KR20000014155A - Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법 및 장치 - Google Patents
Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20000014155A KR20000014155A KR1019980033397A KR19980033397A KR20000014155A KR 20000014155 A KR20000014155 A KR 20000014155A KR 1019980033397 A KR1019980033397 A KR 1019980033397A KR 19980033397 A KR19980033397 A KR 19980033397A KR 20000014155 A KR20000014155 A KR 20000014155A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electric furnace
- foil
- argon gas
- aluminum foil
- minutes
- Prior art date
Links
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 88
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 11
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 10
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 46
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 7
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical group O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Phosphoric acid ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/07—Dielectric layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
Abstract
양극인 Al 전해캐패시터용 포일의 표면에 형성되는 유전체층의 특성을 향상시키기 위하여 다단계의 열처리를 수행할 수 있도록 하는 Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법 및 장치가 개시되어 있다. 에칭처리된 전해캐패시터용 알루미늄 포일을 화성공정을 실행하기 전에 알루미늄 포일을 전처리하기 위하여 상온의 전기로에 아르곤가스를 여러번 반복적으로 주입 및 배출시킨 후 전기로를 400℃∼550℃에서 진공상태로 전환한 후 알루미늄 포일을 히팅처리한다. 이때 400℃∼550℃의 전기로에서 알루미늄 포일을 히팅처리하면서 여러번 아르곤가스를 주입 및 배출시킴으로써 전기로가 아르곤가스의 분위기를 유지하도록 한다. 상기 알루미늄 포일을 히팅처리한 후 알루미늄 포일을 묽은 인산수용액에 침적시킴으로써 알루미늄 포일을 전처리시키게 된다. 상기 묽은 인산용액에 침적되면 화성공정에서 수화작용의 발생을 원활하게 억제시킬 수 있다.
Description
본 발명은 Al 전해캐패시터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 양극인 Al 전해캐패시터용 포일의 표면에 형성되는 유전체층의 특성을 향상시키기 위하여 다단계의 열처리를 수행할 수 있도록 하는 Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법 및 장치 에 관한 것이다.
일반적으로 알루미늄(Al) 전해캐패시터는 알루미늄을 전극으로 사용하여 대향되는 두 전극판 사이에 유전체를 개재시켜 직류전압을 인가하면 에너지(전하)를 축적하는 기능을 갖는다. 상기 Al 전해캐패시터(electrolytic condenser)는 알루미늄박막을 이용하여 제조되며, 에칭공정, 화성공정, 절단공정, 권취공정, 함침공정, 조립공정 및 재화성공정을 통해 Al 전해캐패시터가 제조된다. 즉, 상기 에칭공정은 압연된 알루미늄 원박의 평활면을 염산 등의 시약을 사용하여 전기화학적으로 표면을 조면화함으로써 그 실효면적을 증가시키는 공정이고, 화성공정은 화성액중에서 에칭박을 양극으로서 전기분해를 하여 전기화학적으로 알루미늄박의 표면에 유전체가 되는 산화 알루미늄 피막(Al2O3)을 생성하여 Al 전해캐패시터의 성능을 조절하는 공정이며, 절단공정은 화성공정에서 화성된 전극박을 제품의 용량에 맞도록 일정한 규격으로 절단하는 공정이다. 그리고 권취공정은 절단공정에서 일정한 규격으로 절단된 전극박에 인출단자를 접속한 후 음극박과 전해지를 넣어 동심원이 되도록 감는 공정이고, 함침공정은 권취한 소자에 전해액을 넣는 공정으로 전해액은 양극박과 음극박의 표면에 침투 밀착하여 양극박 및 음극박의 정전용량이 최대가 되도록 함과 동시에 양극산화 피막의 결함부분을 수복하는 기능을 한다. 조립공정은 함침공정에서 전해액에 함침된 소자가 이미 캐패시터로서의 기능을 가지므로 대기 상태에 방치해 두면 전해액이 증발 또는 흡습되어 캐패시터로서의 기능이 저하되므로 이를 방지하기 위하여 금속 케이스에 넣어 밀봉하게 되며, 재화성 공정은 조립공정에서 조립된 캐패시터에 정격전압을 인가함으로써 캐패시터의 기능을 안정화시키는 공정이다. 상기와 같은 Al 전해캐패시터의 제조공정을 이루는 화성공정에서 알루미늄 포일을 에칭하여 알루미늄 포일의 표면적을 향상시키고 에칭포일을 다시 전기화학 반응을 통하여 유전체를 형성시킨다.
도 1은 종래의 화성공정에서 유전체층을 형성시키는 과정을 나타낸 도면이다. 도 2는 종래의 화성공정에서 알루미늄 포일의 표면에 발생되는 수화된 산화피막을 나타낸 도면이다. 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 화성공정(10)에서 화성조(12)를 통과하는 알루미늄 포일(30)의 표면에 유전체 산화피막(Al2O3)의 생성시 전기분해에 따른 전력소비를 절감시키고, 유전체 특성향상을 위해 전처리공정(20)으로 전기로(22)의 코일(24)로부터 인가되는 고온(450℃∼550℃)에 의한 열처리를 5∼10분간 실시하고 있다. 상기 전처리공정(20)으로 미리 Al2O3산화물층(32)을 형성하여 본격 화성공정(10)에서 전기분해를 실시하게 되면 산화피막(Al2O3)이 쉽게 생성되도록 핵을 형성함으로써 화성공정이 실행되는 시간이 최대 1/2까지 단축된다. 그런데 Al2O3·H2O(34)와 같은 수화(hydration)된 산화피막으로 인해 화성공정이나 소자구성시 Al2O3·H2O에 의해 지속적인 수화현상이 발생되고, 상기 수화현상에 의해 누설전류가 증대되고, 누설손실값이 증대되는 원인이 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 제 1 목적은 Al 전해캐패시터용 양극포일의 표면에 형성되는 유전체층의 특성을 향상시키기 위하여 다단계의 열처리를 수행할 수 있도록 하는 Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 제 2 목적은 상기한 Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법을 수행하는 데 적합한 Al 전해캐패시터용 포일의 제조장치를 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 화성공정에서 유전체층을 형성시키는 과정을 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 화성공정에서 알루미늄 포일의 표면에 발생되는 수화된 산화피막을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 알루미늄 포일의 화성공정전의 전처리공정을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 전처리공정에서 알루미늄 포일의 표면상태를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
50 : 묽은 인산수조 52 : 롤러
60 : 전처리공정 62 : 전기로
64 : 진공펌프 66 : 아르곤가스저장탱크
68 : 히터 70 : 밸브
80 : 알루미늄 포일
상기 제 1 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 표면이 에칭된 알루미늄 포일을 400℃∼550℃의 전기로를 통과시킴으로써 공기중에서 히팅처리하는 제1단계; 상기 제1단계 다음에 전기로내에 수분 및 불순가스를 제거하기 위해 상온으로 냉각한 후 전기로를 진공펌프를 이용하여 진공상태로 전환시키는 제2단계; 상기 제2단계 다음에 전기로에 아르곤가스를 주입하는 제3단계; 상기 제3단계 다음에 아르곤가스를 진공펌프로 배출시키는 제4단계; 상기 제4단계 다음에 전기로를 400℃∼550℃로 전환하여 알루미늄 포일을 5∼10분간 히팅처리하는 제5단계; 그리고 상기 제5단계 다음에 알루미늄 포일을 묽은 인산수용액에 5∼10분간 침적시키는 제6단계를 포함하는 Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 제5단계에서 알루미늄 포일을 5∼10분간 히팅처리하면서 아르곤가스를 여러번 주입 및 배출시키므로써 전기로의 내부에 아르곤가스의 분위기를 유지시킨다.
또한, 상기 제3단계와 제4단계를 3∼4회 반복실행한다.
