KR19990070087A - Reference Wafer Structure for Particle Instrumentation Management - Google Patents
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Abstract
본 발명은 파티클 계측장비 관리용 기준 웨이퍼 구조에 관한 것으로, 본 발명에서는 종래의 베어 웨이퍼가 아닌 소정의 패턴을 갖는 새로운 기준 웨이퍼를 준비하고, 이를 통해, 파티클 계측장비의 계측 기능이 정확히 기 점검될 수 있도록 함으로써, 파티클 계측장비를 프로덕트 웨이퍼의 파티클 계측에 탄력적으로 대응시킬 수 있다.The present invention relates to a reference wafer structure for managing particle metrology equipment, and in the present invention, a new reference wafer having a predetermined pattern is prepared instead of a conventional bare wafer, and through this, the measurement function of the particle metrology equipment is accurately checked. In this way, the particle measuring equipment can be flexibly responded to particle measurement of the product wafer.
또한, 이와 같이, 파티클 계측장비를 프로덕트 웨이퍼의 파티클 계측에 탄력적으로 대응시킴으로써, 전체적인 프로덕트 웨이퍼의 레씨피를 정확히 관리할 수 있다.In this way, the particle measuring equipment can be flexibly responded to the particle measurement of the product wafer, thereby accurately managing the recipe of the entire product wafer.
Description
본 발명은 파티클 계측장비 관리용 기준 웨이퍼 구조에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 파티클 계측장비의 기능점검에 사용되어 예측하지 못한 공정사고를 사전에 방지할 수 있도록 하는 파티클 계측장비 관리용 기준 웨이퍼 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a reference wafer structure for managing particle measuring equipment, and more particularly, to a reference wafer structure for managing particle measuring equipment, which is used to check the function of particle measuring equipment to prevent unexpected process accidents. It is about.
일반적으로 반도체 소자의 제조 공정에서 파티클을 일정한 범위로 조절하는 것은 소자의 품질을 확보하는데 있어서 매우 중대한 문제이다.In general, controlling particles to a certain range in the manufacturing process of a semiconductor device is a very important problem in ensuring the quality of the device.
이에 따라서, 실공정에서는 반도체 소자에 형성된 파티클의 수를 적절히 제어하기 위하여 일정 공정이 진행될 때 마다 파티클 계측장비를 사용하여 그것에 형성된 파티클의 개수를 정확히 측정함으로써, 보다 양호한 반도체 소자가 제조될 수 있도록 노력하고 있다.Accordingly, in the actual process, every time a certain process is carried out in order to properly control the number of particles formed in the semiconductor device, the particle measuring equipment is accurately measured by counting the number of particles formed on it, so that a better semiconductor device can be manufactured. Doing.
그런데, 이때, 만약, 파티클 계측장비에 이상이 발생 되었음에도 불구하고 작업자가 고장 사실을 모르는 상태에서 계속적인 계측공정을 진행시킬 경우, 전체적인 파티클의 관리가 잘못 이루어지게 됨으로써, 반도체 소자의 기능이 현저히 저감되는 문제점이 발생된다.However, in this case, even if an error occurs in the particle measuring equipment, if the operator proceeds to the continuous measurement process without knowing the failure, the overall particle management is performed incorrectly, significantly reducing the function of the semiconductor device The problem arises.
따라서, 실공정에서는 베어 웨이퍼를 기준 웨이퍼로 사용하여 파티클 계측장비의 계측능력을 수시로 평가함으로써, 이의 고장을 미연에 방지하고 있다.Therefore, in the actual process, the bare wafer is used as the reference wafer to evaluate the measurement capability of the particle measuring equipment at any time, thereby preventing the failure thereof.
도 1에 도시된 바와 같이, 계측장비(10)는 인공 파티클(PSL:Polystylene Sphere Latex:2)이 전체 대역 중 예컨대, 0.8μm 정도의 대역에 도포된 베어 웨이퍼(Bare wafer:1)를 자신의 스테이지(미도시)에 로딩시킨 후 도포된 인공 파티클(2)의 개수를 측정한다.As illustrated in FIG. 1, the measurement apparatus 10 may include a bare wafer, in which artificial particles (PSL: Polystylene Sphere Latex: 2) is coated in a band of about 0.8 μm. After loading on a stage (not shown), the number of artificial particles 2 applied is measured.
이때, 계측장비(10)는 베어 웨이퍼(1)로 적정양의 광선을 조사한 후 조사된 광선에 대응되어 베어 웨이퍼(1)로부터 산란되는 광선을 리씨빙 박스(11)를 통해 수신한다.In this case, the measurement apparatus 10 receives the appropriate amount of light rays onto the bare wafer 1 and then receives the light rays scattered from the bare wafer 1 in response to the irradiated light rays through the receiving box 11.
이어서, 리씨빙 박스(11)는 수신된 광선을 광증폭 배관(12)을 통해 증폭한 후 이를 모니터링 장치(13)로 출력한다.Subsequently, the receiving box 11 amplifies the received light beam through the optical amplification pipe 12 and outputs it to the monitoring device 13.
이후, 작업자는 모니터링 장치(13)에 디스플레이되는 광선의 정도를 관측하여 파티클 계측장비(10)의 레이저 안정성, 파티클 계측능력, 신호 회로의 기능 등을 적절히 판정하고, 그 결과에 따라, 파티클 계측장비(10)를 양호하게 관리함으로써, 파티클 계측장비(10)가 실 공정에 투입되어 자신에게 부여된 파티클 계측기능을 적절히 수행할 수 있도록 한다.Thereafter, the operator observes the degree of the light beam displayed on the monitoring device 13 to properly determine the laser stability of the particle measuring equipment 10, the particle measuring capability, the function of the signal circuit, and the like, and according to the result, the particle measuring equipment By good management of (10), the particle measuring equipment 10 is put into a real process so that the particle measuring function given to it can be appropriately performed.
그러나, 이러한 종래의 파티클 계측장비의 관리에 있어서, 통상, 파티클 계측장비가 실 공정에 투입되어 실질적으로 파티클을 관측하는 웨이퍼는 상술한 베어 웨이퍼가 아니고, 소정의 패턴을 갖는 프로덕트 웨이퍼인데도 불구하고, 종래의 경우, 패턴이 형성되지 않은 베어 웨이퍼를 통해 파티클 계측장비의 기능이 점검되기 때문에, 테스트를 통해서는 양호한 판정을 받은 설비이면서도 실제 패턴을 갖는 프로덕트 웨이퍼에 대해서는 예측하지 못한 오류를 발생시키는 경우가 흔히 발생하게 된다.However, in the management of such conventional particle measuring equipment, the wafer in which the particle measuring equipment is put into a real process and substantially observes the particles is not a bare wafer described above, but a product wafer having a predetermined pattern, In the conventional case, since the function of particle measuring equipment is checked through a bare wafer without a pattern formed, unpredictable errors are generated for a product wafer having a real pattern even though the equipment is well-tested through testing. It often happens.
일례로, 베어 웨이퍼에 의해서 그 기능이 양호하다고 판정난 파티클 계측장비를 통해 프로덕트 웨이퍼의 파티클을 관측할 때, 프로덕트 웨이퍼의 얼라인이 완전하게 이루어지지 않을 경우, 파티클 계측장비는 프로덕트 웨이퍼의 패턴을 모두 파티클로 인식하게 됨으로써, 결국, 잘못된 정보를 모니터링 장치를 통해 출력하게 된다. 이에 따라, 전체적인 프로덕트 웨이퍼의 레씨피가 정확히 관리되지 못하는 심각한 문제점이 초래된다.For example, when observing a particle of a product wafer through a particle measuring device determined to have a good function by a bare wafer, if the alignment of the product wafer is not completely completed, the particle measuring device may determine the pattern of the product wafer. Since all of them are recognized as particles, incorrect information is output through the monitoring device. This results in a serious problem that the recipe of the overall product wafer is not managed correctly.
따라서, 본 발명의 목적은 종래의 베어 웨이퍼가 아닌 소정의 패턴을 갖는 새로운 기준 웨이퍼를 준비하고, 이를 통해, 파티클 계측장비의 계측 기능이 정확히 기 점검될 수 있도록 함으로써, 파티클 계측장비를 프로덕트 웨이퍼의 파티클 계측에 탄력적으로 대응시킬 수 있도록 하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to prepare a new reference wafer having a predetermined pattern instead of a conventional bare wafer, and thereby to ensure that the measurement function of the particle measuring device is accurately checked, thereby providing the particle measuring device with the product wafer. The purpose is to be able to flexibly respond to particle measurement.
본 발명의 다른 목적은 이와 같이, 파티클 계측장비를 프로덕트 웨이퍼의 파티클 계측에 탄력적으로 대응시킴으로써, 전체적인 프로덕트 웨이퍼의 레씨피가 정확히 관리될 수 있도록 하는 데 있다.Another object of the present invention is to resiliently correspond to particle measurement equipment for particle measurement of a product wafer, so that the recipe of the entire product wafer can be accurately managed.
도 1은 종래의 베어 웨이퍼를 이용한 파티클 계측과정을 개략적으로 도시한 예시도.1 is an exemplary view schematically showing a particle measurement process using a conventional bare wafer.
도 2는 본 발명의 기준 웨이퍼를 이용한 파티클 계측과정을 개략적으로 도시한 예시도.2 is an exemplary view schematically showing a particle measurement process using a reference wafer of the present invention.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기판과; 상기 기판상에 형성된 게이트 옥사이드층과; 상기 게이트 옥사이드층상에 형성된 폴리 실리콘층과; 상기 폴리 실리콘층상에 형성되고, 소정의 규칙적인 패턴을 갖는 테스트 옥사이드층을 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a substrate; A gate oxide layer formed on the substrate; A polysilicon layer formed on the gate oxide layer; It is formed on the polysilicon layer, characterized in that it comprises a test oxide layer having a predetermined regular pattern.
바람직하게, 상기 게이트 옥사이드층의 적층 두께는 70Å~90Å, 좀더 바람직하게 80Å인 것을 특징으로 한다.Preferably, the stack thickness of the gate oxide layer is characterized in that the 70Å ~ 90Å, more preferably 80Å.
바람직하게, 상기 폴리 실리콘층의 적층 두께는 900Å~1100Å, 좀더 바람직하게, 1000Å인 것을 특징으로 한다.Preferably, the lamination thickness of the polysilicon layer is 900 kPa ~ 1100 kPa, more preferably 1000 kPa.
바람직하게, 상기 테스트 옥사이드층은 HTO(High Temperature Oxidation) 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the test oxide layer is formed by a high temperature oxidation (HTO) process.
바람직하게, 상기 테스트 옥사이드층의 적층 두께는 1900Å~2100Å, 좀더 바람직하게, 2000Å인 것을 특징으로 한다.Preferably, the stack thickness of the test oxide layer is 1900Å-2100Å, more preferably, 2000Å.
바람직하게, 상기 테스트 옥사이드층에는 소정 개수의 인공 파티클이 도포되는 것을 특징으로 한다.Preferably, a predetermined number of artificial particles are coated on the test oxide layer.
바람직하게, 상기 인공 파티클의 개수는 150개~200개인 것을 특징으로 한다.Preferably, the number of artificial particles is characterized in that 150 to 200.
이에 따라, 본 발명에서는 파티클 계측장비를 프로덕트 웨이퍼의 파티클 관측에 양호하게 대응시킬 수 있다.Accordingly, in the present invention, the particle measuring equipment can be favorably responded to particle observation of the product wafer.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 파티클 계측장비 관리용 기준 웨이퍼 구조를 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, referring to the accompanying drawings, the wafer structure for managing particle measurement equipment according to the present invention will be described in more detail.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 파티클 계측장비 관리용 기준 웨이퍼(20)는 기판(21)과, 기판(21)상에 형성된 게이트 옥사이드층(22)과, 게이트 옥사이드층(22)상에 형성된 폴리 실리콘층(23)과, 폴리 실리콘층(23)상에 형성된 테스트 옥사이드층(24)을 포함한다.As shown in FIG. 2, the reference wafer 20 for managing particle measurement equipment according to the present invention includes a substrate 21, a gate oxide layer 22 formed on the substrate 21, and a gate oxide layer 22. And a test oxide layer 24 formed on the polysilicon layer 23.
여기서, 바람직하게, 게이트 옥사이드층(22)의 적층 두께는 70Å~90Å, 좀더 바람직하게, 80Å이다. 이에 따라, 게이트 옥사이드층(22)은 폴리 실리콘층(23)을 안정적으로 적층시킬 수 있는 기본 구조를 형성한다.Here, preferably, the lamination thickness of the gate oxide layer 22 is 70 kPa to 90 kPa, more preferably 80 kPa. Accordingly, the gate oxide layer 22 forms a basic structure capable of stably stacking the polysilicon layer 23.
또한, 바람직하게, 폴리 실리콘층(23)의 적층 두께는 900Å~1100Å, 좀더 바람직하게, 1000Å이다. 이에 따라, 폴리 실리콘층(23)은 테스트 옥사이드층(24)을 안정적으로 적층시킬 수 있는 기본 구조를 형성한다.Preferably, the lamination thickness of the polysilicon layer 23 is 900 kPa-1100 kPa, more preferably 1000 kPa. Accordingly, the polysilicon layer 23 forms a basic structure capable of stably stacking the test oxide layer 24.
한편, 바람직하게, 폴리 실리콘층(23) 상에 형성된 테스트 옥사이드층(24)은 HTO 공정에 의해 형성되며, 그 적층 두께는 바람직하게, 1900Å~2100Å, 좀더 바람직하게, 2000Å이다.On the other hand, preferably, the test oxide layer 24 formed on the polysilicon layer 23 is formed by an HTO process, and the lamination thickness thereof is preferably 1900 kPa to 2100 kPa, more preferably 2000 kPa.
통상, HTO 공정에 의해 형성되는 HTO 옥사이드 막은 디텍팅 효과를 양호하게 제공할 수 있는 막으로 알려져 있기 때문에, 본 발명의 테스트 옥사이드층(24)은 파티클 계측장비(10)의 테스트 계측시 후술하는 인공 파티클(26)의 정확한 디텍팅을 양호하게 유도할 수 있다.In general, since the HTO oxide film formed by the HTO process is known as a film capable of providing a good detecting effect, the test oxide layer 24 of the present invention is artificially described later in the test measurement of the particle measuring equipment 10. Accurate detection of the particle 26 can be well induced.
이때, 바람직하게, 테스트 옥사이드층(24)에는 규칙적인 형상의 테스트 패턴(25)이 형성된다. 이러한 테스트 패턴(25)의 형성에 의해 파티클 계측장비(10)는 실제 프로덕트 웨이퍼의 계측에 적절히 대비할 수 있다.At this time, preferably, the test oxide layer 24 is formed with a test pattern 25 of a regular shape. By the formation of the test pattern 25, the particle measuring equipment 10 can be properly prepared for the measurement of the actual product wafer.
상술한 바와 같이, 프로덕트 웨이퍼에는 일정 형상의 패턴이 형성되는 것이 일반적인 바, 이때, 본 발명의 테스트 옥사이드층(24)에는 이와 유사한 일정 형상의 테스트 패턴(25)이 형성됨으로써, 파티클 계측장비(10)가 프로덕트 웨이퍼의 파티클 계측에 양호하게 대비할 수 있도록 한다.As described above, a pattern having a predetermined shape is generally formed on the product wafer. At this time, a similar test pattern 25 having a predetermined shape is formed on the test oxide layer 24 of the present invention. ) Provides good preparation for particle measurement of product wafers.
종래의 경우, 파티클 계측장비의 실질적인 계측대상 웨이퍼는 패턴이 형성된 프로덕트 웨이퍼임에도 불구하고, 파티클 계측장비는 패턴이 형성되지 않은 베어 웨이퍼를 통해 그 기능이 점검됨으로써, 베어 웨이퍼를 통한 테스트에서는 양호한 판정을 받았으면서도, 실제 패턴을 갖는 프로덕트 웨이퍼에 대해서는 파티클의 수를 정확히 관측하지 못하는 경우가 흔히 발생하였다.In the conventional case, although the actual measurement target wafer of the particle measuring device is a patterned product wafer, the particle measuring device checks its function through the bare wafer without the pattern formation, so that the test through the bare wafer provides a good decision. In spite of this, the number of particles was often not accurately observed for the product wafer having the actual pattern.
그러나, 본 발명의 경우, 상술한 바와 같이, 테스트 옥사이드층(24)에는 적정 형상의 테스트 패턴(25)이 형성되고, 파티클 계측장비(10)는 이러한 테스트 옥사이드층(24)을 갖는 본 발명의 기준 웨이퍼(20)를 통해 그 기능이 적절히 점검됨으로써, 차후에 진행될 프로덕트 웨이퍼의 파티클 측정에 탄력적으로 대응할 수 있다.However, in the case of the present invention, as described above, the test pattern 25 of the appropriate shape is formed on the test oxide layer 24, the particle measuring equipment 10 of the present invention having such a test oxide layer 24 By properly checking the function through the reference wafer 20, it is possible to flexibly respond to the particle measurement of the product wafer to be performed later.
이때, 바람직하게, 테스트 옥사이드층(24)에는 소정 개수, 바람직하게, 150개~200개의 인공 파티클(26)이 도포된다. 이러한 인공 파티클(26)은 후술하는 파티클 계측장비(10)의 파티클 측정능력 테스트에 적절히 이용된다.At this time, preferably, a predetermined number, preferably, 150 to 200 artificial particles 26 are applied to the test oxide layer 24. These artificial particles 26 are suitably used for the particle measurement capability test of the particle measuring equipment 10 described later.
이하, 이러한 본 발명의 기준 웨이퍼(20)를 사용하여 파티클 계측장비(10)의 측정능력을 테스트하는 과정을 상세히 서술한다.Hereinafter, the process of testing the measurement capability of the particle measuring equipment 10 using the reference wafer 20 of the present invention will be described in detail.
도 2에 도시된 바와 같이, 작업자는 파티클 계측장비(10)의 스테이지상에 인공 파티클(26)이 도포된 본 발명의 기준 웨이퍼(20)를 로딩시킨 후, 파티클 계측장비(10)를 사용하여 기준 웨이퍼(20)에 도포된 인공 파티클(26)의 개수를 측정한다.As shown in FIG. 2, the operator loads the reference wafer 20 of the present invention having the artificial particles 26 coated on the stage of the particle measuring device 10, and then uses the particle measuring device 10. The number of artificial particles 26 applied to the reference wafer 20 is measured.
이에 따라, 먼저, 파티클 계측장비(1)는 본 발명의 기준 웨이퍼(20)로 적정양의 광선을 조사한 후 조사된 광선에 대응되어 기준 웨이퍼(20)로부터 산란되는 광선을 리씨빙 박스(2)를 통해 수신한다.Accordingly, first, the particle measuring equipment 1 irradiates an appropriate amount of light rays to the reference wafer 20 of the present invention, and then receives the light rays scattered from the reference wafer 20 in response to the irradiated light rays. Receive through.
이어서, 파티클 계측장비(10)의 리씨빙 박스(11)는 수신된 광선을 광증폭 배관(12)을 통해 증폭한 후 이를 모니터링 장치(13)로 출력한다.Subsequently, the receiving box 11 of the particle measuring device 10 amplifies the received light beam through the optical amplification pipe 12 and outputs it to the monitoring device 13.
이때, 작업자는 모니터링 장치(13)에 디스플레이되는 광선의 정도를 관측하여 파티클 계측장비(10)가 인공 파티클(26)의 수를 정확히 감지하였는지를 판단한다.At this time, the operator observes the degree of the light beam displayed on the monitoring device 13 to determine whether the particle measuring device 10 has accurately detected the number of artificial particles (26).
이때, 상술한 바와 같이, 본 발명의 기준 웨이퍼(20)에 도포되어 있는 인공 파티클(26)의 수는 150개~200개인 바, 파티클 계측장비(10)가 이러한 인공 파티클(26)의 수를 정확히 감지하였으면, 작업자는 파티클 계측장비(10)에 별다른 이상이 없는 것으로 판정하고, 파티클 계측장비(10)를 실공정에 투여한다.In this case, as described above, the number of artificial particles 26 coated on the reference wafer 20 of the present invention is 150 to 200 bars, and the particle measuring equipment 10 determines the number of such artificial particles 26. If it is correctly detected, the operator determines that there is no abnormality in the particle measuring equipment 10, and administers the particle measuring equipment 10 to the actual process.
