KR20000003032A - 반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착용 유기금속 소스 기화장치 - Google Patents

반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착용 유기금속 소스 기화장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착 공정시 반응챔버 내부로 공급되는 유기금속 소스가 소스 공급장치의 열적요동 및 압력요동에 의해 기화장치 내부에 쌓이는 고착현상을 효과적으로 방지함과 더불어 소스가 정량적으로 공급될 수 있도록 한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 리저버(13)에 채워진 유기금속 소스 공급라인 상에서 증발시켜 반응챔버(2) 내에 로딩된 웨이퍼 상면에 박막을 증착시키는 MOCVD 장비에 있어서; 소스 유동경로가 직각방향으로 바뀌는 관로 변경부(3)가 구비되는 소스 공급라인(1)과, 상기 소스 공급라인(1) 상의 소스 유동경로가 바뀐 관로 입구측에 설치되어 상기 유동경로가 바뀐 관로의 길이방향을 따라 전·후진하여 상기 소스 유동경로가 바뀐 관로 입구의 개폐량을 직접적으로 제어하는 원추형 밸브(4)와, 상기 원추형 밸브(4) 후단에 결합되어 전압의 인가 여부에 따라 선택적으로 신장 또는 수축하여 원추형 밸브(4)를 전·후진 시키는 압전소자(5)와, 상기 압전소자(5)에 연결되어 상기 압전소자(5)에 펄스전압을 공급하는 펄스전압 공급기(6)가 구비됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착용 유기금속 소스 기화장치가 제공된다.

Description

반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착용 유기금속 소스 기화장치
본 발명은 반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착용 유기금속 소스(metal-organic source) 기화장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 강유전체 박막을 증착하기 위한 화학 기상 증착시의 기화장치의 막힘 현상(clogging effect)을 방지하는 한편, 챔버 내로 공급되는 유기금속의 공급량을 일정하게 제어할 수 있도록 한 소스 기화장치 구조 개선에 관한 것이다.
일반적으로, 화학 기상 증착(CVD ; Chemical Vapor Deposition) 공정이란 반도체소자 제조 공정시, 반응챔버 내의 압력 및 온도를 일정한 조건으로 유지시킨 상태에서 특정의 반응가스를 반응챔버 내로 계속 투입하므로써 고체상의 물질을 웨이퍼 표면에 증착시키는 공정을 말한다.
한편, 1G 바이트 이상의 디램에는 강유전체 재료〔예: PZT(Pb(Zr,Ti)O3), BST((Ba,Sr)TiO3)〕를 이용한 커패시터가 사용되어야 하고, 이를 위해서는 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition : 이하,‘MOCVD’라고 한다) 방법을 이용하여 성막(成膜)을 해야 한다.
한편, 종래의 기술에서는 Ba-, Sr-, Ti- 등의 유기금속(organometallic)을 함유한 소스를 반응챔버(reaction chamber)로 이송시키기 위하여 몇가지 공통된 착상(着想)을 이용하고 있으며, 다만 여러 가지 변형된 형태의 증발기(vaporizer)를 통해 위의 유기금속을 함유한 소스들을 증발시킨다고 할 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하여 종래의 MOCVD 장비 및 이에 부속되는 증발기(15)의 형태 및 특징들을 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 강유전체 박막 증착을 위한 MOCVD 장비의 기본적인 구성을 나타낸 것으로서, 각 유기금속 소스는 제각기 리저버(13)(reservoir)에 분리된 상태로 담겨져 있다가 믹싱 매니폴드(14)(mixing manifold)를 거치면서 적당한 비율로 혼합된 다음, 펌프(16)의 펌핑작용에 의해 증발기(15) 내로 유입된다.
이 때, 상기한 바와 같인 리저버(13)들을 분리하지 않고 미리 하나의 리저버에 혼합된 소스를 넣어두고, 혼합된 소스가 펌프(16)를 거쳐 증발기(15)로 바로 들어가도록 하여 믹싱 매니폴드(14)를 배제하여도 무방하다.
한편, 상기 펌프(16)는 소스의 공급을 맡는 한편 공급되는 소스가 일정한 양을 유지하도록 하는 기능도 맡고 있으며, 펌프(16)의 펌핑작용에 의해 증발기(15)로 공급된 소스는 일정한 온도 및 압력 조건하에서 증발되어 산소 공급라인(22)을 통해 유입되는 산소와 함께 노즐(17)을 통해 반응챔버(2) 내로 공급된다.
한편, 도 2a는 도 1의 증발기(15a)의 일예를 나타낸 종단면도로서, 증발부재(9)인 스크린(18)〔예:메시(mesh) 또는 다공성 물질(foraminous material)〕을 통과하면서 휘발된 소스를 캐리어가스(Ar 또는 N2)가 반응챔버(2)로 나르는 방식이다.
이 방식은 증발부재(9)의 위치에 따라 변형이 가능하며, 이에 대해서는 미국 특허 제5,204,314호에 상세히 기재되어 있다.
이러한 방식을 갖춘 증발기(15a)의 장점은 전체적으로 소스의 흐름이 막혀 있지 않기 때문에 소스의 공급이 원할하고, 소스중에 들어 있는 용매가 급격히 휘발하여 유기금속의 유기물(ligand)이 끊어지게 되므로써 발생하는 막힘현상(clogging effect)이 일어날 확률이 적다는데 있다.
그러나, 현재까지 개발된 Ba-, Sr- 등의 소스는 약 200℃ 이상의 고온에서만 휘발되므로 이러한 고온을 유지하다보면 Ba, Sr의 유기금속이 먼저 분해되는 현상이 발생되기도 하며, 이에 따라 증발기의 열적 요동(thermal fluctuation)을 제어하는 기술이 매우 중요하게 된다.
한편, 실제로 반도체소자 생산용 MOCVD 설비에 적용되고 있는 증발기(15a)는 증발부재(9)를 자주 교환해 주어야 하는 등 증발기의 유지보수(maintenance)가 매우 번거럽다.
도 2b는 도 1의 증발기(15b)의 다른 예를 나타낸 종단면도로서, 증발부재(9)로서 얇은 디스크(19)를 채용하고, 여러장의 디스크(19)를 겹쳐서 이를 소스가 나오는 파이프(20)에 꽂아놓고 파이프(20)를 빠져나온 유기금속 소스가 디스크(19) 사이를 통과하면서 휘발되도록 한 것이다.
상기 파이프(20) 및 디스크(19) 사이를 통과하면서 휘발된 유기금속 소스는 증발기(15b) 내부를 통과하는 캐리어 가스의 운반작용에 의해 반응챔버(2)로 들어가게 된다.
한편, 이 방식은 상온에서나 단일 용액의 기화에는 적용가능하나, Ba, Sr과 같은 유기금속 소스의 기화에는 적용시키기가 어렵다.
즉, 디스크(19)가 촘촘히 설치되고 상기 디스크(19)들 간의 간격이 좁아서 유기금속 소스의 흐름이 원할하게 이루어지지지 않게 된다.
따라서, 소스가 디스크(19)와 파이프(20)에 고여있기 쉽고 이는 증발기(15b)의 열적 요동에 의하여 막힘현상으로 이어지게 된다.
즉, 액상의 유기금속 소스가 분리온도 이상으로 올라가 내려가 고상의 덩어리를 형성하여 디스크(19)를 비롯한 기화장치 내부에 고착되는 막힘(clogging) 현상이 일어나게 되며, 일단 막힘현상이 일어나면 소스의 전체적인 흐름이 중단되고 반응챔버(2)에서는 증착이 수행되지 않는 문제점이 있었다.
한편, 상기한 각 방식의 증발기에서 발생하는 막힘현상은 증발기 자체외에 펌프(16)가 그 원인을 제공하기도 한다.
보통의 유기금속을 이용한 화학증착법에서는 공급되는 양의 미세조정이 용이한 액체 MFC(Mass Flow Controller: 이하,‘MFC’라고 한다)가 사용되기도 하지만, 강유전체 박막의 경우는 소스가 매우 대량이기 때문에 MFC를 이용하여 강유전체 박막 증착을 위한 소스 공급방식은 아직은 실험적으로만 연구되고 있는 단계이고, 실제 생산현장에서는 펌프 방식이 사용된다.
이 펌프(16) 방식에서는 도 3에 나타낸 바와 같이 소스 공급라인(1)상에 설치되어 유압 또는 공압으로 작동하는 전·후방 피스톤(21a)(21b)이 번갈아 가면서 개폐되므로써 일정량의 소스를 펄스(pulse) 형식으로 모아서 증발기 측으로 공급하게 되므로 항상 원하는 양을 일정하게 반응챔버로 공급할 수 있게 된다.
즉, 증발기 측의 후방 피스톤(21b)이 상승하여 관로를 막은 상태에서 믹싱 매니폴드(14) 측의 전방 피스톤(21a)이 열려 전·후방 피스톤(21b) 사이의 라인 상으로 소스가 유입된 다음, 상기 믹싱 매니폴드(14) 측의 전방 피스톤(21a)이 닫히고 증발기(15) 측의 후방 피스톤(21b)이 열리는 과정이 반복됨에 따라 일정량의 소스가 지속적으로 저압측인 증발기(15)쪽으로 유입된다.
한편, 소스의 증발은 온도외에 압력에 대해서도 민감하게 반응하게 되며, 압력의 요동에 의해서도 소스의 막힘 현상이 발생하게 되는데, 도 3에 나타낸 바와 같이 펄스(pulse) 형식으로 구동되는 펌프(16)에서는 증발기(15)와 펌프(16) 사이에서 압력이 요동하는 현상이 불가피하다.
따라서, 열적요동 뿐만 아니라 압력의 요동에 의해서도 유기금속 소스의 솔벤트 성분이 휘발되어 소스가 고착되는 막힘 현상이 일어나게 되므로, 이러한 열적요동 및 압력의 요동이 없는 증발기 및 펌프를 구비한 MOCVD 장비의 필요성이 대두되고 있다.
본 발명은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착 공정시 반응챔버 내부로 공급되는 유기금속 소스가 소스 공급장치의 열적요동 및 압력요동에 의해 기화장치 내부에 쌓이는 고착현상을 효과적으로 방지함과 더불어 소스가 정량적으로 공급될 수 있도록 한 화학 기상 증착용 유기금속 소스 기화장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 일반적인 MOCVD 장비 구성을 나타낸 개략도
도 2a 및 도 2b는 도 1의 MOCVD 장비에 적용되는 종래의 증발기 예들을 나타낸 것으로서,
도 2a는 증발부재로서 스크린을 이용하는 방식의 증발기를 나타낸 종단면도
도 2b는 증발부재로서 디스크를 이용하는 방식의 증발기를 나타낸 종단면도
도 3은 도 1의 A부에서 발생하는 문제점을 설명하기 위한 요부 종단면도
도 4는 본 발명에 따른 증발기 겸 펌프를 개략적으로 나타낸 종단면도
도 5는 도 4의 관로 변경부 확대 상세도
도 6은 도 4의 원추형 밸브를 나타낸 사시도
도 7a 및 도 7b는 도 4의 증발부재의 실시예를 나타낸 것으로서,
도 7a는 사막 구조의 증발부재를 나타낸 부분절개 사시도
도 7b는 다층그물 구조의 증발부재를 나타낸 부분절개 사시도
도 8은 압전소자에 의한 원추형 밸브의 이동변위와 유량계를 통과하는 유량의 상관관계를 나타낸 그래프
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1:소스 공급라인 2:반응챔버
3:관로 변경부 4:원추형 밸브
5:압전소자 6:펄스전압 공급기
7:히터 8:확관부
9:증발부재 10:캐리어 가스 주입관
11:배출라인 12:삼방향 밸브
13:소스 리저버 14:믹싱 매니폴드
15, 15a, 15b:증발기 16:펌프
17:노즐 18:스크린
19:디스크 20:파이프
21a:전방 피스톤 21b:후방 피스톤
22:산소 공급라인
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 리저버에 채워진 유기금속 소스를 소스 공급라인 상에서 증발시켜 반응챔버 내에 로딩된 웨이퍼 상면에 박막을 증착시키는 MOCVD 장비에 있어서; 소스 유동경로가 직각방향으로 바뀌는 관로 변경부가 구비되는 소스 공급라인과, 상기 소스 공급라인상의 소스 유동경로가 바뀐 관로 입구측에 설치되어 상기 유동경로가 바뀐 관로의 길이방향을 따라 전·후진하여 상기 소스 유동경로가 바뀐 관로 입구의 개폐량을 직접적으로 제어하는 원추형 밸브와, 상기 원추형 밸브 후단에 결합되어 전압의 인가 여부에 따라 선택적으로 신장 또는 수축하여 원추형 밸브를 전·후진 시키는 압전소자와, 상기 압전소자에 연결되어 상기 압전소자에 펄스전압을 공급하는 펄스전압 공급기가 구비됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착용 유기금속 소스 기화장치가 제공된다.
이하, 본 발명의 일실시예를 첨부도면 도 4 내지 도 7b를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명에 따른 증발기 겸 펌프를 개략적으로 나타낸 종단면도이고, 도 5는 도 4의 관로 변경부 확대 상세도이며, 도 6은 도 4의 원추형 밸브를 나타낸 사시도이다.
그리고, 도 7a는 도 7b는 도 4의 증발부재의 실시예들을 각각 나타낸 부분절개 사시도로서, 본 발명은 소스 공급라인(1)을 통해 공급되는 유기금속 소스를 증발시켜 반응챔버(2) 내에 로딩된 웨이퍼 상면에 박막을 증착하는 MOCVD 장비에 있어서, 상기 유기금속 소스 공급라인(1) 상에 소스 유동경로가 직각방향으로 바뀌는 관로 변경부(3)가 구비되고, 상기 관로 변경부(3)의 소스 유동경로가 변경된 관로 입구측에 상기 변경된 관로의 길이방향을 따라 전·후진하여 관로 입구의 개폐량을 직접적으로 제어하는 원추형 밸브(4)(conic valve)가 설치된다.
그리고, 상기 원추형 밸브(4) 후단에는 전압의 인가 여부에 따라 선택적으로 신장 또는 수축하여 원추형 밸브(4)를 전·후진시키는 압전소자(5)가 결합되며, 상기 압전소자(5)에는 상기 압전소자(5)에 펄스전압을 인가하기 위한 펄스전압 공급기(6)가 연결된다.
이 때, 소스 유동경로가 변경되기 전의 소스 공급라인(1)의 관로 외측에는 상기 소스 공급라인(1)을 통과하는 유기금속 소스의 온도를 공정 특성에 알맞는 온도로 제어하기 위한 복수개의 히터(7)가 구비된다.
또한, 소스 유동경로가 변경된 소스 공급라인(1)의 관로 상에는 유로단면적이 넓어지는 확관부(8)가 형성되고, 상기 확관부(8) 상에는 소스를 증발시키는 증발부재(9)가 설치되며, 상기 확관부(8)의 증발부재(9) 전단부 일측에는 캐리어 가스를 확관부(8)측으로 공급하여 소스의 분사를 돕는 캐리어 가스 주입관(10)이 연결된다.
여기서, 상기 증발부재(9)는 도 7a 및 도 7b에 나타낸 바와 같이, 확관부(8) 내측면에 결합되는 테두리인 림(rim)(900) 및, 상기 림(900) 내부에 설치되며 사막(絲膜) 구조 또는 다층그물 구조를 갖는 금속세선으로 구성된다.
그리고, 상기 증발부재(9)가 구비된 확관부(8)를 지나 반응챔버(2)에 연결되는 소스 공급라인(1)의 일측에는 소스를 배출시키기 위한 배출라인(11)이 연결되고, 상기 소스 공급라인(1)과 배출라인(11)의 교차지점에는 상기 반응챔버(2) 및 배출라인(11)으로 보내지는 소스의 유동방향을 제어하기 위한 삼방향 밸브(12)(three-way valve)가 설치되어 구성된다.
한편, 상기 소스 공급라인(1) 일측에는 소스의 유량을 측정할 수 있는 고온 액체 유량계가 설치된다.
이와 같이 구성된 본 발명의 작용은 다음과 같다.
반응챔버(2) 내에 로딩된 웨이퍼에 대한 유기금속 박막 증착 공정 진행시, 먼저 현공정 이전의 박막 증착 공정에 사용되었던 잔류 유기금속 소스를 배출라인(11)을 통해 배출시킨 다음 현공정을 진행하게 된다.
이를 위해서는 상기 증발부재가 설치된 확관부(8) 후방의 소스 공급라인(1)과 배출라인(11)과의 교차점에 설치된 삼방향 밸브(12)를 조작하여 반응챔버(2) 쪽으로 소스가 공급되지 못하도록 하는 대신 배출라인(11) 쪽을 개방하여 확관부(8)에 잔류하는 소스를 내보낸다.
이 때, 확관부(8)에 잔류하는 소스는 배출라인(11)에 인가되는 진공압 및 캐리어 가스의 압력에 의해 배출된다.
한편, 상기 확관부(8)에 잔류하던 소스의 배출이 완료되고 새로운 소스가 소스 공급라인(1)을 통해 공급되어 확관부(8)를 완전히 채운 후, 상기 배출라인(11)을 통해 배출되기 시작하면, 삼방향 밸브(12)를 조작하여 배출라인(11)을 닫아 상기 배출라인(11)으로의 소스의 배출을 막는 대신 반응챔버(2) 쪽의 소스 공급라인(1)을 개방하여 소스가 반응챔버(2)로 공급되도록 한다.
이를 통해 일정한 압력의 소스가 확관부(8) 내부 공간을 채우게 된다.
이 때, 상기 확관부(8)로 유입되는 소스는 유동경로가 바뀌기 전인 소스 공급라인(1)의 외측에 설치된 복수개의 히터(7)에 의해서 히팅되어 특정한 온도로 유지되는데, 상기 복수개의 히터(7)는 각각 다른 온도로 설정할 수도 있고, 모두 동일 온도를 유지하도록 설정할 수도 있으며, 설정된 온도값을 가변시킬 수도 있도록 구성된다.
이와 같이, 상기 히터(7)들의 온도를 제각기 다르게 설정할 수 있도록 하는 이유는 유지해야 할 온도값이 사용하는 소스의 종류에 따라 달라져야 하기 때문이며, 소스 공급라인(1)의 길이 방향을 따라 영향을 미치는 외란(外亂)이 다르므로 이를 보정하기 위해 히터 위치에 따라 온도 제어를 달리해야 할 필요도 있기 때문이다.
한편, 상기 압전소자(5)는 펄스의 형태로 구동되며 필요에 따라 디지털 제어나 아날로그 제어가 가능하도록 구성된다.
특히, 압전소자(5)의 온도에 따른 압전특성은 미리 잘 알려져 있어서 적절하게 구동될 수 있어야 한다.
또한, 공급되는 유기금속 소스에는 대부분 리저버(13)로부터 가해지는 압력에 의하여 상압 이상의 압력이 인가되는 반면, 반응챔버(2)에는 진공압이 인가되므로 삼방향 밸브(12)가 열리는 순간 반응챔버(2) 쪽으로 강한 분사압이 작용하게 되는데, 본 발명은 확관부(8)에 설치된 증발부재(9) 및 캐리어 가스 주입관(10)에 의해 분사압이 제어되는 한편 소스의 증발이 원할하게 진행된다.
이때, 상기 캐리어 가스 주입관(10)부터 반응챔버(2)까지에 이르는 구간의 소스 공급라인(1)은 항상 일정한 온도로 유지되어야 한다.
한편, 본 발명의 증발부재(9)는 사막 또는 다층그물 구조를 가지고 있으므로, 유기금속 소스를 고르게 증발시키면서, 소스의 고화에 의한 막힘현상도 방지하게 된다.
도 8은 압전소자에 의한 원추형 밸브의 이동변위와 유량계를 통과하는 유량의 상관관계를 나타낸 그래프로서, 압전소자(5)의 변위에 따른 유기금속 소스의 유량 변화는 실제로 많은 실험 데이터에 의해 제공되어야 하며, 특히 압력과 온도에 따라 유량이 어떻게 변화되는지가 면밀히 검토되어야 함은 물론이다.
상기 반응챔버(2)로의 유기금속 소스 공급에 의한 박막 증착시, 압전 소자에 의한 원추형 밸브(4)의 구동은 도 8과 같은 짧은 펄스의 집합 형태로 나타나는 온-오프의 반복 모드도 가능하고, 온-상태를 장시간 유지시키는 모드도 가능하다.
이와 같은 밸브 구동 모드는 전술한 바와 같이 유기금속 소스의 종류와 증착의 목적에 맞게 선택될 수 있다.
이상에서와 같이, 본 발명의 유기금속 소스 기화장치는 증발기와 펌프를 하나의 시스템으로 통합하여 구현한 것으로서, 압전소자(5)를 사용하여 미량의 소스를 정량적으로 공급할 수 있을 뿐만 아니라, 적절한 압력으로 유기금속 소스가 분사될 수 있어 압력요동으로 인한 막힘현상이 발생할 염려가 없다.
이에 따라, 본 발명의 기화장치는 강유전체 MOCVD의 기존 증발기를 대신할 경우, 기존 증발기로 인한 MOCVD 공정의 문제점인 온도 및 압력 요동에 의한 막힘현상을 해소하여 박막 증착공정의 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 가져오게 된다.

Claims (8)

  1. 리저버에 채워진 유기금속 소스를 소스 공급라인을 통해 증발기로 보내어 상기 증발기에서 증발시켜 반응챔버 내에 로딩된 웨이퍼 상면에 박막을 증착시키는 MOCVD 장비에 있어서;
    상기 유기금속 소스의 유동경로가 직각방향으로 바뀌는 관로 변경부가 구비되는 소스 공급라인과,
    상기 관로 변경부의 소스 유동경로가 바뀐 관로 입구측에 설치되어 상기 유동경로가 바뀐 관로의 길이방향을 따라 전·후진하여 상기 소스 유동경로가 바뀐 관로 입구의 개폐량을 직접적으로 제어하는 원추형 밸브와,
    상기 원추형 밸브 후단에 결합되어 전압의 인가 여부에 따라 선택적으로 신장 또는 수축하여 원추형 밸브를 전·후진 시키는 압전소자와,
    상기 압전소자에 연결되어 상기 압전소자에 펄스전압을 공급하는 펄스전압 공급기:가 구비됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착용 유기금속 소스 기화장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기금속 소스 유동경로가 변경되기 전의 소스 공급라인의 관로 외측에,
    상기 소스 공급라인을 통과하는 소스의 온도를 공정 특성에 알맞는 온도로 제어하기 위한 복수개의 히터가 구비됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착용 유기금속 소스 기화장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수개의 히터는 각각 다른 온도로 설정되거나, 모두 동일한 온도를 유지하도록 설정되도록 온도를 가변시킬 수도 있도록 구성됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착용 유기금속 소스 기화장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스 유동경로가 변경된 후의 소스 공급라인 관로 상에 유로단면적이 넓어지는 확관부가 형성되고,
    상기 확관부 내에는 소스를 증발시키는 증발부재가 설치됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착용 유기금속 소스 기화장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 증발부재가 사막(絲膜) 구조 또는 다층그물 구조임을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착용 유기금속 소스 기화장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 증발부재의 사막 구조 또는 다층 그물구조가 금속 세선(細線)에 의해 이루어짐을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착용 유기금속 소스 기화장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 확관부의 증발부재 전단에,
    캐리어 가스를 확관부측으로 공급하여 소스의 분사를 돕는 캐리어 가스 주입관이 연결됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착용 유기금속 소스 기화장치.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 확관부를 지나 반응챔버에 연결되는 소스 공급라인의 일측에는 소스를 배출시키기 위한 배출라인이 연결되고,
    상기 소스 공급라인과 배출라인의 교차지점에는 상기 반응챔버 및 배출라인으로 보내지는 소스의 유동방향을 제어하기 위한 삼방향 밸브(three-way valve)가 설치됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 화학 기상 증착용 유기금속 소스 기화장치.
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KR100625966B1 (ko) * 2000-10-11 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 ｅｌ소자의 박막 증착방법 및 그 장치

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