연결전극(134)을 공통전극(109)의 축적용량부(109')와 오버랩되도록 형성하는 것이 특징으로서, 본 실시예의 연결전극(133,134)은 드레인전극(107)과 데이터전극(108)을 연결하는 역할 뿐만아니라, 제1실시예에서의 스토리지전극 역할을 동시에 한다. 이때, 제1실시예의 제1 및 제2스토리지홀(141,142)을 형성하지 않고, 드레인전극(107) 영역의 보호막(113)을 식각하여 콘택홀(147)을 형성하며, 제3연결전극(133)은 콘택홀(147)을 통해 드레인전극(107)과 연결된다.
도 8은 본 발명의 제3실시예에 따른 횡전계방식 액정표시장치의 제1기판(110)을 나타낸 평면도이다. 본 실시예는 제1실시예와 달리 연결전극이 형성되지 않고, 제5 및 제6스토리지전극(135,136)의 일부분이 데이터전극(108)과 오버랩되도록 형성되며, 스토리지전극(135,136)과 데이터전극(108)이 오버랩된 영역의 게이트절연막(112)에 형성된 제5, 제6, 제7, 제8데이터홀(148,149,110,111)을 통하여 데이터전극(108)과 스토리지전극(135,136)이 직접연결된다. 스토리지전극(135,136)은 전기전도성재질이면 모두 형성가능하지만, Al, Mo, Ta 또는 Al합금과 같은 금속성재질이 바람직하며, 연결전극이 형성되지 않기 때문에 보호막(113)에는 홀을 형성하지 않는다. 또한, 스토리지전극(135,136)을 금속성재질로 형성할 경우, 도면에는 나타내지 않았지만, 스토리지전극(135,136)과 데이터전극(108)의 전기적연결성을 확실히 하기 위해 데이터홀(148,149,160,161) 영역에 ITO와 같은 투명도전물질로 이루어진 리던던시전극을 추가로 형성하는 것도 가능하다. 상기한 리던던시전극은 데이터홀(148,149,160,161) 영역의 스토리지전극(135,136)과 게이트절연막(113) 사이에 형성할 수 있으며, 데이터홀(148,149,160,161) 영역의 스토리지전극(135,136) 위에 형성하는 것도 가능하다. 본 실시예는 상기한 구조를 제외하면 제1실시예와 구조가 같다.
본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치는 데이터전극과 공통전극이 같은 층에 같은 물질로 형성하기 때문에, 상기한 두 전극 사이의 간격을 균일하게 할 수 있어서, 액정층에 인가되는 전계의 세기가 균일해지고, CD균일성이 향상되어 우수한 화질을 얻을 수 있다.

Claims (20)

  1. 제1기판 및 제2기판과,
    상기한 제1기판 위에 형성된 데이터전극, 공통전극, 및 공통배선과,
    상기한 데이터전극, 공통전극, 및 공통배선 위로 제1기판 전체에 걸쳐 형성되며, 상기한 데이터전극 영역에 데이터홀을 갖는 제1절연막과,
    상기한 공통배선 또는 공통전극과 오버랩되도록 상기한 제1절연막 위에 형성된 적어도 하나의 스토리지전극과,
    상기한 스토리지전극 위로 제1기판 전체에 걸쳐 형성되며, 상기한 데이터홀과 같은 위치에 홀을 가지며, 상기한 스토리지전극 영역에 스토리지홀을 갖는 제2절연막과,
    상기한 데이터홀 및 스토리지홀 영역을 덮도록 제2절연막 위에 형성되어 데이터전극과 스토리지전극을 전기적으로 연결하는 연결전극과,
    상기한 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된 횡전계방식 액정표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 데이터전극과 공통전극이 같은 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기한 데이터전극과 공통전극 사이의 간격이 동일한 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 연결전극을 이루는 재질이 ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기한 적어도 하나의 스토리지전극 중 하나가 상기한 공통배선과 오버랩되며,
    상기한 적어도 하나의 스토리지전극 중 다른 하나가 상기한 드레인전극과 일체로 형성되고 상기한 공통전극의 일부와 오버랩된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  6. 제1기판 및 제2기판과,
    상기한 제1기판 위에 형성된 데이터전극, 공통전극, 및 공통배선과,
    상기한 데이터전극, 공통전극, 및 공통배선 위로 상기한 제1기판 전체에 걸쳐 형성되며, 상기한 데이터전극 영역에 데이터홀을 갖는 제1절연막과,
    상기한 제1절연막 위로 형성되며, 상기한 데이터홀과 같은 위치에 홀을 갖는 제2절연막과,
    상기한 공통전극 또는 공통배선의 일부와 오버랩되도록 형성되며, 상기한 데이터홀을 덮도록 제2절연막 위에 형성된 연결전극과,
    상기한 제1기판과 상기한 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된 횡전계방식 액정표시장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기한 데이터전극과 상기한 공통전극이 같은 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기한 제1절연막과 상기한 제2절연막 사이에 형성된 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터가 추가로 형성되고,
    상기한 드레인전극 영역의 상기한 제2절연막에 콘택홀이 형성되며,
    상기한 연결전극이 상기한 콘택홀을 덮도록 형성되어 상기한 드레인전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기한 연결전극을 이루는 재질이 ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  10. 제1기판 및 제2기판과,
    상기한 제1기판 위에 형성된 데이터전극, 공통전극, 및 공통배선과,
    상기한 데이터전극, 공통전극, 및 공통배선 위로 상기한 제1기판 전체에 걸쳐 형성되며, 상기한 데이터전극 영역에 데이터홀을 갖는 제1절연막과,
    상기한 공통배선 또는 공통전극과 오버랩되도록 상기한 제1절연막 위에 형성되며, 상기한 데이터홀을 덮도록 형성된 스토리지전극과,
    상기한 제1기판과 상기한 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된 횡전계방식 액정표시장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기한 데이터전극과 상기한 공통전극이 같은 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기한 제1절연막 위에 형성된 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터가 추가로 형성되고,
    상기한 스토리지전극이 두 개 형성되며,
    둘 중 하나의 스토리지전극이 공통배선과 오버랩되며,
    나머지 하나의 스토리지전극이 상기한 드레인전극과 일체로 형성되고 상기한 공통전극의 일부와 오버랩된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  13. 제10항에 있어서, 상기한 데이터홀 영역에 리던던시전극이 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기한 리던던시전극을 이루는 재질이 ITO(Indium Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기한 리던던시전극이 상기한 제1절연막과 상기한 스토리지전극 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기한 리던던시전극이 상기한 스토리지전극 위에 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  17. 기판 위에 형성된 데이터전극, 공통전극에 의해 기판에 대해 평행한 전계를 유발하는 횡전계방식 액정표시장치에 있어서,
    상기한 데이터전극과 공통전극이 동일층에 동일재질로 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기한 데이터전극과 상기한 공통전극 사이의 간격이 동일한 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치.
  19. 제1기판 및 제2기판을 준비하는 단계와,
    제1기판 위에 금속막을 적층한 후 패터닝하여 공통배선, 공통전극, 및 데이터전극을 형성하는 단계와,
    그 위에 제1절연막을 적층하는 단계와,
    상기 제1절연막 위에 금속막을 적층한 후 패터닝하여 스토리지전극을 형성하는 단계와,
    상기 스토리지전극 위에 제2절연막을 적층하는 단계와,
    상기 제2절연막의 스토리지전극 영역의 일부를 식각하여 스토리지홀을 형성하고, 제1 및 제2절연막의 데이터전극 영역의 일부를 식각하여 데이터홀을 형성하는 단계와,
    상기 제2절연막 위에 전기전도성물질을 도포한 후 패터닝하여 데이터홀 및 스토리지 홀을 덮는 연결전극을 형성하는 단계와,
    상기한 제1기판과 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기한 전기전도성물질이 ITO인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법.
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