KR20000008264U - 반도체 증착장비용 로드락챔버의 이물질 증착방지장치 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 증착장비용 로드락챔버의 이물질 증착방지장치에 관한 것으로, 로드락챔버 몸체와, 이 로드락챔버 몸체의 일측면에 웨이퍼가 유입되도록 설치되는 도어와, 상기 로드락챔버 몸체의 상면에 설치되는 윈도우와, 상기 로드락챔버 몸체의 내부에 설치되어 반입된 웨이퍼를 다음 단계로 이송하기 위한 반송로봇과, 상기 로드락챔버 몸체의 저면에 일정 간격을 두고 각각 연결 설치되어 로드락챔버 몸체의 내부를 진공분위기로 형성하기 위한 진공라인 및 대기압으로 변화시키기 위한 벤팅라인을 포함하여 구성된 반도체 증착장비용 로드락챔버에 있어서; 상기 윈도우의 상면에 반응챔버로부터 유입된 반응부산물이 로드락챔버에 증착되는 것을 방지하기 위해 로드락챔버의 내부 온도가 상기 반응챔버의 온도와 동일하게 유지되도록 열을 공급해 주는 가열수단을 구비함으로써, 증착공정을 진행하기 위한 웨이퍼를 반응챔버에 이송시키고자 로드락챔버의 도어를 열 때 로드락챔버의 온도를 반응챔버와 동일하도록 유지하여 반응챔버로부터 로드락챔버로 확산되는 반응부산물이 로드락챔버에 증착되는 것을 방지함으로써, 로드락챔버로 반송되는 웨이퍼에 이물질이 증착되는 것을 방지하게 된다.

Description

반도체 증착장비용 로드락챔버의 이물질 증착방지장치

본 고안은 반도체 웨이퍼 증착장비에 관한 것으로, 특히 증착공정을 진행하기 위한 웨이퍼를 반응챔버에 이송시키고자 로드락챔버의 도어를 열 때 반응챔버로부터 로드락챔버로 확산된 반응부산물이 반응챔버에 비해 상대적으로 낮은 온도의 로드락챔버에 증착되는 것을 방지하기 위한 반도체 증착장비용 로드락챔버의 이물질 증착방지장치에 관한 것이다.

일반적인 반도체 웨이퍼 증착장비는 도 1에 도시한 바와 같이, 수개의 웨이퍼가 담겨 있는 카세트가 안착되어 공정 진행을 위해 대기하는 웨이퍼 로딩부와, 이 웨이퍼 로딩부의 일측에 위치되어 웨이퍼 로딩부에 안착되어 있는 카세트로부터 웨이퍼를 인출하여 이송시키는 웨이퍼 반송부와, 이 웨이퍼 반송부의 일측에 설치되어 증착공정을 진행하기 위한 반응챔버(4)와, 상기 웨이퍼 반송부와 반응챔버 사이에 설치되어 웨이퍼 반송부로부터 전달받은 웨이퍼(W)를 반응챔버(4)로 공급하기 위한 제 1로드락챔버(3)와, 상기 반응챔버(4)의 일측에 설치되어 반응챔버(4)로부터 공정이 완료된 웨이퍼(W)를 이송받아 웨이퍼 언로딩부(6)로 이송시키기 위한 제 2로드락챔버(5)로 구성된다.

이와 같이 구성된 증착장비에 있어서, 상기 제 1로드락챔버(3)는 대기압 상태에서 웨이퍼 로딩부(1)로부터 웨이퍼(W)를 전달받는다.

웨이퍼(W)를 전달받은 상태에서 상기 제 1로드락챔버(3)는 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 반응챔버(4)와 동일한 진공상태를 유지하기 위해 그 하단부에 연결 설치된 진공라인(14)으로부터 진공을 공급받아 100mT 이하의 진공상태를 유지하며, 이와 같은 상태에서 도어(D)를 열어 웨이퍼(W)를 반응챔버(4)로 이송시킨다.

그후, 반응챔버(4)에서 증착공정이 완료되면 제 2로드락챔버(5) 역시 진공상태를 유지한 상태에서 도어(D)가 개방되어 반응챔버(4)로부터 제 2로드락챔버(5)로 웨이퍼(W)가 반송되며, 반송된 웨이퍼(W)는 진공 분위기가 제거된 대기압 상태의 제 2로드락챔버(5)로부터 웨이퍼 언로딩부(6)로 유입됨으로써 소정의 증착공정이 완료된다.

그러나, 상기와 같은 종래 기술은 로드락챔버(3)(5)와 반응챔버(4) 사이의 도어(D)를 열 때 반응챔버(4) 내부에 잔존하는 반응부산물들이 확산 운동에 의해 로드락챔버(3)(5)로 유입되는데, 이때 반응챔버(4)보다 상대적으로 낮은 온도의 로드락챔버(3)(5)에 반응부산물들이 증착됨으로써, 대기압과 진공상태를 반복하는 과정에서 로드락챔버(3)(5)로 반송되는 웨이퍼(W)에 반응부산물이 떨어져 이물화되는 문제점이 있었다.

또한, 로드락챔버(3)(5) 내부에 증착된 반응부산물들을 제거하기 위한 세정작업이 용이하지 않을뿐더러, 세정주기가 짧아져 많은 인력 낭비를 야기하는 문제점이 있었다.

본 고안은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 증착공정을 진행하기 위한 웨이퍼를 반응챔버에 이송시키고자 로드락챔버의 도어를 열 때 반응챔버로부터 로드락챔버로 확산된 반응부산물이 반응챔버에 비해 상대적으로 낮은 온도의 로드락챔버에 증착되는 것을 방지하기 위한 반도체 웨이퍼 증착장비의 이물질 증착방지장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 일반적인 반도체 웨이퍼 증착장비를 개략적으로 보인 평면도.

도 2는 종래 기술에 의한 로드락챔버를 보인 종단면도.

도 3은 본 고안에 의한 로드락챔버를 보인 종단면도.

** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **

11 ; 로드락챔버 몸체 12 ; 커버

13 ; 반송로봇 14 ; 진공라인

15 ; 벤팅라인 20 ; 가열수단

21 ; 램프 22 ; 램프 커버

23 ; 열전달부재 24 ; 온도계

D ; 도어

상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 로드락챔버 몸체와, 이 로드락챔버 몸체의 일측면에 웨이퍼가 유입되도록 설치되는 도어와, 상기 로드락챔버 몸체의 상면에 설치되는 윈도우와, 상기 로드락챔버 몸체의 내부에 설치되어 반입된 웨이퍼를 다음 단계로 이송하기 위한 반송로봇과, 상기 로드락챔버 몸체의 저면에 일정 간격을 두고 각각 연결 설치되어 로드락챔버 몸체의 내부를 진공분위기로 형성하기 위한 진공라인 및 대기압으로 변화시키기 위한 벤팅라인을 포함하여 구성된 반도체 증착장비용 로드락챔버에 있어서; 상기 커버의 상면에 반응챔버로부터 유입된 반응부산물이 로드락챔버에 증착되는 것을 방지하기 위해 로드락챔버의 내부 온도가 상기 반응챔버의 온도와 동일하게 유지되도록 열을 공급해 주는 가열수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 증착장비용 로드락챔버의 이물질 증착방지장치가 제공된다.

이하, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼 증착장비의 이물질 증착방지장치를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라 설명하면 다음과 같다.

본 고안에 의한 로드락챔버는 도 3에 도시한 바와 같이, 반응챔버로 웨이퍼를 반송하거나 또는 반응챔버로부터 웨이퍼 언로딩부로 웨이퍼를 반송하기 위한 로드락챔버 몸체(11)와, 이 로드락챔버 몸체(11)의 일측면에 웨이퍼가 유입되도록 설치되는 도어(D)와, 상기 로드락챔버 몸체(11)의 상면에 내부가 투시되도록 결합 설치되는 아크릴 윈도우(12)와, 상기 로드락챔버 몸체(11)의 내부에 설치되어 반입된 웨이퍼(W)를 다음 단계로 이송하기 위한 반송로봇(13)과, 상기 로드락챔버 몸체(11)의 저면에 일정 간격을 두고 각각 연결 설치되어 로드락챔버 몸체(11)의 내부를 진공분위기로 형성하기 위한 진공라인(14) 및 대기압으로 변화시키기 위한 벤팅라인(Venting Line)(15)과, 상기 윈도우(12)의 상면에 설치되어 반응챔버로부터 유입된 반응부산물이 로드락챔버 몸체(11) 내부에 증착되는 것을 방지하기 위해 상기 반응챔버와 동일한 온도를 유지해 주도록 하는 가열수단(20)을 구비한다.

상기 가열수단(20)은 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 윈도우(12)의 상면에 설치되어 일정 온도의 열을 발산해 주는 램프(21)와, 이 램프(21)의 주위를 감싸 램프(21)를 보호하는 램프 커버(22)와, 이 램프 커버(22)로부터 로드락챔버 몸체(11)의 내부까지 연장 설치되어 램프로부터 발산된 열을 로드락챔버 몸체의 내부로 전달해 주는 열전달부재(23)와, 이 열전달부재(23)의 일단부에 부착되어 로드락챔버 몸체(11) 내부의 온도를 감지하는 온도계(24)와, 상기 온도계의 온도를 인지하여 반응챔버와 로드락챔버의 온도를 비교하여 램프의 온/오프를 제어하는 램프 제어기(미도시)로 구성된다.

상기 열전달부재(23)는 열전도성이 우수한 알루미늄을 이용한다.

상기와 같이 구성된 본 고안에 의한 로드락챔버의 이물질 증착방지장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.

대기압 상태에서 웨이퍼 로딩부로부터 웨이퍼(W)를 전달받은 제 1로드락챔버는 반응챔버와 동일한 진공상태를 유지하기 위해 그 하단부에 연결 설치된 진공라인으로부터 진공을 공급받아 100mT 이하의 진공상태를 유지하며, 이와 같은 상태에서 도어를 열어 웨이퍼(W)를 반응챔버로 이송시킨다.

이때, 온도계(24)에서 감지된 로드락챔버 몸체(11) 내부의 온도가 설정치 이상, 즉 반응챔버와 비교된 온도보다 높으면 램프(21)는 오프(Off)되고, 설정치보다 낮으면 온(On)되면서 로드락챔버 몸체(11) 내부의 온도를 반응챔버와 동일하게 유지시킨다.

이와 같이 로드락챔버의 온도를 반응챔버와 동일한 수준으로 유지시킴으로 해서 로드락챔버의 도어를 열 때 반응챔버로부터 유입된 반응부산물들이 로드락챔버 내부에 증착되는 것을 방지하게 된다.

그후, 반응챔버에서 증착공정이 완료되면 제 2로드락챔버 역시 진공상태를 유지한 상태에서 도어가 개방되어 반응챔버로부터 제 2로드락챔버로 웨이퍼가 반송되며, 이때에도 상술한 작동을 반복하게 되며, 반송된 웨이퍼는 제 2로드락챔버의 진공 분위기가 제거된 대기압 상태를 형성한 후 웨이퍼 언로딩부로 유입됨으로써 소정의 증착공정이 완료된다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 이물질 증착방지장치는 증착공정을 진행하기 위한 웨이퍼를 반응챔버에 이송시키고자 로드락챔버의 도어를 열 때 로드락챔버의 온도를 반응챔버와 동일하도록 유지하여 반응챔버로부터 로드락챔버로 확산되는 반응부산물이 로드락챔버에 증착되는 것을 방지함으로써, 로드락챔버로 반송되는 웨이퍼에 이물질이 증착되는 것을 방지하게 된다.

Claims (3)

1. 로드락챔버 몸체와, 이 로드락챔버 몸체의 일측면에 웨이퍼가 유입되도록 설치되는 도어와, 상기 로드락챔버 몸체의 상면에 설치되는 윈도우와, 상기 로드락챔버 몸체의 내부에 설치되어 반입된 웨이퍼를 다음 단계로 이송하기 위한 반송로봇과, 상기 로드락챔버 몸체의 저면에 일정 간격을 두고 각각 연결 설치되어 로드락챔버 몸체의 내부를 진공분위기로 형성하기 위한 진공라인 및 대기압으로 변화시키기 위한 벤팅라인을 포함하여 구성된 반도체 증착장비용 로드락챔버에 있어서; 상기 반응챔버로부터 유입된 반응부산물이 로드락챔버에 증착되는 것을 방지하기 위해 로드락챔버의 내부 온도가 상기 반응챔버의 온도와 동일하게 유지되도록 상기 커버의 상면에 열을 공급해 주는 가열수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 증착장비용 로드락챔버의 이물질 증착방지장치.
2. 제 1항에 있어서, 상기 가열수단은 상기 윈도우의 상면에 설치되어 일정 온도의 열을 발산해 주는 램프와, 이 램프를 보호하기 위해 그 주위를 감싸는 램프 커버와, 이 램프 커버로부터 로드락챔버 몸체의 내부까지 연장 설치되어 램프로부터 발산된 열을 로드락챔버 몸체의 내부로 전달해 주는 열전달부재와, 이 열전달부재의 일단부에 부착되어 로드락챔버 몸체 내부의 온도를 감지하는 온도계와, 상기 온도계의 온도를 인지하여 반응챔버와 로드락챔버의 온도를 비교하여 램프의 온/오프를 제어하는 램프 제어기로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 증착장비용 로드락챔버의 이물질 증착방지장치.
3. 제 2항에 있어서, 상기 열전달부재는 알루미늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 증착장비용 로드락챔버의 이물질 증착방지장치.