KR19990064545A - 세라믹 타입 정전척 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조시 전공정 장비인 에처(etcher)나 시브디(CVD)의 플라스마 소스(plasma source)에 사용되는 세라믹 타입 정전척(ceramic type electrocity chuck) 제조방법에 관한 것으로, 알루미늄몸체(1)의 접착면을 세라믹으로 코팅하는 접착면코팅단계와, 알루미늄몸체(17)에 코팅된 세라믹층(S)의 표면거칠기를 일정수준으로 유지할 수 있도록 하는 코팅면 샌딩단계, 이 샌딩단계를 거치면서 소정의 표면조도가 유지된 알루미늄몸체(17)를 아노다이징 피막처리한 다음 전극(2)을 접착하고 그 위에 열경화성접착필름(4)을 진공중에서 열압착하여 접착하는 1차 필름접착단계(8), 폴리이미드절연필름(5)과 도전성 구리 박막(6)을 진공증착하여 접착한 절연필름을 열경화성 접착필름(7)과 접착시키는 2차 필름접착단계(9), 이 2차 필름접착단계을 거쳐 생성된 2차접착필름(9)을 상기 1차 필름접착단계를 거쳐 생성된 1차접착필름(8)위에 고정하고 진공중에서 열압착하는 3차 필름접착단계(8')로 구성되어 있다.
Description
본 발명은 세라믹 타입 정전척(Ceramic type electrostatic chuck)을 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 알루미늄몸체가 완전절연되도록 하여 아크(arc)로 부터 절연막을 보호하고 식각공정등에서 불순물 입자가 침투하는 것을 방지하도록 된 정전척 제조방법에 관한 것이다.
이하 설명하는 정전척은 반도체 제조시 사용되는 에처(etcher) 및 시브디(CVD) 장비인 플라즈마 소오스(Plasma Source)에 사용하는 것이다.
일반적으로 정전척은 그 표면에 놓여있는 도체 또는 반도체로 된 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)와 같은 흡착물 사이에서 전위차에 의해 발생되는 유전분극현상(誘電分極現象)과 정전기력이 발생되는 기본원리를 이용하여 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 장비등을 고정하거나 굽어짐의 교정 또는 반송수단으로 사용되고 있다.
한편 정전척은 기판을 알루미늄으로 아노다이징(anodizing)한 다음 접착제로 폴리이미드(polyimide)와 동(cupper:Cu)으로 이루어진 전극동박을 순차적으로 적층시킨 시이트(sheet)형태로 구성되며, 일반적으로 다음과 같은 방법으로 제조되게 된다.
즉 도 6에 도시된 것과 같이 아노다이징처리된 알루미늄몸체(1)에 형성된 관통공(도시되지 않음)에 전극(2)을 관통한 다음 완전경화접착시키는 전극접착단계와, 전극이 관통접착된 알루미늄 몸체(1)위에 열경화성필름(3)을 대기중에서 열압착하여 보호필름을 벗겨낸 다음 이 열경화성필름(3)위에 양쪽 끝부분을 한쪽방향으로 굽어지도록 하여 성형기에서 성형한 성형절연필름(4)을 압착시키는 1차 필름접착단계, 폴리이미드필름(5)과 도전성 금속구리(Cu)박막(6)을 진공중착으로 접착시킨 절연필름을 열경화성필름(7)과 재차 접착시키는 2차 필름접착단계 및, 상기 1차 필름접착 단계를 거친 1차접착필름(8)과 2차 필름접착단계를 거친 2차접착필름(9)을 대기중에서 완전하게 열압착시키는 3차 필름접착단계(8')를 순차적으로 거치면서 정전척(10)을 제조하도록 되어 있다.
그리고 상기 전극 설치단계에서 사용되고 있는 전극(2)은 도 7에 도시된 것과 같이, 전원연결부(11)와 은납주입부(12)가 형성된 폴리이미드절연필름(13)과 폴리이미드절연필름(14)사이에 열경화성접착필름(15)을 라미네이션(lamination)한 다음 열경화성 접착필름(16)을 가접하여 구성하도록 되어 있어, 상기 은납주입부(12)에 은납을 녹여 주입시키고서 전원연결부(11)에 외부전원을 연결시키면 상기 도전성 금속 구리박막(6)에 전기가 도전(導電)되도록 되어 있다.
그런데 상기와 같은 제조방법에 있어서, 알루미늄몸체를 보호하기 위하여 성형된 폴리이미드필름을 사용하고 아크현상으로 부터 아노다이징피막을 보호하기 위하여 절연필름을 사용하도록 되어 있어서 플라즈마에 의해 필름이 마모되게 되고, 열적변형으로 인해 수명이 단축되며 아노다이징 피막에 불순물 입자가 혼입된다는 문제가 있다.
그리고 폴리이미드 필름을 성형하는 것으로써 아노다이징 피막을 어느 정도 보호할 수 는 있으나 필름 성형작업에 어려움이 따를 뿐 아니라, 아크가 발생하게 되면 필름이 타버리거나 찢어지게 된다는 문제도 있다.
또한 알루미늄 몸체에 필름을 완전 밀착시킨 상태로 성형할 수 없기 때문에 아크가 발생하였을 때 알루미늄 몸체를 제대로 보호할 수 없어 정전척의 수명이 한정되게 되고, 알루미늄 몸체를 재생하여 사용할 수 있는 횟수가 극히 한정된다는 문제도 있다.
이에 본 발명은 상기 같은 제반 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로, 세라믹 코팅을 한 다음 코팅면을 샌딩처리하여 금속과의 결합력을 높이면서 정전척의 몸체가 완전 절연되도록 함으로써, 아크현상으로부터 알루미늄 몸체가 손상되는 것을 방지하여 아노다이징 피막의 수명을 연장시키고 불순물 입자가 발생하는 것을 최소화하여 수명을 연장할 수 있도록 된 정전척 제조방법에 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명에 있어서 알루미늄 몸체에 세라믹코팅을 하는 단계를 설명하기 위한 개략도,
도 2는 도 1에서의 A부 확대도,
도 3은 본 발명에 있어서 세라믹코팅된 알루미늄몸체를 연마하는 단계를 설 명하기 위한 개략도,
도 4는 본 발명에 따른 제조방법을 단계적으로 설명하기 위한 개략도,
도 5는 도 4에서의 B부 단면도,
도 6은 종래기술에 따른 제조방법을 설명하기 위한 개략도,
도 7은 도 6에서의 C부 단면도이다.
1 --- 알루미늄몸체, 2 --- 전극,
3 --- 열경화성 필름, 4 --- 성형절연필름,
5 --- 폴리이미드필름, 6 --- 도전성 금속 구리박막,
7 --- 열경화성필름, 8 --- 1차접착필름,
9 --- 2차접착필름, 10 --- 정전척,
11 --- 전원연결부, 12 --- 은납주입부,
13,14 --- 폴리이미드절연필름, 15,16 --- 열경화성접착필름,
17 --- 알루미늄몸체, 18 --- 정전척,
19 --- 마스크용 지그, 20 --- 제트 건,
21 --- 계단부, 22 --- 지지플레이트,
23 --- 애노드전극, 24 --- 캐소드전극,
25 --- 가스주입부, 26 --- 절연세라믹,
27 --- 파우더공급부, 28,29 --- 연마석,
S --- 세라믹층(S)
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 알루미늄몸체의 접착면을 세라믹으로 코팅하는 접착면 코팅단계와, 알루미늄 몸체에 코팅된 세라믹층의 표면 거칠기가 일정 수준을 유지하도록 코팅표면을 연마하는 세라믹 코팅면 샌딩단계, 이 샌딩단계를 거치면서 표면조도가 유지된 알루미늄 몸체를 아노다이징 피막처리한 다음 전극을 접착하고 그 위에 열경화성 접착필름을 진공중에서 열압착으로 접착하는 1차 필름 접착단계, 폴리이미드 절연필름에 도전성 구리가 진공증착된 필름과 폴리이미드 절연필름사이에 열경화성 접착필름을 차례로 적층하여 170℃ 내지 180℃에서 진공 열 압착하여 단일의 적층필름을 만드는 2차 필름접착단계, 이 2차 필름접착단계을 거쳐 생성된 2차접착필름을 상기 1차 필름접착단계를 거쳐 생성된 1차접착필름위에 고정하고 170℃ 내지 180℃의 온도에서 완전 평면접착하는 3차 필름접착단계로 구성되어 있다.
그리고 상기 접착면코팅단계에서 세라믹을 선택적으로 코팅하기 위한 마스크용 지그와, 이 마스크용 지그로 코팅액을 분사할 수 있도록 된 플라즈마 아아크 제트 건을 이용하는 한편, 상기 코팅면 샌딩단계에서는 복수의 연마석을 이용하여 알루미늄 몸체의 세라믹 코팅층을 일정한 힘으로 눌러주면서 연마하도록 되어 있다.
이하 본 발명을 첨부된 예시도면에 의거 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 있어서 정전척 몸체에 세라믹코팅을 하는 것을 설명하기 위한 개략도, 도 3은 본 발명에 있어서 정전척몸체를 연마하는 작업을 설명하기 위한 개략도, 도 4는 본 발명에 따른 제조방법을 설명하기 위한 개략도로써, 종래기술을 도시한 도 6 및 도 7과 동일부위에는 동일 참조부호가 도시되어 있다.
본 발명은 도면에 도시된 것과 같이, 알루미늄 몸체(1)의 접착면을 세라믹으로 코팅하는 접착면코팅단계와, 알루미늄몸체(17)에 코팅된 세라믹층(S)의 표면거칠기를 일정수준으로 유지할 수 있도록 하는 표면을 연마하는 코팅면 샌딩단계, 이 샌딩단계를 거치면서 소정의 표면조도가 유지된 알루미늄 몸체(17)를 아노다이징 피막처리한 다음 전극(2)을 접착하고 그 위에 열경화성 접착필름(3)을 진공중에서 열압착하여 접착하는 1차 필름접착단계(8), 폴리이미드 절연필름(5)과 도전성 구리 박막(6)을 진공증착하여 접착한 절연필름 아래에 열경화성 접착필름(7)을 접착하고 그 아래에 폴리이미드 절연필름(5-1)을 접착하여 적층상태로 만드는 2차 필름접착단계(8'), 이 2차 필름접착단계을 거쳐 생성된 2차접착필름(9)을 상기 1차 필름접착단계를 거쳐 생성된 1차접착필름(8)위에 고정하고 진공중에서 완전하게 열압착하는 3차 필름접착단계(8')를 순차적으로 거치면서 정전척(18)을 제조하도록 되어 있다.
한편 상기 폴리이미드절연필름(5)과 도전성 구리 박막(6) 및 세라믹층(S)의 전체 두께가 300㎛를 넘지 않도록 하는 것이 성능을 향상시키는데에 바람직하다.
그리고 상기 전극(2)은 전원연결부(11)와 은납주입부(12)가 형성된 폴리이미드 절연필름(13)과 폴리이미드 절연필름(14)사이에 열경화성 접착필름(15)을 라미네이션(lamination)한 다음 열경화성 접착필름(16)을 가접하여 구성하도록 되어 있으며, 상기 열경화성 접착필름(16)을 80℃에서 가접하고 그 위에 폴리이미드 절연필름(13,14)을 완전접착하는 것이 바람직하다.
한편 상기 접착면 코팅단계에서는 마스크용 지그(19)와 이 마스크용 지그(19)로 부터 소정 간격만큼 떨어진 위치에 설치된 플라즈마 아아크 제트 건(Plasma Arc Jet Gun:20:이하 제트건이라 함)을 이용하게 되는데, 상기 마스크용 지그(19)는 알루미늄 몸체(1)와 동일형상을 이루도록 복수의 계단부(21)를 갖추고서 보울트(도시되지 않음)와 같은 공지의 체결수단을 매개로 지지플레이트(22)에 양쪽 측부가 고정되고 코팅 부위만 노출되도록 되어 있고, 상기 제트건(20)은 지그(19)와 소정간격을 두고 설치되어 코팅하고자 하는 표면에 고온의 융점을 가진 세라믹 파우더를 순간적으로 녹이면서 분사하도록 되어 있다.
즉, 상기 제트건(20)은 냉각수와 DC전원을 동시에 공급할 수 있는 애노드(Anode)전극(23)과 캐소드(cathode)전극(24), 아르곤(Ar)가스를 공급할 수 있는 가스주입부(25), 이들 가스주입부(25)와 애노드전극(23)과 캐소드전극(24)을 전기적으로 절연시키기 위한 절연세라믹(26) 및 세라믹파우더를 공급할 수 있는 파우더공급부(27)를 갖추고 있다.
따라서, 공급된 아르곤가스에 의하여 아아크 방전되면서 플라즈마가 발생할 때 상기 파우더 공급부(27)로 분말형태로 된 세라믹을 공급하게 되면, 플라즈마 내부의 강한 압력과 고온에 의한 폭발성 에너지에 의하여 세라믹 파우더가 도 2에 도시된 것과 같이 순간적으로 용융되면서 음속에 가까운 속력으로 분사됨으로써 마스크용 지그(19)를 매개로 코팅부위만 노출되도록 설치된 알루미늄 몸체(1)의 접착면이 세라믹으로 코팅되게 된다.
한편 상기 세라믹 파우더의 성분은 Al2O3(산화알루미늄)와 TiO2(산화티탄)를 혼합한 것을 사용하는 것이 바람직하다.
또한 상기 코팅면 샌딩단계는 알루미늄과 세라믹코팅층의 열팽창 차이에 의하여 크랙이 발생되는 것을 방지하기 위한 것으로, 도 3에 도시된 것과 같이 복수의 연마석(28,29)을 이용하여 알루미늄 몸체(17)의 세라믹코팅층을 일정한 힘으로 누르면서 연마하여 알루미늄 몸체(17)와의 결합력을 향상시키면서 세라믹코팅층이 일정한 두께를 유지하도록 하되, 세라믹 코팅층의 두께는 210㎛이하로 하고 표면조도(Ra)를 0.7㎛이하로 유지하는 것이 바람직하다.
한편 본 발명에 따른 장치 및 제조방법은 상기 설명된 실시예에만 한정되는 것은 아니며 에컨대 고무나 플라스틱과 같은 얇은 물질을 금속과 같은 고체에 접착하여 생산하는 물품 제조시에 적용하여 사용할 수 있고, 상기 금속바디에 접착필름으로 사용되는 필름도 에폭시계나 아크릴계 및 페놀릭계등과 같은 열경화성 필름에 폭 넓게 사용할 수 있다.
그리고 상기 금속바디 역시 알루미늄을 포함하여 황동이나 스테인레스강, 일반합금강 및 탄소강 등을 사용할 수 있으며, 상기 접착필름에 접착되는 절연필름도 본 발명의 실시예로 설명된 폴리이미드 계열 필름 뿐 아니라 예컨대 폴리에테르필름 및 폴리에칠렌 수지필름과 같이 절연성을 띨 수 있는 필름도 폭 넓게 사용할 수 있다.
또한 상기 코팅시 사용하는 장치 역시 본 발명의 요지가 변하지 않는 범위내에서라면 다양하게 변경실시할 수 있슴은 물론이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명 정전척 제조방법에 따르면, 세라믹코팅을 한 다음 샌딩처리하여 금속과의 결합력을 높이면서 정전척의 몸체를 완전절연할 수 있도록 하고, 아크현상으로부터 알루미늄몸체를 보호하여 줌으로써 아노다이징피막의 수명을 연장시키고 불순물입자가 발생하는 것을 저감하여 수명을 연장할 수 있는 한편, 알루미늄 몸체의 재생 횟수도 높이는 잇점이 있다.
Claims (5)
- 알루미늄몸체(1)의 접착면을 세라믹으로 코팅하는 접착면 코팅단계와, 알루미늄 몸체(17)에 코팅된 세라믹층(S)의 표면거칠기가 일정수준을 유지하도록 코팅표면을 연마하는 세라믹 코팅면 샌딩단계, 이 샌딩단계를 거치면서 표면조도가 유지된 알루미늄 몸체(17)를 아노다이징 피막처리한 다음 전극(2)을 접착하고 그 위에 열경화성 접착필름(3)을 진공중에서 열압착으로 접착하는 1차 필름접착단계(8), 폴리이미드 절연필름(5)에 도전성 구리가 진공증착된 필름(6)과 폴리이미드 절연필름(5-1)사이에 열경화성 접착필름(7)을 차례로 적층하여 170℃ 내지 180℃에서 진공 열 압착하여 단일의 적층필름을 만드는 2차 필름접착단계(9), 이 2차 필름접착단계을 거쳐 생성된 2차 접착필름(9)을 상기 1차 필름접착단계를 거쳐 생성된 1차 접착필름(8)위에 고정하고 170℃ 내지 180℃의 온도에서 완전 평면접착하는 3차 필름접착단계(8')로 이루어진 정전척 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 접착면코팅단계에서 알루미늄몸체(1)와 동일형상을 이루도록 1쌍을 이루는 복수의 계단부(21) 및 개구부를 갖추고서 지지플레이트(22)에 양쪽 측부가 고정된 마스크용 지그(19)와; 이 지그(19)와 소정간격으로 떨어져 설치되되 냉각수와 DC전원을 동시에 공급할 수 있는 애노드전극(23)과 캐소드전극(24), 아르곤가스를 공급할 수 있는 가스주입부(25), 이들 가스주입부(25)와 애노드전극(23)과 캐소드전극(24)을 전기적으로 절연시키기 위한 절연세라믹(26) 및, 산화알루미늄과 산화티탄을 혼합한 세라믹파우더를 공급할 수 있는 파우더공급부(27)를 갖추고서 상기 마스크용 지그(19)로 코팅액을 스프레이 형태로 분사할 수 있도록 된 플라즈마 아아크 제트 건(20)을 이용하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조방법.
- 제 1항과 제 2항에 있어서, 상기 폴리이미드 절연필름(5)과 도전성 구리 박막(6) 및 세라믹층(S)의 전체 두께를 300㎛이하로 유지하도록 하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조방법.
- 제 2항에 있어서, 상기 코팅면 샌딩단계에서 복수의 연마석(28,29)으로 알루미늄 몸체(17)에 코팅된 세라믹층(S)을 일정한 힘으로 눌러주면서 연마하여 세라믹코팅층의 두께가 210㎛이하를 유지하고 표면조도를 0.7㎛이하로 유지하도록 하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 접착면 코팅단계에서 세라믹층(S)을 알루미늄 몸체(17)에 먼저 코팅하도록 된 것을 특징으로 하는 정전척 제조방법.
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| JP3208029B2 (ja) * | 1994-11-22 | 2001-09-10 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置およびその作製方法 |
| JPH10209256A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置およびその製造方法 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010063394A (ko) * | 1999-12-22 | 2001-07-09 | 고석태 | 그 표면에 세라믹이 코팅된 정전척과 세라믹 코팅방법 |
| KR100497953B1 (ko) * | 2002-08-05 | 2005-06-29 | 한국화학연구원 | 전도성 세라믹 전극 및 이를 포함하는 정전척 |
| KR101264395B1 (ko) * | 2005-10-07 | 2013-05-14 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 반도체 처리 방법 |
| KR20180127808A (ko) * | 2017-05-22 | 2018-11-30 | (주)코미코 | 반도체 제조용 정전척의 아킹 현상 개선방법 |
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