KR19990070676A - Method of measuring thickness of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 커패시터의 하부전극물질층의 반구형의 두께를 측정하는 반도체소자의 두께측정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thickness measurement method of a semiconductor device for measuring the hemispherical thickness of the lower electrode material layer of the semiconductor capacitor.
본 발명은, 반도체 커패시터로 형성시킨 하부전극물질층의 반구형 표면의 굴절율 및 흡광계수를 측정하는 제1측정단계; 상기 하부전극물질층의 반구형과 반구형 사이의 굴절율 및 흡광계수를 측정하는 제2측정단계; 및 상기 제1측정단계 및 제2측정단계의 굴절율 및 흡광계수를 비교 및 조합하여 상기 하부전극물질층의 반구형의 두께를 분석하는 분석단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.The present invention includes a first measurement step of measuring the refractive index and the extinction coefficient of the hemispherical surface of the lower electrode material layer formed of a semiconductor capacitor; A second measuring step of measuring a refractive index and an extinction coefficient between the hemispherical shape and the hemispherical shape of the lower electrode material layer; And an analysis step of analyzing the thickness of the hemispherical shape of the lower electrode material layer by comparing and combining the refractive indices and the extinction coefficients of the first and second measurement steps.
따라서, 하부전극물질층의 반구형의 두께를 정확하게 측정하여 반도체 커패시터의 하부전극물질층의 표면적을 분석함으로써 이에 따른 커패시터의 용량을 용이하게 분석하여 반도체소자의 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.Accordingly, by accurately measuring the hemispherical thickness of the lower electrode material layer and analyzing the surface area of the lower electrode material layer of the semiconductor capacitor, the capacitance of the capacitor can be easily analyzed, thereby improving reliability of the semiconductor device.
Description
본 발명은 반도체소자의 두께측정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 커패시터(Capacitor)의 하부전극물질층의 반구형의 두께를 측정하는 반도체소자의 두께측정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for measuring thickness of a semiconductor device, and more particularly, to a method for measuring thickness of a semiconductor device for measuring the hemispherical thickness of a lower electrode material layer of a semiconductor capacitor.
일반적으로 반도체소자는 상기 반도체소자로 제조할 수 있는 웨이퍼(Wafer) 상에 소정의 막을 형성시킨 후, 상기 소정의 막을 상기 반도체소자의 특성에 따른 패턴(Pattern)으로 형성시킴으로써 제조된다.In general, a semiconductor device is manufactured by forming a predetermined film on a wafer that can be manufactured by the semiconductor device, and then forming the predetermined film in a pattern according to the characteristics of the semiconductor device.
여기서 상기 반도체소자로 제조되는 패턴 즉, 구성요소 중에서 커패시터는 각각의 정보에 대한 전하를 축적하는 기억소자로 이용하기 위하여 형성시킨다.In this case, a capacitor, which is a pattern made of the semiconductor device, that is, a component, is formed to be used as a storage device that accumulates electric charges for respective information.
이러한 반도체소자의 커패시터는 그 용량이 표면적에 비례하기 때문에 최근의 반도체소자의 커패시터는 그 표면적을 증가시키기 위하여 주로 폴리실리콘막(Polysilicon Film)으로 이루어지는 하부전극물질층을 반구형으로 형성시킨다.Since the capacitance of such a semiconductor device is proportional to the surface area, the capacitor of the recent semiconductor device forms a hemispherical lower electrode material layer mainly composed of a polysilicon film in order to increase its surface area.
그리고 상기 커패시터의 하부전극물질층의 표면적이 상기 커패시터의 용량을 결정하기 때문에 상기 하부전극물질층의 형성시 그 표면적을 분석하는 공정을 수행하고 있다.Since the surface area of the lower electrode material layer of the capacitor determines the capacitance of the capacitor, a process of analyzing the surface area of the lower electrode material layer is performed.
이에 따라 종래에는 상기 하부전극물질층으로 형성시킨 반구형의 두께로써 상기 하부전극물질층의 표면적을 분석하기 위하여 상기 반구형의 두께를 측정하는 공정을 수행하고 있다.Accordingly, in order to analyze the surface area of the lower electrode material layer with the thickness of the hemispherical shape formed of the lower electrode material layer, a process of measuring the thickness of the hemispherical shape is performed.
여기서 종래의 상기 반구형의 두께의 측정은 주로 상기 반구형으로 형성시킨 하부전극물질층의 표면의 반사도를 측정함으로써 이루어진다.The measurement of the hemispherical thickness of the related art is mainly performed by measuring the reflectivity of the surface of the lower electrode material layer formed in the hemispherical shape.
그러나 종래의 상기 반사도의 측정은 반구형과 반구형 사이의 공간으로 인하여 그 측정이 정확하게 이루어지지 않았다.However, in the conventional measurement of reflectivity, the measurement was not made precisely due to the space between the hemispherical shape and the hemispherical shape.
이에 따라 상기 반구형의 두께로써 분석할 수 있는 하부전극물질층의 표면적을 정확하게 분석할 수 없었다.Accordingly, the surface area of the lower electrode material layer which could be analyzed by the hemispherical thickness could not be accurately analyzed.
따라서 종래에는 하부전극물질층의 표면적을 정확하게 분석할 수 없었기 때문에 커패시터의 용량의 정확한 분석이 이루어지지 않아 반도체소자의 신뢰도가 저하되는 문제점이 있었다.Therefore, in the related art, since the surface area of the lower electrode material layer could not be accurately analyzed, there was a problem in that the reliability of the semiconductor device was lowered because the capacity of the capacitor was not accurately analyzed.
본 발명의 목적은, 반구형의 두께를 정확하게 측정하여 반도체 커패시터의 하부전극물질층의 표면적을 분석함으로써 이에 따른 커패시터의 용량을 용이하게 분석하여 반도체소자의 신뢰도를 향상시키기 위한 반도체소자의 두께측정방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to measure the thickness of a semi-spherical shape and to analyze the surface area of the lower electrode material layer of the semiconductor capacitor, thereby easily analyzing the capacitance of the capacitor, thereby improving the reliability of the semiconductor device. To provide.
도1은 본 발명에 따른 반도체소자의 두께측정방법의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of a thickness measuring method of a semiconductor device according to the present invention.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing
10 : 웨이퍼 12 : 산화막10 wafer 12 oxide film
14 : 하부전극물질층14: lower electrode material layer
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자의 두께측정방법은, 반도체 커패시터로 형성시킨 하부전극물질층의 반구형 표면의 굴절율 및 흡광계수를 측정하는 제1측정단계; 상기 하부전극물질층의 반구형과 반구형 사이의 굴절율 및 흡광계수를 측정하는 제2측정단계; 및 상기 제1측정단계 및 제2측정단계의 굴절율 및 흡광계수를 비교 및 조합하여 상기 하부전극물질층의 반구형의 두께를 분석하는 분석단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of measuring a thickness of a semiconductor device, the method comprising: measuring a refractive index and an absorption coefficient of a hemispherical surface of a lower electrode material layer formed of a semiconductor capacitor; A second measuring step of measuring a refractive index and an extinction coefficient between the hemispherical shape and the hemispherical shape of the lower electrode material layer; And an analysis step of analyzing the thickness of the hemispherical shape of the lower electrode material layer by comparing and combining the refractive indices and the extinction coefficients of the first and second measurement steps.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도1은 본 발명에 따른 반도체소자의 두께측정방법의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of a thickness measuring method of a semiconductor device according to the present invention.
본 발명을 설명하기 위한 도1은 일반적인 반도체 커패시터의 제조에 따른 형태로써 먼저, 웨이퍼(10) 상에 산화막(12)이 형성되고, 상기 산화막(12) 상에 하부전극물질층(14)이 형성된 상태를 나타내고 있다.1 is a view illustrating the manufacture of a general semiconductor capacitor. First, an oxide film 12 is formed on a wafer 10, and a lower electrode material layer 14 is formed on the oxide film 12. It shows the state.
여기서 상기 하부전극물질층(14)은 주로 폴리실리콘막으로 이루어지고, 그 표면적을 확장시키기 위하여 반구형으로 형성시킨다.Here, the lower electrode material layer 14 is mainly made of a polysilicon film, and is formed in a hemispherical shape in order to expand its surface area.
본 발명은 상기 하부전극물질층(14)의 표면적을 분석하기 위하여 상기 반구형의 두께(T)를 측정하는 공정을 수행한다.The present invention performs a process of measuring the thickness (T) of the hemispherical shape in order to analyze the surface area of the lower electrode material layer (14).
즉, 상기 반구형의 두께(T)로써 상기 하부전극물질층(14)의 표면적을 분석하는 것이다.That is, the surface area of the lower electrode material layer 14 is analyzed by the hemispherical thickness T.
이에 따라 본 발명은, 상기 하부전극물질층(14)의 반구형 표면의 굴절율 및 흡광계수를 측정하는 제1측정단계를 수행한다.Accordingly, the present invention performs a first measurement step of measuring the refractive index and the extinction coefficient of the hemispherical surface of the lower electrode material layer 14.
그리고 상기 하부전극물질층(14)의 반구형과 반구형 사이 즉, 보이드(Void) 영역의 굴절율 및 흡광계수를 측정하는 제2측정단계를 수행한다.A second measurement step is performed to measure the refractive index and the extinction coefficient between the hemispherical shape and the hemispherical shape of the lower electrode material layer 14, that is, the void area.
계속해서 본 발명은 상기 제1측정단계 및 제2측정단계의 수행으로 나타난 굴절율 및 흡광계수를 비교 및 조합하여 상기 하부전극물질층(14)의 두께(T)를 분석한다.Subsequently, the present invention analyzes the thickness T of the lower electrode material layer 14 by comparing and combining the refractive indices and the extinction coefficients resulting from the performance of the first and second measurement steps.
즉, 본 발명은 상기 하부전극물질층(14)의 반구형의 두께를 서로 다른 두 개의 막이 형성된 형태로 파악하여 각각의 막에 대한 굴절율 및 흡광계수를 측정함으로써 상기 반구형의 두께(T)를 분석하는 것이다.That is, the present invention analyzes the hemispherical thickness (T) by determining the hemispherical thickness of the lower electrode material layer 14 in the form of two different films and measuring the refractive index and the extinction coefficient for each film. will be.
이러한 본 발명의 굴절율 및 흡광계수의 측정은 일반적인 이엠에(EMA : Effective Medium Approximation)의 기능을 수행할 수 있는 장치를 이용한다.The measurement of the refractive index and the extinction coefficient of the present invention uses a device capable of performing the function of a general EMA (Effective Medium Approximation).
따라서, 본 발명에 의하면 하부전극물질층의 반구형의 두께를 정확하게 측정하여 반도체 커패시터의 하부전극물질층의 표면적을 분석함으로써 이에 따른 커패시터의 용량을 용이하게 분석하여 반도체소자의 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the hemispherical thickness of the lower electrode material layer is accurately measured to analyze the surface area of the lower electrode material layer of the semiconductor capacitor, thereby easily analyzing the capacitance of the capacitor, thereby improving reliability of the semiconductor device. .
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019980005648A KR19990070676A (en) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | Method of measuring thickness of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019980005648A KR19990070676A (en) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | Method of measuring thickness of semiconductor device |
Publications (1)
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| KR19990070676A true KR19990070676A (en) | 1999-09-15 |
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| KR1019980005648A KR19990070676A (en) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | Method of measuring thickness of semiconductor device |
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| KR (1) | KR19990070676A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100767749B1 (en) * | 2004-09-07 | 2007-10-18 | 어플라이드 매터리얼스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 | A method for determining physical properties of an optical layer or layer system |
-
1998
- 1998-02-23 KR KR1019980005648A patent/KR19990070676A/en not_active Application Discontinuation
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| KR100767749B1 (en) * | 2004-09-07 | 2007-10-18 | 어플라이드 매터리얼스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 | A method for determining physical properties of an optical layer or layer system |
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