상기 제 2 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 Al 전해캐패시터를 제조하는 공정중에서 알루미늄 포일의 표면에 산화피막을 형성시키는 화성공정을 실행하기전에 실시되는 전처리공정에 있어서, 상기 전처리공정을 실행하기 위하여 알루미늄 포일에 열을 인가하기 위한 히터를 구비하는 전기로; 상기 전기로()의 일측에 착설되며, 전기로의 내부에 존재하는 공기 및 가스를 외부로 배출시키는 배출구; 상기 배출구에 연결되는 진공펌프; 상기 전기로의 다른 일측에 착설되며, 전기로에 아르곤가스를 주입시키는 아르곤가스 주입구; 상기 아르곤가스 주입구에 연결되는 아르곤가스저장탱크; 상기 전기로의 근접부에 설치되며, 묽은 인산수용액이 저장되어 있는 묽은인산수저로 이루어지는 Al 전해캐패시터용 포일의 제조장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 에칭처리된 전해캐패시터용 알루미늄 포일을 화성공정을 실행하기 전에 알루미늄 포일을 전처리하기 위하여 상온의 전기로에 아르곤가스를 여러번 반복적으로 주입 및 배출시킨 후 전기로를 400℃∼550℃에서 진공상태로 전환한 후 알루미늄 포일을 히팅처리한다. 이때 400℃∼550℃의 전기로에서 알루미늄 포일을 히팅처리하면서 여러번 아르곤가스를 주입 및 배출시킴으로써 전기로가 아르곤가스의 분위기를 유지하도록 한다. 상기 알루미늄 포일을 히팅처리한 후 알루미늄 포일을 묽은 인산수용액에 침적시킴으로써 알루미늄 포일을 전처리시키게 된다. 상기 묽은 인산용액에 침적되면 화성공정에서 수화작용의 발생을 원활하게 억제시킬 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 따른 알루미늄 포일의 화성공정 이전의 전처리공정을 나타낸 도면이다. 도 4는 본 발명에 따른 전처리공정에서 알루미늄 포일의 표면상태를 나타낸 도면이다. 도 5는 본 발명에 따른 Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하여 Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법을 설명하면, 먼저, Al 전해캐패시터를 제조하는 공정중에서 알루미늄 포일을 화성공정(도시 안됨)을 실행하기전에 전처리공정(60)을 실행한다. 상기 전처리공정(60)을 실행하기 위하여 전기로(62)의 일측에는 전기로(62)의 공기 및 가스를 배출시키는 배출구를 착설시키고, 전기로(62)의 다른 일측에는 아르곤가스 주입구를 착설시킨다. 상기 배출구에는 진공펌프(64)가 연결되고, 아르곤가스 주입구에는 아르곤가스저장탱크(66)가 연결된다. 상기 전기로(62)의 내부에는 히터(68)가 설치되고, 상기 전기로(62)의 근접부에는 묽은 인산수용액이 저장되어 있는 묽은인산수저(50)가 설치된다. 상기 묽은인산수저(50)의 내부 및 상측부에는 롤러(52)가 설치되어 알루미늄 포일(80)이 전기로(62) 및 묽은인산수저(50)를 통해 원활하게 이동하게 된다.
또한, 표면이 에칭된 알루미늄 포일(80)을 400℃∼550℃의 전기로(62)를 통과시킴으로써 공기중에서 5∼10분간 히팅처리를 하게 된다(제1단계(S100)). 상기 제1단계(S100)에서는 아르곤가스가 전기로(62)의 내부로 주입되지 않도록 아르곤가스 주입구에 설치된 밸브(70)를 잠근 후 알루미늄 포일(80)을 히팅처리한다. 상기 알루미늄 포일(80)을 단순 히팅처리하면 Al2O3·H2O의 베마이트(Boehmite)의 구조가 알루미늄 포일(80)의 표면에 생성된다. 상기 제1단계(S100) 다음에 전기로(62)를 서서히 상온으로 냉각시킨 후 아르곤가스 주입구의 밸브(70)를 닫은 상태에서 전기로(62)내의 공기를 진공펌프(64)를 이용하여 외부로 배출시킴으로써 전기로(62)의 내부를 진공상태로 전환시키게 된다(제2단계(S200)). 상기 제2단계(S200)다음에 전기로(62)의 내부로 아르곤가스를 주입하게 된다(제3단계(S300)). 상기 제3단계(S300)에서는 아르곤가스 주입구에 있는 밸브(70)를 오픈시킴으로써 아르곤가스저장탱크(66)에 저장되어 있는 아르곤가스가 전기로(62)의 내부로 주입되도록 한다. 상기 아르곤가스가 전기로(62)의 내부로 주입되면 베마이트(Al2O3·H2O)의 구조에서 H2O성분이 열에 의해 가열분해됨으로써 Al2O3·H2O의 구조가 Al2O3로 변환된다. 상기 Al2O3·H2O의 구조에서 H2O가 분해되어 날아간 자리에는 공간(void)(90)이 형성된다. 상기 제3단계(S300) 다음에 전기로(62)의 내부에 존재하는 아르곤가스를 진공펌프(64)로 배출시키게 된다(제4단계(S400)). 상기 제4단계(S400)에서 진공펌프(64)를 이용하여 전기로(62)의 내부에 존재하는 아르곤가스를 외부로 배출시킨 후 제3단계(S300) 및 제4단계(S400)를 3∼4차례 계속하여 반복실행한다. 상기 제4단계(S400) 다음에 전기로(62)를 400℃∼550℃로 전환하여 알루미늄 포일(80)을 5∼10분간 히팅처리하게 된다(제5단계(S500)). 상기 제5단계(S500)에서 알루미늄 포일(80)을 5∼10분간 히팅처리하면서 동시에 아르곤가스를 30초 간격으로 여러번 주입 및 배출시키므로써 전기로(62)의 내부에 아르곤가스의 분위기를 계속 유지시킨다. 상기 제5단계(S500) 다음에 알루미늄 포일(80)을 묽은 인산수용액에 5∼10분간 침적시킨다(제6단계(S600)). 상기 알루미늄 포일(80)을 묽은 인산수용액에 침적시키면 알루미늄 포일(80)의 표면에 형성된 공간(82)에는 인산이 침투되어 산화되므로 공간(82)은 자동으로 제거되며, Al2O3(86)의 표면에 형성된 기공(pore)(84)에는 인산기이온(PO4 3-)이 흡착되어 화성공정 및 소자구성시 전해액에 의한 수화작용을 억제시키게 된다. 상기 인산기이온(PO4 3-)은 Al2O3에 대한 흡착력이 H2O보다 강하기 때문에 인산기이온이 H2O를 차단하여 알루미늄 포일(80)의 표면에는 수화(H2O)가 발생하지 않는다.
이하, 본 발명의 일 실시예를 통해 설명하면, 먼저, 알루미늄 포일()의 표면에 산화피막을 형성시키는 화성공정을 실행하기 전에 전처리공정을 실행한다. 상기 전처리공정에서는 전기로(62)의 히터(68)가 400℃∼550℃가 되도록 한 후 5∼10분간 알루미늄 포일(80)을 히팅처리한다. 상기 히팅처리를 한 후 전기로(62)를 상온까지 서서히 냉각시킨 다음 진공펌프(64)를 이용하여 전기로(62)의 내부에 존재하는 공기를 모두 배출시켜 진공상태로 전환시킨다. 상기 전기로(62)의 내부가 진공상태로 전환되면 아르곤가스를 전기로의 내부에 주입시켜 전기로(62)의 내부를 아르곤가스로 채운다. 상기 전기로(62)의 내부가 아르곤가스로 채워지면 다시 진공펌프(64)를 이용하여 전기로(62)의 내부에 존재하는 아르곤가스를 외부로 배출시킨다. 상기와 같이 전기로(62)의 내부에 아르곤가스를 주입시킨 후 배출시키는 과정을 3∼4회 반복적으로 실행한 후 전기로(62)의 내부가 진공상태가 되면 전기로(62)의 히터(68)를 가열하여 400℃∼550℃의 상태에서 5∼10분간 알루미늄 포일(80)을 히팅처리를 한다. 상기 히팅처리동안에는 30초 간격으로 전기로(62)의 내부에 아르곤가스를 주입 및 배출시켜 전기로(62)의 내부가 아르곤가스의 분위기를 유지할 수 있도록 함으로써 아르곤가스의 분위기에서 베마이트(Al2O3·H2O)구조의 H2O가 제거되도록 한다. 상기 전기로(62)에서 알루미늄 포일(80)을 히팅처리한 후 묽은 인산수용액에 알루미늄 포일(80)을 침적시킴으로써 인산기이온이 H2O를 차단하여 수화가 발생하지 못하도록 한다.
이상 설명에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명은 에칭처리된 전해캐패시터용 알루미늄 포일을 화성공정을 실행하기 전에 알루미늄 포일을 전처리하기 위하여 상온의 전기로에 아르곤가스를 여러번 반복적으로 주입 및 배출시킨 후 전기로를 400℃∼550℃에서 진공상태로 전환한 후 알루미늄 포일을 히팅처리한다. 이때 400℃∼550℃의 전기로에서 알루미늄 포일을 히팅처리하면서 여러번 아르곤가스를 주입 및 배출시킴으로써 전기로가 아르곤가스의 분위기를 유지하도록 한다. 상기 알루미늄 포일을 히팅처리한 후 알루미늄 포일을 묽은 인산수용액에 침적시킴으로써 알루미늄 포일을 전처리시키게 된다. 상기 묽은 인산용액에 침적되면 화성공정에서 수화작용의 발생을 원활하게 억제시킬 수 있다.
Claims (3)
- 표면이 에칭된 알루미늄 포일을 400℃∼550℃의 전기로를 통과시킴으로써 공기중에서 히팅처리하는 제1단계; 상기 제1단계 다음에 전기로내에 수분 및 불순가스를 제거하기 위해 상온으로 냉각한 후 전기로를 진공펌프를 이용하여 진공상태로 전환시키는 제2단계; 상기 제2단계 다음에 전기로에 아르곤가스를 주입하는 제3단계; 상기 제3단계 다음에 아르곤가스를 진공펌프로 배출시키는 제4단계; 상기 제4단계 다음에 전기로를 400℃∼550℃로 전환하여 알루미늄 포일을 5∼10분간 히팅처리하는 제5단계; 그리고 상기 제5단계 다음에 알루미늄 포일을 묽은 인산수용액에 5∼10분간 침적시키는 제6단계를 포함하는 Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제5단계에서 알루미늄 포일을 5∼10분간 히팅처리하면서 아르곤가스를 여러번 주입 및 배출시키므로써 전기로의 내부에 아르곤가스의 분위기를 유지시키는 것을 특징으로 하는 Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제3단계와 제4단계를 3∼4회 반복실행하는 것을 특징으로 하는 Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980033397A KR20000014155A (ko) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980033397A KR20000014155A (ko) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법 및 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000014155A true KR20000014155A (ko) | 2000-03-06 |
Family
ID=19547504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980033397A KR20000014155A (ko) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법 및 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20000014155A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115274303A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-11-01 | 珠海格力新元电子有限公司 | 铝电解电容器的老练方法、老练电路和铝电解电容器 |
-
1998
- 1998-08-18 KR KR1019980033397A patent/KR20000014155A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115274303A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-11-01 | 珠海格力新元电子有限公司 | 铝电解电容器的老练方法、老练电路和铝电解电容器 |
| CN115274303B (zh) * | 2022-08-30 | 2024-04-19 | 珠海格力新元电子有限公司 | 铝电解电容器的老练方法、老练电路和铝电解电容器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6005764A (en) | Method to fabricate a reliable electrical storage device and the device thereof | |
| US5464453A (en) | Method to fabricate a reliable electrical storage device and the device thereof | |
| RU2573387C2 (ru) | Электродная фольга, токоотвод, электрод и элемент для аккумулирования электрической энергии с их применением | |
| KR100647181B1 (ko) | 고체 전해 컨덴서와 그 제조 방법 | |
| JP2663544B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| US7990682B2 (en) | Anode element, method of manufacturing the same, and solid electrolytic capacitor | |
| WO2012111319A1 (ja) | 電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| KR102598338B1 (ko) | 자동차 전자용 나노 미세다공성 구조 알루미늄 전극박의 제조 방법 | |
| KR20140001991A (ko) | 알루미늄 전해 캐패시터용 애노드 포일의 제조방법 | |
| EP1426987B1 (en) | Electrodes for electrolytic capacitors and method for producing them | |
| JP2013524480A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| US20020191371A1 (en) | Edge formation process for aluminum solid electrolytic capacitor | |
| KR100379999B1 (ko) | 전극, 이차 전지 및 그 제조 방법 | |
| KR20000014155A (ko) | Al 전해캐패시터용 포일의 제조방법 및 장치 | |
| US6428842B1 (en) | Process for producing an impermeable or substantially impermeable electrode | |
| JP2000114109A (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
| KR100658682B1 (ko) | 이차전지 | |
| KR100273392B1 (ko) | Al 캐패시터용 양극포일의 열처리 방법 | |
| JP4486636B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3255091B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| KR20150045051A (ko) | 적층형 알루미늄 캐패시터용 전극박의 제조방법 | |
| CN111748834B (zh) | 铝电解电容器用电极箔的制备方法及电极箔 | |
| JPH06316788A (ja) | 酸化タンタル膜の形成方法 | |
| KR100273391B1 (ko) | Al 전해캐패시터의 유전체층을 형성하는 방법 | |
| KR19990086419A (ko) | 알루미늄 전해콘덴서용 양극포일 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |