KR19990066367A - Semiconductor wafer coater - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스핀온글래스(Spin On Glass) 방식의 반도체 웨이퍼 코터에 관한 것으로, 회전구동되는 중심회전축(1) 상에 고정된 하부 스핀원판(2)과, 이 하부 스핀원판(2) 상에 연접 배치되어 있고 웨이퍼(W)를 흡착 고정할 수 있도록 된 복수의 상부 스핀원판(3)과, 이 상부 스핀원판(3)들을 각각 회전구동할 수 있도록 상기 중심회전축(1)과 평행하게 설치된 각각의 회전축(4)과, 상기 중심회전축(1)에 의해 상기 회전축(4)이 연동될 수 있도록 결합된 연동수단(10)으로 구성된 것으로서, 복수의 상,하부 스핀원판(2)(3)을 적층하여 상호 반대방향으로 회전시킴과 아울러 상부 스핀원판(3)이 하부 스핀원판(2)에 실려 함께 회전하므로써 상기 상부 스핀원판(3)의 웨이퍼(W) 상에 적하된 감광제(P)가 이중 원심력의 보상 작용에 의해 균일한 두께로 도포될 수 있게 되며, 특히 원심력의 편재 현상이 심화되어 나타나는 대형 웨이퍼(W)의 경우에도 탁월한 효과를 발휘하여 코팅막의 균일성을 유지할 수 있게 되는 반도체 웨이퍼 코터에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer coater of a spin on glass method, and includes a lower spin disc 2 fixed on a rotationally driven central rotation axis 1 and a connection on the lower spin disc 2. A plurality of upper spin disks 3 arranged and adapted to suck and fix the wafer W, and each of the upper spin disks 3 arranged in parallel with the central rotation shaft 1 to rotate the upper spin disks 3, respectively. The rotating shaft 4 and the interlocking means 10 coupled to the rotating shaft 4 by the central rotating shaft 1 are interlocked, and a plurality of upper and lower spin discs 2 and 3 are stacked. And the photosensitive agent P dropped on the wafer W of the upper spin disk 3 is rotated in the opposite direction, and the upper spin disk 3 is loaded on the lower spin disk 2 to rotate together. It can be applied to a uniform thickness by the compensation action of, in particular For this ubiquitous phenomenon it is intensified simryeok large wafer (W) that appears to relate to a semiconductor wafer coater being able to exert an excellent effect to maintain the uniformity of the coating film.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 코터에 관한 것으로, 특히 기존의 스핀온글래스 코터(Spin On Glass Coater)를 사용하였을 때 원심력의 작용에 의해 웨이퍼 상의 감광제 코팅막 두께가 불균일하게 나타나는 단점을 보완하고, 이러한 감광제 코팅막 두께의 불균일성이 심화되어 나타나는 대형 웨이퍼의 경우에도 효과적으로 대처할 수 있는 반도체 웨이퍼 코터에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer coater, and in particular, to compensate for the disadvantage that the thickness of the photoresist coating film on the wafer becomes uneven due to the action of centrifugal force when using a conventional spin on glass coater (Spin On Glass Coater), such a photoresist coating film thickness The present invention relates to a semiconductor wafer coater that can effectively cope with large wafers that exhibit increased inhomogeneity.
일반적인 웨이퍼 처리공정중에는 연마된 실리콘 웨이퍼의 표면보호 및 사진식각을 위하여 그 표면에 산화막을 형성하는 산화처리공정과, 상기 산화막 위에 액체상태의 감광제를 떨어뜨린 후 고속 회전시켜 균일한 코팅막을 형성하는 코팅막 부착공정을 포함한다. 이러한 코팅막 부착공정을 수행하기 위한 웨이퍼 코터는 웨이퍼 상에 감광제를 도포하기 위한 장비이다.During the general wafer processing process, an oxidation process for forming an oxide film on the surface of the polished silicon wafer for surface protection and photolithography, and a coating film for forming a uniform coating film by rotating the liquid photoresist on the oxide film and rotating it at high speed. Attachment process. The wafer coater for performing the coating film deposition process is a device for applying a photosensitive agent on the wafer.
종래의 반도체 웨이퍼 코터는 도 1에 도시한 바와 같이, 레벨링(Leveling)된 코팅컵(미도시)의 중앙에는 모우터(미도시)의 구동에 의해 회전하는 중심회전축(101)이 수직 설치되고, 이 중심회전축(101) 상에는 웨이퍼(W)를 흡착 고정하기 위한 진공척 및 스핀원판(102)이 장착되어 있으며, 상기 진공척 및 스핀원판(102)은 모우터가 구동될 때 어느 한방향으로만 회전되도록 구성되어 있다.In the conventional semiconductor wafer coater, as shown in FIG. 1, a central rotation shaft 101 that is rotated by driving of a motor (not shown) is vertically installed at the center of a leveled coating cup (not shown). A vacuum chuck and a spin disc 102 are mounted on the central rotation shaft 101 to suck and fix the wafer W. The vacuum chuck and spin disc 102 rotate in only one direction when the motor is driven. It is configured to be.
상기 코팅컵은 개방된 상태를 유지하고, 이 코팅컵의 전면에는 아크릴재의 도어(미도시)가 부착되어 있으며, 도면중 미설명 부호 P는 상기 웨이퍼(W) 상에 감광제(Photo Resist)를 나타낸다.The coating cup remains open, and an acrylic door (not shown) is attached to the front surface of the coating cup, and reference numeral P in the drawing denotes a photoresist on the wafer W. .
이러한 구조로 된 종래의 반도체 웨이퍼 코터는 카세트스테이지에 웨이퍼(W)가 셋팅된 후, 메인로봇이 상기 웨이퍼(W)를 냉각판(미도시) 상으로 이동하게 되며, 상기 웨이퍼(W)는 냉각판의 가장자리에 배치된 안내핀(미도시)에 의해 센터링됨과 아울러 냉각판 상에 있는 다수의 승강핀(미도시)에 의해 분리된 상태에서 셔틀(미도시)에 의해 이동되어 코팅컵의 진공척 및 스핀원판(102) 상에 웨이퍼(W)가 놓여지고, 웨이퍼(W)를 진공 흡착한 상기 진공척 및 스핀원판(102)이 하부위치로 하강한 상태에서 감광제(P)가 투입되면 모우터에 의해 중심회전축(101)이 구동됨에 따라 상기 진공척 및 스핀원판(102)이 회전하면서 코팅 공정이 진행된다.In the conventional semiconductor wafer coater having such a structure, after the wafer (W) is set in the cassette stage, the main robot moves the wafer (W) onto a cooling plate (not shown), and the wafer (W) is cooled. The vacuum chuck of the coating cup is centered by guide pins (not shown) disposed at the edge of the plate and moved by shuttles (not shown) separated by a plurality of lifting pins (not shown) on the cold plate. And a wafer W is placed on the spin disc 102 and the photosensitive agent P is introduced while the vacuum chuck and the spin disc 102 which have vacuum-adsorbed the wafer W are lowered to a lower position. As the central rotary shaft 101 is driven by the vacuum chuck and the spin disk 102 is rotated, the coating process proceeds.
그러나, 종래의 웨이퍼 코터는 도 2a에 도시한 바와 같이 진공척 및 스핀원판(102) 상에 웨이퍼(W)를 흡착시킨 후 그 위에 감광제(P)를 적하시켜 회전 구동하는 과정에서, 상기 진공척 및 스핀원판(102)으로부터 전달된 단일 원심력의 작용에 의해 감광제(P)가 웨이퍼(W)의 가장자리쪽으로 편재되는 현상이 발생하게 되므로 웨이퍼(W)의 코팅막 상태가 불균일하게 형성되는 문제점이 있었으며, 상기의 감광제(P) 편재 현상은 대형 웨이퍼(W)일수록 그 원심력이 증가하므로 더욱 심화되어 나타나게 되는 것이다.However, in the conventional wafer coater, the vacuum chuck in the process of adsorbing the wafer (W) on the vacuum chuck and the spin disk 102 as shown in Figure 2a and dropping the photosensitive agent (P) thereon to rotate the drive, And the phenomenon that the photosensitive agent (P) is unevenly distributed toward the edge of the wafer (W) by the action of a single centrifugal force transmitted from the spin disk 102, there was a problem that the coating film state of the wafer (W) is formed unevenly, The photosensitive agent (P) ubiquitous phenomenon is that the larger the wafer (W), the more the centrifugal force increases, so that it appears.
또한, 도 2b에 도시한 바와 같이 감광제(P)의 점도가 높은 경우에는, 상기 감광제(P)가 중앙쪽에 뭉친 상태로 코팅되므로, 이 경우에도 역시 웨이퍼(W)의 코팅막 상태가 불균일하게 형성되는 문제점이 있게 된다.In addition, when the viscosity of the photosensitive agent (P) is high, as shown in Figure 2b, the photosensitive agent (P) is coated in a state agglomerated in the center, in this case also the coating film state of the wafer (W) is also formed unevenly There is a problem.
이에 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 웨이퍼 표면 상에 상반된 방향성을 갖는 이중 원심력이 작용하여 적하된 감광제의 편재 현상을 상호 보상되도록 하므로써 코팅막 두께의 균일성을 유지할 수 있게 하고, 대형화 추세에 있는 웨이퍼의 코팅시에 특히 심화되어 나타나는 코팅막 두께의 불균성을 효과적으로 해소할 수 있도록 된 반도체 웨이퍼 코터를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems described above, the dual centrifugal force having opposite directionality on the surface of the wafer acts to compensate for the ubiquitous phenomenon of the photosensitive agent dropped to maintain the uniformity of the coating film thickness In addition, it is an object of the present invention to provide a semiconductor wafer coater which can effectively eliminate the unevenness of the coating film thickness which is particularly deepened during the coating of the wafer, which is becoming larger in size.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 코터의 개략적인 사시도,1 is a schematic perspective view of a semiconductor wafer coater according to the prior art,
도 2a 및 도 2b는 종래 웨이퍼 코터의 회전 작동에 의해 감광제가 도포된 상태를 측면 도시한 것으로,2A and 2B are side views illustrating a state in which a photosensitive agent is applied by a rotation operation of a conventional wafer coater.
도 2a는 웨이퍼가 회전됨에 따라 그 원심력이 감광제에 작용하여 웨이퍼의 가장자리로 편재된 상태,2A shows a state in which the centrifugal force acts on the photosensitizer as the wafer is rotated and is localized to the edge of the wafer
도 2b는 점도가 높은 감광제가 웨이퍼 상에 도포된 상태,2B is a state in which a high viscosity photosensitive agent is applied onto a wafer;
도 3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 코터의 이중 스핀원판 작동구조를 도시한 종단면도,3 is a longitudinal sectional view showing a double spin disc operating structure of a semiconductor wafer coater according to the present invention;
도 4는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 코터의 이중 스핀원판 작동구조를 개략적으로 도시한 사시도,4 is a perspective view schematically showing a dual spin disc operating structure of a semiconductor wafer coater according to the present invention;
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 웨이퍼 코터의 작동에 의해 감광제가 균일하게 도포되는 과정을 순차적으로 도시한 감광제 유동상태도이다.5A to 5C are flow charts of the photosensitive agent sequentially illustrating a process of uniformly applying the photosensitive agent by the operation of the wafer coater according to the present invention.
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 코터가 작동되는 경우에 작용하는 원심력 작용 상태도이다.6 is a state diagram of centrifugal force acting when the wafer coater according to the present invention is operated.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
P ; 감광제 W ; 웨이퍼P; Photosensitizer W; wafer
1, 101 ; 중심회전축 2 ; 하부 스핀원판1, 101; Center axis 2; Lower spin disc
3 ; 상부 스핀원판 4 ; 회전축3; Upper spin disk 4; Axis of rotation
10 ; 연동수단 11 ; 기어박스10; Interlocking means 11; Gearbox
12 ; 선기어 13 ; 유성기어12; Sun gear 13; Planetary gears
14 ; 링기어 102 ; 진공척 및 스핀원판14; Ring gear 102; Vacuum Chuck and Spin Disc
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 코터는 복수의 스핀원판을 상하로 적층하여 상호 반대방향으로 회전시킴과 아울러 상부 스핀원판이 하부 스핀원판에 실려 함께 회전하므로써, 상기 상부 스핀원판의 웨이퍼 상에 적하된 감광제가 이중 원심력의 보상 작용에 의해 균일한 두께로 도포될 수 있도록 구성된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the semiconductor wafer coater according to the present invention stacks a plurality of spin discs up and down to rotate them in opposite directions, and the upper spin disc is loaded on a lower spin disc to rotate together, thereby allowing the upper spin disc to rotate. The photosensitive agent dropped on the wafer is characterized in that configured to be applied to a uniform thickness by the compensation action of the double centrifugal force.
이하, 본 발명을 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 코터는 회전구동되는 중심회전축(1) 상에 고정된 하부 스핀원판(2)과, 이 하부 스핀원판(2) 상에 연접 배치되어 있고 웨이퍼(W)를 흡착 고정할 수 있도록 된 복수의 상부 스핀원판(3)과, 이 상부 스핀원판(3)들을 각각 회전구동할 수 있도록 상기 중심회전축(1)과 평행하게 설치된 각각의 회전축(4)과, 상기 중심회전축(1)에 의해 상기 회전축(4)이 연동될 수 있도록 결합된 연동수단(10)으로 구성되어 있다.As shown in Figs. 3 and 4, the semiconductor wafer coater according to the present invention has a lower spin disc 2 fixed on a central rotation axis 1 that is rotationally driven and a contiguous arrangement on the lower spin disc 2; A plurality of upper spin disks 3, each of which is fixed to the wafer W, and which are rotated in parallel with the central rotation shaft 1 so as to rotate the upper spin disks 3, respectively. (4) and the interlocking means 10 coupled to the rotary shaft 4 by the central rotary shaft 1 is interlocked.
상기 연동수단(10)은 상기 중심회전축(1)에 고정된 선기어(12)와, 상기 각 회전축(4)에 각각 고정되어 상기 선기어(12)와 맞물려진 유성기어(13)와, 이 유성기어(13)와 내접할 수 있도록 기어박스(11)의 내벽에 고정 설치되어 상기 중심회전축(1)의 회전시 유성기어(13)가 선기어(12)의 주변을 회전하면서 자전할 수 있게 안내해주는 링기어(14)로 구성되어 있다. 도면중 미설명 부호 15는 회전체 간의 마찰 간섭을 배제하기 위한 베어링을 나타낸 것이며, 그 외의 구성은 종래의 것과 동일하므로 자세한 설명을 생략하기로 한다.The interlocking means 10 includes a sun gear 12 fixed to the central rotation shaft 1, a planetary gear 13 fixed to each of the rotation shafts 4 and engaged with the sun gear 12, and the planetary gear. It is fixed to the inner wall of the gear box 11 so as to be inscribed with the 13 ring to guide the planetary gear 13 to rotate while rotating around the sun gear 12 during the rotation of the central rotating shaft (1) It consists of the gear 14. In the drawings, reference numeral 15 denotes a bearing for excluding frictional interference between the rotating bodies, and the rest of the configuration is the same as that of the conventional art, and thus detailed description thereof will be omitted.
이러한 구성을 이루는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 코터는 카세트스테이지에 웨이퍼(W)가 셋팅된 후, 메인로봇이 상기 웨이퍼(W)를 냉각판 상으로 이동하게 되며, 상기 웨이퍼(W)는 냉각판의 가장자리에 배치된 안내핀에 의해 센터링됨과 아울러 냉각판 상에 있는 다수의 승강핀에 의해 분리된 상태에서 셔틀에 의해 이동되어 복수의 상부 스핀원판(3) 상에 웨이퍼(W)가 각각 놓여진다.In the semiconductor wafer coater according to the present invention having such a configuration, after the wafer (W) is set on the cassette stage, the main robot moves the wafer (W) onto the cooling plate, and the wafer (W) of the cooling plate The wafers W are placed on the plurality of upper spin discs 3 by being moved by shuttles in a state of being centered by guide pins disposed at the edges and separated by a plurality of lift pins on the cold plate.
또한, 상기 웨이퍼(W) 상에 감광제(P)가 투입되면 중심회전축(1)과 연결된 모우터(미도시)가 구동되면서 하부 스핀원판(2) 및 선기어(12)가 함께 회전하게 되고, 상기 선기어(12)는 이와 맞물린 유성기어(13)를 반대 방향으로 각각 회전시키면서 이와 동시에 회전축(4) 및 상기 상부 스핀원판(3)을 회전시켜주게 된다. 이때, 상기의 각 유성기어(13)는 기어박스(11)의 내벽에 고정된 링기어(14)의 내주면을 따라 안내되면서 상기 선기어(12)를 중심으로 회전하므로써, 상기 하부 스핀원판(2)에 실려 소정 방향으로 회전함과 동시에 각 상부 스핀원판(3)들은 이와 반대방향으로 자전도 하게 되는 것이다.In addition, when the photosensitive agent P is injected onto the wafer W, a motor (not shown) connected to the central rotation shaft 1 is driven to rotate the lower spin disc 2 and the sun gear 12 together. The sun gear 12 rotates the rotational shaft 4 and the upper spin disk 3 while simultaneously rotating the planetary gears 13 engaged with each other in the opposite direction. At this time, each of the planetary gear 13 is guided along the inner circumferential surface of the ring gear 14 fixed to the inner wall of the gear box 11 and rotates about the sun gear 12, thereby the lower spin disk (2) The upper spin disks 3 rotate in a predetermined direction and rotate in opposite directions.
따라서, 도 5a 내지 도 5c에 도시한 바와같이, 상기 상부 스핀원판(3)에 흡착된 각 웨이퍼(W) 상에는 상반되는 방향성을 갖는 이중 원심력이 작용하게 되고, 이러한 이중 원심력 간의 보상 작용에 의해 편재 위치가 반복적으로 변화하면서 균일한 상태의 감광제(P) 코팅막을 형성하게 되는 것이다. 이때, 각 원심력의 크기는 도 6에서와 같이, 원심력 B > 원심력 C > 원심력 A 의 순으로 결정되어 나타나게 되므로 상기 감광제(P)가 균일성을 갖게 되며, 여기서 A는 하부 스핀원판(2)에 작용하는 원심력, B는 상부 스핀원판(3)의 외측으로 작용하는 원심력, C는 상기 상부 스핀원판(3)의 내측으로 작용하는 원심력을 각각 나타낸다.Therefore, as shown in Figs. 5A to 5C, double centrifugal forces having opposite directions act on each of the wafers W adsorbed on the upper spin disc 3, and the ubiquitous effect is compensated by the double centrifugal forces. The position is repeatedly changed to form a photoresist (P) coating film in a uniform state. At this time, the size of each centrifugal force is determined in the order of centrifugal force B> centrifugal force C> centrifugal force A as shown in FIG. 6, so that the photosensitive agent P has uniformity, where A is applied to the lower spin disc 2. The centrifugal force acting, B is the centrifugal force acting outward of the upper spin disc 3, and C is the centrifugal force acting inward of the upper spin disc 3, respectively.
상기한 바와 같은 크기로 각부의 원심력이 작용하는 과정에서, 상기 원심력 C는 비교적 미약한 힘이지만 상기 감광제(P)가 상부 스핀원판(3)으로부터 밀려나는 현상을 방지할 수 있게 되고, 이때의 원심력 C에 대한 크기는 선기어(12)와 유성기어(13) 간의 잇수비를 변화시키므로써 조절 가능하게 된다.In the process of the centrifugal force of each part in the size as described above, the centrifugal force C is a relatively weak force, but the photosensitive agent (P) can be prevented from being pushed out of the upper spin disk (3), the centrifugal force at this time The size for C can be adjusted by changing the number of teeth between the sun gear 12 and the planetary gear 13.
상기와 같은 구성및 작용에 의해 기대할 수 있는 본 발명의 효과는 다음과 같다.The effects of the present invention that can be expected by the configuration and action as described above are as follows.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 코터는 복수의 상,하부 스핀원판(2)(3)을 적층하여 상호 반대방향으로 회전시킴과 아울러 상부 스핀원판(3)이 하부 스핀원판(2)에 실려 함께 회전하므로써 상기 상부 스핀원판(3)의 웨이퍼(W) 상에 적하된 감광제(P)가 이중 원심력의 보상 작용에 의해 균일한 두께로 도포될 수 있게 되며, 특히 원심력의 편재 현상이 심화되어 나타나는 대형 웨이퍼(W)의 경우에도 탁월한 효과를 발휘하여 코팅막의 균일성을 유지할 수 있게 되는 것이다.In the semiconductor wafer coater according to the present invention, a plurality of upper and lower spin disks 2 and 3 are stacked and rotated in opposite directions, and the upper spin disk 3 is loaded on the lower spin disk 2 to rotate together. The photosensitive agent P dropped on the wafer W of the upper spin disc 3 can be applied to a uniform thickness by the compensation action of the double centrifugal force, and in particular, a large wafer in which the localization of the centrifugal force is intensified ( In the case of W) it is also possible to maintain an excellent coating film uniformity.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040025080A (en) * | 2002-09-18 | 2004-03-24 | 한국전기초자 주식회사 | A lapping-tool for lapping a crt glassware |
| KR101281698B1 (en) * | 2011-12-05 | 2013-07-03 | (주)프리맥 | An auto exchanging apparatus of a tool for manufacturing semiconductor |
| CN117139075A (en) * | 2023-10-27 | 2023-12-01 | 青岛天仁微纳科技有限责任公司 | Glue homogenizing device for semiconductor silicon wafer |
-
1998
- 1998-01-24 KR KR1019980002248A patent/KR19990066367A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040025080A (en) * | 2002-09-18 | 2004-03-24 | 한국전기초자 주식회사 | A lapping-tool for lapping a crt glassware |
| KR101281698B1 (en) * | 2011-12-05 | 2013-07-03 | (주)프리맥 | An auto exchanging apparatus of a tool for manufacturing semiconductor |
| CN117139075A (en) * | 2023-10-27 | 2023-12-01 | 青岛天仁微纳科技有限责任公司 | Glue homogenizing device for semiconductor silicon wafer |
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