JPH08215876A - Method and device for positioning substrate - Google Patents
Method and device for positioning substrateInfo
- Publication number
- JPH08215876A JPH08215876A JP7049139A JP4913995A JPH08215876A JP H08215876 A JPH08215876 A JP H08215876A JP 7049139 A JP7049139 A JP 7049139A JP 4913995 A JP4913995 A JP 4913995A JP H08215876 A JPH08215876 A JP H08215876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- positioning
- notch
- flat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、基板の位置決め方法及
びその装置に係り、更に詳しくは、レーザ光に対してス
テージを直交2軸方向に相対走査しつつ、ステージ上に
載置される基板上に所定の直交座標系にほぼ沿って配列
されたれた被加工物を加工する装置、例えば、様々な品
種の半導体ウエハのパターン欠陥を冗長回路切換用ヒュ
ーズをカットすることにより良品化するレーザリペア装
置等におけるウエハのプリアライメントに用いて好適な
基板の位置決め方法及びその装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate positioning method and apparatus, and more particularly, to a substrate mounted on a stage while relatively scanning the stage in the directions of two orthogonal axes with respect to a laser beam. A device for processing workpieces arranged substantially along a predetermined orthogonal coordinate system, for example, a laser repair for making pattern defects of various kinds of semiconductor wafers good by cutting redundant circuit switching fuses. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate positioning method suitable for pre-alignment of a wafer in an apparatus or the like and the apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】まず、従来のレーザリペア装置等におけ
るウエハのプリアライメント装置の動作の流れについ
て、図10に基づいて説明する。2. Description of the Related Art First, the flow of operation of a wafer pre-alignment apparatus in a conventional laser repair apparatus or the like will be described with reference to FIG.
【0003】図10(A)に示されるように、プリアラ
イメント装置100のほぼ中央に設けられたウエハ回転
・上下動機構(以下、適宜「センターアップ」と称す
る)102上に図示しない搬送アームによってウエハW
が移載されると、このウエハWは、プリアライメント装
置100の本体上に放射状に配置された複数のガイド1
06、106、………に沿って摺動するウエハ中心出し
機構108、108、………によって中心出しされる。
この中心出し機構108は、図示しない制御手段により
制御されており、制御手段では、中心出し終了後、直ち
に中心出し機構108を退避させる(図10(B)参
照)。As shown in FIG. 10 (A), a transfer arm (not shown) is mounted on a wafer rotating / up-and-down moving mechanism (hereinafter appropriately referred to as "center-up") 102 provided at substantially the center of the pre-alignment apparatus 100. Wafer W
When the wafers W are transferred, the wafer W is transferred to the plurality of guides 1 radially arranged on the main body of the pre-alignment apparatus 100.
Are centered by wafer centering mechanisms 108, 108, ... Sliding along 06, 106, ....
The centering mechanism 108 is controlled by a control means (not shown), and the control means immediately retracts the centering mechanism 108 after the centering is completed (see FIG. 10B).
【0004】次いで、図示しない制御手段によりセンタ
ーアップ102が回転駆動され、これにより、図10
(B)に示されるように、ウエハWが回転する。このウ
エハWの回転中、透過式又は反射式のフォトセンサから
成るフラット検出センサ110によってオリエンテーシ
ョンフラット(ウエハWの外周の一部に形成された直線
状の切欠き:以下、適宜「フラット」という)OFの位
置が検出される。図示しない制御手段では、フラット検
出センサ110の出力をモニタしており、このフラット
検出センサ110の出力に基づいてフラットOFを検出
したと判断すると、その時点から所定角度センターアッ
プ102を更に回転させた位置でウエハWの回転を停止
する。これは、ウエハWのフラットOFが、XY平面内
を2次元移動する図示しないウエハステージ(このステ
ージ上でウエハW上の冗長回路切換用ヒューズ(被加工
物)の加工が行なわれる)の移動方向であるX軸にフラ
ットOFが平行になる向きにウエハWを回転位置決めす
るためである。Next, the center-up 102 is rotationally driven by a control means (not shown), and as a result, FIG.
As shown in (B), the wafer W rotates. During the rotation of the wafer W, an orientation flat (a linear notch formed in a part of the outer periphery of the wafer W: hereinafter, referred to as "flat" as appropriate) is obtained by a flat detection sensor 110 including a transmission or reflection photosensor. The position of the OF is detected. The control means (not shown) monitors the output of the flat detection sensor 110, and when it judges that the flat OF is detected based on the output of the flat detection sensor 110, the predetermined angle center up 102 is further rotated from that point. The rotation of the wafer W is stopped at the position. This is the moving direction of a wafer stage (not shown) in which the flat OF of the wafer W moves two-dimensionally in the XY plane (the redundant circuit switching fuse (workpiece) on the wafer W is processed on this stage). This is because the wafer W is rotationally positioned so that the flat OF becomes parallel to the X axis.
【0005】このようにして、ウエハWの回転位置決め
を行なった後、制御手段では位置決めハンマ112をウ
エハWに押し付ける。これにより、図10(C)中に点
線で示される位置から実線で示される位置までウエハW
が移動して位置決め機構を構成する位置決め固定ピン1
14a、114b、114cに押し付けられてウエハW
の位置決めが、精度よく行なわれる。After the wafer W is rotationally positioned in this way, the control means presses the positioning hammer 112 onto the wafer W. As a result, the wafer W is moved from the position shown by the dotted line to the position shown by the solid line in FIG.
Positioning fixing pin 1 that moves to form a positioning mechanism
Wafer W pressed against 14a, 114b, 114c
Is accurately positioned.
【0006】この位置決め後、制御手段では、位置決め
ハンマ112を退避させると共にセンターアップ102
を上昇駆動して停止し、その位置で待機させて図示しな
い搬送アームがウエハWの下方に移動してくるのを待
つ。搬送アームがウエハWの下方に移動してくると、制
御手段ではセンターアップ102を下降させる。これに
よりウエハWが位置決めされた状態(プリアライメント
された状態)で搬送アームに移載され、当該搬送アーム
により図示しないウエハステージ上のウエハホルダに搭
載される。After this positioning, the control means retracts the positioning hammer 112 and moves the center up 102.
Is driven up and stopped, and is made to stand by at that position to wait for a transfer arm (not shown) to move below the wafer W. When the transfer arm moves below the wafer W, the control means lowers the center-up 102. As a result, the wafer W is transferred to the transfer arm while being positioned (pre-aligned), and is mounted on the wafer holder (not shown) on the wafer stage by the transfer arm.
【0007】次に、ウエハ内部の被加工物について図1
1ないし図12に基づいて説明する。Next, FIG. 1 shows the workpiece to be processed inside the wafer.
The description will be made with reference to FIGS.
【0008】図11(A)に示されるように、ウエハW
内には、配線パターンが加工された複数のICチップ1
16が存在する。1つのICチップ116内には、図1
1(B)に拡大して示されるように、フラットOFに対
して平行及び直交方向の、1つ又は複数の被加工物の並
び118及び120が存在する。As shown in FIG. 11A, the wafer W
Inside, a plurality of IC chips 1 with wiring patterns processed
There are sixteen. In one IC chip 116, FIG.
There are one or more workpiece alignments 118 and 120 parallel and orthogonal to the flat OF, as shown enlarged in 1 (B).
【0009】図12には、図11(B)の楕円部Dの部
分が拡大して示されている。この図12に示されるよう
に、被加工物の並び118、120は、フラットOFに
対して直交又は平行方向の複数の被加工物122、12
4(例えば、冗長回路切換用ヒューズ)で構成されてい
る。なお。図12中の×印は、加工ポイントを示す。こ
の×印のついた被加工物だけが加工される。この被加工
物122、124の個数、ICチップ116内での配置
位置、及び並び方は、ウエハWの品種によって千差万別
である。従って、フラットOFに対して平行方向の被加
工物の数が多いウエハもあれば、直交方向の被加工物の
数が多いウエハもある。FIG. 12 shows an enlarged view of the elliptical portion D of FIG. 11 (B). As shown in FIG. 12, the rows 118 and 120 of the workpieces include a plurality of workpieces 122 and 12 that are orthogonal or parallel to the flat OF.
4 (for example, a redundant circuit switching fuse). Incidentally. The crosses in FIG. 12 indicate processing points. Only the workpiece with this X mark is processed. The number of the workpieces 122 and 124, the arrangement position in the IC chip 116, and the arrangement manner are various depending on the type of the wafer W. Therefore, some wafers have a large number of workpieces in the direction parallel to the flat OF, and some wafers have a large number of workpieces in the orthogonal direction.
【0010】ウエハステージ上でのウエハWは、例えば
図13の矢印で示されるような流れで加工される。即
ち、図13の矢印で示されるように、加工用レーザ光が
チップ116上をフラットOFに対して平行方向の被加
工物の並び118、あるいはフラットOFに対して直交
方向の被加工物の並び120に沿って移動しつつこれを
構成する被加工物122あるいは124を加工する。こ
のようにして、ブロック間移動によりジグザグ状に相対
走査されるレーザ光によりウエハW上のICチップ11
6内の左端部分にある被加工物の並び118、120が
加工されると、チップ116内の次の被加工物の並びに
向かってレーザ光が移動(被加工物間移動)する。これ
を逐次繰り返して、ICチップ内の加工が完了すると、
レーザ光が次チップへ移動(チップ間移動)し、同様の
処理が繰り返される。The wafer W on the wafer stage is processed, for example, by the flow indicated by the arrow in FIG. That is, as shown by the arrows in FIG. 13, the laser beam for processing aligns 118 the workpieces on the chip 116 in the direction parallel to the flat OF, or the rows 118 of the workpieces orthogonal to the flat OF. While moving along 120, the workpiece 122 or 124 constituting the workpiece is processed. In this way, the IC chip 11 on the wafer W is radiated by the laser light which is relatively scanned in a zigzag pattern by the movement between blocks.
When the array 118, 120 of the workpieces at the left end portion in 6 is processed, the laser light moves (moves between the workpieces) toward the next workpiece in the chip 116. When this process is sequentially repeated and the processing in the IC chip is completed,
The laser light moves to the next chip (moves between chips), and the same processing is repeated.
【0011】ここで、従来の装置では、上記の加工のた
めのレーザ光のウエハWに対する相対走査は、ウエハス
テージをX方向(フラットOFに平行な方向)及びY方
向(これに直交する方向)に移動させることにより行な
われていた。従って、フラットOFに対して平行方向の
被加工物の並び118を構成する被加工物122の加工
は、ウエハステージのX方向移動中になされ、フラット
OFに対して直交方向の被加工物の並び120を構成す
る被加工物124の加工は、ウエハステージのY方向移
動中になされていた。Here, in the conventional apparatus, the relative scanning of the laser light for the above-described processing with respect to the wafer W is performed by scanning the wafer stage in the X direction (direction parallel to the flat OF) and the Y direction (direction orthogonal thereto). It was done by moving to. Therefore, the processing of the workpieces 122 forming the array 118 of workpieces parallel to the flat OF is performed during the movement of the wafer stage in the X direction, and the array of workpieces orthogonal to the flat OF is provided. The processing of the object to be processed 124 that constitutes 120 was performed during the movement of the wafer stage in the Y direction.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】ウエハステージのX方
向とY方向の移動速度は、通常相異なる。ここで、例え
ば、X方向の移動速度がY方向より大きい場合について
考えてみることにする。The movement speeds of the wafer stage in the X direction and the Y direction are usually different from each other. Here, for example, consider a case where the moving speed in the X direction is higher than that in the Y direction.
【0013】図14には、2つのウエハ品種におけるウ
エハ処理の流れが示されている。この図において、上段
はウエハ品種を示し、中段はプリアライメント後のウエ
ハの状態を示し、下段はウエハステージ上に載置された
ウエハの状態を示す。図14(A)に示されるようなウ
エハ品種W1の場合は、フラットOFに対して平行方向
の被加工物の並びが多いため、処理効率が高いが、図1
4(B)のようなウエハ品種W2の場合は、フラットO
Fに対して直交方向の被加工物の並びが多いため、処理
効率が極端に低くなる。FIG. 14 shows the flow of wafer processing for two wafer types. In this figure, the upper stage shows the wafer type, the middle stage shows the state of the wafer after pre-alignment, and the lower stage shows the state of the wafer placed on the wafer stage. In the case of the wafer type W1 as shown in FIG. 14A, the processing efficiency is high because there are many workpieces arranged in a direction parallel to the flat OF, but FIG.
For wafer type W2 such as 4 (B), flat O
Since many workpieces are arranged in the direction orthogonal to F, the processing efficiency becomes extremely low.
【0014】このように、オリエンテーションフラット
に対して平行方向の被加工物の並びが多いか、オリエン
テーションフラットに対して直交方向の被加工物の並び
が多いかによって、処理効率が異なるという不都合があ
った。As described above, there is a disadvantage that the processing efficiency is different depending on whether there are many arrangements of workpieces parallel to the orientation flat or many arrangements of workpieces orthogonal to the orientation flat. It was
【0015】本発明は、かかる従来技術の有する不都合
に鑑みてなされたもので、その目的は、基板上に所定の
直交座標系の2つの軸の内いずれの軸方向に被加工物が
多く並んでいてもその基板を常に高効率で処理させるこ
とが可能な基板の位置決め方法及びその装置を提供する
ことにある。The present invention has been made in view of the above disadvantages of the prior art, and an object thereof is to arrange a large number of workpieces on a substrate in either of the two axes of a predetermined orthogonal coordinate system. Even so, it is an object of the present invention to provide a substrate positioning method and apparatus capable of always processing the substrate with high efficiency.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
レーザ光に対してステージを直交する第1方向及び第2
方向に相異なる走査速度で相対走査しつつ、前記ステー
ジ上に載置される基板上に所定の直交座標系にほぼ沿っ
て配列された被加工物を加工する装置に用いられ、前記
レーザ光を前記被加工物に照射するのに先立って前記基
板の回転方向の位置決めを行なう基板の位置決め方法で
あって、前記基板の外周の一部に設けられた切欠きに光
ビームを照射してその一部を光電検出することにより、
前記切欠きと前記第1、又は第2方向との回転方向の位
置関係を検出する第1工程と;前記直交座標系の2つの
軸の内加工すべき被加工物の数が多い軸を、前記第1、
及び第2方向の内前記走査速度が速い方向とほぼ平行に
するように、前記検出された位置関係に基づいて前記基
板を回転させる第2工程とを含む。According to the first aspect of the present invention,
A first direction and a second direction orthogonal to the stage with respect to the laser light.
Used in a device for processing a workpiece arranged substantially along a predetermined orthogonal coordinate system on a substrate placed on the stage while performing relative scanning in different directions at different scanning speeds, A method of positioning a substrate in which the substrate is positioned in the rotational direction prior to irradiating the workpiece, the method comprising irradiating a notch provided in a part of an outer periphery of the substrate with a light beam. By photoelectrically detecting the part,
A first step of detecting the positional relationship between the notch and the first or second direction in the rotational direction; an axis having a large number of workpieces to be machined out of the two axes of the orthogonal coordinate system, 1,
And a second step of rotating the substrate based on the detected positional relationship so as to be substantially parallel to the direction in which the scanning speed is fast in the second direction.
【0017】請求項2記載の発明は、レーザ光に対して
ステージを直交する第1方向及び第2方向に相異なる走
査速度で相対走査しつつ、前記ステージ上に載置される
基板上に所定の直交座標系にほぼ沿って配列された被加
工物を加工する装置に用いられ、前記レーザ光を前記被
加工物に照射するのに先立って前記基板の回転方向の位
置決めを行なう基板の位置決め方法であって、前記基板
の外周の一部に設けられた切欠きに光ビームを照射して
その一部を光電検出することにより、前記切欠きと前記
第1、又は第2方向との回転方向の位置関係を検出する
第1工程と;前記切欠きが前記直交座標系の各軸方向に
並ぶ加工すべき被加工物の数に応じて選択される第1の
所定位置又は第2の所定位置に位置決めされるように、
前記検出された位置関係に基づいて前記基板を回転させ
る第2工程とを含む。According to a second aspect of the present invention, the stage is preliminarily set on a substrate mounted on the stage while relatively scanning the stage with respect to the laser light in different first and second directions at different scanning speeds. Used in a device for processing a work piece arranged substantially along the orthogonal coordinate system, and performing positioning of the board in the rotational direction of the work piece prior to irradiating the work piece with the laser beam. In the rotation direction of the notch and the first or second direction by irradiating the notch provided in a part of the outer periphery of the substrate with a light beam and photoelectrically detecting the part. A first step of detecting the positional relationship between the notches; positioning at the first predetermined position or the second predetermined position selected according to the number of workpieces to be machined in which the notches are arranged in each axial direction of the orthogonal coordinate system. To be,
A second step of rotating the substrate based on the detected positional relationship.
【0018】この場合、基板は、直交座標系の2つの軸
の内加工すべき被加工物の数が多い軸を、第1、及び第
2方向の内走査速度が速い方向とほぼ平行にするように
回転されてもよい。In this case, the substrate is arranged so that the axis having a large number of workpieces to be machined out of the two axes of the orthogonal coordinate system is substantially parallel to the direction in which the inward scanning speed in the first and second directions is high. It may be rotated.
【0019】請求項4記載の発明は、レーザ光に対して
ステージを直交する第1方向及び第2方向に相異なる走
査速度で相対走査しつつ、前記ステージ上に載置される
基板上に所定の直交座標系にほぼ沿って配列された被加
工物を加工する装置に用いられ、前記レーザ光を前記被
加工物に照射するのに先立って前記基板の回転方向の位
置決めを行なう基板の位置決め装置であって、前記基板
の外周の一部に設けられた切欠きに光ビームを照射して
その一部を光電検出することにより、前記切欠きと前記
第1、又は第2方向との回転方向の位置関係を検出する
検出手段と;前記基板を保持して前記第1、及び第2方
向と平行な面内で回転させる回転機構と;前記切欠きが
前記直交座標系の各軸方向に並ぶ加工すべき被加工物の
数に応じて選択される第1の所定位置又は第2の所定位
置に位置決めされるように、前記検出された位置関係に
基づいて前記回転機構を制御する制御手段とを有する。According to a fourth aspect of the present invention, the stage is moved relative to the laser beam in a first direction and a second direction orthogonal to each other at different scanning speeds, and a predetermined amount is set on a substrate placed on the stage. Substrate positioning device for use in a device for processing a work piece arranged substantially along the rectangular coordinate system, and for positioning the board in the rotational direction of the work piece before irradiating the work piece with the laser light. In the rotation direction of the notch and the first or second direction by irradiating the notch provided in a part of the outer periphery of the substrate with a light beam and photoelectrically detecting the part. Detecting means for detecting the positional relationship of the substrate; a rotating mechanism for holding the substrate and rotating the substrate in a plane parallel to the first and second directions; and the notches arranged in each axial direction of the orthogonal coordinate system. Selected according to the number of workpieces to be processed The first to be positioned at a predetermined position or a second predetermined position that has a control means for controlling the rotating mechanism on the basis of the detected positional relationship.
【0020】この場合において、切欠きが第1の所定位
置に位置決めされた基板をそのままの回転角度で第1位
置に位置決めする第1の位置決め手段と、切欠きが第2
の所定位置に位置決めされた基板をそのままの回転角度
で第2位置に位置決めする第2の位置決め手段と、を更
に設けても良い。In this case, the first positioning means for positioning the substrate whose cutout is positioned at the first predetermined position at the first position at the same rotation angle, and the second cutout are provided.
Second positioning means for positioning the substrate positioned at the predetermined position at the second position at the same rotation angle may be further provided.
【0021】あるいは、第1の位置決め手段、第2の位
置決め手段の代わりに、回転機構による基板の回転中に
非接触で基板の中心位置ずれ量を検出する中心ずれ検出
手段を設けてもよい。Alternatively, instead of the first positioning means and the second positioning means, center deviation detecting means may be provided for detecting the center deviation amount of the substrate in a non-contact manner while the substrate is being rotated by the rotating mechanism.
【0022】第1の位置決め手段、第2の位置決め手段
を設けない場合には、切欠きが第1の所定位置に位置決
めされたか否かを検出する第1のチェック手段と、切欠
きが第2の所定位置に位置決めされたか否かを検出する
第2のチェック手段と、を更に設けてもよい。When the first positioning means and the second positioning means are not provided, the first checking means for detecting whether or not the notch is positioned at the first predetermined position, and the notch as the second Second check means for detecting whether or not it has been positioned at a predetermined position.
【0023】[0023]
【作用】請求項1記載の発明によれば、基板の外周の一
部に設けられた切欠きに光ビームを照射してその一部を
光電検出することにより、切欠きと第1、又は第2方向
との回転方向の位置関係を検出後、直交座標系の2つの
軸の内加工すべき被加工物の数が多い軸を、第1、及び
第2方向の内走査速度が速い方向とほぼ平行にするよう
に、検出された位置関係に基づいて基板を回転させる。
このようにして基板の回転方向の位置決めがなされた
後、レーザ光に対してステージを相対走査しつつステー
ジ上の基板が加工される場合、直交座標系の2つの軸の
内いずれの軸方向の被加物の数が多い基板であっても、
常に高効率で処理させることができる。According to the first aspect of the present invention, the notch and the first or the first notch are formed by irradiating the notch provided on a part of the outer periphery of the substrate with a light beam and photoelectrically detecting the part. After detecting the positional relationship between the two directions and the rotational direction, the two axes of the Cartesian coordinate system, which have a large number of workpieces to be machined, are substantially parallel to the direction in which the inner scanning speed in the first and second directions is high. As described above, the substrate is rotated based on the detected positional relationship.
After the substrate is positioned in the rotational direction in this way, when the substrate on the stage is processed while the stage is relatively scanned with respect to the laser light, whichever of the two axes of the Cartesian coordinate system is used. Even if the substrate has many objects to be added,
It can always be processed with high efficiency.
【0024】この場合、切欠きと所定の直交座標系の回
転方向の位置関係は任意に定めることができ、しかも回
転位置決め時には、既知であるから基板の外周部のどこ
に切欠きがあっても構わない。In this case, the positional relationship between the notch and the predetermined orthogonal coordinate system in the rotational direction can be arbitrarily determined. Moreover, since it is known at the time of rotational positioning, the notch may be anywhere on the outer peripheral portion of the substrate. Absent.
【0025】請求項2記載の発明によれば、基板の外周
の一部に設けられた切欠きに光ビームを照射してその一
部を光電検出することにより、切欠きと第1、又は第2
方向との回転方向の位置関係を検出後、切欠きが直交座
標系の各軸方向に並ぶ加工すべき被加工物の数に応じて
選択される第1の所定位置又は第2の所定位置に位置決
めされるように、検出された位置関係に基づいて基板を
回転させる。従って、切欠きが第1の所定位置又は第2
の所定位置に位置決めされた場合に、所定の直交座標系
が第1、第2方向とほぼ一致し、しかも加工すべき被加
工物が多く並んでいる方の直交座標系の軸が第1、第2
方向の内の走査速度の速い方向と一致するように予め第
1の所定位置と第2の所定位置を定めておくことによ
り、請求項1記載の発明と同様、基板の回転方向の位置
決めがなされた後、レーザ光に対してステージを相対走
査しつつステージ上の基板が加工される場合、直交座標
系の2つの軸の内いずれの軸方向の被加物の数が多い基
板であっても、常に高効率で処理させることができる。According to the second aspect of the present invention, the notch and the first or the first notch are formed by irradiating the notch provided on a part of the outer periphery of the substrate with a light beam and photoelectrically detecting the part. Two
After the positional relationship between the direction and the rotation direction is detected, the notch is positioned at the first predetermined position or the second predetermined position selected according to the number of workpieces to be machined arranged in each axial direction of the orthogonal coordinate system. As described above, the substrate is rotated based on the detected positional relationship. Therefore, the notch is located at the first predetermined position or the second position.
, The predetermined orthogonal coordinate system is substantially coincident with the first and second directions, and the axis of the orthogonal coordinate system on which the workpieces to be processed are lined up is the first, Second
The first predetermined position and the second predetermined position are set in advance so as to coincide with the direction in which the scanning speed is fast, so that the substrate is positioned in the rotational direction as in the first aspect of the invention. After that, when the substrate on the stage is processed while relatively scanning the stage with respect to the laser light, no matter which of the two axes of the Cartesian coordinate system has a large number of objects to be processed, the substrate is always processed. It can be processed with high efficiency.
【0026】この場合において、切欠きを第1の所定位
置又は第2の所定位置に位置決めした後に、さらに基板
を回転させて基板が直交座標系の2つの軸の内加工すべ
き被加工物の数が多い軸を、第1、及び第2方向の内走
査速度が速い方向とほぼ平行にするように回転させるこ
とができる。従って、第1の所定位置、第2の所定位置
は任意に定めることができる。In this case, after positioning the notch at the first predetermined position or the second predetermined position, the substrate is further rotated so that the number of workpieces to be machined is within the two axes of the orthogonal coordinate system. The many axes can be rotated so that they are substantially parallel to the direction in which the inward scan speeds in the first and second directions are fast. Therefore, the first predetermined position and the second predetermined position can be arbitrarily determined.
【0027】請求項4記載の発明によれば、検出手段で
は基板の外周の一部に設けられた切欠きに光ビームを照
射してその一部を光電検出することにより、切欠きと第
1、又は第2方向との回転方向の位置関係を検出する。
制御手段では、切欠きが直交座標系の各軸方向に並ぶ加
工すべき被加工物の数に応じて選択される第1の所定位
置又は第2の所定位置に位置決めされるように、検出さ
れた位置関係に基づいて回転機構を制御する。回転機構
では基板を保持して第1、及び第2方向と平行な面内で
回転させ、これにより、切欠きが第1の所定位置又は第
2の所定位置に位置決めされる。According to the fourth aspect of the present invention, the detecting means irradiates the notch provided on a part of the outer periphery of the substrate with the light beam and photoelectrically detects the part, thereby forming the notch and the first part. , Or the positional relationship in the rotation direction with the second direction is detected.
The control means detects the position such that the notch is positioned at the first predetermined position or the second predetermined position selected according to the number of workpieces to be machined arranged in each axial direction of the orthogonal coordinate system. The rotation mechanism is controlled based on the relationship. The rotation mechanism holds the substrate and rotates it in a plane parallel to the first and second directions, whereby the notch is positioned at the first predetermined position or the second predetermined position.
【0028】従って、切欠きが第1の所定位置又は第2
の所定位置に位置決めされた場合に、所定の直交座標系
が第1、第2方向とほぼ一致し、しかも加工すべき被加
工物が多く並んでいる方の直交座標系の軸が第1、第2
方向の内の走査速度の速い方向と一致するように予め第
1の所定位置と第2の所定位置を定めておくことによ
り、基板の回転方向の位置決めがなされた後、レーザ光
に対してステージを相対走査しつつステージ上の基板が
加工される場合、直交座標系の2つの軸の内いずれの軸
方向の被加物の数が多い基板であっても、常に高効率で
処理させることができる。Therefore, the notch is located at the first predetermined position or the second position.
, The predetermined orthogonal coordinate system is substantially coincident with the first and second directions, and the axis of the orthogonal coordinate system on which the workpieces to be processed are lined up is the first, Second
By defining the first predetermined position and the second predetermined position in advance so as to coincide with the direction in which the scanning speed is fast, the stage is positioned with respect to the laser beam after the substrate is positioned in the rotation direction. When the substrate on the stage is processed while performing relative scanning on the substrate, it is possible to always process the substrate with high efficiency regardless of which of the two axes of the orthogonal coordinate system has a large number of objects to be added.
【0029】この場合において、切欠きが第1の所定位
置に位置決めされた基板をそのままの回転角度で第1位
置に位置決めする第1の位置決め手段と、切欠きが第2
の所定位置に位置決めされた基板をそのままの回転角度
で第2位置に位置決めする第2の位置決め手段とを併せ
て設けた場合には、基板の回転位置を確実に位置決めで
きる。In this case, the first positioning means for positioning the substrate whose cutout is positioned at the first predetermined position at the first position at the same rotation angle and the second cutout are provided.
When the substrate positioned at the predetermined position is also provided with the second positioning unit that positions the substrate at the second position at the same rotation angle, the rotational position of the substrate can be reliably positioned.
【0030】また、回転機構による基板の回転中に非接
触で基板の中心位置ずれ量を検出する中心ずれ検出手段
を設けた場合には、中心ずれの補正が可能となるので、
基板を正確に位置決めすることができる。Further, when the center shift detecting means for detecting the center shift amount of the substrate in a non-contact manner during the rotation of the substrate by the rotating mechanism is provided, the center shift can be corrected.
The substrate can be accurately positioned.
【0031】更に、切欠きが第1の所定位置に位置決め
されたか否かを検出する第1のチェック手段と、切欠き
が第2の所定位置に位置決めされたか否かを検出する第
2のチェック手段とを併せて設けた場合には、位置決め
が正確に行なわれていない場合には、これを再度やり直
すことができるので、基板の回転位置決めを確実に行な
うことができる。Further, a first check means for detecting whether or not the notch is positioned at the first predetermined position, and a second check for detecting whether or not the notch is positioned at the second predetermined position. In the case where the means is also provided, the positioning can be performed again if the positioning is not accurately performed, so that the rotational positioning of the substrate can be reliably performed.
【0032】[0032]
《第1実施例》以下、本発明に係る基板の位置決め装置
が適用された第1実施例のレーザリペア装置について、
図1ないし図4に基づいて説明する。なお、以下の説明
においては、基板としてのウエハWとしては、前述した
従来例の欄で説明した如く切欠きとしてのオリエンテー
ションフラット(以下、適宜「フラット」という)OF
が外周部の一部に設けられ、このフラットOFに対して
平行方向又は直交する方向に被加工物が並んだウエハが
用いられるものとする(第2、第3実施例において同
じ)。<< First Embodiment >> Hereinafter, a laser repair apparatus of a first embodiment to which a substrate positioning apparatus according to the present invention is applied,
A description will be given based on FIGS. 1 to 4. In the following description, as the wafer W as the substrate, an orientation flat (hereinafter, appropriately referred to as “flat”) OF as a notch as described in the section of the conventional example described above is used.
Is provided in a part of the outer peripheral portion, and a wafer in which objects to be processed are arranged in a direction parallel or orthogonal to the flat OF is used (same in the second and third embodiments).
【0033】図1には、第1実施例に係るレーザリペア
装置10の概略構成が示されている。このレーザリペア
装置10は、ウエハキャリア台14と、ウエハ搬送アー
ム機構16と、基板の位置決め装置としてのプリアライ
メント装置18と、XYステージ装置20と、を備えて
いる。FIG. 1 shows a schematic structure of a laser repair apparatus 10 according to the first embodiment. The laser repair device 10 includes a wafer carrier table 14, a wafer transfer arm mechanism 16, a pre-alignment device 18 as a substrate positioning device, and an XY stage device 20.
【0034】ウエハキャリア台14は基板としてのウエ
ハWが収納されたウエハキャリア12を載置するための
台である。The wafer carrier table 14 is a table on which the wafer carrier 12 containing the wafer W as a substrate is placed.
【0035】ウエハ搬送アーム機構16は、ウエハキャ
リア台14上に載置されたウエハキャリア12からウエ
ハWを抜き出してプリアライメント装置18へ搬送した
り、プリアライメント装置18により後述するようにし
てプリアライメントされたウエハWをそのままの回転方
向を保持しつつ後述するウエハホルダ40上へ搬送した
りする搬送手段である。このウエハ搬送アーム機構16
は、ウエハWを保持して搬送する搬送アーム22と、こ
の搬送アーム22を駆動するアーム駆動機構24とを有
する。このアーム駆動機構24は、後述するコントロー
ラ78によって制御されるようになっている(図3参
照)。The wafer transfer arm mechanism 16 extracts the wafer W from the wafer carrier 12 placed on the wafer carrier table 14 and transfers it to the pre-alignment device 18, or the pre-alignment device 18 performs pre-alignment as described later. The wafer W is transferred to a wafer holder 40, which will be described later, while maintaining the rotation direction of the wafer W as it is. This wafer transfer arm mechanism 16
Has a transfer arm 22 that holds and transfers the wafer W, and an arm drive mechanism 24 that drives the transfer arm 22. The arm drive mechanism 24 is controlled by a controller 78 described later (see FIG. 3).
【0036】XYステージ装置20は、架台26と、こ
の架台26上に設けられたベースプレート28と、この
ベースプレート28上に移動ガイド30A,30Bに沿
って図1におけるY軸方向に往復移動可能に設けられた
Yテーブル32と、このYテーブル32上に移動ガイド
34A,34Bに沿ってY軸と直交するX軸方向に往復
移動可能に設けられたステージとしてのXテーブル36
とを含んで構成されている。ここで、Yテーブル32、
Xテーブル36は、図示しない送りねじ機構を介して図
示しないモータによりそれぞれY軸、X軸方向に駆動さ
れるが、これらの構成は公知であるので、その詳細な説
明は省略する。なお、本実施例の場合は、Xテーブル3
6の移動速度の方がYテーブル32の移動速度より速く
なるように設定さている。The XY stage device 20 is provided with a pedestal 26, a base plate 28 provided on the pedestal 26, and a reciprocal movement along the movement guides 30A and 30B on the base plate 28 in the Y-axis direction in FIG. The Y table 32 and an X table 36 as a stage provided on the Y table 32 so as to be capable of reciprocating along the movement guides 34A and 34B in the X axis direction orthogonal to the Y axis.
It is comprised including. Here, the Y table 32,
The X-table 36 is driven in the Y-axis direction and the X-axis direction by a motor (not shown) via a feed screw mechanism (not shown). Since these configurations are known, detailed description thereof will be omitted. In the case of this embodiment, the X table 3
The moving speed of 6 is set to be higher than the moving speed of the Y table 32.
【0037】架台26の一端部(図1における下端部)
上には、前述したウエハキャリア台14、ウエハ搬送ア
ーム機構16及びプリアライメント装置18が搭載され
た台38が固定されている。また、Xテーブル36上に
は、ウエハホルダ40が設けられている。One end of the mount 26 (lower end in FIG. 1)
The wafer carrier table 14, the wafer transfer arm mechanism 16, and the table 38 on which the pre-alignment device 18 is mounted are fixed on the top. A wafer holder 40 is provided on the X table 36.
【0038】更に、図1においては図示は省略したが、
実際にはベースプレート28の中央部には、ウエハホル
ダ40上に載置されたウエハWを加工するための加工用
レーザ光の照射光学系を構成する対物レンズが図1の紙
面手前方向に所定間隔を隔てた位置に設けられている。Further, although not shown in FIG. 1,
Actually, in the central portion of the base plate 28, an objective lens forming an irradiation optical system of a processing laser beam for processing the wafer W placed on the wafer holder 40 is arranged at a predetermined interval in the front direction of the paper surface of FIG. It is provided in a separated position.
【0039】次に、本発明の主要部であるプリアライメ
ント装置18について図2に基づいて説明する。図2
(A)にはこのプリアライメント装置18の上部本体5
2を取り除いた状態の平面図が示されており、図2
(B)には同図(A)の底面図、即ちプリアライメント
装置18の正面図が概略的に示されている。Next, the pre-alignment device 18, which is the main part of the present invention, will be described with reference to FIG. Figure 2
The upper main body 5 of the pre-alignment device 18 is shown in FIG.
A plan view is shown with 2 removed, as shown in FIG.
FIG. 1B schematically shows a bottom view of FIG. 1A, that is, a front view of the pre-alignment device 18.
【0040】このプリアライメント装置18は、図2
(B)に示されるように、相互に対向して所定間隔を隔
てて配置された正方形板状の下部本体50と、同形状の
上部本体52とを有している。なお、下部本体50、上
部本体52はいかなる形状でもよく、さらに互いに異な
る形状でもよい。下部本体50の中央部には回転機構及
び上下動機構としてのセンターアップ54が設けられ、
更にこの下部本体50上には、ウエハWのフラットOF
に光ビームを照射して透過光(又は反射光)の一部を光
電検出することによりフラットOFの位置を検出する透
過式(又は反射式)のフォトセンサから成るフラット検
出センサ56と、ウエハ中心出し機構(これについては
後述する)とが設けられている。This pre-alignment device 18 is shown in FIG.
As shown in (B), it has a square plate-shaped lower main body 50 facing each other at a predetermined interval, and an upper main body 52 having the same shape. The lower body 50 and the upper body 52 may have any shape or may have different shapes. A center up 54 as a rotation mechanism and a vertical movement mechanism is provided at the center of the lower body 50.
Further, the flat OF of the wafer W is placed on the lower main body 50.
A flat detection sensor 56 including a transmission type (or reflection type) photosensor for detecting the position of the flat OF by irradiating a light beam on the substrate and photoelectrically detecting a part of the transmitted light (or reflected light), and a wafer center. And a delivery mechanism (which will be described later).
【0041】センターアップ54は、円柱状(又は四角
柱状でも、いかなる形状でもよい)とされ、図2(B)
の矢印A、Bで示されるように上下動及び軸C周りの回
転が可能な構造となっている。このセンターアップ54
は、実際にはセンターアップ駆動機構(図2では図示せ
ず)84を介して後述するコントローラ78により駆動
制御されるようになっている(図3参照)。The center-up 54 is in the shape of a cylinder (or may be in the shape of a quadrangle, or any shape), and is shown in FIG.
As shown by the arrows A and B, the structure is such that it can move up and down and rotate about the axis C. This center up 54
Is actually driven and controlled by a controller 78 described later via a center-up drive mechanism (not shown in FIG. 2) 84 (see FIG. 3).
【0042】ウエハ中心出し機構は、下部本体50上に
センターアップ54を中心として放射状に配置された複
数のガイド部材58と、各ガイド部材58に沿ってそれ
ぞれ往復移動する複数のピン60とから構成されてい
る。これらのピン60は、実際にはピン駆動機構(図2
では図示せず)86を介して後述するコントローラ78
により同時に同一距離だけ駆動される(図3参照)。The wafer centering mechanism is composed of a plurality of guide members 58 radially arranged on the lower main body 50 with the center-up 54 as a center, and a plurality of pins 60 reciprocating along the respective guide members 58. Has been done. These pins 60 are actually pin drive mechanisms (see FIG.
(Not shown) 86 via a controller 78 described later
Are simultaneously driven by the same distance (see FIG. 3).
【0043】一方、上部本体52には、図2(B)に示
されるように、2つの固定ピンブロック62、64が下
方に突出して設けられている。一方の固定ピンブロック
62は、上部本体52の一端部近傍に一端面に平行に配
置されており、他方の固定ピンブロック64は上部本体
52の前記一端面に直交する他端面近傍に当該他端面に
平行に配置されている(図2(A)参照)。一方の固定
ピンブロック62にはその長手方向に沿って配置された
3つの位置決めピン66A、66B、66Cが下方に向
けて突設されており、他方の固定ピンブロック64には
その長手方向に沿って配置された3つの位置決めピン6
8A、68B、68Cが下方に向けて突設されている。
更に、上部本体52にはセンターアップ54に対して接
近・離間する方向に配置された位置決めハンマ用のガイ
ド部材70が下方に向けて突設されており、このガイド
部材70に沿って位置決めハンマ72が往復移動可能に
設けられている。この位置決めハンマ72も実際にはハ
ンマ駆動機構(図2では図示せず)90を介して後述す
るコントローラ78により駆動制御されるようになって
いる(図3参照)。On the other hand, on the upper main body 52, as shown in FIG. 2B, two fixing pin blocks 62 and 64 are provided so as to project downward. One fixed pin block 62 is arranged in the vicinity of one end of the upper main body 52 in parallel with one end face, and the other fixed pin block 64 is arranged in the vicinity of the other end face of the upper main body 52 orthogonal to the one end face. Are arranged in parallel with each other (see FIG. 2A). The one fixed pin block 62 is provided with three positioning pins 66A, 66B, 66C arranged along the longitudinal direction thereof so as to project downward, and the other fixed pin block 64 is provided along the longitudinal direction thereof. Positioning pins 6 arranged as
8A, 68B, and 68C are provided so as to project downward.
Further, a guide member 70 for a positioning hammer, which is arranged in a direction approaching and separating from the center up 54, is provided on the upper main body 52 so as to project downward, and a positioning hammer 72 is provided along the guide member 70. Are provided so that they can be moved back and forth. The positioning hammer 72 is actually driven and controlled by a controller 78 described later via a hammer driving mechanism (not shown in FIG. 2) 90 (see FIG. 3).
【0044】ここで、位置決めピン66A、66C、6
8Bは、センターアップ54によりフラットOFがX軸
に平行となる位置(第1の所定位置)に来るように回転
位置決めされた後のウエハWをそのままの角度で図2
(A)中に実線で示される位置(第1位置)へ位置決め
する第1の位置決め手段を、位置決めハンマ72と共に
構成するピンであり、位置決めピン66B、68A、6
8Cは、センターアップ54によりフラットOFがY軸
に平行となる位置(第2の所定位置)に来るように回転
位置決めされた後のウエハWをそのまま角度で図2
(A)中に二点鎖線で示される位置(第2位置)へ位置
決めする第2の位置決め手段を、位置決めハンマ72と
共に構成するピンである。Here, the positioning pins 66A, 66C, 6
8B shows the wafer W after being rotationally positioned by the center-up 54 so that the flat OF comes to a position (first predetermined position) in which the flat OF is parallel to the X axis.
(A) is a pin that constitutes the first positioning means for positioning to the position (first position) shown by the solid line in FIG. 9A together with the positioning hammer 72, and the positioning pins 66B, 68A, 6
8C shows the wafer W after being rotationally positioned by the center-up 54 so that the flat OF comes to a position (second predetermined position) in which the flat OF is parallel to the Y axis.
It is a pin that constitutes second positioning means for positioning to the position (second position) indicated by the chain double-dashed line in (A) together with the positioning hammer 72.
【0045】次に、装置10の制御系について説明す
る。図3には、この制御系の概略構成が示されている。
この図において、コントローラ78の入力端には、セン
ターアップ54の回転角度を検出するエンコーダ80、
前述したフラット検出センサ82、及びXテーブル36
の位置(XY座標位置)を検出するステージ位置検出セ
ンサ(通常は光波干渉計で構成される)92等が接続さ
れている。一方、このコントローラ78の出力端には、
センターアップ駆動機構84、ピン駆動機構86、アー
ム駆動機構88、ハンマ駆動機構90、及びXテーブル
36、Yテーブル32を駆動するステージ駆動系94が
接続されている。Next, the control system of the apparatus 10 will be described. FIG. 3 shows a schematic configuration of this control system.
In this figure, an encoder 80 for detecting the rotation angle of the center-up 54 is provided at the input end of the controller 78.
The flat detection sensor 82 and the X table 36 described above.
A stage position detection sensor (normally composed of a light wave interferometer) 92 for detecting the position (XY coordinate position) is connected. On the other hand, at the output end of this controller 78,
A center-up drive mechanism 84, a pin drive mechanism 86, an arm drive mechanism 88, a hammer drive mechanism 90, and a stage drive system 94 that drives the X table 36 and the Y table 32 are connected.
【0046】コントローラ78は、CPU(中央処理装
置)、ROM、RAM、入力インタフェース、出力イン
タフェース等を含んで構成されたマイクロコンピュータ
等により構成さている。The controller 78 is composed of a CPU (central processing unit), a ROM, a RAM, a microcomputer including an input interface, an output interface and the like.
【0047】次に、上述のようにして構成されたレーザ
リペア装置10の全体的な作用をコントローラ78の制
御機能を中心として説明する。Next, the overall operation of the laser repair apparatus 10 configured as described above will be described focusing on the control function of the controller 78.
【0048】コントローラ78では、アーム駆動機構
88を制御して搬送アーム22を駆動し、ウエハキャリ
ア台14上に載置されたウエハキャリア12からウエハ
Wを抜き出し、このウエハWを保持した搬送アーム22
をプリアライメント装置18を構成する上部本体52と
下部本体50との間に移動させる。次に、コントローラ
78では、センターアップ駆動機構84を介してセンタ
ーアップ54を上昇駆動してウエハWを下方から保持さ
せると共に、アーム駆動機構88を制御して搬送アーム
22を退避させる。次いで、コントローラ78では、セ
ンターアップ54が所定量下降するようにセンターアッ
プ駆動機構84を制御する。これにより、図2(B)に
二点鎖線で示される位置にウエハWが移動する。次に、
コントローラ78では、ピン駆動機構86を介してウエ
ハ中心出し機構を構成する複数のピン60を同一速度で
センターアップ54に向けて駆動する。これにより、ピ
ン60がウエハWの外周に当接してウエハWの中心出し
が行なわれる。コントローラ78では、中心出し終了
後、直ちに各ピン60を元の位置に退避させる。The controller 78 controls the arm driving mechanism 88 to drive the transfer arm 22, extract the wafer W from the wafer carrier 12 placed on the wafer carrier table 14, and transfer the transfer arm 22 holding the wafer W.
Is moved between the upper main body 52 and the lower main body 50 which form the pre-alignment apparatus 18. Next, the controller 78 drives the center-up drive mechanism 84 to drive the center-up 54 upward to hold the wafer W from below, and controls the arm drive mechanism 88 to retract the transfer arm 22. Next, the controller 78 controls the center-up drive mechanism 84 so that the center-up 54 descends by a predetermined amount. As a result, the wafer W moves to the position shown by the chain double-dashed line in FIG. next,
The controller 78 drives the plurality of pins 60 forming the wafer centering mechanism toward the center-up 54 at the same speed via the pin drive mechanism 86. As a result, the pins 60 come into contact with the outer periphery of the wafer W to center the wafer W. The controller 78 immediately retracts each pin 60 to the original position after the centering is completed.
【0049】次に、コントローラ78では、センター
アップ駆動機構84を介してセンターアップ54を再び
所定量上昇駆動する。これにより、ウエハWが図2
(B)に実線で示される高さ位置に移動する。次いで、
コントローラ78では、センターアップ駆動機構84を
介してセンターアップ54を回転駆動する。これによ
り、センターアップ54に保持された状態でウエハWが
回転する。このウエハWの回転中、フラット検出センサ
56によってフラットOFの位置が検出される。コント
ローラ78では、フラット検出センサ56の出力をモニ
タしており、このフラット検出センサ56の出力に基づ
いてフラットOFを検出したと判断すると、予め内部メ
モリに記憶されているウエハW上の被加工物の並びがフ
ラットOFに平行及び直交方向のいずれで多いかの情報
に基づいてフラットOFがX軸に平行又はY軸に平行と
なる向きにウエハWが回転位置決めされるように、その
時点から所定角度センターアップ54を更に回転させて
停止する。Next, the controller 78 again drives the center-up 54 by a predetermined amount via the center-up drive mechanism 84. As a result, the wafer W is
Move to the height position shown by the solid line in (B). Then
The controller 78 rotationally drives the center-up 54 via the center-up drive mechanism 84. As a result, the wafer W is rotated while being held by the center-up 54. During the rotation of the wafer W, the flat detection sensor 56 detects the position of the flat OF. The controller 78 monitors the output of the flat detection sensor 56, and when it determines that the flat OF is detected based on the output of the flat detection sensor 56, the workpiece on the wafer W stored in the internal memory in advance. Based on the information indicating whether there are more arrangements in parallel or perpendicular to the flat OF, the wafer W is rotationally positioned in a direction in which the flat OF is parallel to the X axis or parallel to the Y axis. The angle center up 54 is further rotated and stopped.
【0050】即ち、本実施例では、フラット検出センサ
56とコントローラ78とによって、ウエハのフラット
OFに光ビームを照射してその一部を光電検出すること
により、フラットOFとX軸又はY軸方向との回転方向
の位置関係を検出する検出手段が構成され、また、コン
トローラ78によってフラットOFが所定の直交座標系
の各軸方向に並ぶ加工すべき被加工物の数に応じて選択
される第1の所定位置又は第2の所定位置に位置決めさ
れるように、検出された位置関係に基づいて回転機構と
してのセンターアップ54を制御する制御手段が構成さ
れている。That is, in the present embodiment, the flat detection sensor 56 and the controller 78 irradiate the flat OF of the wafer with a light beam and photoelectrically detect a part of the flat OF, so that the flat OF and the X-axis or the Y-axis direction. And a controller 78 configured to detect a positional relationship in the rotational direction of the flat OF, the flat OF being selected according to the number of workpieces to be machined arranged in each axial direction of a predetermined orthogonal coordinate system. A control unit that controls the center-up 54 as a rotating mechanism is configured based on the detected positional relationship so as to be positioned at a predetermined position or a second predetermined position.
【0051】上述のようにして、ウエハWの回転位置
決めを行なった後、コントローラ78ではハンマ駆動機
構90を介して位置決めハンマ72をウエハWに押し付
ける。これにより、フラットOFに平行な方向の被加工
物の並びが多いウエハWは、図2(A)に実線で示され
る位置に位置位置決めされ、フラットOFに直交する方
向の被加工物の並びが多いウエハWは、図2(A)に二
点鎖線で示される位置に位置決めされる。After the wafer W is rotationally positioned as described above, the controller 78 presses the positioning hammer 72 onto the wafer W via the hammer driving mechanism 90. As a result, the wafer W having many workpieces arranged in the direction parallel to the flat OF is positioned at the position shown by the solid line in FIG. 2A, and the workpieces arranged in the direction orthogonal to the flat OF are aligned. The large number of wafers W are positioned at the positions indicated by the chain double-dashed line in FIG.
【0052】この位置決め後、コントローラ78で
は、位置決めハンマ72を退避させると共にセンターア
ップ54を上昇駆動して停止し、その位置で待機させて
アーム駆動機構88を制御して搬送アーム22をウエハ
Wの下方に移動させる。次に、コントローラ78ではセ
ンターアップ駆動機構84を介してセンターアップ54
を下降させる。これによりウエハWが位置決めされた状
態(プリアライメントされた状態)で搬送アーム22に
移載される。次に、コントローラ78では、アーム駆動
機構88を制御してウエハWの回転方向の向きを保持し
た状態でXテーブル36上のウエハホルダ40上に移載
させる。After this positioning, the controller 78 retracts the positioning hammer 72 and raises and stops the center up 54, and waits at that position to control the arm drive mechanism 88 to control the transfer arm 22 for the wafer W. Move it down. Next, in the controller 78, the center up 54 is moved through the center up drive mechanism 84.
To lower. As a result, the wafer W is transferred to the transfer arm 22 while being positioned (pre-aligned). Next, the controller 78 controls the arm drive mechanism 88 to transfer the wafer W onto the wafer holder 40 on the X table 36 while maintaining the rotational direction of the wafer W.
【0053】この後、ウエハホルダ40によりウエハ
Wが吸着され、前述した従来例と同様にしてウエハWの
処理、ウエハW上の被加工物の加工が行なわれる。この
処理は、ステージ駆動系94を加工位置データ及びステ
ージ位置検出センサ92の出力に基づいて制御すること
により、図示しない対物レンズの下方でXテーブル36
をX、Y両方向に移動させ、レーザ光をXテーブル36
に対して相対走査することにより行なわれる。Thereafter, the wafer W is sucked by the wafer holder 40, and the wafer W and the workpiece on the wafer W are processed in the same manner as the conventional example described above. This process controls the stage drive system 94 based on the processing position data and the output of the stage position detection sensor 92, so that the X table 36 is provided below an unillustrated objective lens.
Laser beam in both the X and Y directions, and the laser light is moved to the X table 36.
Is performed by performing relative scanning with respect to.
【0054】図4には、本第1実施例において、図14
と同じ2種類のウエハ品種を流した場合の処理の流れが
示されている。In FIG. 4, in the first embodiment, FIG.
The flow of processing when the same two kinds of wafer types as those in FIG.
【0055】この図において、上段はウエハ品種を示
し、中段はプリアライメント後のウエハの状態を示し、
下段はXテーブル36上に載置されたウエハの状態を示
す。In this figure, the upper stage shows the wafer type, the middle stage shows the state of the wafer after pre-alignment,
The lower stage shows the state of the wafer placed on the X table 36.
【0056】図4(A)のようなウエハ品種W1の場合
は、フラットOFに対して平行方向の被加工物の並び1
18が多いため、プリアライメント装置18において、
フラットOFがX軸に平行方向になるように位置決めを
行った上でXテーブル36上に移載する。一方、図4
(B)のようなウエハ品種W2の場合は、フラットOF
に対して直交方向の被加工物の並び120が多いため、
プリアライメント装置18において、フラットOFがY
軸に平行方向になるように位置決めを行った上でXテー
ブル36上に移載する。In the case of the wafer type W1 as shown in FIG. 4A, the arrangement 1 of the workpieces parallel to the flat OF is set.
Since there are many 18, in the pre-alignment device 18,
The flat OF is positioned so that it is parallel to the X-axis, and then transferred onto the X-table 36. On the other hand, FIG.
In the case of wafer type W2 as shown in (B), flat OF
Since there are many rows 120 of workpieces in the orthogonal direction with respect to
In the pre-alignment device 18, the flat OF is Y
After positioning so as to be in the direction parallel to the axis, it is transferred onto the X table 36.
【0057】このようにすることにより、ウエハW内の
被加工物の並びがフラットOFに対して水平方向、垂直
方向のどちらが多くても、処理速度が速くなる方向に位
置決めされることになる。By doing so, regardless of whether the workpieces in the wafer W are arranged in the horizontal direction or in the vertical direction with respect to the flat OF, the wafer W is positioned in the direction in which the processing speed becomes faster.
【0058】《第2実施例》次に、本発明の第2実施例
を図5ないし図6に基づいて説明する。この第2実施例
では、前述した第1実施例のプリアライメント装置18
に代えて基板の位置決め装置としてのプリアライメント
装置74が設けられている点のみが、第1実施例と異な
るのみで、その他の部分は第1実施例と同一である。従
って、プリアライメント装置74の構成のみを説明し、
その他の部分の構成についてはその説明を省略する。ま
た、前述した第1実施例のプリアライメント装置18と
同一又は同等の構成部分については、同一の符号を付す
と共に、その説明を簡略にし若しくは省略するものとす
る。<< Second Embodiment >> Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the second embodiment, the pre-alignment device 18 of the first embodiment described above is used.
Instead of the above, only a pre-alignment device 74 as a substrate positioning device is provided, which is different from the first embodiment, and the other parts are the same as the first embodiment. Therefore, only the configuration of the pre-alignment device 74 will be described,
The description of the configuration of the other parts is omitted. Further, the same or similar components as those of the pre-alignment apparatus 18 of the first embodiment described above are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be simplified or omitted.
【0059】図5には、第2実施例に係るプリアライメ
ント装置74の構成が示されている。図5(A)には、
このプリアライメント装置74の上部本体52を取り除
いた状態の平面図が示されており、図5(B)には、図
5(A)の底面図、即ちプリアライメント装置74の正
面図が示されている。FIG. 5 shows the structure of the pre-alignment device 74 according to the second embodiment. In FIG. 5 (A),
A plan view of the prealignment device 74 with the upper main body 52 removed is shown, and FIG. 5B shows a bottom view of FIG. 5A, that is, a front view of the prealignment device 74. ing.
【0060】このプリアライメント装置74は下部本体
50側の構成は第1実施例と同一であり、上部本体側5
2側の構成のみが異なる。上部本体52には、固定ピン
ブロック62、64に代えてコ字状の第1、第2の移動
ピンブロック76A、76Bと、これらの移動ピンブロ
ック76A、76Bのそれぞれの中央の凹部に位置して
配置された第3、第4の移動ピンブロック77A、77
Bとが設けられている。The pre-alignment device 74 has the same construction on the lower main body 50 side as that of the first embodiment, and the upper main body side 5
Only the configuration on the two side is different. The upper body 52 is provided with first and second U-shaped moving pin blocks 76A and 76B instead of the fixed pin blocks 62 and 64, and the central concave portions of these moving pin blocks 76A and 76B. And the third and fourth moving pin blocks 77A, 77 arranged as
B and are provided.
【0061】これを更に詳述すると、第1の移動ピンブ
ロック76Aは、上部本体52の一端面近傍に当該一端
面に平行に配置され、Y軸方向に沿ってセンターアップ
54に接近・離間する方向に往復移動可能な構成とされ
ている。また、第2の移動ピンブロック76Bは、上部
本体52の前記一端面に直交する他端面近傍に当該他端
面に平行に配置され、X軸方向に沿ってセンターアップ
54に接近・離間する方向に往復移動可能な構成とされ
ている(図5(A)参照)。また、第3の移動ピンブロ
ック77Aは、第1の移動ピンブロック76Aの中央の
凹部間でY軸方向に沿って往復移動可能とされ、同様に
第4の移動ピンブロック77Bは、第2の移動ピンブロ
ック76Bの中央の凹部間でX軸方向に沿って往復移動
可能とされている。これらの移動ピンブロック76A、
76B、77A、77Bは、前述したコントローラ78
により図示しないピンブロック駆動機構を介して駆動制
御されるようになっている。More specifically, the first moving pin block 76A is arranged in the vicinity of one end face of the upper main body 52 and in parallel with the one end face, and approaches and separates from the center up 54 along the Y-axis direction. It is configured to be able to reciprocate in any direction. In addition, the second moving pin block 76B is arranged in the vicinity of the other end surface of the upper main body 52 that is orthogonal to the one end surface thereof, in parallel with the other end surface thereof, and in the direction of approaching and separating from the center up 54 along the X-axis direction. It is configured to be reciprocally movable (see FIG. 5A). Further, the third moving pin block 77A can be reciprocated along the Y-axis direction between the central concave portions of the first moving pin block 76A, and similarly, the fourth moving pin block 77B can be moved to the second moving pin block 77B. The movable pin block 76B can be reciprocated along the X-axis direction between the central recesses. These moving pin blocks 76A,
76B, 77A and 77B are the controller 78 described above.
Is controlled by a pin block drive mechanism (not shown).
【0062】第1の移動ピンブロック76Aにはウエハ
位置決めピン66A、66Cが下方に向けて突設されて
おり、第2の移動ピンブロック76Bにはウエハ位置決
めピン68A、68Cが下方に向けて突設されている。
また、第3の移動ピンブロック77Aには、ウエハ位置
決めピン66Bが、第4の移動ピンブロック77Aに
は、ウエハ位置決めピン68Bが、それぞれ下方に向け
て突設されている。Wafer positioning pins 66A and 66C project downward from the first moving pin block 76A, and wafer positioning pins 68A and 68C project downward from the second moving pin block 76B. It is set up.
A wafer positioning pin 66B is provided on the third moving pin block 77A, and a wafer positioning pin 68B is provided on the fourth moving pin block 77A so as to project downward.
【0063】本実施例では、位置決めハンマ72と、第
1、第4の移動ピンブロック76A、77Bにそれぞれ
設けられたウエハ位置決めピン66A,66C、68B
とによって、ウエハWを図5(A)に示される第1位置
に位置決めする第1の位置決め手段が構成されている。
また、位置決めハンマ72と第2、第3の移動ピンブロ
ック76B、77Aにそれぞれ設けられたウエハ位置決
めピン68A、68C、66Bとによって、ウエハWを
図6に示される第2位置に位置決めする第2の位置決め
手段が構成されている。In this embodiment, the positioning hammer 72 and the wafer positioning pins 66A, 66C and 68B provided on the first and fourth moving pin blocks 76A and 77B, respectively.
And constitute a first positioning means for positioning the wafer W at the first position shown in FIG. 5 (A).
In addition, the positioning hammer 72 and the wafer positioning pins 68A, 68C and 66B provided on the second and third moving pin blocks 76B and 77A respectively position the wafer W at the second position shown in FIG. Positioning means is configured.
【0064】プリアライメント装置74のその他の構成
部分は、第1実施例と同一である。The other components of the pre-alignment device 74 are the same as in the first embodiment.
【0065】次に、このようにして構成された第2実施
例の装置の動作を説明する。この第2実施例において
も、コントローラ78により第1実施例の、で説明
したのと同様の各部の制御が行なわれ、第1実施例と同
様にしてフラットOFがX軸と平行となる位置(第1の
所定位置)又は Y軸と平行となる位置(第2の所定位
置)に来るようにウエハWの回転位置決めがなされる。Next, the operation of the apparatus of the second embodiment thus constructed will be described. In the second embodiment as well, the controller 78 controls each part in the same manner as described in the first embodiment, and the position where the flat OF becomes parallel to the X axis in the same manner as in the first embodiment ( The wafer W is rotationally positioned so as to come to a position (first predetermined position) or a position (second predetermined position) that is parallel to the Y axis.
【0066】このようにして、ウエハWの回転位置決め
を行なった後、コントローラ78では、ウエハWのフラ
ットOFの向きに応じて第1の位置決め手段又は第2の
位置決め手段を駆動してウエハWの位置決めを行なう。After the wafer W is rotationally positioned in this manner, the controller 78 drives the first positioning means or the second positioning means in accordance with the orientation of the flat OF of the wafer W to move the wafer W. Perform positioning.
【0067】即ち、フラットOFの向きがX軸に平行と
なる第1の所定位置にウエハWを回転位置決めした場合
には、位置決めハンマ72と共に第1、第4の移動ピン
ブロック76A、77Bをそれぞれの駆動機構を介して
図5(A)に示される位置まで駆動して、ウエハ位置決
めピン66A、66C、68Bにより位置決めを行う。
この場合、第2、第3の移動ピンブロック76B、77
Aは、退避している。That is, when the wafer W is rotationally positioned at the first predetermined position where the orientation of the flat OF is parallel to the X axis, the positioning hammer 72 and the first and fourth moving pin blocks 76A and 77B are respectively arranged. 5A is driven via the drive mechanism of FIG. 5A and the wafer positioning pins 66A, 66C, 68B perform positioning.
In this case, the second and third moving pin blocks 76B and 77
A is retreating.
【0068】一方、フラットOFの向きがY軸に平行と
なる第2の所定位置にウエハWを回転位置決めした場合
には、位置決めハンマ72と共に第2、第3の移動ピン
ブロック76B、77Aをそれぞれの駆動機構を介して
図6に示される位置まで駆動して、ウエハ位置決めピン
68A、68C、66Bにより位置決めを行う。この場
合、第1、第3の移動ピンブロック76A、77Bは、
退避している。On the other hand, when the wafer W is rotationally positioned at the second predetermined position where the orientation of the flat OF is parallel to the Y-axis, the positioning hammer 72 and the second and third moving pin blocks 76B and 77A are respectively arranged. 6 is driven via the drive mechanism of FIG. 6 to perform positioning by the wafer positioning pins 68A, 68C, 66B. In this case, the first and third moving pin blocks 76A and 77B are
It is evacuating.
【0069】この位置決め後、コントローラ78では、
位置決めハンマ72と共にウエハWの位置決めに使用さ
れた位置決めピンが搭載された移動ピンブロックを退避
させると共にセンターアップ54を上昇駆動して停止
し、その位置で待機させてアーム駆動機構88を制御し
てウエハ搬送アーム22をウエハWの下方に移動させ
る。その後、コントローラ78では第1実施例と同様の
各部の制御を行なって回転方向の向きを保持した状態で
ウエハWをXテーブル36上のウエハホルダ40上に移
載する。After this positioning, the controller 78
With the positioning hammer 72, the moving pin block on which the positioning pins used for positioning the wafer W are mounted is retracted, and the center up 54 is driven to stop and stopped, and the arm drive mechanism 88 is controlled by waiting at that position. The wafer transfer arm 22 is moved below the wafer W. Thereafter, the controller 78 controls each part as in the first embodiment to transfer the wafer W onto the wafer holder 40 on the X table 36 while maintaining the orientation in the rotation direction.
【0070】この後、ウエハホルダ40によりウエハW
が吸着され、第1実施例と同様にしてウエハWの処理、
ウエハW上の被加工物の加工が行なわれる。Thereafter, the wafer W is held by the wafer holder 40.
Are adsorbed, and the wafer W is processed in the same manner as in the first embodiment.
The workpiece on the wafer W is processed.
【0071】以上説明したように、本第2実施例による
と第1実施例と同等の効果を得られる他、プリアライメ
ント装置74において、ウエハ品種に合せて適当な位置
決めピンがセットされ、不要な位置決めピンが退避する
構造となっているので、位置決め時の各移動ピンブロッ
クの移動量を適当に設定することにより、中心出しされ
た位置でウエハWを位置決めすることも可能となり、よ
り高精度なウエハWのプリアライメントを実現すること
ができるという効果もある。As described above, according to the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, and in the pre-alignment apparatus 74, an appropriate positioning pin is set according to the type of wafer and unnecessary. Since the positioning pins are retracted, it is possible to position the wafer W at the centered position by appropriately setting the moving amount of each moving pin block at the time of positioning, and it is possible to achieve higher accuracy. There is also an effect that pre-alignment of the wafer W can be realized.
【0072】《第3実施例》次に、本発明の第3実施例
を図7ないし図9に基づいて説明する。この第3実施例
では、前述した第1実施例のプリアライメント装置18
に代えて基板の位置決め装置としてのプリアライメント
装置96が設けられている点のみが、第1実施例と異な
るのみで、その他の部分は第1実施例と同一である。従
って、プリアライメント装置96の構成のみを説明し、
その他の部分の構成についてはその説明を省略する。ま
た、前述した第1実施例のプリアライメント装置18と
同一若しくは同等の構成部分については、同一の符号を
付すと共に、その説明を簡略にし若しくは省略するもの
とする。<< Third Embodiment >> Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the third embodiment, the pre-alignment device 18 of the first embodiment described above is used.
Instead of the above, only a pre-alignment device 96 as a substrate positioning device is provided, which is different from the first embodiment, and the other parts are the same as the first embodiment. Therefore, only the configuration of the pre-alignment device 96 will be described.
The description of the configuration of the other parts is omitted. Further, the same or equivalent components as those of the pre-alignment apparatus 18 of the first embodiment described above are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be simplified or omitted.
【0073】図7には、第3実施例に係るプリアライメ
ント装置96の構成が示されている。FIG. 7 shows the structure of a pre-alignment device 96 according to the third embodiment.
【0074】このプリアライメント装置96は下部本体
50のみを備えている。この下部本体50の中央部に
は、回転機構としてのセンターアップ54が設けられて
いる。ここで、本第3実施例の場合は、回転機構は必ず
しも上下動する必要はなく、回転可能に構成されていれ
ば良い。The pre-alignment device 96 includes only the lower main body 50. At the center of the lower body 50, a center up 54 is provided as a rotating mechanism. Here, in the case of the third embodiment, the rotating mechanism does not necessarily have to move up and down, and may be configured to be rotatable.
【0075】また、下部本体50のセンターアップ54
から所定距離離れた位置には、センターアップ54の半
径方向に沿って細長い透過型又は反射型の光電センサか
らなるフラット検出センサ97が配置されている。Further, the center up 54 of the lower body 50
A flat detection sensor 97, which is an elongated transmissive or reflective photoelectric sensor, is arranged along the radial direction of the center-up 54 at a position separated by a predetermined distance from.
【0076】更に、センターアップ54の回転中心から
ウエハWの半径とほぼ同一距離だけY軸方向に離れた下
部本体50上の位置には、第1のチェック手段としての
第1の位置決めチェックセンサ98Aが配置され、セン
ターアップ54の回転中心からウエハWの半径とほぼ同
一距離だけX軸方向に離れた下部本体50上の位置に
は、第2のチェック手段としての第2の位置決めチェッ
クセンサ98Bが配置されている。第1の位置決めチェ
ックセンサ98Aは、フラットOFがX軸に平行となる
第1の所定位置にウエハWが回転位置決めされたか否か
を検出するためのセンサで、第2の位置決めチェックセ
ンサ98Bは、フラットOFがY軸に平行となる第2の
所定位置にウエハWが回転位置決めされたか否かを検出
するためのセンサである。これらのセンサ98A、98
Bは、円形の透過型又は反射型の光電センサにより構成
されている。Further, at a position on the lower main body 50 which is separated from the center of rotation of the center-up 54 by the same distance as the radius of the wafer W in the Y-axis direction, a first positioning check sensor 98A as a first checking means. And a second positioning check sensor 98B as second checking means is provided at a position on the lower main body 50 that is separated from the center of rotation of the center-up 54 by the same distance as the radius of the wafer W in the X-axis direction. It is arranged. The first positioning check sensor 98A is a sensor for detecting whether or not the wafer W is rotationally positioned at a first predetermined position where the flat OF is parallel to the X axis, and the second positioning check sensor 98B is This is a sensor for detecting whether or not the wafer W is rotationally positioned at a second predetermined position where the flat OF is parallel to the Y axis. These sensors 98A, 98
B is composed of a circular transmissive or reflective photoelectric sensor.
【0077】図8には、本第3実施例の制御系の概略構
成が示されている。この図において、制御手段としての
コントローラ78の入力端には、センターアップ54の
回転角度を検出するエンコーダ80、フラット検出セン
サ97、及びXテーブルの位置(XY座標位置)を検出
するステージ位置検出センサ(通常は光波干渉計で構成
される)92、及び第1、第2の位置決めチェックセン
サ98A、98B等が接続されている。一方、このコン
トローラ78の出力端には、センターアップ駆動機構8
4、アーム駆動機構88、及びXテーブル36、Yテー
ブル32を駆動するステージ駆動系94が接続されてい
る。FIG. 8 shows the schematic construction of the control system of the third embodiment. In this figure, an encoder 80 for detecting the rotation angle of the center-up 54, a flat detection sensor 97, and a stage position detection sensor for detecting the position of the X table (XY coordinate position) are provided at the input end of the controller 78 as the control means. 92 (generally composed of a light wave interferometer) and first and second positioning check sensors 98A, 98B are connected. On the other hand, at the output end of the controller 78, the center-up drive mechanism 8
4, an arm drive mechanism 88, and a stage drive system 94 that drives the X table 36 and the Y table 32 are connected.
【0078】次に、このようにして構成された本第3実
施例の装置の作用をコントローラ78の制御機能を中心
として説明する。Next, the operation of the thus constructed apparatus of the third embodiment will be described focusing on the control function of the controller 78.
【0079】コントローラ78では、アーム駆動機構
88を制御してウエハキャリア台14上に載置されたウ
エハキャリア12から、ウエハWを抜き出し、センター
アップ54上に移動する。次に、コントローラ78で
は、センターアップ84を上昇駆動してウエハWを下方
から保持させると共に、ウエハ搬送アーム22を退避さ
せる。なお、この場合において、回転機構が上下動機能
を持たない場合は、搬送アーム22が上下動するように
構成するか、搬送アーム22の移動面の高さ位置に回転
機構の先端面が一致するように設定されている必要があ
る。The controller 78 controls the arm drive mechanism 88 to take out the wafer W from the wafer carrier 12 placed on the wafer carrier table 14 and move it to the center-up 54. Next, the controller 78 drives the center-up 84 upward to hold the wafer W from below and retract the wafer transfer arm 22. In this case, if the rotation mechanism does not have the vertical movement function, the transport arm 22 is configured to move up or down, or the tip end surface of the rotation mechanism coincides with the height position of the moving surface of the transport arm 22. Must be set to
【0080】次に、コントローラ78では、センター
アップ駆動機構84を介してセンターアップ54を回転
駆動する。これにより、センターアップ54に保持され
た状態でウエハWが回転する。このウエハWの回転中、
コントローラ78では、フラット検出センサ97の出力
をモニタしており、受光量の変動をセンターアップの1
回転分検出することにより、フラットOFの位置とウエ
ハWの中心ずれ量(XY位置ずれ量)とを検出する。即
ち、本第3実施例では、フラット検出センサが中心ずれ
検出手段を兼ねている。Next, the controller 78 rotationally drives the center-up 54 through the center-up drive mechanism 84. As a result, the wafer W is rotated while being held by the center-up 54. While the wafer W is rotating,
The controller 78 monitors the output of the flat detection sensor 97 to center the fluctuation of the received light amount.
By detecting the rotation amount, the position of the flat OF and the center deviation amount (XY position deviation amount) of the wafer W are detected. That is, in the third embodiment, the flat detection sensor also serves as the center deviation detection means.
【0081】これと共に、コントローラ78では、予め
内部メモリに記憶されているウエハW上の被加工物の並
びがフラットOFに平行及び直交方向のいずれで多いか
の情報に基づいてフラットOFがX軸に平行又はY軸に
平行となる向きにウエハWが回転位置決めされるよう
に、フラットOFの検出位置から所定角度センターアッ
プ54を更に回転させて停止する。At the same time, in the controller 78, the flat OF is set on the X-axis based on the information which is preliminarily stored in the internal memory whether the workpieces on the wafer W are arranged in parallel or in a direction orthogonal to the flat OF. The center-up 54 is further rotated by a predetermined angle from the detection position of the flat OF so that the wafer W is rotationally positioned in a direction parallel to the Y axis or parallel to the Y-axis and stopped.
【0082】なお、ウエハWの中心ずれ検出を先に行な
い、その後にフラット位置の検出を行なってもよい。The center deviation of the wafer W may be detected first, and then the flat position may be detected.
【0083】これにより、フラットOFに平行な方向
の被加工物の並びが多いウエハWは、図9(A)に示さ
れる第1の所定位置に回転位置決めされ、フラットOF
に直交する方向の被加工物の並びが多いウエハWは、図
9(B)に示される第2の所定位置に回転位置決めされ
る。ここで、本第3実施例では、コントローラ78は、
位置決めチェックセンサ98Aあるいは98Bの出力に
基づいて、フラットOFが正しい方向を向いているかを
チェックする。そして、フラットOFが正しい方向を向
いていれば、次の処理へ移行するが、正しい方向を向い
ていない場合は、再度フラット検出→回転位置決め→位
置決めチェックを行なう。As a result, the wafer W having a large number of workpieces arranged in the direction parallel to the flat OF is rotationally positioned at the first predetermined position shown in FIG.
The wafer W having a large number of workpieces arranged in a direction orthogonal to is rotationally positioned at the second predetermined position shown in FIG. 9 (B). Here, in the third embodiment, the controller 78 is
Based on the output of the positioning check sensor 98A or 98B, it is checked whether the flat OF faces the correct direction. Then, if the flat OF is oriented in the correct direction, the process proceeds to the next process. If it is not oriented in the correct direction, flat detection → rotational positioning → positioning check is performed again.
【0084】このようにしてフラットOFが正しい方
向を向くようにウエハWが位置決めされた後、コントロ
ーラ78では、センターアップ54を上昇駆動して停止
し、その位置で待機させてアーム駆動機構88を制御し
てウエハ搬送アーム22をウエハWの下方に移動させ
る。次に、コントローラ78ではセンターアップ54を
下降させる。これによりウエハWが位置決めされた状態
(プリアライメントされた状態)で搬送アーム22に移
載される。次に、コントローラ78では、アーム駆動機
構88を制御してウエハWの回転方向の向きを保持した
状態でXテーブル36上のウエハホルダ40上に移載す
る。この際に、コントローラ78ではアーム駆動機構8
8を制御して中心ずれを補正する。なお、ステージ駆動
系94を介してXテーブル36、Yテーブル32を微動
させて中心ずれ補正をしてもよい。After the wafer W is thus positioned so that the flat OF faces the right direction, the controller 78 raises and stops the center-up 54 and stops it, and waits at that position to move the arm drive mechanism 88. The wafer transfer arm 22 is controlled to move below the wafer W. Next, the controller 78 lowers the center up 54. As a result, the wafer W is transferred to the transfer arm 22 while being positioned (pre-aligned). Next, the controller 78 controls the arm driving mechanism 88 to transfer the wafer W onto the wafer holder 40 on the X table 36 while maintaining the rotational direction of the wafer W. At this time, the controller 78 causes the arm drive mechanism 8
8 is controlled to correct the center deviation. The X table 36 and the Y table 32 may be finely moved via the stage drive system 94 to correct the center deviation.
【0085】この後、ウエハホルダ40によりウエハ
Wが吸着され、前述した従来例と同様にしてウエハWの
処理、ウエハW上の被加工物の加工が行なわれる。After that, the wafer W is sucked by the wafer holder 40, and the wafer W and the workpiece on the wafer W are processed in the same manner as the conventional example described above.
【0086】以上説明した本第3実施例によっても第1
実施例と同等の効果を得られる他、フラット検出センサ
97によりウエハWの中心ずれを検出することができ、
ウエハWをプリアライメント後にXテーブル36へ移際
する際に中心ずれの補正が可能となることから、ウエハ
Wの中心出し機構及び位置決めハンマ等の位置決め機構
が不要となり、その分プリアライメント装置の構成を簡
略化できるという効果もある。Also according to the third embodiment described above, the first
In addition to obtaining the same effect as the embodiment, the center deviation of the wafer W can be detected by the flat detection sensor 97,
Since the center deviation can be corrected when the wafer W is transferred to the X table 36 after pre-alignment, a centering mechanism for the wafer W and a positioning mechanism such as a positioning hammer are unnecessary, and the structure of the pre-alignment apparatus is correspondingly provided. There is also an effect that can be simplified.
【0087】なお、上記第3実施例では、フラット検出
センサ97が中心ずれ検出手段を兼ねる場合を例示した
が、フラット検出センサ97とは別に中心ずれ検出手段
を設けても良い。In the third embodiment described above, the flat detection sensor 97 also serves as the center deviation detecting means, but the center deviation detecting means may be provided separately from the flat detection sensor 97.
【0088】なお、上記第1ないし第3実施例では、ウ
エハWの回転中にフラット位置を検出する単一のフラッ
ト検出センサと、このフラット検出センサの出力をモニ
タするコントローラとにより、フラットとX軸又はY軸
方向との回転方向の位置関係を検出する検出手段が構成
される場合を例示したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、基板(ウエハ)の停止中に切欠き(フラッ
ト)に光ビームを照射してその切欠きの2箇所以上でそ
のエッジ位置を検出する光電センサを設け、この光電セ
ンサの出力に基づいて基板の回転量を演算する手段を設
ければ、これらによって上記検出手段を構成しても良
い。In the first to third embodiments, a single flat detection sensor for detecting the flat position during the rotation of the wafer W and a controller for monitoring the output of the flat detection sensor are used to determine the flatness and the X-direction. The case where the detection means for detecting the positional relationship in the rotational direction with respect to the axis or the Y-axis direction is exemplified, but the present invention is not limited to this, and the notch ( If a photoelectric sensor for irradiating a flat beam with a light beam and detecting the edge position at two or more positions of the notch is provided, and means for calculating the rotation amount of the substrate based on the output of this photoelectric sensor is provided, these The detecting means may be configured by
【0089】また、上記第1ないし第3実施例では、基
板としてフラットと平行又は直交する方向に沿って被加
工物が配列されたウエハを使用する場合を例示したが、
本発明はこのような基板の位置決めにのみ適用されるも
のではなく、要は被加工物が所定の直交座標系に沿って
配列されている基板であれば良い。その理由は、その直
交座標系と切欠きとの回転方向の位置関係は予め知るこ
とができ、これに基づいてレーザ光に対するステージの
相対走査方向に所定の直交座標系の各軸をほぼ一致させ
ることができるからである。In the above first to third embodiments, the case where the wafer in which the objects to be processed are arranged along the direction parallel or orthogonal to the flat is used as the substrate.
The present invention is not applied only to such positioning of the substrate, and in short, any substrate can be used as long as the workpiece is arranged along a predetermined orthogonal coordinate system. The reason is that the positional relationship between the rectangular coordinate system and the notch in the rotational direction can be known in advance, and based on this, the axes of the predetermined rectangular coordinate system are made to substantially coincide with the relative scanning direction of the stage with respect to the laser light. Because you can.
【0090】なお、上記第1ないし第3実施例では、ウ
エハWとしてフラットOFが設けられたものを位置決め
する場合を例示したが、ノッチ(V字状の切欠き)がつ
いたタイプのウエハにも本発明は同様に適用できるもの
である。In the first to third embodiments described above, the wafer W provided with the flat OF has been described as an example. However, a wafer having a notch (V-shaped notch) is used. The present invention can be similarly applied.
【0091】また、上記第1ないし第3実施例では、ス
テージとしてのXテーブル36の移動によりレーザ光が
Xテーブル36上のウエハWを相対走査する場合を例示
したが、ステージは固定であって対物レンズを含むレー
ザ光の照射光学系の方が2次元移動するような構成であ
っても良い。あるいは、ステージ及びレーザ光の照射光
学系の双方が2次元移動する構成であってもよい。Further, in the above-mentioned first to third embodiments, the case where the laser light relatively scans the wafer W on the X table 36 by the movement of the X table 36 as the stage has been exemplified, but the stage is fixed. The laser light irradiation optical system including the objective lens may be two-dimensionally moved. Alternatively, both the stage and the laser light irradiation optical system may be two-dimensionally moved.
【0092】また、上記第1ないし第3実施例では、ス
テージとしてのXテーブルとは別にプリアライメント装
置を設ける場合を例示したが、本発明に係る位置決め装
置をステージ上に設けても良い。この場合には、基板の
回転方向のみでなく中心位置決めも可能な点で中心位置
ずれ検出手段を備える位置決め装置を設けることが望ま
しい。Further, in the above-mentioned first to third embodiments, the case where the pre-alignment device is provided separately from the X table as the stage is illustrated, but the positioning device according to the present invention may be provided on the stage. In this case, it is desirable to provide a positioning device having a center position deviation detecting means in that not only the rotation direction of the substrate but also the center positioning is possible.
【0093】さらには、上記第1ないし第3実施例で
は、基板として半導体ウエハWを例示したが、本発明の
適用範囲はこれに限定されるものではなく、例えば液晶
基板、配線基板等の位置決めにも同様に適用ないし応用
できる。Further, although the semiconductor wafer W is illustrated as the substrate in the first to third embodiments, the scope of application of the present invention is not limited to this, and for example, positioning of a liquid crystal substrate, a wiring substrate, etc. The same can be applied or applied to.
【0094】同様に、上記実施例では、レーザリペア装
置に本発明を適用する場合を例示したが、本発明の適用
範囲はこれに限定されるものではなく、本発明は、ステ
ッパー等の半導体素子製造装置や、液晶基板製造装置、
検査装置等に広く適用できるものである。Similarly, in the above-mentioned embodiments, the case where the present invention is applied to the laser repair apparatus is illustrated, but the scope of application of the present invention is not limited to this, and the present invention is applicable to semiconductor elements such as steppers. Manufacturing equipment, liquid crystal substrate manufacturing equipment,
It is widely applicable to inspection devices and the like.
【0095】[0095]
【発明の効果】以上説明したように本発明の基板の位置
決め方法及び装置によれば、基板上に所定の直交座標系
の2つの軸の内いずれの軸方向に被加工物が多く並んで
いてもその基板を常に高効率で処理させることができる
という従来にない優れた効果がある。As described above, according to the substrate positioning method and apparatus of the present invention, a large number of workpieces are arranged on the substrate in either of the two axes of the predetermined orthogonal coordinate system. In addition, there is an unprecedented excellent effect that the substrate can always be processed with high efficiency.
【0096】特に、レーザ光に対するステージの相対走
査速度が第1の方向と第2の方向とでその差が大きいほ
ど基板をより高効率で処理させることができる。In particular, the greater the difference between the relative scanning speed of the stage with respect to the laser light in the first direction and the second direction, the more efficiently the substrate can be processed.
【図1】第1実施例に係るレーザリペア装置の構成を示
す概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of a laser repair device according to a first embodiment.
【図2】図1のアライメント装置の概略構成を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the alignment apparatus of FIG.
【図3】図1の装置の制御系の概略構成を示すブロック
図である。3 is a block diagram showing a schematic configuration of a control system of the apparatus of FIG.
【図4】第1実施例の作用を説明するための図であっ
て、2種類のウエハの処理の流れを示す図である。FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the first embodiment and is a diagram showing a flow of processing two types of wafers.
【図5】第2実施例に係るアライメント装置の構成を示
す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of an alignment apparatus according to a second embodiment.
【図6】図5の装置の動作説明図である。FIG. 6 is an operation explanatory diagram of the apparatus of FIG.
【図7】第3実施例に係るアライメント装置の構成を示
す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of an alignment apparatus according to a third embodiment.
【図8】第3実施例の装置の制御系の概略構成を示すブ
ロック図である。FIG. 8 is a block diagram showing a schematic configuration of a control system of the device of the third embodiment.
【図9】第3実施例の装置の作用を説明するための図で
ある。FIG. 9 is a view for explaining the operation of the device of the third embodiment.
【図10】従来のレーザリペア装置等におけるウエハの
プリアライメント装置の動作の流れを示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a flow of operations of a wafer pre-alignment apparatus in a conventional laser repair apparatus or the like.
【図11】ウエハ内部の被加工物について説明するため
の図であって、(A)はウエハW内のICチップの配列
を示す図、(B)はICチップ内の被加工物の並びを示
す図である。11A and 11B are views for explaining a work piece inside a wafer, FIG. 11A is a view showing an arrangement of IC chips in a wafer W, and FIG. 11B is a view showing arrangements of work pieces in the IC chip. FIG.
【図12】図11(B)の楕円部Dの部分を拡大して示
す図である。FIG. 12 is an enlarged view showing a portion of an elliptical portion D of FIG. 11 (B).
【図13】ICチップ内の被加工物の加工(処理)の流
れを示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a flow of processing (processing) of a workpiece in an IC chip.
【図14】発明が解決しようとする課題を説明するため
の図であって、従来装置における2種類のウエハの処理
の流れを示す図である。FIG. 14 is a diagram for explaining a problem to be solved by the present invention and is a diagram showing a flow of processing two types of wafers in a conventional apparatus.
10 レーザリペア装置 18 位置決め装置(プリアライメント装置) 36 Xテーブル(ステージ) 54 センターアップ(回転機構) 56 フラット検出センサ(検出手段の一部) 66A、66C、68B 位置決めピン(第1の位置
決め手段の一部) 66B、68A、68C 位置決めピン(第2の位置
決め手段の一部) 72 位置決めハンマ(第1及び第2の位置決め手段
の一部) 78 コントローラ(制御手段、検出手段の一部) 97 フラット検出センサ(検出手段の一部、中心ず
れ検出手段) 98A 第1の位置決めチェックセンサ(第1のチェ
ック手段) 98B 第2の位置決めチェックセンサ(第2のチェ
ック手段) W ウエハ(基板) OF オリエンテーションフラット(切欠き)10 Laser Repair Device 18 Positioning Device (Pre-Alignment Device) 36 X Table (Stage) 54 Center Up (Rotating Mechanism) 56 Flat Detection Sensor (Part of Detection Means) 66A, 66C, 68B Positioning Pins (of First Positioning Means) Part) 66B, 68A, 68C Positioning pin (part of second positioning means) 72 Positioning hammer (part of first and second positioning means) 78 Controller (part of control means, detection means) 97 Flat Detection sensor (part of detection means, center deviation detection means) 98A First positioning check sensor (first check means) 98B Second positioning check sensor (second check means) W Wafer (substrate) OF Orientation flat (Notch)
Claims (7)
1方向及び第2方向に相異なる走査速度で相対走査しつ
つ、前記ステージ上に載置される基板上に所定の直交座
標系にほぼ沿って配列された被加工物を加工する装置に
用いられ、前記レーザ光を前記被加工物に照射するのに
先立って前記基板の回転方向の位置決めを行なう基板の
位置決め方法であって、 前記基板の外周の一部に設けられた切欠きに光ビームを
照射してその一部を光電検出することにより、前記切欠
きと前記第1、又は第2方向との回転方向の位置関係を
検出する第1工程と;前記直交座標系の2つの軸の内加
工すべき被加工物の数が多い軸を、前記第1、及び第2
方向の内前記走査速度が速い方向とほぼ平行にするよう
に、前記検出された位置関係に基づいて前記基板を回転
させる第2工程とを含む基板の位置決め方法。1. A laser beam is relatively scanned in a first direction and a second direction which are orthogonal to each other with respect to a laser beam at different scanning speeds, and a substantially orthogonal coordinate system is formed on a substrate mounted on the stage. A method for positioning a substrate, which is used in a device for processing a workpiece arranged along a line, and performs positioning in the rotational direction of the substrate before irradiating the workpiece with the laser light, The positional relationship in the rotation direction between the notch and the first or second direction is detected by irradiating the notch provided on a part of the outer periphery of the with a light beam and photoelectrically detecting the part. A first step; an axis having a large number of workpieces to be machined out of the two axes of the Cartesian coordinate system is referred to as the first and second axes.
A second step of rotating the substrate based on the detected positional relationship so that the scanning speed is substantially parallel to the fast scanning direction.
1方向及び第2方向に相異なる走査速度で相対走査しつ
つ、前記ステージ上に載置される基板上に所定の直交座
標系にほぼ沿って配列された被加工物を加工する装置に
用いられ、前記レーザ光を前記被加工物に照射するのに
先立って前記基板の回転方向の位置決めを行なう基板の
位置決め方法であって、 前記基板の外周の一部に設けられた切欠きに光ビームを
照射してその一部を光電検出することにより、前記切欠
きと前記第1、又は第2方向との回転方向の位置関係を
検出する第1工程と;前記切欠きが前記直交座標系の各
軸方向に並ぶ加工すべき被加工物の数に応じて選択され
る第1の所定位置又は第2の所定位置に位置決めされる
ように、前記検出された位置関係に基づいて前記基板を
回転させる第2工程とを含む基板の位置決め方法。2. The laser beam is relatively scanned in a first direction and a second direction which are orthogonal to each other at different scanning speeds, and is substantially in a predetermined orthogonal coordinate system on a substrate mounted on the stage. A method for positioning a substrate, which is used in a device for processing a workpiece arranged along a line, and performs positioning in the rotational direction of the substrate before irradiating the workpiece with the laser light, The positional relationship in the rotation direction between the notch and the first or second direction is detected by irradiating the notch provided on a part of the outer periphery of the with a light beam and photoelectrically detecting the part. A first step; wherein the notch is positioned at a first predetermined position or a second predetermined position selected according to the number of workpieces to be machined arranged in each axial direction of the orthogonal coordinate system, Based on the detected positional relationship Method for positioning a substrate and a second step of rotating the plate.
加工すべき被加工物の数が多い軸を、前記第1、及び第
2方向の内前記走査速度が速い方向とほぼ平行にするよ
うに回転されることを特徴とする請求項2記載の基板の
位置決め方法。3. The substrate is such that an axis having a large number of workpieces to be machined out of the two axes of the Cartesian coordinate system is substantially parallel to the direction in which the scanning speed is fast in the first and second directions. The substrate positioning method according to claim 2, wherein the substrate is rotated as described above.
1方向及び第2方向に相異なる走査速度で相対走査しつ
つ、前記ステージ上に載置される基板上に所定の直交座
標系にほぼ沿って配列された被加工物を加工する装置に
用いられ、前記レーザ光を前記被加工物に照射するのに
先立って前記基板の回転方向の位置決めを行なう基板の
位置決め装置であって、 前記基板の外周の一部に設けられた切欠きに光ビームを
照射してその一部を光電検出することにより、前記切欠
きと前記第1、又は第2方向との回転方向の位置関係を
検出する検出手段と;前記基板を保持して前記第1、及
び第2方向と平行な面内で回転させる回転機構と;前記
切欠きが前記直交座標系の各軸方向に並ぶ加工すべき被
加工物の数に応じて選択される第1の所定位置又は第2
の所定位置に位置決めされるように、前記検出された位
置関係に基づいて前記回転機構を制御する制御手段とを
有する基板の位置決め装置。4. The laser beam is relatively scanned in a first direction and a second direction orthogonal to each other with respect to the laser beam at different scanning speeds, and a substantially orthogonal coordinate system is formed on a substrate mounted on the stage. A substrate positioning device, which is used in a device for processing a workpiece arranged along a line, for positioning the substrate in a rotational direction prior to irradiating the workpiece with the laser beam, the substrate comprising: The positional relationship in the rotation direction between the notch and the first or second direction is detected by irradiating the notch provided on a part of the outer periphery of the with a light beam and photoelectrically detecting the part. A detecting means; a rotating mechanism for holding the substrate and rotating the substrate in a plane parallel to the first and second directions; Depending on the first predetermined position or The second
A positioning device for controlling the rotating mechanism based on the detected positional relationship so that the substrate is positioned at a predetermined position.
された前記基板をそのままの回転角度で第1位置に位置
決めする第1の位置決め手段と、 前記切欠きが第2の所定位置に位置決めされた前記基板
をそのままの回転角度で第2位置に位置決めする第2の
位置決め手段と、 を更に有する請求項4記載の基板の位置決め装置。5. A first positioning means for positioning the substrate, the notch being positioned at a first predetermined position, at the first position at the same rotation angle, and the notch being positioned at a second predetermined position. The substrate positioning apparatus according to claim 4, further comprising: second positioning means for positioning the formed substrate at a second position at the same rotation angle.
触で前記基板の中心位置ずれ量を検出する中心ずれ検出
手段を更に有する請求項4記載の基板の位置決め装置。6. The substrate positioning apparatus according to claim 4, further comprising center deviation detecting means for detecting a center deviation amount of the substrate in a non-contact manner while the substrate is being rotated by the rotating mechanism.
されたか否かを検出する第1のチェック手段と、前記切
欠きが第2の所定位置に位置決めされたか否かを検出す
る第2のチェック手段と、を更に有する請求項4又は6
記載の基板の位置決め装置。7. A first check means for detecting whether or not the notch is positioned at a first predetermined position, and a second check means for detecting whether or not the notch is positioned at a second predetermined position. The check means according to claim 4 or 6 is further included.
The substrate positioning device described.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7049139A JPH08215876A (en) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | Method and device for positioning substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7049139A JPH08215876A (en) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | Method and device for positioning substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08215876A true JPH08215876A (en) | 1996-08-27 |
Family
ID=12822752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7049139A Pending JPH08215876A (en) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | Method and device for positioning substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08215876A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1157775A2 (en) * | 2000-05-25 | 2001-11-28 | Unova IP Corp. | Laser welding apparatus |
US7053393B2 (en) | 2002-06-04 | 2006-05-30 | Olympus Corporation | Alignment apparatus for object on stage |
CN106610264A (en) * | 2015-10-22 | 2017-05-03 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | Method for calibrating coordinate system of pre-alignment machine |
-
1995
- 1995-02-14 JP JP7049139A patent/JPH08215876A/en active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1157775A2 (en) * | 2000-05-25 | 2001-11-28 | Unova IP Corp. | Laser welding apparatus |
EP1157775A3 (en) * | 2000-05-25 | 2003-12-17 | Unova IP Corp. | Laser welding apparatus |
US7053393B2 (en) | 2002-06-04 | 2006-05-30 | Olympus Corporation | Alignment apparatus for object on stage |
CN106610264A (en) * | 2015-10-22 | 2017-05-03 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | Method for calibrating coordinate system of pre-alignment machine |
CN106610264B (en) * | 2015-10-22 | 2019-04-30 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | The scaling method of prealignment machine coordinate system |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH1089904A (en) | V-notch wafer positioning device | |
US5105147A (en) | Wafer inspection system | |
JP4545412B2 (en) | Board inspection equipment | |
KR20180105079A (en) | Laser machining apparatus | |
JP7254416B2 (en) | Workpiece cutting method | |
JPH02104487A (en) | Laser beam machine | |
JPH07288276A (en) | Apparatus for positioning wafer | |
TWI822986B (en) | Laser processing device and method, wafer transfer device and method | |
US9149886B2 (en) | Modified layer forming method | |
JP2001330413A (en) | Thickness measuring method and apparatus | |
JPH08215876A (en) | Method and device for positioning substrate | |
JPH05160245A (en) | Circular board positioning apparatus | |
JP7152290B2 (en) | Edge trimming method for bonded wafer | |
KR102608233B1 (en) | Wafer prcessing apparatus and system | |
JP7467003B2 (en) | Method for processing workpiece | |
KR102543395B1 (en) | Wafer prcessing method | |
JP7324920B2 (en) | EDGE TRIMMING METHOD AND EDGE TRIMMING APPARATUS FOR BONDED WAFER | |
KR102358688B1 (en) | Wafer prcessing method | |
JP2004096078A (en) | Alignment device | |
KR20230144473A (en) | Laser processing method | |
KR20230165183A (en) | Wafer prcessing apparatus and system | |
KR20220133098A (en) | Laser processing apparatus | |
JPH01295421A (en) | Peripheral exposure apparatus | |
JP2503492B2 (en) | Laser processing equipment | |
KR101656130B1 (en) | Method for determining the position of a rotation axis |