KR19990074156A - 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체 - Google Patents

Abstract

본 발명은 조립 및 분해가 용이한 형상의 오리피스링을 설치하여 세척작업을 용이하게 하는 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체에 관한 것이다.

본 발명에 따른 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체는, 고압의 고주파전원이 인가되는 애노드(Anode), 상기 애노드를 고정하는 로워엔드(Lower End), 상기 로워엔드에 나사고정되는 챔버월(Chamber Wall) 및 다수개의 오리피스(Orifice)가 형성된 링형태의 오리피스링(Orifice Ring)을 구비하여 이루어지는 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체에 있어서, 상기 로워엔드는 측단면이 "ㄴ" 형상으로 형성되고, 상기 챔버월은 상기 로워엔드의 끝단에 나사결합됨으로써 상기 로워엔드와 상기 챔버월의 결합모양이 "Ｕ" 형상으로 이루어지도록 하며, 상기 로워엔드와 상기 챔버월 사이의 중공부에 측단면이 "ㄱ" 형상인 오리피스링이 끼워져 고정되는 것을 특징으로 한다.

따라서, 세척작업이 용이하고, 파티클의 잔류를 방지하며, 분해, 세척 및 조립에 걸리는 작업시간을 단축하게 하는 효과를 갖는다.

Description

반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체

본 발명은 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 조립 및 분해가 용이한 형상의 오리피스링을 설치하여 세척작업을 용이하게 하는 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체에 관한 것이다.

일반적으로 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 화학기상증착 및 금속배선 등의 공정이 반복 수행됨에 따라 반도체장치로 제작되고, 이들 공정중 빈번히 이루어지는 공정의 하나로서 반도체 플라즈마 식각 공정이 있다.

이러한 플라즈마 식각 공정은 밀폐된 챔버 내부의 상· 하측 전극판 사이에 공정을 수행하기 위한 웨이퍼를 위치시키고, 챔버 내부를 고진공 상태로 형성한 후 반응에 필요한 가스를 투입하게 된다.

그리고, 투입된 가스는 양측 전극판 사이에 인가되는 고주파(Radio Frequency) 파워에 의해 플라즈마 상태로 여기되고, 웨이퍼의 불필요한 부위가 상기 플라즈마에 의해 제거되어 웨이퍼 표면에 패턴면을 형성하게 된다.

상술한 양측 전극판 중 특히, 애노드(Anode) 조립체는 고주파 파워를 공급받아 가스를 플라즈마 상태로 여기시키도록 소정 두께와 넓이의 판 형상의 애노드(Anode)와, 상기 애노드를 고정하는 로워엔드(Lower End), 상기 로워엔드에 나사고정되는 챔버월(Chamber Wall) 및 상기 로워엔드와 상기 챔버월 사이의 중공부에 위치되며 챔버 내부로 가스가 공급되도록 애노드의 테두리를 따라 다수개의 오리피스(Orifice)가 형성된 링형태의 오리피스링(Orifice Ring)을 구비한다.

통상적인 종래의 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체를 도1에 도시하였다.

도1에서와 같이, 종래의 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체는, 챔버내에 공급된 가스가 플라즈마상태로 여기시키도록 고압의 고주파전원이 인가되는 애노드(10), 상기 애노드(10)를 고정하는 로워엔드(16), 상기 로워엔드(16)에 나사고정되는 챔버월(14) 및 상기 로워엔드(16)와 상기 챔버월(14) 사이의 중공부에 위치되며 챔버 내부로 가스가 공급되도록 애노드(10)의 테두리를 따라 다수개의 오리피스가 형성된 링형태의 오리피스링(12)을 구비하여 이루어진다.

또한, 상기 오리피스링(12)의 조립 및 분해가 용이하도록 상기 로워엔드(16)는 측단면이 "ㄴ" 형상으로 형성되고, 상기 챔버월(14)은 상기 로워엔드(16)의 끝단에 나사결합됨으로써 상기 로워엔드(16)와 상기 챔버월(14)의 결합모양이 "Ｕ" 형상으로 이루어지도록 하며, 상기 로워엔드(16)와 상기 챔버월(14)의 상방에 각각 돌출단턱을 형성하고, 상기 2개의 돌출단턱 사이로 끼이는 측단면이 "一" 형상인 오리피스링(12)이 나사결합되는 구성이다.

따라서, 상기 애노드(10), 로워엔드(16) 및 오리피스링(12)은 세척시 또는 필요에 따라서 조립 및 분해가 가능하고, 상기 애노드(10)를 지지하는 동시에 상기 중공부를 통하여 챔버내로 가스가 공급된다.

그러나, 상술한 바와 같은 종래의 애노드 조립체의 구성은 공정과정에서 발생하는 폴리머 등을 세척하기 위하여 상기 오리피스링 등을 분해한 후 세척하는 작업에서 상기 돌출단턱으로 인하여 상기 중공부의 구석 구석을 세척하기가 어렵기 때문에 세척작업이 번거롭고, 잔류하는 파티클이 웨이퍼불량을 유발하며, 분해, 세척 및 조립에 걸리는 작업시간이 길어지는 문제점 등이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 세척작업이 용이하고, 파티클의 잔류를 방지하며, 분해, 세척 및 조립에 걸리는 작업시간을 단축하게 하는 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체를 제공함에 있다.

도1은 종래의 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체를 나타낸 단면도이다.

도2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체를 나타낸 단면도이다.

※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

10, 20: 애노드(Anode) 12, 22: 오리피스링(Orifice Ring)

14, 24: 챔버월(Chamber Wall) 16, 26: 로워엔드(Lower End)

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체는, 챔버내에 공급된 가스가 플라즈마상태로 여기시키도록 고압의 고주파전원이 인가되는 애노드(Anode), 상기 애노드를 고정하는 로워엔드(Lower End), 상기 로워엔드에 나사고정되는 챔버월(Chamber Wall) 및 상기 로워엔드와 상기 챔버월 사이의 중공부에 위치되며 챔버 내부로 가스가 공급되도록 애노드의 테두리를 따라 다수개의 오리피스(Orifice)가 형성된 링형태의 오리피스링(Orifice Ring)을 구비하여 이루어지는 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체에 있어서, 상기 오리피스링의 조립 및 분해가 용이하도록 상기 로워엔드는 측단면이 "ㄴ" 형상으로 형성되고, 상기 챔버월은 상기 로워엔드의 끝단에 나사결합됨으로써 상기 로워엔드와 상기 챔버월의 결합모양이 "Ｕ" 형상으로 이루어지도록 하며, 상기 로워엔드와 상기 챔버월 사이의 중공부에 측단면이 "ㄱ" 형상인 오리피스링이 끼워져 고정되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 오리피스링은, 상기 로워엔드와 상기 챔버월 사이에 억지끼워맞춤식으로 고정되는 것이 바람직하고, 상기 로워엔드와 상기 챔버월 사이에 나사결합되어 고정되는 것도 가능하다.

이하, 본 발명의 구체적인 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체를 나타낸 단면도이다.

도2를 참조하여 설명하면, 챔버내에 공급된 가스가 플라즈마상태로 여기시키도록 고압의 고주파전원이 인가되는 애노드(20), 상기 애노드(20)를 고정하는 로워엔드(26), 상기 로워엔드(26)에 나사고정되는 챔버월(24) 및 상기 로워엔드(26)와 상기 챔버월(24) 사이의 중공부에 위치되며 챔버 내부로 가스가 공급되도록 애노드(20)의 테두리를 따라 다수개의 오리피스가 형성된 링형태의 오리피스링(22)을 구비하여 이루어지는 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체로서, 상기 오리피스링(22)의 조립 및 분해가 용이하도록 상기 로워엔드(26)는 측단면이 "ㄴ" 형상으로 형성되고, 상기 챔버월(24)은 상기 로워엔드(26)의 끝단에 나사결합됨으로써 상기 로워엔드(26)와 상기 챔버월(24)의 결합모양이 "Ｕ" 형상으로 이루어지도록 하며, 상기 로워엔드(26)와 상기 챔버월(24) 사이의 중공부에 측단면이 "ㄱ" 형상인 오리피스링(22)이 끼워져 고정된다.

여기서, 상기 오리피스링(22)은, 상기 로워엔드(26)와 상기 챔버월(24) 사이에 억지끼워맞춤식으로 고정되는 구성이다.

즉, 종래의 돌출단턱을 제거하여 상기 오리피스링(22)의 분해 및 조립을 용이하게 하는 동시에 상기 중공부의 세척시 모서리부가 없으므로 잔류하는 파티클의 완전한 제거가 가능하다.

한편, 상기 오리피스링(22)은, 상기 로워엔드(26)와 상기 챔버월(24) 사이에 나사결합되어 고정되는 것도 가능하다.

따라서, 상기 애노드(20), 로워엔드(26) 및 오리피스링(22)은 세척시 또는 필요에 따라서 조립 및 분해가 가능하고, 상기 애노드(20)를 지지하는 동시에 상기 중공부를 통하여 챔버내로 가스가 공급된다.

또한, 상술한 바와 같은 본 발명의 애노드 조립체는 공정과정에서 발생하는 폴리머 등을 세척하기 위하여 상기 오리피스링(22) 등을 분해한 후 세척하는 작업에서 돌출부가 없으므로 상기 중공부의 구석 구석을 세척할 수 있어 세척작업이 용이하고, 잔류하는 파티클로 인한 웨이퍼불량을 방지하며, 분해, 세척 및 조립에 걸리는 작업시간을 단축시키게 된다.

이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체에 의하면, 세척작업이 용이하고, 파티클의 잔류를 방지하며, 분해, 세척 및 조립에 걸리는 작업시간을 단축하게 하는 효과를 갖는 것이다.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (3)

1. 챔버내에 공급된 가스가 플라즈마상태로 여기시키도록 고압의 고주파전원이 인가되는 애노드(Anode), 상기 애노드를 고정하는 로워엔드(Lower End), 상기 로워엔드에 나사고정되는 챔버월(Chamber Wall) 및 상기 로워엔드와 상기 챔버월 사이의 중공부에 위치되며 챔버 내부로 가스가 공급되도록 애노드의 테두리를 따라 다수개의 오리피스(Orifice)가 형성된 링형태의 오리피스링(Orifice Ring)을 구비하여 이루어지는 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체에 있어서,

   상기 오리피스링의 조립 및 분해가 용이하도록 상기 로워엔드는 측단면이 "ㄴ" 형상으로 형성되고, 상기 챔버월은 상기 로워엔드의 끝단에 나사결합됨으로써 상기 로워엔드와 상기 챔버월의 결합모양이 "Ｕ" 형상으로 이루어지도록 하며, 상기 로워엔드와 상기 챔버월 사이의 중공부에 측단면이 "ㄱ" 형상인 오리피스링이 끼워져 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 오리피스링은,

   상기 로워엔드와 상기 챔버월 사이에 억지끼워맞춤식으로 고정되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 오리피스링은,

   상기 로워엔드와 상기 챔버월 사이에 나사결합되어 고정되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 플라즈마 식각설비의 애노드 조립체.