반면에, 파티클 계측장비(10)가 인공 파티클(26)의 수를 정확히 감지해내지 못하였으면, 작업자는 파티클 계측장비(10)에 큰 이상이 있는 것으로 판정하고, 이에 적절한 추후조치를 취하게 된다. 이에 따라, 파티클 계측장비(10)는 자신의 능력에 부합되도록 적절히 관리된다.On the other hand, if the particle measuring equipment 10 does not accurately detect the number of artificial particles 26, the operator determines that there is a large abnormality in the particle measuring equipment 10, and take appropriate follow-up measures. . Accordingly, the particle measuring device 10 is properly managed to match its own ability.
이후, 작업자는 본 발명의 기준 웨이퍼(20)를 통한 파티클 계측장비(10)의 기능 점검을 주기적으로 반복함으로써, 파티클 계측장비(10)의 관리가 그것의 계측능력에 맞추어 적절히 이루어질 수 있도록 한다.Thereafter, the operator periodically repeats the function check of the particle measuring equipment 10 through the reference wafer 20 of the present invention, so that the management of the particle measuring equipment 10 can be appropriately made in accordance with its measuring capability.
이와 같이, 본 발명에서는 파티클 계측장비가 프로덕트 웨이퍼의 파티클 검출에 탄력적으로 대응할 수 있도록 패턴을 갖는 기준 웨이퍼를 통해 그것의 기능을 미리 평가·점검 함으로써, 예측하지 못한 공정사고를 사전에 방지할 수 있다.As described above, in the present invention, it is possible to prevent unforeseen process accidents in advance by evaluating and checking the function of the particle measuring equipment through a reference wafer having a pattern so as to flexibly cope with particle detection of the product wafer. .
이러한 본 발명은 생산라인에서 사용되는 전 기종의 파티클 계측장비에서 전반적으로 유용한 효과를 나타낸다.This invention shows the overall useful effect in all types of particle measuring equipment used in the production line.
그리고, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.And while certain embodiments of the invention have been described and illustrated, it will be apparent that the invention may be embodied in various modifications by those skilled in the art.
이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 기술적사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 첨부된 특허청구의 범위안에 속한다 해야 할 것이다.Such modified embodiments should not be understood individually from the technical spirit or point of view of the present invention and such modified embodiments should fall within the scope of the appended claims of the present invention.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 파티클 계측장비 관리용 기준 웨이퍼 구조에서는 종래의 베어 웨이퍼가 아닌 소정의 패턴을 갖는 새로운 기준 웨이퍼를 준비하고, 이를 통해, 파티클 계측 장비의 계측 기능이 정확히 기 점검될 수 있도록 함으로써, 파티클 계측장비를 프로덕트 웨이퍼의 파티클 계측에 탄력적으로 대응시킬 수 있다.As described in detail above, in the reference wafer structure for managing particle measurement equipment according to the present invention, a new reference wafer having a predetermined pattern is prepared instead of the conventional bare wafer, and through this, the measurement function of the particle measurement equipment is accurately checked. By making it possible, the particle metrology equipment can flexibly correspond to the particle metrology of the product wafer.
또한, 이와 같이, 파티클 계측장비를 프로덕트 웨이퍼의 파티클 계측에 탄력적으로 대응시킴으로써, 전체적인 프로덕트 웨이퍼의 레씨피를 정확히 관리할 수 있다.In this way, the particle measuring equipment can be flexibly responded to the particle measurement of the product wafer, thereby accurately managing the recipe of the entire product wafer.
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| KR1019980004734A KR19990070087A (en) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | Reference Wafer Structure for Particle Instrumentation Management |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019980004734A KR19990070087A (en) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | Reference Wafer Structure for Particle Instrumentation Management |
Publications (1)
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|---|---|
| KR19990070087A true KR19990070087A (en) | 1999-09-06 |
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100802583B1 (en) * | 2006-10-20 | 2008-02-13 | 삼성중공업 주식회사 | Method accuracy management for ship construction |
-
1998
- 1998-02-17 KR KR1019980004734A patent/KR19990070087A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100802583B1 (en) * | 2006-10-20 | 2008-02-13 | 삼성중공업 주식회사 | Method accuracy management for ship construction |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |