KR20000031776A - 초전도 소자의 포토리소그라피 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 61
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
본 발명은 초전도 소자의 제조에 필요한 포토리소그라피 방법에 관한 것으로서, 포토마스크를 통한 기판 가장자리의 선택적 노광 현상을 이용하여 기판 가장자리에 생기는 에지비드에 의한 회절현상을 제거하고, 금속반사막 증착을 통해 투명한 기판 아랫면의 반사로 인한 패터닝 부정확성을 개선하며, 포토레지스트의 표면에 경화막을 선택적으로 형성하는 방법을 통해 식각조건에 알맞는 포토레지스트의 상태를 제공할 수 있도록 함으로써, 초전도 소자 제조시 패턴형성의 정확성을 높이고 에칭 프로파일을 원하는 모양으로 생성시킬 수 있으며, 이에 따라 소자 제조의 신뢰성과 재현성을 획기적으로 높이고 제조된 소자의 특성을 개선시킬 수 있도록 한 초전도 소자의 포토리소그라피 방법을 제공하고자 한 것이다.
Description
본 발명은 초전도 소자의 제조에 필요한 포토리소그라피 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 에지비드에 의한 회절현상을 방지하고, 미세패턴 형성을 저해하는 빛 반사현상을 제거시키며, 변형방지를 위한 표면경화막과 양호한 스텝커버리지를 위한 포지티브슬루프를 갖는 포토레지스트를 식각조건에 맞게 각각 선택적으로 채용한 포토리소그라피 방법을 제공함으로써, 소자 제조의 정확성과 신뢰성을 높일 수 있으며 소자의 특성을 개선시킬 수 있는 초전도 소자의 포토리소그라피 방법에 관한 것이다.
일반적으로 초전도 소자의 제조시 포토리소그라피 공정은 다음과 같은 공정으로 이루어져 있다.
1) 기판 표면에 포토레지스트를 도포(spin coating)한다.
이때, 포토레지스트가 기판에 잘 부착되도록 프리머(primer)라는 계면활성제를 먼저 도포하며, 포토레지스트의 종류 및 도포시 스핀 스피드는 공정에 의해 결정된다.
2) 포토레지스트를 오븐에서 베이킹한다.
이때에는 보통 90℃에서 20분간 실시한다.
3) 마스크 얼라이너(mask aligner)를 이용하여 포토마스크의 패턴을 포토레지스트에 투사시키면 자외선을 받은 포토레지스트가 감광된다.
이때, 포토마스크를 기판에 밀착시켜야만 회절현상을 없앨 수 있는데, 이를 위해서는 기판 가장자리에 형성되는 에지비드를 제거해야 한다.
4) 감광된 포토레지스트를 현상액에 넣고 현상시키면 자외선을 받은 부분은 선택적으로 현상된다.
5) 포지티브슬루프를 가진 포토레지스트 패턴이 필요할 경우 포토레지스트를 그대로 베이킹하고, 또는 수직한 포토레지스트 패턴이 필요할 경우 불소플라즈마로 포토레지스트를 경화시킨 후 베이킹한다.
이러한 과정은 필요에 따라 선택한다.
6) 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 식각 또는 증착마스크로 하여 식각 또는 증착한다.
7) 식각 또는 증착 후 포토레지스트를 아세톤 등을 이용하여 제거한다.
8) 다시 포토레지스트를 도포하고 포토리소그라피 과정을 반복한다.
소자 제조는 위와 같은 과정을 여러번 반복한다.
이와 같은 포토리소그라피 방법에서 현재 기판 가장자리에 생기는 에지비드를 제거하지 않고 마스크를 기판에 그대로 콘텍트 얼라인(contact align)시키고 있기 때문에 에지비드로 인한 회절현상으로 정확한 패턴형성이 곤란한 문제가 있고, 투명한 기판 예를 들면, 유리, 쿼츠, SrTiO3, MgO 등 위에 패턴을 형성하는 경우 기판 아랫면에 의한 반사로 인해 미세패턴의 형성이 매우 어려운 문제가 있으며, 에칭마스크로 사용되는 포토레지스트의 단면이 수직으로 되어 있기 때문에 에칭된 단면의 기울기도 급격하게 되어 배선 및 절연특성이 나빠지는 문제가 있고, 건식식각에 대한 포토레지스트의 식각 저항성을 증가시키기 위해 포토레지스트를 베이킹하지 않기 때문에 포토레지스트의 에칭속도가 커지는 문제가 있으며, 또 베이킹을 그대로 하게 되면 포토레지스트의 패턴변형이 발생하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로서, 포토마스크를 통한 기판 가장자리의 선택적 노광 현상을 이용하여 기판 가장자리에 생기는 에지비드에 의한 회절현상을 제거하고, 금속반사막 증착을 통해 투명한 기판 아랫면의 반사로 인한 패터닝 부정확성을 개선하며, 포토레지스트의 표면에 경화막을 선택적으로 형성하는 방법을 통해 식각조건에 알맞는 포토레지스트의 상태를 제공할 수 있도록 함으로써, 초전도 소자 제조시 패턴형성의 정확성을 높이고 에칭프로파일을 원하는 모양으로 생성시킬 수 있으며, 이에 따라 소자 제조의 신뢰성과 재현성을 획기적으로 높이고 제조된 소자의 특성을 개선시키기 위하는데 그 안출 목적이 있는 것이다.
도 1은 본 발명의 포토리소그라피 방법에서 기판 가장자리의 에지비드를 제거하는 과정을 보여주는 개략도
도 2는 본 발명의 포토리소그라피 방법에서 기판으로 투과되는 자외선을 차단하는 방법을 보여주는 개략도
도 3은 본 발명의 포토리소그라피 방법에서 포토레지스트의 포지티브슬루프를 형성시킨 형태를 보여주는 개략도
도 4는 본 발명의 포토리소그라피 방법에서 포토레지스트의 표면경화막을 형성시킨 형태를 보여주는 개략도
〈도면의주요부분에대한부호의설명〉
1 : 기판 2 : 포토레지스트
3 : 에지비드 4 : 포토마스크
5 : 자외선 6 : 금속반사막
7 : 포지티브슬루프 식각마스크 8 : 표면경화막
9 : 포지티브슬루프
이하, 본 발명의 포토리소그라피 방법에 대한 일 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 초전도 소자의 포토리소그라피 방법에 있어서, 콘텍트 얼라인 과정에서는 포토마스크를 사용하여 에지비드를 충분히 노광시킨 후 현상하여 에지비드를 제거하고, 또 투명한 기판의 표면에 일정두께의 금속반사막을 증착하여 기판으로 투과되는 자외선을 차단시키는 한편, 포지티브슬루프를 갖는 에칭단면을 형성하기 위하여 에칭마스크로 사용될 포토레지스트를 현상 후 베이킹하여 포토레지스트가 포지티브슬루프를 갖도록 처리하고, 포토레지스트의 건식식각에 대한 저항성을 증가시키기 위해 하드 베이킹 할 때, 포토레지스트의 표면에 경화막을 형성하여 포토레지스트의 패턴변형을 줄이는 과정을 포함하는 을 특징으로 한다.
특히, 상기 에지비드를 제거하는 과정에서 포토레지스트는 훽스트사의 AZ 시리즈 포토레지스트의 한 종류인 AZ5214E를 사용하고 1.4 ㎛ 두께에서 노광시간을 3분으로 하여 현상하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 금속반사막을 증착하는 과정에서 반사막 재료는 알루미늄 또는 금으로 하고 약 10 ㎚ 두께로 증착하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 포지티브슬루프를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 과정에서 건식식각의 경우 베이킹 조건은 150℃ 에서 약 10분간 하고, 포토레지스트의 표면 경화막형성을 위하여 불소플라즈마처리 조건은 상온에서 약 30초간 하는 것을 특징으로 한다.
이를 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
첨부한 도 1 내지 도 4에서는 본 발명에 따른 포토리소그라피 방법의 바람직한 실시예에서 에지비드 제거방법, 자외선 차단방법, 포토레지스트의 포지티브슬루프 형태 및 표면경화막 형태를 개략적으로 보여주고 있다.
도 1에서, 가장자리가 라운딩되지 않은 기판(1)에 포토레지스트(2)를 도포하면 기판(1)의 가장자리 특히, 코너에 에지비드(3)가 형성된다.
이때 에지비드(3)의 높이는 보통 수십 마이크로미터 이상이 되므로 콘텍트 얼라인시 즉, 기판위에 도포된 포토레지스트에 패턴을 형성시키고자 할 때 원하는 패턴이 그려진 포토마스크를 포토레지스트 표면에 최대한 가까이 밀착시키고 자외선 빛을 노광시키게 되는데, 에지비드(3)로 인해 포토마스크(4)와 포토레지스트(2)의 간격이 크기 때문에 심한 회절현상이 일어나게 된다.
이러한 회절현상은 정확한 패터닝을 불가능하게 하므로 그 요인이 되는 에지비드(3)를 제거해야 하는데, 이를 위하여 포토마스크(4)를 사용하여 에지비드(3)가 있는 부분만 충분히 노광시킨 다음 현상하면, 에지비드(3)가 제거되므로 회절현상을 완전히 배제할 수 있게 된다.
이때 사용되는 포토레지스트(2)로는 AZ5214E가 바람직하며, 1.4 ㎛ 두께에서 노광시간을 3분 정도로 하고 충분히 현상시키면 에지비드(3)가 쉽게 제거된다.
도 2에서, 투명한 기판(1) 예를 들면, 유리, 쿼츠, SrTiO3, MgO 위에 미세패턴을 형성시키는 경우 자외선 투과가 자유로운 기판(1)의 특성때문에 기판 아랫면에 반사된 자외선(5)으로 인해 미세패턴의 형성이 불가능하게 된다.
이를 개선하기 위해 기판(1)과 포토레지스트(2) 사이 즉, 기판(1)의 표면에 얇은 금속반사막(6)을 증착시키면 기판(1)으로 투과되는 자외선을 차단할 수 있으므로 미세패턴 형성이 가능하게 된다.
이때의 상기 금속반사막(6)은 알루미늄박막이나 금박막이 바람직하며, 그 두께를 약 10 ㎚ 정도로 하여 증착시키면 기판으로 자외선이 투과되는 것을 완벽하게 차단할 수 있게 된다.
도 3에서, 건식식각을 이용하여 절연 및 배선을 위한 패터닝을 하는 경우 식각된 경계부분에서 스텝커버리지가 우수한 프로파일을 얻기 위해서는 즉, 스텝커버리지가 우수한 포토레지스트 또는 박막의 단면모양을 얻기 위해서는 포토레지스트의 포지티브슬루프 식각마스크(7)가 포지티브슬루프(9)를 가져야 한다.
예를 들면, 패터닝된 박막의 경계부분의 기울기 모양이 기판면에 대해 90°보다 작은 각도를 가지는 것을 포지티브슬루프를 가진다고 말하는데, 패턴 경계부분의 기울기가 포지티브슬루프를 가져야만 계속되는 절연 및 배선공정시 우수한 절연 및 배선특성을 얻을 수 있다.
본 발명에서는 현상된 포토레지스트 패턴을 충분히 높은 온도에서 베이킹 함으로써, 포토레지스트의 흘러내림 현상을 이용하여 포토레지스트의 포지티브슬루프(9)를 얻게 된다.
즉, 도면에서 볼 수 있는 바와 같이 포지티브슬루프(9)를 갖는 포토레지스트 단면을 형성할 수 있게 된다.
이때의 베이킹 조건은 100∼170℃ 에서 10분 정도 베이킹하는 것이 바람직하다.
도 4에서, 건식식각 후 식각된 박막의 단면이 기판에 수직한 모양 즉, 90°를 가지는 것을 비등방 건식식각이라 하는데, 이러한 비등방 건식식각을 위해서는 포토레지스트(2)의 단면 모양이 수직이어야 하며, 건식식각에 대한 저항성이 우수해야 한다.
다시 말해, 박막을 식각할 때 포토레지스트를 포지티브슬루프 식각마스크(7)로 사용하는 경우, 식각하고자 하는 부분은 노출시키고 남겨두고자 하는 부분은 상기 포지티브슬루프 식각마스크(7)로 가리게 되는데, 이때의 포지티브슬루프 식각마스크(7)가 식각에 대해 잘 견뎌야 즉, 식각저항성(etch resistance)이 우수해야 정확한 패턴을 형성할 수 있다.
그러나, 포토레지스트(2)를 충분히 높은 온도에서 베이킹하게 되면 식각저항성은 높아지나 베이킹에 의해 포토레지스트의 패턴 모양이 찌그러지는 등의 변형이 발생하게 된다.
본 발명에서는 이러한 포토레지스트의 패턴 변형을 막기 위해 포토레지스트를 불소플라즈마에 짧은 시간 노출시켜 포토레지스트의 표면에 경화막을 형성시켜 줌으로써, 베이킹에 의한 패턴의 변형을 막을 수 있게 된다.
이때의 불소플라즈마 처리조건은 CF4, SF6등의 불소플라즈마에 약 30 초간 노출시켜 줌으로써, 충분한 두께의 표면경화막(8)을 얻을 수 있게 된다.
따라서, 상기와 같은 본 발명의 포토리소그라피 방법을 미세패턴 형성을 필요로 하는 초전도 소자의 제조공정에 적용함으로써, 기존의 공정에 비해 패턴을 훨씬 정확하게 형성시킬 수 있으며, 우수한 특성을 갖는 소자를 제조할 수 있다.
이상에서와 같이 본 발명은 패턴형성의 정확성을 높임으로써 설계치에 가까운 구조와 수치를 갖는 소자를 제조할 수 있으며, 소자 제조의 정확성과 신뢰성을 획기적으로 높이고 제작된 소자의 특성을 개선시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 스텝커버리지를 개선시킴으로써 접촉구의 전류밀도를 크게 증가시키고 절연특성을 개선시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (6)
- 초전도 소자 제조를 위한 포토리소그라피 방법에서, 콘텍트 얼라인시 포토마스크를 이용하여 기판 가장자리에 있는 에지비드를 충분히 노광시킨 후 현상하여 에지비드를 제거하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도 소자의 포토리소그라피 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 에지비드를 제거하는 과정에서 포토레지스트는 AZ5214E를 사용하고 1.4 ㎛ 두께에서 노광시간을 3분으로 하여 현상하는 것을 특징으로 하는 초전도 소자의 포토리소그라피 방법.
- 초전도 소자 제조를 위한 포토리소그라피 방법에서, 포토마스크의 패턴을 포토레지스트에 투사하기 전에 기판의 표면에 일정두께의 금속반사막을 증착하여 자외선이 기판을 투과하지 못하도록 하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도 소자의 포토리소그라피 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 금속반사막을 증착하는 과정에서 반사막 재료는 알루미늄 또는 금으로 하고 약 10 ㎚ 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 초전도 소자의 포토리소그라피 방법.
- 초전도 소자 제조를 위한 포토리소그라피 방법에서, 건식식각을 이용한 패터닝시 포토레지스트를 식각마스크로 사용하는 경우 현상된 포토레지스트를 100∼170℃ 정도의 온도에서 약 10분간 베이킹하여 흘러내림 현상으로 인한 포지티브슬루프가 형성될 수 있도록 하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도 소자의 포토리소그라피 방법.
- 초전도 소자 제조를 위한 포토리소그라피 방법에서, 건식식각을 이용한 패터닝시 포토레지스트의 식각저항성을 높이기 위해 고온에서 베이킹하는 경우 포토레지스트를 불소플라즈마에 상온에서 약 30초 정도 노출시켜 표면경화막을 만든 후 베이킹하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도 소자의 포토리소그라피 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980047999A KR100310937B1 (ko) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 초전도소자의포토리소그라피방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980047999A KR100310937B1 (ko) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 초전도소자의포토리소그라피방법 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010009787A Division KR100310942B1 (ko) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 초전도 소자의 포토리소그라피 방법 |
| KR1020010009786A Division KR100310978B1 (ko) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 초전도 소자의 포토리소그라피 방법 |
| KR1020010009785A Division KR100310943B1 (ko) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 초전도 소자의 포토리소그라피 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000031776A true KR20000031776A (ko) | 2000-06-05 |
| KR100310937B1 KR100310937B1 (ko) | 2001-12-17 |
Family
ID=19557704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980047999A KR100310937B1 (ko) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 초전도소자의포토리소그라피방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100310937B1 (ko) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02183517A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
-
1998
- 1998-11-10 KR KR1019980047999A patent/KR100310937B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100310937B1 (ko) | 2001-12-17 |
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| A107 | Divisional application of patent | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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