KR20000009381U - Device for removing photoresist of semiconductor wafer - Google Patents
Device for removing photoresist of semiconductor wafer Download PDFInfo
- Publication number
- KR20000009381U KR20000009381U KR2019980021291U KR19980021291U KR20000009381U KR 20000009381 U KR20000009381 U KR 20000009381U KR 2019980021291 U KR2019980021291 U KR 2019980021291U KR 19980021291 U KR19980021291 U KR 19980021291U KR 20000009381 U KR20000009381 U KR 20000009381U
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- photoresist
- flat zone
- chuck
- wafer chuck
- Prior art date
Links
Abstract
본 고안은 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치에 관한 것으로, 종래에는 적어도 2개 이상의 장치가 필요하게 되는 것은 물론 포토레지스트 제거공정이 길어지게 되어 생산성이 저하되고, 메인 아암의 세팅 오류시 웨이퍼가 웨이퍼 척에 편심 흡착되어 패턴이 손상되거나 포토레지스트형 파티클이 발생되는 문제점이 있었던 바, 본 고안에서는 메인몸체에 설치되어 웨이퍼를 흡착하는 웨이퍼 척과, 그 웨이퍼 척에 흡착된 웨이퍼의 상측에 배치되어 희석제를 분사시키는 시너라인과, 상기 웨이퍼 척을 θ방향으로 회전운동시키는 θ방향 구동모터와, 상기 웨이퍼 척을 X방향으로 수평이동시키는 X방향 구동모터와, 상기 웨이퍼 척을 Y방향으로 수평이동시키는 Y방향 구동모터와, 상기 메인몸체에 고정 설치되어 웨이퍼의 중심을 검지하는 센터링용 감지수단과, 상기 메인몸체에 고정 설치되어 웨이퍼의 플랫존을 양측을 검지하는 플랫존 감지수단을 포함하여 구성함으로써, 웨이퍼의 라운드부위는 물론 플랫존부위의 포토레지스트를 하나의 장치로 일괄 처리할 수 있게 되고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 척의 중심을 일치시키게 되어 웨이퍼의 플랫존에 대한 포토레지스트의 제거작업이 정확하게 수행될 수 있다.The present invention relates to an apparatus for removing a photoresist of a semiconductor wafer. In the related art, at least two or more apparatuses are required, as well as the photoresist removing process is lengthened, resulting in a decrease in productivity. In the present invention, a wafer chuck installed on the main body and disposed on an upper side of the wafer adsorbed on the wafer chuck is sprayed with a diluent. A thinner line, a θ direction drive motor for rotating the wafer chuck in the θ direction, an X direction drive motor for horizontally moving the wafer chuck in the X direction, and a Y direction drive for horizontal movement of the wafer chuck in the Y direction. Centering persimmon fixed to the motor and the main body to detect the center of the wafer And a flat zone detecting means fixed to the main body and detecting the flat zone of the wafer on both sides, thereby collectively processing the photoresist of the flat zone portion as well as the round portion of the wafer. By matching the center of the wafer with the center of the wafer chuck, the removal of the photoresist to the flat zone of the wafer can be performed accurately.
Description
본 고안은 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치에 관한 것으로, 특히 플랫존 린스를 정확하게 수행할 수 있을 뿐만 아니라 하나의 유니트(Unit)를 이용하여 슬라이드 린스는 물론 웨이퍼의 플랫존 린스까지 함께 수행할 수 있는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for removing a photoresist of a semiconductor wafer. In particular, the flat zone rinse can be performed accurately, as well as the slide rinse as well as the flat zone rinse using a single unit. A photoresist removing apparatus for a semiconductor wafer.
일반적으로 반도체 제조공정중에서 포토공정기술(Photolithography)은 필요한 패턴이 형성된 마스크 또는 레티클을 실제 반도체 칩을 만드는 기판 위에 도포, 노광, 현상, 식각 등의 여러 공정을 통하여 만드는 작업으로, 이때 상기 웨이퍼의 플랫존에 남는 포토레지스트는 기존의 라운드 포토레지스트 제거장치만으로는 제거되지 않기 때문에 별도의 에지 노광장치(WEE ; Wafer Edge Exposure)가 스테퍼에 구비되어 플랫존의 포토레지스트를 제거시키도록 하고 있다.In general, photolithography is a process in which a mask or reticle having a necessary pattern is formed on a substrate for forming a semiconductor chip through various processes such as application, exposure, development, and etching. Since the photoresist remaining in the zone is not removed only by the existing round photoresist removing device, a separate edge exposure device (WEE; Wafer Edge Exposure) is provided in the stepper to remove the photoresist in the flat zone.
도 1은 종래 라운드 포토레지스트 제거장치의 일례를 보인 개략도로서, 이에 도시된 바와 같이 종래의 라운드 포토레지스트 제거장치는, 웨이퍼(W)를 진공으로 흡착하여 회전시키는 웨이퍼 척(1)과, 그 웨이퍼 척(1)의 하단에 장착되어 회전시키는 θ방향 구동모터(2)와, 상기 웨이퍼(W)의 라운드부위 상측에 배치되어 희석제(Thinner)를 분사하는 시너라인(Thinner Line)(3)으로 구성되어 있다.1 is a schematic view showing an example of a conventional round photoresist removing apparatus. As shown in the drawing, a conventional round photoresist removing apparatus includes a wafer chuck 1 for sucking and rotating a wafer W under vacuum, and the wafer. A θ direction drive motor 2 mounted on the lower end of the chuck 1 to rotate, and a thinner line 3 disposed above the round part of the wafer W to spray thinner. It is.
상기와 같은 종래 라운드 포토레지스트 제거장치는 다음과 같이 동작된다.The conventional round photoresist removing apparatus as described above is operated as follows.
즉, 상기 웨이퍼 척(1)의 상면에 웨이퍼(W)를 얹어 흡착시킨 다음에, 상기 θ방향 구동모터(2)를 구동시켜 웨이퍼 척(1)을 회전시키게 되면, 그 웨이퍼 척(1)의 회전에 의해 웨이퍼(W)가 회전을 하게 되고, 상기 웨이퍼(W)의 라운드부위 상측에 배치되어 있던 시너라인(3)에서 희석제가 분사되어 웨이퍼(W)의 에지부위중에서 라운드부위에 있는 포토레지스트(P/R)를 제거시키게 된다.That is, when the wafer W is placed on the upper surface of the wafer chuck 1 and adsorbed, and then the θ direction driving motor 2 is driven to rotate the wafer chuck 1, the wafer chuck 1 The rotation causes the wafer W to rotate, and a thinner is sprayed from the thin line 3 disposed above the round portion of the wafer W to form a photoresist in the round portion of the edge portion of the wafer W. (P / R) will be removed.
이때, 상기 웨이퍼(W)의 플랫존에 남아 있던 포토레지스트는 제거되지 않고 그대로 남게 되므로, 상기 스테퍼(미도시)에 구비된 에지 노광장치(WEE)(미도시)를 이용하여 플랫존을 포함하는 웨이퍼(W)의 전 에지부위에 남은 포토레지스트를 제거시키게 되는 것이었다.In this case, since the photoresist remaining in the flat zone of the wafer W is not removed, the photoresist remains as it is, so that the flat zone is included by using the edge exposure apparatus WEE (not shown) provided in the stepper (not shown). The photoresist remaining on the entire edge portion of the wafer W was removed.
그러나, 상기와 같은 종래 포토레지스트 제거장치는, 전술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 라운드부위를 먼저 희석제로 제거한 다음에 별도의 노광장치(미도시)를 이용하여 플랫존에 남은 포토레지스트를 제거하여야 하므로, 적어도 2개 이상의 장치가 필요하게 되는 것은 물론 포토레지스트 제거공정이 길어지게 되어 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.However, in the conventional photoresist removing apparatus as described above, the round portion of the wafer W is first removed with a diluent, and then the remaining photoresist in the flat zone is removed using a separate exposure apparatus (not shown). Therefore, at least two or more devices are required, as well as the photoresist removal process becomes long, resulting in a problem of lowering productivity.
또한, 상기 라운드 포토레지스트 제거장치의 경우에, 웨이퍼(W)를 단순 회전시켜 포토레지스트를 제거하므로, 웨이퍼(W)를 취급하는 메인 아암(미도시)의 세팅 오류시 웨이퍼(W)가 웨이퍼 척(1)에 편심 흡착되고, 이로 인해 단경측의 포토레지스트는 제거되지 못하는 반면 장방경측의 포토레지스트는 과도하게 제거되어 패턴이 손상되거나 포토레지스트형 파티클이 발생될 우려가 있었다.Further, in the case of the round photoresist removing apparatus, since the wafer W is simply rotated to remove the photoresist, the wafer W is chucked when a setting error of the main arm (not shown) that handles the wafer W is applied. Eccentrically adsorbed on (1), the photoresist on the short diameter side could not be removed, whereas the photoresist on the long diameter side was excessively removed, resulting in damage to the pattern or generation of photoresist particles.
따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치가 가지는 문제점을 감안하여 안출한 것으로, 하나의 장치로 웨이퍼의 라운드부위는 물론 플랫존부위의 포토레지스트를 모두 제거할 수 있는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치를 제공하려는데 본 고안의 목적이 있다.Accordingly, the present invention is conceived in view of the problems of the conventional photoresist removing device of the semiconductor wafer as described above, and a semiconductor wafer capable of removing all the photoresist of the flat zone portion as well as the round portion of the wafer with one device. It is an object of the present invention to provide a photoresist removal device of.
또한, 메인 아암의 세팅 오류시 웨이퍼의 센터링을 보정할 수 있도록 하여 웨이퍼의 라운드부위에 대한 포토레지스트를 정확하게 제거시킬 수 있는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치를 제공하려는데도 본 고안의 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide an apparatus for removing a photoresist of a semiconductor wafer capable of correcting the centering of the wafer in the case of a setting error of the main arm so as to accurately remove the photoresist on the rounded portion of the wafer.
도 1은 종래 반도체 웨이퍼의 라운드 포토레지스트 제거장치를 보인 개략도.1 is a schematic view showing an apparatus for removing a round photoresist of a conventional semiconductor wafer.
도 2는 본 고안 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치를 보인 개략도.2 is a schematic view showing a photoresist removing device of the inventive semiconductor wafer.
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명****** Description of the symbols for the main parts of the drawings ***
10 : 메인몸체 11 : 웨이퍼 척10: main body 11: wafer chuck
12 : 시너라인 13 : X방향 구동모터12: thinner line 13: X direction drive motor
14 : Y방향 구동모터 15a : 센터링용 엘이디14: Y direction drive motor 15a: centering LED
15b : 센터링용 시시디 16a,17a : 플랫존 감지용 엘이디15b: CD for centering 16a, 17a: LED for detecting flat zone
16b,17b : 플랫존 감지용 엘이디 W : 웨이퍼16b, 17b: LED for detecting flat zone W: Wafer
이와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 메인몸체에 설치되어 웨이퍼를 흡착하는 웨이퍼 척과, 그 웨이퍼 척에 흡착된 웨이퍼의 상측에 배치되어 희석제를 분사시키는 시너라인과, 상기 웨이퍼 척을 θ방향으로 회전운동시키는 θ방향 구동모터와, 상기 웨이퍼 척을 X방향으로 수평이동시키는 X방향 구동모터와, 상기 웨이퍼 척을 Y방향으로 수평이동시키는 Y방향 구동모터와, 상기 메인몸체에 고정 설치되어 웨이퍼의 중심을 검지하는 센터링용 감지수단과, 상기 메인몸체에 고정 설치되어 웨이퍼의 플랫존을 양측을 검지하는 플랫존 감지수단을 포함하여 구성한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention, a wafer chuck installed on the main body to adsorb the wafer, a thinner line disposed above the wafer adsorbed on the wafer chuck to spray a diluent, and the wafer chuck in the θ direction. A θ direction drive motor for rotating motion, an X direction drive motor for horizontally moving the wafer chuck in the X direction, a Y direction drive motor for horizontally moving the wafer chuck in the Y direction, and fixed to the main body to provide Provided is a photoresist removal apparatus for a semiconductor wafer comprising a centering sensing means for detecting a center and flat zone sensing means fixed to the main body to detect both sides of a flat zone of the wafer.
이하, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치를 첨부도면에 도시된 일실시예에 의거하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a photoresist removing apparatus of a semiconductor wafer according to the present invention will be described in detail with reference to an embodiment shown in the accompanying drawings.
도 2는 본 고안 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치를 보인 개략도이다.2 is a schematic view showing a photoresist removing apparatus of the inventive semiconductor wafer.
이에 도시된 바와 같이 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치는, 메인몸체(10)의 중앙부에 설치되어 웨이퍼를 흡착하는 웨이퍼 척(11)과, 그 웨이퍼 척(11)에 흡착된 웨이퍼(W)의 상측에 배치되어 희석제를 분사시켜 포토레지스트를 제거시키는 시너라인(12)과, 상기 웨이퍼 척(11)을 θ방향으로 회전운동시키는 θ방향 구동모터(미도시)와, 상기 웨이퍼 척(11)을 X방향으로 수평이동시키는 X방향 구동모터(13)와, 상기 웨이퍼 척(11)을 Y방향으로 수평이동시키는 Y방향 구동모터(14)와, 상기 메인몸체(10)에 고정 설치되어 웨이퍼(W)의 중심을 검지하여 상기한 X,Y방향 구동모터(13,14)를 동작시키기 위한 센터링용 감지수단(15)과, 상기 메인몸체(10)에 고정 설치되어 웨이퍼(W)의 플랫존을 양측을 검지하여 그 플랫존이 시너라인의 하측에 배치되도록 웨이퍼 척(11)을 이동시키기 위한 플랫존 감지수단(16,17)을 포함하여 구성된다.As shown therein, the photoresist removing apparatus of the semiconductor wafer according to the present invention includes a wafer chuck 11 installed at a central portion of the main body 10 to adsorb the wafer, and a wafer adsorbed to the wafer chuck 11 ( A thinner line 12 disposed above W) to inject a diluent to remove photoresist, a θ direction drive motor (not shown) to rotate the wafer chuck 11 in the θ direction, and the wafer chuck ( An X-direction drive motor 13 for horizontally moving 11) in the X-direction, a Y-direction drive motor 14 for horizontally moving the wafer chuck 11 in the Y-direction, and fixed to the main body 10 Centering sensing means 15 for detecting the center of the wafer W to operate the X and Y direction drive motors 13 and 14 and the main body 10 are fixedly installed to The flat zone is detected on both sides so that the flat zone is positioned below the thinner line. It is configured to include a flat zone detection means for moving the buffer vessels 11, 16 and 17.
상기 센터링용 감지수단(15)은 웨이퍼 척(11)에 흡착된 웨이퍼(W)의 하측에 고정되어 그 웨이퍼(W)의 에지부위를 향해 빛을 발산하는 엘이디(LED)(15a)와, 상기 웨이퍼(W)의 상측에 고정되어 상기한 엘이디(15a)에서 발산되는 빛을 수광하여 웨이퍼(W)에 의해 빛이 가려진 면적과 빛이 통과한 면적을 계산하고 그 면적차에 따라 웨이퍼의 편심여부를 판단하는 시시디(CCD)(15b)로 이루어 진다.The centering sensing means 15 is fixed to the lower side of the wafer W adsorbed on the wafer chuck 11 and emits light toward the edge of the wafer W, LED 15a, and It is fixed on the upper side of the wafer W to receive the light emitted from the above-described LED (15a) to calculate the area obscured by the wafer (W) and the area through which the light passes, and whether the wafer is eccentric according to the area difference It is made of a CD (CCD) (15b) to determine the.
상기 프랫존 감지수단(16,17)은 웨이퍼 척(11)에 흡착된 웨이퍼(W)의 플랫존 하측에 고정되어 그 웨이퍼(W)를 향해 빛을 발산하는 좌,우측 엘이디(LED)(16a,17a)와, 상기 웨이퍼(W)의 플랫존 상측에 고정되어 상기한 각 엘이디(16a,17a)에서 발산되는 빛을 수광하여 웨이퍼의 플랫존을 감지하는 좌,우측 시시디(CCD)(16b,17b)로 이루어 진다.The pratt zone sensing means 16 and 17 are fixed to the lower side of the flat zone of the wafer W adsorbed on the wafer chuck 11 and emit light toward the wafer W 16a. And 17a and left and right side CDDs 16b fixed to an upper side of the flat zone of the wafer W to receive light emitted from the LEDs 16a and 17a to sense the flat zone of the wafer. , 17b).
도면중 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일한 부호를 부여하였다.In the drawings, the same reference numerals are given to the same parts as in the prior art.
도면중 미설명 부호인 18,19는 각각 X방향 및 Y방향 구동모터의 이동을 안내하는 가이드봉이다.Reference numerals 18 and 19 in the drawings are guide rods for guiding movement of the driving motor in the X and Y directions, respectively.
상기와 같이 구성되는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치는 다음과 같이 동작된다.The photoresist removing apparatus of the semiconductor wafer constructed as described above is operated as follows.
즉, 상기 메인 아암(미도시)이 웨이퍼(W)를 웨이퍼 척(11)에 세팅하기 전에, 상기 센터링용 엘이디(15a)가 발광하고, 그 빛을 받는 센터링용 시시디(15b)가 웨이퍼(W)에 의해 가려진 면적과 통과한 면적을 계산하여 웨이퍼(W)의 에지부위를 검지하면서 웨이퍼(W)의 센터링을 수행한 다음에, 상기 메인 아암(미도시)이 웨이퍼(W)의 중심을 웨이퍼 척(11)의 중심에 세팅시키게 된다.That is, before the main arm (not shown) sets the wafer W to the wafer chuck 11, the centering LED 15a emits light, and the centering CD 15b receiving the light is the wafer ( The centering of the wafer W is performed while calculating the area covered by W) and the area that has passed through the wafer W while detecting the edge portion of the wafer W. Then, the main arm (not shown) moves the center of the wafer W. It is set at the center of the wafer chuck 11.
이후, 상기 θ방향 구동모터(미도시)에 의해 웨이퍼 척(11)이 회전을 함과 아울러 상기 시너라인(12)에서는 희석제가 분사되어 웨이퍼의 에지부위, 정확게는 라운드부위에 남아 있던 포토레지스트를 제거시키게 된다.Subsequently, the wafer chuck 11 is rotated by the θ direction driving motor (not shown), and a thinner is injected from the thinner line 12 so that the photoresist remained at the edge portion of the wafer, exactly the round portion. Will be removed.
다음, 상기 웨이퍼(W)의 플랫존을 검지하는 좌,우측 엘이디(16a,17a)에서 빛이 웨이퍼(W)를 향해 발광되고, 그 빛을 받은 좌,우측 시시디(16b,17b)에 의해 웨이퍼(W)의 플랫존이 검지되며, 이 웨이퍼(W)의 플랫존이 검지되면 상기 X방향 구동모터(13)가 동작되어 웨이퍼(W)가 흡착된 웨이퍼 척(11)을 시너라인(12)의 하측으로 이동시키게 된다.Next, light is emitted toward the wafer W from the left and right LEDs 16a and 17a for detecting the flat zone of the wafer W, and the left and right CDs 16b and 17b receive the light. The flat zone of the wafer W is detected. When the flat zone of the wafer W is detected, the X-direction driving motor 13 is operated to move the wafer chuck 11 on which the wafer W is adsorbed. Will be moved to the lower side.
이후, 상기 시너라인(12)이 웨이퍼(W)의 플랫존 범위내에서 수평으로 이동하면서 상기한 웨이퍼(W)의 플랫존에 남아 있던 포토레지스트를 제거시키게 된다.Thereafter, the thin line 12 moves horizontally within the flat zone of the wafer W to remove the photoresist remaining in the flat zone of the wafer W.
이렇게 하여, 하나의 포토레지스트 제거장치로 웨이퍼(W)의 라운드부위는 물론 플랫존부위까지 포토레지스트를 제거할 수 있게 되어 공정수가 감소하게 된다.In this way, the photoresist can be removed not only in the round portion of the wafer W but also in the flat zone region by one photoresist removing apparatus, thereby reducing the number of processes.
또한, 상기 웨이퍼(W)가 웨이퍼 척(11)에 흡착되기 전에 별도의 센터링용 엘이디(15a) 및 시시디(15b)에 의해 웨이퍼(W)의 중심과 웨이퍼 척의 중심을 일치시키게 되므로, 상기 웨이퍼(W)가 편심되지 않게 되어 플랫존에 대한 포토레지스트 작업이 정확하게 수행되고, 이를 통해 패턴의 파손 및 포토레지스트형 파티클의 생성을 방지할 수 있게 되는 것이다.In addition, since the center of the wafer W and the center of the wafer chuck are matched by the separate centering LED 15a and the CD 15b before the wafer W is adsorbed on the wafer chuck 11, the wafer The (W) is not eccentric so that the photoresist operation for the flat zone is performed accurately, thereby preventing the breakage of the pattern and the generation of photoresist particles.
이상에서 설명한 바와 같이 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치는, 메인몸체에 설치되어 웨이퍼를 흡착하는 웨이퍼 척과, 그 웨이퍼 척에 흡착된 웨이퍼의 상측에 배치되어 희석제를 분사시키는 시너라인과, 상기 웨이퍼 척을 θ방향으로 회전운동시키는 θ방향 구동모터와, 상기 웨이퍼 척을 X방향으로 수평이동시키는 X방향 구동모터와, 상기 웨이퍼 척을 Y방향으로 수평이동시키는 Y방향 구동모터와, 상기 메인몸체에 고정 설치되어 웨이퍼의 중심을 검지하는 센터링용 감지수단과, 상기 메인몸체에 고정 설치되어 웨이퍼의 플랫존을 양측을 검지하는 플랫존 감지수단을 포함하여 구성함으로써, 웨이퍼의 라운드부위는 물론 플랫존부위의 포토레지스트를 하나의 장치로 일괄 처리할 수 있게 되고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 척의 중심을 일치시키게 되어 웨이퍼의 플랫존에 대한 포토레지스트의 제거작업이 정확하게 수행될 수 있다.As described above, the photoresist removing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention includes a wafer chuck installed on a main body and adsorbing a wafer, a thinner line disposed above the wafer adsorbed on the wafer chuck, and spraying a diluent; A θ direction drive motor for rotating the wafer chuck in the θ direction, an X direction drive motor for horizontally moving the wafer chuck in the X direction, a Y direction drive motor for horizontal movement of the wafer chuck in the Y direction, and the main Centering detection means fixed to the body to detect the center of the wafer, and a flat zone detection means fixed to the main body to detect both sides of the flat zone of the wafer, so that the round portion of the wafer as well as flat The photoresist in the zone can be processed in one device, and the center of the wafer and the center of the wafer chuck The removal work of the photoresist on the flat zone of the wafer is thereby matching can be performed accurately.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019980021291U KR200231868Y1 (en) | 1998-11-03 | 1998-11-03 | Photoresist Removal Device for Semiconductor Wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019980021291U KR200231868Y1 (en) | 1998-11-03 | 1998-11-03 | Photoresist Removal Device for Semiconductor Wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000009381U true KR20000009381U (en) | 2000-06-05 |
| KR200231868Y1 KR200231868Y1 (en) | 2001-10-25 |
Family
ID=69522465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019980021291U KR200231868Y1 (en) | 1998-11-03 | 1998-11-03 | Photoresist Removal Device for Semiconductor Wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200231868Y1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100907778B1 (en) * | 2006-08-31 | 2009-07-15 | 가부시키가이샤 소쿠도 | Substrate Processing Equipment |
-
1998
- 1998-11-03 KR KR2019980021291U patent/KR200231868Y1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100907778B1 (en) * | 2006-08-31 | 2009-07-15 | 가부시키가이샤 소쿠도 | Substrate Processing Equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR200231868Y1 (en) | 2001-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102379269B1 (en) | Robot with integrated aligner | |
| KR101570618B1 (en) | Displacement detecting apparatus, substrate processing apparatus, displacement detecting method, and substrate processing method | |
| KR100240022B1 (en) | Developing device for semiconductor device fabrication and its controlling method | |
| JP2009012127A (en) | Cutting device | |
| JP3768440B2 (en) | Substrate peripheral processing apparatus and substrate peripheral processing method | |
| EP1079429B1 (en) | Alignment processing mechanism and semiconductor processing device using it | |
| US6873396B2 (en) | Photolithography processing system | |
| KR200231868Y1 (en) | Photoresist Removal Device for Semiconductor Wafer | |
| JPH07263394A (en) | Substrate edge processor | |
| JP2006294641A (en) | Dicing device | |
| US6318538B1 (en) | Device for treatment of a substrate | |
| KR20090056501A (en) | Apparatus for exposing the edge of wafer and method therefor | |
| KR20010103518A (en) | Chuck for fixing wafer | |
| JP2002319559A (en) | Grinding device | |
| KR20010077238A (en) | Alignment device of wafer and the compatible method | |
| KR20060125150A (en) | Apparatus for aligning flat zone of a wafer | |
| KR200249359Y1 (en) | Wafer holder of stepper | |
| KR100211663B1 (en) | Alignment apparatus of semiconductor wafer | |
| KR0179176B1 (en) | Wafer centering conviction apparatus of spinner | |
| KR20020083282A (en) | Wafer align apparatus of expoer facility for manufacturing semicomductor device | |
| JPH08215876A (en) | Method and device for positioning substrate | |
| KR20230075354A (en) | Processing apparatus | |
| KR20240043687A (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
| KR100981748B1 (en) | Vacuum chuck and machine with the same | |
| KR100885242B1 (en) | Apparatus for treating substrates, and method for treating substrates using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060502 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |