KR20000031490A - Device and method for forming aluminum oxide film of wafer - Google Patents
Device and method for forming aluminum oxide film of wafer Download PDFInfo
- Publication number
- KR20000031490A KR20000031490A KR1019980047547A KR19980047547A KR20000031490A KR 20000031490 A KR20000031490 A KR 20000031490A KR 1019980047547 A KR1019980047547 A KR 1019980047547A KR 19980047547 A KR19980047547 A KR 19980047547A KR 20000031490 A KR20000031490 A KR 20000031490A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide film
- wafer
- aluminum oxide
- module
- film forming
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼의 알루미늄산화막 형성장치 및 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to an aluminum oxide film forming apparatus and a forming method of a wafer.
반도체 공정에서 이용되는 절연막(capacitor thin film) 형성공정은 전통적인 CVD(Chemical Vapor Deposition)법을 이용하여 SiO2, Si3N4박막을 형성할 수 있었고, 최근에는 탄탈늄 옥사이드(Ta205) 박막을 형성하기 위한 CVD 또는 PVD(Physical Vapor Deposition)법이 개발되었다.Capacitor thin film formation process used in the semiconductor process has been able to form SiO 2 , Si 3 N 4 thin films using the traditional chemical vapor deposition (CVD) method, and recently tantalum oxide (Ta 2 0 5 ) CVD or physical vapor deposition (PVD) methods have been developed to form thin films.
그러나, 아직까지 알루미늄산화막을 이용한 반도체 소자제조공정에 응용할 수 있는 알루미늄산화막 형성장치가 개발되지 않고 있다.However, an aluminum oxide film forming apparatus that can be applied to a semiconductor device manufacturing process using an aluminum oxide film has not been developed yet.
본 발명은 웨이퍼상에 원자층 에피택시법을 이용하여 알루미늄산화막을 형성할 수 웨이퍼 알루미늄산화막 형성장치 및 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a wafer aluminum oxide film forming apparatus and a method for forming an aluminum oxide film on a wafer by using an atomic layer epitaxy method.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼의 알루미늄산화막 형성장치의 제1실시예의 개략적 평면도,1 is a schematic plan view of a first embodiment of an aluminum oxide film forming apparatus of a wafer according to the present invention;
도 2는 도 1의 공정모듈중 하나를 발췌하여 도시한 분해사시도,Figure 2 is an exploded perspective view showing an extract of one of the process module of Figure 1,
도 3은 도 2의 공정모듈의 샤워헤드판의 단면도,3 is a cross-sectional view of the shower head plate of the process module of FIG.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 알루미늄산화막 형성장치의 제2실시예의 개략적 평면도,4 is a schematic plan view of a second embodiment of a wafer aluminum oxide film forming apparatus according to the present invention;
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼의 알루미늄산화막 형성장치의 제3실시예의 개략적 평면도,5 is a schematic plan view of a third embodiment of an aluminum oxide film forming apparatus of a wafer according to the present invention;
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼의 알루미늄산화막 형성장치의 제4실시예의 개략적 평면도,6 is a schematic plan view of a fourth embodiment of an aluminum oxide film forming apparatus of a wafer according to the present invention;
도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼의 알루미늄산화막 형성장치의 제5실시예의 개략적 평면도,7 is a schematic plan view of a fifth embodiment of an aluminum oxide film forming apparatus of a wafer according to the present invention;
<도면의 주요부분에 대한 부호설명><Code Description of Main Parts of Drawing>
1,2 ... 웨이퍼 00 ... 수소어닐링모듈1,2 ... Wafer 00 ... Hydrogen Annealing Module
110 ... 플라즈마클리닝모듈110 ... Plasma Cleaning Module
120, 70, 180 ... 알루미늄산화막 형성모듈120, 70, 180 ... aluminum oxide film forming module
130 ... 고온열처리모듈 140 ... 진공카세트모듈130 ... high temperature heat treatment module 140 ... vacuum cassette module
150 ... 냉각챔버 200 ... 이송챔버150 ... cooling chamber 200 ... transfer chamber
210, 230 ... 카세트박스 220 ... 얼라이너210, 230 ... cassette box 220 ... aligner
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 웨이퍼의 알루미늄산화막 형성장치는, 웨이퍼를 이송하며 다수의 결합면을 가진 이송챔버를 구비한 웨이퍼 알루미늄산화막 형성장치에 있어서, 상기 이송챔버에서 이송된 웨이퍼의 산화막(SiO2)을 제거하는 전처리공정을 수행하는 적어도 하나의 전처리공정모듈; 상기 산화막이 제거된 웨이퍼에 알루미늄산화막(Al2O3)을 형성하는 적어도 하나의 알루미늄산화막 형성모듈을 포함한다. 이때, 상기 알루미늄산화막이 형성된 웨이퍼에서 그 알루미늄산화막의 안정도를 증가시키기 위한 후처리공정을 수행하는 적어도 하나의 고온열처리모듈;을 더 포함하는 것이 바람직하다.In order to achieve the above object, the aluminum oxide film forming apparatus of the wafer according to the present invention, in the wafer aluminum oxide film forming apparatus having a transfer chamber having a plurality of bonding surfaces for transferring the wafer, it is transferred from the transfer chamber At least one pretreatment module for performing a pretreatment process to remove the oxide film (SiO 2 ) of the wafer; At least one aluminum oxide film forming module for forming an aluminum oxide film (Al 2 O 3 ) on the wafer from which the oxide film is removed. In this case, the wafer on which the aluminum oxide film is formed may further include at least one high temperature heat treatment module for performing a post-treatment process for increasing the stability of the aluminum oxide film.
여기서, 상기 전처리공정모듈은 고온의 수소기체 분위기하에서 어닐링하여 수행하는 수소어닐링모듈이거나, 플라즈마를 이용하여 상기 웨이퍼에 형성된 산화막(SiO2)을 제거하는 플라즈마클리닝모듈이거나, HF 베이퍼를 분사하여 수행하는 것을 HF 베이퍼모듈이다. 또한, 상기 고온열처리모듈에서 열처리된 웨이퍼를 냉각시키는 냉각모듈을 더 포함한다. 이들 전처리공정모듈, 알루미늄산화막 형성모듈 및 후처리공정모듈은 상기 이송챔버에 매엽식으로 결합된다.Here, the pretreatment process module is a hydrogen annealing module which is performed by annealing under a high temperature hydrogen gas atmosphere, a plasma cleaning module which removes an oxide film (SiO 2 ) formed on the wafer by using plasma, or is sprayed by HF vaporizer. That is the HF vapor module. The apparatus may further include a cooling module for cooling the wafer heat-treated in the high temperature heat treatment module. These pretreatment process modules, aluminum oxide film forming modules and post-treatment process modules are coupled to the transfer chamber in a single-stage fashion.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 웨이퍼의 알루미늄산화막 형성방법은, 웨이퍼를 이송하는 이송챔버에 결합되는 전처리공정모듈에서 진행되는 것으로, 그 웨이퍼에 기형성된 산화막(SiO2)을 제거하는 전처리공정; 상기 이송챔버에 결합되는 알루미늄산화막 형성모듈에서 진행되는 것으로, 이송된 산화막이 제거된 웨이퍼에 알루미늄산화막(Al2O3)을 형성시키는 알루미늄산화막 형성공정; 및 상기 이송챔버에 결합되는 고온열처리모듈에서 진행되는 것으로, 이송된 알루미늄산화막이 형성된 웨이퍼에 그 알루미늄산화막의 안정화를 증가시키는 후처리공정;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the aluminum oxide film forming method of the wafer according to the present invention is carried out in a pretreatment process module coupled to the transfer chamber for transporting the wafer, to remove the oxide film (SiO 2 ) formed on the wafer. Pretreatment step; An aluminum oxide film forming process which is performed in the aluminum oxide film forming module coupled to the transfer chamber, and forms an aluminum oxide film (Al 2 O 3 ) on the wafer from which the transferred oxide film is removed; And a post-treatment process which is performed in the high temperature heat treatment module coupled to the transfer chamber, and which increases the stabilization of the aluminum oxide film on the wafer on which the transferred aluminum oxide film is formed.
여기서, 상기 전처리공정은 고온의 수소기체 분위기하에서 어닐링하여 수행하거나, 플라즈마를 이용하여 수행하거나, HF 베이퍼를 분사하여 수행한다.Here, the pretreatment is performed by annealing in a high temperature hydrogen gas atmosphere, by using plasma, or by spraying HF vapor.
또, 상기 알루미늄산화막은 원자층 에피택시법에 의해 형성된다. 이때. 상기 웨이퍼에 알루미늄산화막을 형성시키기 위하여 제1반응기체를 사용하고, 그 제1반응기체는 TMA(TriMethylAluminum) 또는 TEA(TriEthylAluminum)이다. 또한, 상기 웨이퍼에 산화막을 형성시키기 위하여 제2반응기체를 사용하고, 그 제2반응기체는 수증기(H2O)를 사용한다.The aluminum oxide film is formed by atomic layer epitaxy. At this time. A first reaction gas is used to form an aluminum oxide film on the wafer, and the first reaction gas is TMA (TriMethylAluminum) or TEA (TriEthylAluminum). In addition, a second reaction gas is used to form an oxide film on the wafer, and the second reaction gas uses water vapor (H 2 O).
또한, 상기 제1반응기체와 상기 제2반응기체 사이에는 기상 반응에 의한 불순물형성을 방지하기 위하여 불활성 기체를 개재시킨다.In addition, an inert gas is interposed between the first reaction gas and the second reaction gas to prevent the formation of impurities by gas phase reaction.
한편, 상기 후처리공정은 700℃ 이상에서 진행되는 것이 바람직하다.On the other hand, the post-treatment step is preferably carried out at 700 ℃ or more.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 웨이퍼 알루미늄산화막 형성장치 및 형성방법의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of a wafer aluminum oxide film forming apparatus and a forming method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 알루미늄산화막 형성장치의 제1실시예의 평면도이다. 도시된 바와 같이, 반도체 알루미늄산화막 형성장치는, 로봇(미도시)이 설치되어 있으며 6개의 결합면이 마련된 이송챔버(200)와, 그 이송챔버(200)의 각각의 결합면에 결합되는 공정모듈, 진공카세트모듈(140), 냉각챔버(150)를 구비한다. 상기 공정모듈은 수소어닐링모듈(100), 플라즈마클리닝모듈(110)과, 알루미늄산화막 형성모듈(120), 고온열처리모듈(130)이 순차적으로 배열되어 구성된다. 이들 공정모듈은 결합면에 매엽식(cluster)식으로 결합된다. 여기서, 이송챔버(200)는 최대 6개의 모듈이 장착될 수 있으나, 이송챔버의 각형을 달리하여, 예컨대 팔각형으로 하여 더 많은 모듈을 장착할 수 있다.1 is a plan view of a first embodiment of a semiconductor aluminum oxide film forming apparatus according to the present invention. As shown in the drawing, the semiconductor aluminum oxide film forming apparatus includes a transfer chamber 200 in which a robot (not shown) is installed and six coupling surfaces are provided, and a process module coupled to each coupling surface of the transfer chamber 200. The vacuum cassette module 140 and the cooling chamber 150 is provided. The process module includes a hydrogen annealing module 100, a plasma cleaning module 110, an aluminum oxide film forming module 120, and a high temperature heat treatment module 130. These process modules are coupled to the mating surface in a clustered manner. Here, the transfer chamber 200 may be equipped with a maximum of six modules, it is possible to mount more modules by changing the angle of the transfer chamber, for example octagonal.
상기 공정모듈 중 하나의 공정모듈을 발췌하여 구조를 설명한다. 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 공정모듈은 웨이퍼(미도시)가 위치되는 리엑터블럭(10)과, 그 리엑터블럭(10)에 힌지(28,29)에 의해 힌지결합되는 샤워헤드판(20)을 구비한다. 샤워헤드판(20)은 리엑터블럭(10)을 덮어 리엑터블럭(10) 내부에 소정의 압력이 일정하게 유지되도록 한다. 상기 샤웨헤드판(20)에는 반응기체를 분사하는 확산판(30)이 설치되며, 이 확산판(30)은 리엑터블럭(10) 내부에 위치된다.The structure will be described by extracting one of the process modules. As shown in FIGS. 2 and 3, the process module includes a reactor block 10 on which a wafer (not shown) is located, and a shower head plate hinged by hinges 28 and 29 to the reactor block 10. 20 is provided. The shower head plate 20 covers the reactor block 10 to maintain a predetermined pressure inside the reactor block 10. The shower head plate 20 is provided with a diffusion plate 30 for injecting a reactor body, the diffusion plate 30 is located inside the reactor block 10.
샤워헤드판(20)에는 반응기체와 불활성기체의 공급원이 연결된다. 이를 자세히 설명하면, 리엑터블럭(10)에는 반응기체가 접속되는 제1접속파이프(11) 및 제2접속파이프(12)가 설치되어 있으며, 불활성기체가 접속되는 제3접속파이프(13)가 설치되어 있다. 각 파이프(11,12,13)는 접속부(14)를 통하여 샤워헤드판(20)에 설치된 제1,2,3연결파이프(21,22,23)에 접속된다. 또, 리엑터블럭(10)의 내부에는 알루미나, 알루미늄, 스텐레스스틸과 같은 재료로 만들어진 실드판(25)과 버퍼판(27)이 설치된다. 상기 버퍼판(27)에는 웨이퍼유입공(11) 및 실드판(25)의 장공(26)을 통하여 유입되는 웨이퍼가 얹혀진다.The showerhead plate 20 is connected to a source of a reactor gas and an inert gas. In detail, the reactor block 10 is provided with a first connection pipe 11 and a second connection pipe 12 to which a reactor body is connected, and a third connection pipe 13 to which an inert gas is connected. It is. Each pipe 11, 12, 13 is connected to the first, second, and third connecting pipes 21, 22, 23 provided in the shower head plate 20 through the connecting portion 14. Further, a shield plate 25 and a buffer plate 27 made of a material such as alumina, aluminum, or stainless steel are provided inside the reactor block 10. The buffer plate 27 is loaded with a wafer flowing through the wafer inlet 11 and the long hole 26 of the shield plate 25.
이러한 공정모듈에서, 반응기체는 제1접속파이프(11) → 제1연결파이프(21)와 제2접속파이프(12) → 제2연결파이프(22)를 통하여 확산판(30)에서 리엑터블럭(10) 내부로 분사된다. 불활성기체는 제3접속파이프(13) → 제3연결파이프(23)를 통하여 샤워헤드판(20)에 주입된다. 주입된 불활성기체는 확산판(30)의 중심에서 방사상으로 형성되는 유로(32) 및 리엑터블럭(10)의 내측 벽면을 향한 노즐(31)을 통하여 리엑터블럭(10) 내부로 분사된다. 이 불활성기체는 리엑터블록(10)에서 배기계로 빠르게 배기되도록 함으로써 반응기체와의 경계층을 가진다. 이렇게 함으로써 노즐(31)을 통하여 분사되는 불활성기체는 반응기체와 리엑터블럭(10)의 내측 벽면을 분리시키는 커튼 역할을 할 수 있다.In this process module, the reactor body is connected to the reactor block in the diffusion plate 30 through the first connecting pipe 11 → the first connecting pipe 21 and the second connecting pipe 12 → the second connecting pipe 22. 10) It is sprayed inside. The inert gas is injected into the shower head plate 20 through the third connecting pipe 13 → the third connecting pipe 23. The injected inert gas is injected into the reactor block 10 through the flow path 32 formed radially from the center of the diffusion plate 30 and the nozzle 31 toward the inner wall surface of the reactor block 10. This inert gas has a boundary layer with the reactor body by allowing quick exhaust from the reactor block 10 to the exhaust system. In this way, the inert gas injected through the nozzle 31 may serve as a curtain separating the inner wall of the reactor body and the reactor block 10.
공정모듈들을 각각 분류하여 설명하면 다음과 같다.The process modules are classified and explained as follows.
상기 진공카세트모듈(140)은 이송된 웨이퍼(1)를 진공하에서 유지시킨다. 웨이퍼(1)는 카세트박스(210)에서 대기중에 노출된 상태이므로 그 표면에는 자연적으로 산화막(SiO2)이 형성되는데, 진공카세트모듈(140)은 웨이퍼(1)에 산화막 형성이 더 이상 진행되지 않도록 한다.The vacuum cassette module 140 maintains the transferred wafer 1 under vacuum. Since the wafer 1 is exposed to the atmosphere in the cassette box 210, an oxide film (SiO 2 ) is naturally formed on the surface thereof, and the vacuum cassette module 140 no longer forms an oxide film on the wafer 1. Do not
상기 수소어닐링모듈(100)은 제1,2접속파이프(11,12, 도 2)로 유입된 수소(H2)를 고온의 상태로 만들어 이러한 고온 기체분위기하에서 웨이퍼(1)를 어닐링하여 자연적으로 형성되어 있는 산화막(SiO2)을 제거한다. 이때, 어닐링하기 위한 온도는 700℃ ∼ 1200℃ 이며, 바람직하게는 850℃ 정도로 한다. 이 경우, 산화막(SiO2)을 효과적으로 제거하기 위하여 수소어닐링모듈(100)로 유입되는 수소기체의 압력을 제어한다.The hydrogen annealing module 100 makes hydrogen (H 2 ) introduced into the first and second connection pipes (11, 12, FIG. 2) at a high temperature to anneal the wafer (1) under such a hot gas atmosphere, thereby naturally. The formed oxide film (SiO 2 ) is removed. At this time, the temperature for annealing is 700 to 1200 degreeC, Preferably it is about 850 degreeC. In this case, in order to effectively remove the oxide film SiO 2 , the pressure of the hydrogen gas flowing into the hydrogen annealing module 100 is controlled.
상기 플라즈마클리닝모듈(110)은 플라즈마를 이용하여 웨이퍼에 잔류하는 산화막을 다시 한번 제거한다. 이러한 플라즈마클리닝모듈(110)은 제1,2접속파이프(11,12, 도 1)를 통하여 유입된 수소를 플라즈마를 이용하여 라디칼 상태로 만든다. 이러한 수소 라디칼이 웨이퍼로 분사되면 웨이퍼 표면의 잔류 산화막에 흡착되어 반응한다. 이 상태에서, 플로린(Fluorine) 계열의 부식성 기체, 예를 들면 NF3기체를 플라즈마클리닝모듈(110)로 유입시켜 웨이퍼상으로 분사시키면 산화막과의 반응이 활성화되어 더더욱 확실하게 산화막이 제거된다.The plasma cleaning module 110 removes the oxide film remaining on the wafer once again using plasma. The plasma cleaning module 110 makes the hydrogen introduced through the first and second connection pipes 11 and 12 (FIG. 1) into a radical state using plasma. When such hydrogen radicals are injected onto the wafer, they are adsorbed onto the remaining oxide film on the wafer surface and react. In this state, when Florin-based corrosive gas, for example, NF 3 gas, flows into the plasma cleaning module 110 and is sprayed onto the wafer, the reaction with the oxide film is activated to more reliably remove the oxide film.
이때, 수소라디칼을 형성하기 위한 플라즈마의 생성원으로 11MHz ∼ 15MHz, 바람직하게는 13.56MHz 의 고주파를 사용하거나, 2 GHz ∼ 3 GHz, 바람직하게는 2.45 GHz 의 극초단파를 사용한다.At this time, a high frequency of 11 MHz to 15 MHz, preferably 13.56 MHz, or a microwave of 2 GHz to 3 GHz, preferably 2.45 GHz is used as a generation source of plasma for forming hydrogen radicals.
상기 알루미늄산화막 형성모듈(120)은, 산화막이 제거된 웨이퍼상에 알루미늄산화막을 원자층 에피택시법(atomic layer epitaxy)을 이용하여 형성한다. 에피택시법은 두가지 이상의 반응기체를 연속적인 분사방법에 의해 박막을 형성시키는 기술로서, 반응기체, 불활성기체, 반응기체를 순차적으로 분사하여 기상반응(gas phase reaction)에 의한 불순물 형성방지를 최대한 억제하고 웨이퍼 표면에서의 반응에 의하여 박막을 형성시킨다. 알루미늄산화막을 형성하기 위한 반응기체로는 TMA(TriMethylAluminum) 또는 TEA(TriEthylAluminum)가 이용된다. 참고로, 산화막을 위한 반응기체로는 수증기(H2O) 또는 산화질소(N2O) 또는 오존(O3)과 같이 산소를 포함하는 가스로 된다. 한편, 반응기체와 반응기체 사이에서 함께 분사되는 불활성기체로는 아르곤이나 질소, 헬륨 등이 사용된다.The aluminum oxide film forming module 120 forms an aluminum oxide film on the wafer from which the oxide film has been removed using atomic layer epitaxy. Epitaxy is a technique of forming a thin film by successive injection methods of two or more reactor bodies. The epitaxy method sequentially sprays the reactor bodies, the inert gas, and the reactor bodies to prevent the formation of impurities by gas phase reaction as much as possible. And a thin film is formed by reaction on the wafer surface. As a reactor for forming an aluminum oxide film, TMA (TriMethylAluminum) or TEA (TriEthylAluminum) is used. For reference, the reactor for the oxide film is a gas containing oxygen such as water vapor (H 2 O) or nitrogen oxide (N 2 O) or ozone (O 3 ). Meanwhile, argon, nitrogen, helium, or the like is used as the inert gas that is injected together between the reactor and the reactor.
상기 고온열처리모듈(130)은 웨이퍼에 형성된 알루미늄산화막의 안정화를 증가시키는 한편 밀도를 증가시킨다. 고온열처리모듈(130)에서 수행되는 열처리공정은 850 ℃ 이상의 고온하에서 수행되며, 이렇게 하여 알루미늄산화막의 결정성을 향상시켜 안정화를 향상시키고, 또한 밀도를 증가시킨다.The high temperature heat treatment module 130 increases the density while increasing the stabilization of the aluminum oxide film formed on the wafer. The heat treatment process performed in the high temperature heat treatment module 130 is performed at a high temperature of 850 ° C. or higher, thereby improving the crystallinity of the aluminum oxide film, thereby improving stabilization, and also increasing the density.
상기 냉각챔버(150)는, 알루미늄산화막이 형성된 웨이퍼는 고온상태를 유지하는데 이 고온의 웨이퍼를 약 50℃까지 낮추어준다.The cooling chamber 150 maintains a high temperature state of the wafer on which the aluminum oxide film is formed, and lowers the high temperature wafer to about 50 ° C.
다음, 이와 같은 구조의 웨이퍼 알루미늄산화막 형성장치의 동작을 설명한다.Next, the operation of the wafer aluminum oxide film forming apparatus having such a structure will be described.
상기 이송챔버(200)에 설치된 로봇이 카세트박스(210)에 수납된 웨이퍼를 얼라이너(220)로 이송하면, 얼라이너(220)는 웨이퍼(1)의 위치를 정확히 맞추어 진공카세트모듈(140)로 이송시킨다. 이후, 진공카세트모듈(140)에서 웨이퍼(1)는 수소어닐링모듈(100)로 이송된다. 수소어닐링모듈(100)에서 웨이퍼(1)에 형성된 산화막(SiO2)이 제거된다.When the robot installed in the transfer chamber 200 transfers the wafer accommodated in the cassette box 210 to the aligner 220, the aligner 220 accurately adjusts the position of the wafer 1 to the vacuum cassette module 140. Transfer to. Thereafter, the wafer 1 is transferred from the vacuum cassette module 140 to the hydrogen annealing module 100. In the hydrogen annealing module 100, the oxide film SiO 2 formed on the wafer 1 is removed.
다음, 로봇은 수소어닐링모듈(100)에서 웨이퍼를 끄집어내어 플라즈마클리닝모듈(110)로 이송하여 수소어닐링모듈(100)에서 제거되지 않는 잔류 산화막을 제거한다.Next, the robot removes the wafer from the hydrogen annealing module 100 and transfers the wafer to the plasma cleaning module 110 to remove the residual oxide film that is not removed from the hydrogen annealing module 100.
다음, 로봇은 플라즈마클리닝모듈(110)에서 끄집어내어 알루미늄산화막 형성모듈(120)로 이송한다. 알루미늄산화막 형성모듈(120)은 원자층 에피택시법에 의하여 웨이퍼에 알루미늄산화막을 형성한다.Next, the robot is removed from the plasma cleaning module 110 and transferred to the aluminum oxide film forming module 120. The aluminum oxide film forming module 120 forms an aluminum oxide film on the wafer by atomic layer epitaxy.
다음, 로봇은 알루미늄산화막 형성모듈(120)에서 웨이퍼를 끄집어내어 고온열처리모듈(130)로 이송시킨다. 고온열처리모듈(130)에서, 웨이퍼상의 알루미늄산화막은 밀도가 증가되는 한편 안정된 결정구조를 가지게 된다.Next, the robot removes the wafer from the aluminum oxide film forming module 120 and transfers the wafer to the high temperature heat treatment module 130. In the high temperature heat treatment module 130, the aluminum oxide film on the wafer increases in density and has a stable crystal structure.
그리고, 로봇은 알루미늄산화막 형성모듈(130)에서 웨이퍼를 끄집어내어 냉각챔버(150)로 이송시켜 냉각시키면 알루미늄산화막 형성공정이 마무리되고, 완성된 웨이퍼(2)는 다른 카세트박스(230)로 수납된다.Then, the robot pulls out the wafer from the aluminum oxide film forming module 130, transfers the wafer to the cooling chamber 150, and cools the aluminum oxide film forming process. The finished wafer 2 is stored in another cassette box 230. .
다음, 도 4를 참조하여 본 발명의 웨이퍼 알루미늄산화막 형성장치의 제2실시예를 설명한다. 여기서, 도 1에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리킨다.Next, a second embodiment of the wafer aluminum oxide film forming apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same reference numerals as in FIG. 1 denote the same members having the same function.
도시된 바와 같이, 웨이퍼 알루미늄산화막 형성장치는, 제1실시예에서 설명한 것과 동일한 이송챔버(200)와, 그 이송챔버(200)의 각각의 결합면에 결합되는 공정모듈, 진공카세트모듈(140), 냉각챔버(150)를 구비한다. 상기 공정모듈은 HF 베이퍼모듈(160), 플라즈마클리닝모듈(110)과, 알루미늄산화막 형성모듈(120), 고온열처리모듈(130)이 순차적으로 배열되어 구성된다.As shown, the wafer aluminum oxide film forming apparatus includes the same transfer chamber 200 as described in the first embodiment, a process module and a vacuum cassette module 140 coupled to respective mating surfaces of the transfer chamber 200. And a cooling chamber 150. The process module includes an HF vapor module 160, a plasma cleaning module 110, an aluminum oxide film forming module 120, and a high temperature heat treatment module 130.
본 제2실시예가 제1실시예와 구별되는 점은, 수소어닐링모듈(100, 도1) 대신 HF 베이퍼모듈(160)을 사용하는 점이다.The second embodiment is distinguished from the first embodiment by using the HF vapor module 160 instead of the hydrogen annealing module 100 (FIG. 1).
HF 베이퍼모듈(160)에서는, 이송된 웨이퍼(1)에 HF 베이퍼를 분사하여 형성되어 있는 산화막을 식각하여 제거한다. 이러한 HF 베이퍼의 분사는 상압(atmosphere pressure) 또는 저압(low pressure)에서 수행된다.In the HF vapor module 160, the oxide film formed by spraying the HF vapor on the transferred wafer 1 is etched and removed. The injection of this HF vaporizer is carried out at atmospheric pressure or low pressure.
상기 플라즈마클리닝모듈(110), 알루미늄산화막모듈(120) 및 고온열처리모듈(130)은 제1실시예에서 사용된 것과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.Since the plasma cleaning module 110, the aluminum oxide film module 120 and the high temperature heat treatment module 130 are the same as those used in the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted.
이와 같은 구조의 알루미늄산화막 형성장치에 있어서, 이송챔버(200)의 로봇은 웨이퍼 카세트박스(210)에 수납된 웨이퍼(1)를 얼라이너(220)로 이송시켜 위치를 정렬한다. 정렬된 웨이퍼(1)는 진공카세트모듈(140), HF 베이퍼모듈(160), 플라즈마 클리닝 모듈(110), 알루미늄산화막 형성모듈(120), 고온열처리모듈(130) 및 냉각챔버(150)를 순차적으로 거치면서 웨이퍼에 알루미늄산화막이 형성된다. 알루미늄산화막이 형성된 웨이퍼(2)는 다른 카세트박스(230)에 수납된다.In the aluminum oxide film forming apparatus having such a structure, the robot of the transfer chamber 200 transfers the wafer 1 accommodated in the wafer cassette box 210 to the aligner 220 to align the positions. The aligned wafer 1 sequentially processes the vacuum cassette module 140, the HF vapor module 160, the plasma cleaning module 110, the aluminum oxide film forming module 120, the high temperature heat treatment module 130, and the cooling chamber 150. The aluminum oxide film is formed on the wafer while going through. The wafer 2 on which the aluminum oxide film is formed is housed in another cassette box 230.
다음, 도 5를 참조하여 본 발명의 웨이퍼 알루미늄산화막 형성장치의 제3실시예를 설명한다. 여기서, 도 1 및 도4에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리킨다.Next, a third embodiment of the wafer aluminum oxide film forming apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same reference numerals as in FIGS. 1 and 4 denote the same members having the same functions.
도시된 바와 같이, 웨이퍼 알루미늄산화막 형성장치는, 제1,2실시예에서 설명한 것과 동일한 이송챔버(200)와, 그 이송챔버(200)의 각각의 결합면에 결합되는 공정모듈, 진공카세트모듈(140), 냉각챔버(150)를 구비한다. 상기 공정모듈은 수소어닐링모듈(100), 제1의 알루미늄산화막 형성모듈(120), 제2의 알루미늄산화막 형성모듈(170), 고온열처리모듈(130)이 순차적으로 정렬되어 구성된다. 여기서, 알루미늄산화막 형성모듈이 2개 채용하였는데, 모듈 내부의 온도나 압력을 달리하여 물리적 구조가 다른 알루미늄산화막을 형성할 수 있다.As shown, the wafer aluminum oxide film forming apparatus includes the same transfer chamber 200 as described in the first and second embodiments, a process module and a vacuum cassette module coupled to respective mating surfaces of the transfer chamber 200. 140, and a cooling chamber 150. The process module includes a hydrogen annealing module 100, a first aluminum oxide film forming module 120, a second aluminum oxide film forming module 170, and a high temperature heat treatment module 130. Here, two aluminum oxide film forming modules are employed, and aluminum oxide films having different physical structures may be formed by changing temperatures or pressures inside the module.
이와 같은 구조의 알루미늄산화막 형성장치에 있어서, 이송챔버(200)의 로봇은 웨이퍼 카세트박스(210)에 수납된 웨이퍼(1)를 얼라이너(220)로 이송시켜 위치를 정렬하고, 정렬된 웨이퍼(1)를 진공카세트모듈(140), 수소어닐링모듈(100), 제1의 알루미늄산화막 형성모듈(120), 제2의 알루미늄산화막 형성모듈(170), 고온열처리모듈(130) 및 냉각챔버(150)를 순차적으로 거치면서 웨이퍼에 알루미늄산화막이 형성된다. 알루미늄산화막이 형성된 웨이퍼(1)는 다른 카세트박스(230)에 수납된다.In the aluminum oxide film forming apparatus having such a structure, the robot of the transfer chamber 200 transfers the wafer 1 accommodated in the wafer cassette box 210 to the aligner 220 to align the positions, and arranges the aligned wafers ( 1) the vacuum cassette module 140, the hydrogen annealing module 100, the first aluminum oxide film forming module 120, the second aluminum oxide film forming module 170, the high temperature heat treatment module 130 and the cooling chamber 150 ), An aluminum oxide film is formed on the wafer. The wafer 1 on which the aluminum oxide film is formed is housed in another cassette box 230.
다음, 도 6을 참조하여 본 발명의 웨이퍼 알루미늄산화막 형성장치의 제4실시예를 설명한다. 여기서, 도 1, 4, 및 5 에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리킨다.Next, a fourth embodiment of the wafer aluminum oxide film forming apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same reference numerals as in Figs. 1, 4, and 5 denote the same members having the same functions.
도시된 바와 같이, 웨이퍼 알루미늄산화막 형성장치는, 제1,2,3실시예에서 설명한 것과 동일한 이송챔버(200)와, 그 이송챔버(200)의 각각의 결합면에 결합되는 공정모듈, 진공카세트모듈(140), 냉각챔버(150)를 구비한다. 상기 공정모듈은 플라즈마클리닝모듈(110), 제1의 알루미늄산화막 형성모듈(120), 제2의 알루미늄산화막 형성모듈(170), 고온열처리모듈(130)이 순차적으로 배열되어 구성된다.As shown, the wafer aluminum oxide film forming apparatus includes the same transfer chamber 200 as described in the first, second, and third embodiments, process modules coupled to respective mating surfaces of the transfer chamber 200, and a vacuum cassette. The module 140 and the cooling chamber 150 is provided. The process module includes a plasma cleaning module 110, a first aluminum oxide film forming module 120, a second aluminum oxide film forming module 170, and a high temperature heat treatment module 130.
이와 같은 구조의 알루미늄산화막 형성장치에 있어서, 이송챔버(200)의 로봇은 웨이퍼 카세트박스(210)에 수납된 웨이퍼(1)를 얼라이너(220)로 이송시켜 위치를 정렬하고, 정렬된 웨이퍼(1)는 플라즈마클리닝모듈(110), 제1알루미늄산화막 형성모듈(120), 제2알루미늄산화막 형성모듈(170), 고온열처리모듈(130) 및 냉각챔버(150)를 순차적으로 거치면서 웨이퍼에 알루미늄산화막이 형성되고, 완성된 웨이퍼(2)는 다른 카세트박스(230)로 수납된다.In the aluminum oxide film forming apparatus having such a structure, the robot of the transfer chamber 200 transfers the wafer 1 accommodated in the wafer cassette box 210 to the aligner 220 to align the positions, and arranges the aligned wafers ( 1) through the plasma cleaning module 110, the first aluminum oxide film forming module 120, the second aluminum oxide film forming module 170, the high temperature heat treatment module 130 and the cooling chamber 150 in sequence to the aluminum on the wafer An oxide film is formed, and the completed wafer 2 is stored in another cassette box 230.
다음, 도 7을 참조하여 본 발명의 웨이퍼 알루미늄산화막 형성장치의 제5실시예를 설명한다. 여기서, 도 1, 4, 5, 6 에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리킨다.Next, a fifth embodiment of the wafer aluminum oxide film forming apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same reference numerals as in Figs. 1, 4, 5, and 6 indicate the same members having the same function.
도시된 바와 같이, 반도체 알루미늄산화막 형성장치는, 제1,2,3,4 실시예에서 설명한 것과 동일한 이송챔버(200)와, 그 이송챔버(200)의 각각의 결합면에 결합되는 공정모듈, 진공카세트모듈(140), 냉각챔버(150)를 구비한다. 상기 공정모듈은 플라즈마클리닝모듈(110), 제1의 알루미늄산화막 형성모듈(120), 제2의 알루미늄산화막 형성모듈(170), 제3의 알루미늄산화막 형성모듈(180)이 순차적으로 배열되어 구성된다.As shown, the semiconductor aluminum oxide film forming apparatus includes the same transfer chamber 200 as described in the first, second, third and fourth embodiments, process modules coupled to respective coupling surfaces of the transfer chamber 200; The vacuum cassette module 140 and the cooling chamber 150 is provided. The process module includes a plasma cleaning module 110, a first aluminum oxide film forming module 120, a second aluminum oxide film forming module 170, and a third aluminum oxide film forming module 180. .
이와 같은 구조의 알루미늄산화막 형성장치에 있어서, 이송챔버(200)의 로봇은 웨이퍼 카세트박스(210)에 수납된 웨이퍼(1)를 얼라이너(220)로 이송시켜 위치를 정렬하고, 정렬된 웨이퍼(1)는 플라즈마클리닝모듈(110), 제1의 알루미늄산화막 형성모듈(120), 제2의 알루미늄산화막 형성모듈(170), 제3의 알루미늄산화막 형성모듈(180) 및 냉각챔버(150)를 순차적으로 거치면서 웨이퍼에 알루미늄산화막이 형성되고, 완성된 웨이퍼(2)는 다른 카세트박스(230)에 수납된다.In the aluminum oxide film forming apparatus having such a structure, the robot of the transfer chamber 200 transfers the wafer 1 accommodated in the wafer cassette box 210 to the aligner 220 to align the positions, and arranges the aligned wafers ( 1) the plasma cleaning module 110, the first aluminum oxide film forming module 120, the second aluminum oxide film forming module 170, the third aluminum oxide film forming module 180 and the cooling chamber 150 in sequence An aluminum oxide film is formed on the wafer while passing through the wafer, and the finished wafer 2 is stored in another cassette box 230.
이외에도, 공정모듈을, 수소어닐링모듈(100), 알루미늄산화막 형성모듈(120), 고온 열처리모듈(130)을 순차적으로 정렬하여 구현할 수도 있다.In addition, the process module may be implemented by sequentially aligning the hydrogen annealing module 100, the aluminum oxide film forming module 120, and the high temperature heat treatment module 130.
또, 플라즈마클리닝모듈(110), 알루미늄산화막 형성모듈(120), 고온열처리모듈(130)을 순차적으로 정렬하여 구현할 수도 있다.In addition, the plasma cleaning module 110, the aluminum oxide film forming module 120, and the high temperature heat treatment module 130 may be arranged in sequence.
이와 같이 알루미늄산화막 형성장치는, 전처리공정모듈과 알루미늄산화막 형성모듈만으로 구현할 수도 있고, 후처리공정모듈과 알루미늄산화막 형성모듈로만으로 구현할 수 있다. 그리고, 전처리 또는 후처리를 수행하는 모듈의 수나, 알루미늄산화막 형성모듈의 수를 다양하게 하여 구현할 수도 있다.As described above, the aluminum oxide film forming apparatus may be implemented only by the pretreatment process module and the aluminum oxide film forming module, or may be implemented by the aftertreatment process module and the aluminum oxide film forming module only. In addition, the number of modules for pre- or post-treatment or the number of aluminum oxide film forming modules may be varied.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 알 수 있을 것이다.Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. will be.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 알루미늄산화막 형성장치 및 형성방법에 따르면, 웨이퍼상에 알루미늄산화막을 형성함에 있어 전처리공정과 후처리공정을 함께 수행할 수 있다. 따라서, 알루미늄산화막 형성공정을 자동화할 수 있어 대량 생산 및 제품신뢰도를 향상시킨다는 효과가 있다.As described above, according to the wafer aluminum oxide film forming apparatus and the forming method according to the present invention, in forming the aluminum oxide film on the wafer can be performed together with the pre-treatment step and the post-treatment step. Therefore, it is possible to automate the aluminum oxide film forming process has the effect of improving mass production and product reliability.
Claims (22)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980047547A KR100328744B1 (en) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | Apparatus and method for forming AL2O3 on wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980047547A KR100328744B1 (en) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | Apparatus and method for forming AL2O3 on wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000031490A true KR20000031490A (en) | 2000-06-05 |
| KR100328744B1 KR100328744B1 (en) | 2002-06-20 |
Family
ID=19557409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980047547A KR100328744B1 (en) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | Apparatus and method for forming AL2O3 on wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100328744B1 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100385391B1 (en) * | 2001-01-04 | 2003-05-27 | 주식회사 아토 | A thin-film evaporation methode for wafer |
| KR100540489B1 (en) * | 1999-10-30 | 2006-01-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for preventing error of auto guide vehicle when exchanging side dummy wafer in high temperature process |
| KR100547248B1 (en) * | 1999-11-12 | 2006-02-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | A method for forming gate dielectric layer using alumina in semiconductor device |
| KR100481848B1 (en) * | 1998-12-15 | 2006-05-16 | 삼성전자주식회사 | Manufacturing method of dielectric film without chemical defect |
| CN108206146A (en) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 系统科技公司 | The apparatus for continuous treatment and method of substrate |
| KR102518320B1 (en) * | 2022-03-08 | 2023-04-06 | 주식회사 서플러스글로벌 | Method For Manufacturing Reference Wafer, and Device For Measuring C-V Characteristic Of Oxide Using For Electronic Device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3222532B2 (en) * | 1992-03-27 | 2001-10-29 | 株式会社東芝 | Substrate processing equipment |
| JPH0864590A (en) * | 1994-08-18 | 1996-03-08 | Touyoko Kagaku Kk | Multichamber heat treatment equipment |
-
1998
- 1998-11-06 KR KR1019980047547A patent/KR100328744B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481848B1 (en) * | 1998-12-15 | 2006-05-16 | 삼성전자주식회사 | Manufacturing method of dielectric film without chemical defect |
| KR100540489B1 (en) * | 1999-10-30 | 2006-01-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for preventing error of auto guide vehicle when exchanging side dummy wafer in high temperature process |
| KR100547248B1 (en) * | 1999-11-12 | 2006-02-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | A method for forming gate dielectric layer using alumina in semiconductor device |
| KR100385391B1 (en) * | 2001-01-04 | 2003-05-27 | 주식회사 아토 | A thin-film evaporation methode for wafer |
| CN108206146A (en) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 系统科技公司 | The apparatus for continuous treatment and method of substrate |
| KR102518320B1 (en) * | 2022-03-08 | 2023-04-06 | 주식회사 서플러스글로벌 | Method For Manufacturing Reference Wafer, and Device For Measuring C-V Characteristic Of Oxide Using For Electronic Device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100328744B1 (en) | 2002-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20220367175A1 (en) | Apparatus and method for removal of oxide and carbon from semiconductor films in a single processing chamber | |
| KR100215376B1 (en) | Method for depositing silicon oxide films of reduced surface sensitivity | |
| US10428426B2 (en) | Method and apparatus to prevent deposition rate/thickness drift, reduce particle defects and increase remote plasma system lifetime | |
| US6626188B2 (en) | Method for cleaning and preconditioning a chemical vapor deposition chamber dome | |
| KR20200104923A (en) | Processing methods for silicon nitride thin films | |
| US7344983B2 (en) | Clustered surface preparation for silicide and metal contacts | |
| KR100790765B1 (en) | Method for heating a semiconductor wafer in a process chamber, and process chamber | |
| US8821641B2 (en) | Nozzle unit, and apparatus and method for treating substrate with the same | |
| WO2005103327A1 (en) | Method of improving the wafer to wafer uniformity and defectivity of a deposited dielectric film | |
| KR20190087323A (en) | Method for cleaning components of plasma processing apparatus | |
| US11107699B2 (en) | Semiconductor manufacturing process | |
| US6436303B1 (en) | Film removal employing a remote plasma source | |
| KR100328744B1 (en) | Apparatus and method for forming AL2O3 on wafer | |
| US20070238292A1 (en) | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus | |
| WO2021076843A1 (en) | Selective etch process using hydrofluoric acid and ozone gases | |
| US20060062913A1 (en) | Process for depositing btbas-based silicon nitride films | |
| KR102178593B1 (en) | Dry cleaning method using plasma and steam | |
| KR102179717B1 (en) | Dry cleaning apparatus using plasma and steam | |
| KR100685826B1 (en) | Deposition apperature and method for deposition using thereof | |
| JP4987219B2 (en) | Etching equipment | |
| US20010051214A1 (en) | Apparatus and method for vapor deposition | |
| US20210202298A1 (en) | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system | |
| KR101300998B1 (en) | Substrate processing system | |
| JPH10284474A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
| KR101334221B1 (en) | Method of manufacturing multi-level metal thin film and apparatus for manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120214 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130214 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |