KR20000019585A - 스퍼터링 장치에서 사용하는 클램프 - Google Patents

Abstract

본 발명은 스퍼터링 장치에서 가열판 위에 놓인 웨이퍼를 고정시키는 클램프의 구조를 변경하여 스퍼터링 공정 후에 웨이퍼와 클램프가 접착되지 않도록 하는 클램프에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 클램프의 지지부와 웨이퍼의 측면이 닿지 않도록 하는 클램프를 제공하는데 있다. 이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반응실 내에서 웨이퍼를 고정시키기 위한 클램프에 있어서, 클램프는 고리 형태의 원판 일면에 수직으로 돌출된 원통형의 지지부를 구비하며, 지지부는 안쪽 직경이 웨이퍼의 직경보다 1mm이상 큰 것을 특징으로 하는 클램프를 제공한다.

Description

스퍼터링 장치에서 사용하는 클램프(Clamp for sputtering apparatus)

본 발명은 스퍼터링 장치에 사용하는 클램프에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 스퍼터링 장치에서 가열판 위에 놓인 웨이퍼를 고정시키는 클램프의 구조를 변경하여 스퍼터링 공정 후에 웨이퍼와 클램프가 접착되지 않도록 하는 클램프에 관한 것이다.

스퍼터링 공정은 웨이퍼에 금속 박막이나 절연체를 적층하는 방법 중 하나로서, 강철 공을 시멘트벽에 던지는 것과 같은 물리적인 원리에 의한 공정이다. 즉, 시멘트벽에 부딪친 강철 공은 시멘트와 화학적, 물리적 특성이 같은 성분 입자를 분리하고, 이 과정이 계속되면 강철 공이 부딪친 주위는 시멘트 먼지로 뒤덮이게 된다. 스퍼터링 공정에서 강철 공은 이온화된 아르곤(Ar) 원자이고, 벽은 스퍼터링 될 물질 즉, 표적 물질에 해당한다.

스퍼터링 공정은 진공 상태 하에서 이온화 된 아르곤 가스가 있을 때 일어난다. 아르곤 가스와 같은 불활성 가스 이외의 다른 가스가 있으면 박막에 섞이거나 박막의 증착을 방해하게 된다. 표적 물질은 양성으로 된 아르곤 이온에 비해 음성 전하를 띠고 있고, 음극에서 발생한 전자는 아르곤 가스 원자에 부딪쳐 플라즈마 상태를 형성한다. 이온 주입 공정에서와 같이 스퍼터링 공정에서도 양이온이 음극으로 가속된다. 그러나 이온 주입과는 달리 스퍼터링 공정에서는 아르곤 이온이 표적 물질에 주입되지 않는다. 아르곤 이온은 표적 물질의 성분 입자를 튀어나오게 하여 이들이 웨이퍼 위에 증착된다.

도 1은 종래 기술에 따른 클램프를 이용하여 웨이퍼를 고정시키는 모습을 나타내는 단면도이다.

도 1을 참조하면, 스퍼터링 공정을 진행하기 위한 반응실(도시되지 않음) 안에서 웨이퍼(12)는 가열판(14) 위에 놓여 클램프(10)에 의해 고정되어 가열된다. 200mm 웨이퍼(12)를 사용하는 경우, 클램프(10)의 지지부(16)는 직경이 200.70mm이므로 웨이퍼(12)와의 간격이 좁아서 웨이퍼(12)의 측면과 지지부(16)가 닿아 있는 상태에서 스퍼터링 공정이 진행되는 경우가 있다. 이와 같이 웨이퍼(!2)의 측면과 지지부(!6)가 닿아 있는 상태에서 스퍼터링 공정이 진행되어 금속막이 증착되면 웨이퍼(12)와 클램프(10)가 접착된다.

따라서, 본 발명의 목적은 클램프의 지지부와 웨이퍼의 측면이 닿지 않도록 하는 클램프를 제공하는데 있다.

도 1은 종래 기술에 따른 클램프를 이용하여 웨이퍼를 고정시키는 모습을 나타내는 단면도,

도 2는 본 발명의 실시예를 이용하여 웨이퍼를 고정시키는 모습을 나타내는 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 설명>

10, 110; 클램프

12, 112; 웨이퍼

14, 114; 가열판

16, 116; 지지부

이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반응실 내에서 웨이퍼를 고정시키기 위한 클램프에 있어서, 클램프는 고리 형태의 원판 일면에 수직으로 돌출된 원통형의 지지부를 구비하며, 지지부는 안쪽 직경이 웨이퍼의 직경보다 1mm이상 큰 것을 특징으로 하는 클램프를 제공한다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하고자 한다.

도 2는 본 발명의 실시예를 이용하여 웨이퍼를 고정시키는 모습을 나타내는 단면도이다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 클램프(110)는 웨이퍼(112)를 눌러줌으로써 가열판(114) 위에 놓여 있는 웨이퍼(112)가 공정 중에 움직이지 않도록 고정시킨다.

웨이퍼(112)의 측면과 지지부(116) 사이의 간격이 좁은 경우에는 웨이퍼(112)를 정렬하고 클램프(110)로 웨이퍼(112)를 고정하는 과정에서 웨이퍼(112)의 측면과 지지부(116)가 닿게 되는 경우가 생길 수도 있고, 가열판(114)에서 웨이퍼(112)로 열을 전달하기 위해서 공급하는 아르곤 가스에 의해서 웨이퍼(112)가 움직여서 웨이퍼(112)의 측면과 지지부(116)가 닿게 될 수도 있다.

따라서, 웨이퍼(112)의 측면과 지지부(116) 사이의 간격을 크게 하면 이와 같은 문제를 해결할 수 있다. 클램프(110)는 고리 형태의 원판 일면에 수직으로 돌출된 원통형의 지지부(116)를 구비하고 이러한 지지부(116)는 웨이퍼(112)의 측면에 위치하는데, 지지부(116)의 안쪽 직경을 웨이퍼(112)의 직경보다 1mm이상 크게 하면 웨이퍼(112)의 측면과 지지부(116)가 닿는 경우가 줄어들게 된다.

200mm 웨이퍼(112)를 사용하는 경우 종래의 클램프에 있어서는 지지부 안쪽 직경이 200.7mm이다. 지지부(116) 안쪽의 직경을 웨이퍼(112)의 직경보다 1mm 이상 크게하는데, 1mm 내지 1.5mm 크게하는 것이 바람직하다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 측면과 클램프의 지지부가 접촉하지 않게 되어 웨이퍼와 클램프가 증착된 금속막에 의해 붙는 것을 방지할 수 있다.

Claims (2)

1. 반응실 내에서 웨이퍼를 고정시키기 위한 클램프에 있어서, 상기 클램프는 고리 형태의 원판 일면에 수직으로 돌출된 원통형의 지지부를 구비하며 상기 지지부는 안쪽 직경이 상기 웨이퍼의 직경보다 1mm이상 큰 것을 특징으로 하는 클램프.
2. 제 1항에 있어서, 상기 지지부의 안쪽 직경은 상기 웨이퍼의 직경보다 1mm 내지 1.5mm 큰 것을 특징으로 하는 클램프.