KR19990052414A - LCD - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고개구율의 액정표시소자에 적합한 리던던시 기능을 구비한 스토리지 캐패시터의 전극구조에 관한 것이다.The present invention relates to an electrode structure of a storage capacitor having a redundancy function suitable for a high aperture liquid crystal display device.
본 발명은 서로 교차하는, 일정간격을 두고 배열된 다수의 게이트 라인과 데이타 라인과; 상기 데이타 라인 및 게이트 라인에 의해 만들어지는 화소영역에 형성된 화소전극을 구비하는 액정표시소자에 있어서, 상기 화소전극과 오버랩되어 상기 게이트 라인과 나란하게 배열되는 스토리지 전극라인과; 상기 화소전극과 오버랩되어 상기 상기 스토리지 전극라인에 나란하게 연결되는 제1더미 스토리지 전극라인과; 상기 스토리지 전극라인과 상기 제1스토리지 더미라인을 연결하기 위한, 상기 스토리지 전극라인 및 제1더미라인의 양측에 화소전극의 측면과 오버랩되어 형성되는 1쌍의 제2더미스토리지 전극라인으로 이루어지는 스토리지 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention provides a plurality of gate lines and data lines arranged to be spaced apart from each other; A liquid crystal display device comprising a pixel electrode formed in a pixel region formed by the data line and the gate line, comprising: a storage electrode line overlapping the pixel electrode and arranged in parallel with the gate line; A first dummy storage electrode line overlapping the pixel electrode and connected to the storage electrode line in parallel; A storage electrode comprising a pair of second dummy storage electrode lines formed on both sides of the storage electrode line and the first dummy line to overlap the side surfaces of the pixel electrode for connecting the storage electrode line and the first storage dummy line. It characterized in that it further comprises.
Description
본 발명은 평판표시소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고개구율의 액정표시소자에 있어서 리던던시 기능을 스토리지 캐패시터의 전극구조에 관한 것이다.The present invention relates to a flat panel display device, and more particularly, to an electrode structure of a storage capacitor having a redundancy function in a liquid crystal display device having a high opening ratio.
TFT-LCD 는 고개구율, 광시야각, 저소비전력등과 함께 대형화가 중요한 발전방향으로 자리잡고 있다. TFT-LCD를 대형화하는 데 있어서, TFT 구동능력(performance), 액정동작전압 및 높은 비저항의 유지 등이 요구되고 있다.TFT-LCD is becoming an important development direction along with high opening ratio, wide viewing angle and low power consumption. In increasing the size of a TFT-LCD, there is a demand for maintaining TFT performance, liquid crystal operating voltage and high specific resistance.
그리고, 대화면의 고화질을 얻기 위해서는 액정에 인가되는 전압을 충분히 유지시켜 주어야 하는데, 이를 위해 스토리지 캐패시터를 구비한 액정표시소자가 채택되었다.In addition, in order to obtain a high quality of the large screen, the voltage applied to the liquid crystal must be sufficiently maintained. For this purpose, a liquid crystal display device having a storage capacitor has been adopted.
일반적으로 스토리지 캐패시터를 채택한 액정표시소자는 크게 스토리지 게이트 온(storage on gate)방식과 스토리지 온 커먼(storage on common)방식으로 크게 나누어진다.In general, a liquid crystal display device employing a storage capacitor is largely divided into a storage on gate method and a storage on common method.
도 1은 종래의 스토리지 온 게이트방식을 채택한 액정표시소자의 평면 구조를 도시한 것이다. 도 1을 참조하면, 종래의 액정표시소자는 다수의 게이트라인(11)이 일정간격을 두고 배열되고, 다수의 데이터 라인(12)이 상기 게이트 라인(11)과 교차하도록 일정간격을 두고 배열된다.1 illustrates a planar structure of a liquid crystal display device employing a conventional storage on gate method. Referring to FIG. 1, in the conventional liquid crystal display device, a plurality of gate lines 11 are arranged at a predetermined interval, and a plurality of data lines 12 are arranged at regular intervals so as to intersect the gate lines 11. .
상기 데이터 라인(12)과 게이트 라인(11)에 의해 한정되는 화소영역(14)에는 투명도전막으로 된 화소전극(13)이 형성되고, 게이트 라인(11)과 데이터 라인(12)이 교차하는 부분에는 박막 트랜지스터(15)가 형성된다.A pixel electrode 13 made of a transparent conductive film is formed in the pixel region 14 defined by the data line 12 and the gate line 11, and a portion where the gate line 11 and the data line 12 cross each other. The thin film transistor 15 is formed.
박막 트랜지스터(15)는 게이트(15-1)가 게이트 라인(11)에 연결되고, 소오스와 드레인(15-2, 15-3)은 화소전극(13)과 데이터 라인(12)에 각각 연결 구성된다.In the thin film transistor 15, the gate 15-1 is connected to the gate line 11, and the source and drain 15-2 and 15-3 are connected to the pixel electrode 13 and the data line 12, respectively. do.
종래의 스토리지 온 게이트방식의 액정표시소자는 별도의 스토리지 전극을 형성하는 것이 아니라 게이트 라인과 화소전극을 오버랩시켜 스토리지 전극으로 사용한다. 즉, 도 1에 도시된 바와같이, 전단의 게이트 라인, 예를 들면 이전의 게이트 라인 즉, i 번째의 게이트 라인(11i)과 현재의 화소 즉, i+1 번째 화소전극(13i+1)을 오버랩시켜 줌으로써, 게이트의 일부분을 스토리지 캐패시터 전극(16)으로 사용한다.Conventional storage-on-gate liquid crystal display devices do not form a separate storage electrode but overlap the gate line and the pixel electrode to be used as the storage electrode. That is, as shown in FIG. 1, the gate line of the front end, for example, the previous gate line, that is, the i-th gate line 11i and the current pixel, that is, the i + 1 th pixel electrode 13i + 1 By overlapping, a portion of the gate is used as the storage capacitor electrode 16.
도 2는 종래의 스토리지 온 커먼방식의 액정표시소자의 평면 구조를 도시한 것이다. 도 2를 참조하면, 종래의 스토리지 온 커먼방식의 액정표시소자는 도 1의 스토리지 온 게이트방식과 유사하다. 즉, 다수의 게이트라인(21)이 일정간격을 두고 배열되고, 다수의 데이터 라인(22)이 상기 게이트 라인(21)과 교차하도록 일정간격을 두고 배열된다.2 illustrates a planar structure of a conventional storage on common liquid crystal display device. Referring to FIG. 2, the liquid crystal display of the conventional storage on common method is similar to the storage on gate method of FIG. 1. That is, the plurality of gate lines 21 are arranged at regular intervals, and the plurality of data lines 22 are arranged at regular intervals so as to intersect the gate lines 21.
상기 데이터 라인(22)과 게이트 라인(21)에 의해 한정되는 화소영역(24)에는 투명도전막으로 된 화소전극(23)이 형성되고, 게이트 라인(21)과 데이터 라인(22)이 교차하는 부분에는 박막 트랜지스터(25)가 형성된다.A pixel electrode 23 made of a transparent conductive film is formed in the pixel region 24 defined by the data line 22 and the gate line 21, and a portion where the gate line 21 and the data line 22 cross each other. The thin film transistor 25 is formed.
도면중 25-1 은 박막 트랜지스터의 게이트, 25-2, 25-3 은 박막 트랜지스터의 소오스와 드레인을 의미한다.In the figure, 25-1 denotes a gate of a thin film transistor, and 25-2 and 25-3 denote a source and a drain of the thin film transistor.
종래의 스토리지 온 커먼방식의 액정표시소자는 도 1의 스토리지 온 게이트방식의 액정표시소자와는 달리 스토리지 전극(26)을 상기 화소전극(23)을 가로질러 게이트 라인(21)과 나란히 배열되도록 형성한다. 도 2에서 21i 는 다수개의 게이트 라인중 i 번째 게이트 라인을 의미하고, 22j는 다수개의 데이타 라인중 j 번째 데이타 라인을 의미한다,Conventional storage on common liquid crystal display devices are formed such that, unlike the storage on gate liquid crystal display device of FIG. 1, the storage electrodes 26 are arranged to be parallel to the gate lines 21 across the pixel electrodes 23. do. In FIG. 2, 21i denotes an i-th gate line among a plurality of gate lines, and 22j denotes a j-th data line among a plurality of data lines.
상기한 바와같이 스토리지 온 게이트방식이나 스토리지 온 커먼방식을 채택한 종래의 액정표시소자는 액정셀에 인가되는 전압을 유지시켜 화질을 개선할 수 있었다.As described above, the conventional liquid crystal display device adopting the storage on gate method or the storage on common method has been able to improve the image quality by maintaining the voltage applied to the liquid crystal cell.
그러나, 스토리지 전극이 화소전극과 오버랩되어 형성되므로, 고개구율을 얻을 수 없는 단점과, 스토리지 전극에서 오픈 결함이 발생되는 경우에는 리페어가 불가능하여 페일이 발생되므로, 수율이 저하되는 문제점이 있었다.However, since the storage electrode is formed to overlap with the pixel electrode, there is a disadvantage in that a high opening rate cannot be obtained, and in the case where an open defect occurs in the storage electrode, a repair is impossible and a failure occurs, so that a yield decreases.
본 발명은 상기한 바와같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 리던던시 기능을 갖는 고개구율에 적합한 스토리지 전극구조를 갖는 액정표시소자를 제공하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a liquid crystal display device having a storage electrode structure suitable for a high opening ratio having a redundancy function.
도 1은 종래의 스토리지온 게이트 방식의 액정표시소자의 평면 구조도,1 is a planar structure diagram of a liquid crystal display device of a conventional storage-on-gate method;
도 2는 종래의 스토리지 온 커먼방식으 액정표시소자의 평면 구조도,2 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a conventional storage on common method;
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 평면 구조도,3 is a plan view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention;
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
11, 21, 31 : 게이트 라인 12, 22, 32 : 데이터 라인11, 21, 31: gate line 12, 22, 32: data line
13, 23, 33 : 화소전극 14, 24, 34 : 화소영역13, 23, 33: pixel electrodes 14, 24, 34: pixel region
15, 25, 35 : 박막 트랜지스터 15-1, 25-1, 35-1 : 게이트15, 25, 35: thin film transistors 15-1, 25-1, 35-1: gate
15-2, 25-2, 35-2 : 소오스전극 15-3, 25-3, 35-3 : 드레인 전극15-2, 25-2, 35-2: source electrode 15-3, 25-3, 35-3: drain electrode
16, 26, 36 : 스토리지 전극 36a : 스토리지 전극라인16, 26, 36: storage electrode 36a: storage electrode line
36b : 더미 스토리지 전극라인36b: dummy storage electrode line
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 서로 교차하는, 일정간격을 두고 배열된 다수의 게이트 라인과 데이타 라인과; 상기 데이타 라인 및 게이트 라인에 의해 만들어지는 화소영역에 형성된 화소전극과; 상기 화소전극과 오버랩되도록 형성된 스토리지 전극을 구비하는 액정표시소자에 있어서, 상기 스토리지 전극은 상기 화소전극과 오버랩되어 상기 게이트 라인과 나란하게 배열되는 스토리지 전극라인과; 상기 화소전극과 오버랩되어 상기 스토리지 전극라인에 연결되는 더미스토리지 전극라인으로 이루어지는 액정표시소자를 제공하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object of the present invention, the present invention comprises a plurality of gate lines and data lines arranged to be spaced apart from each other; A pixel electrode formed in the pixel region formed by the data line and the gate line; A liquid crystal display device having a storage electrode formed to overlap the pixel electrode, wherein the storage electrode comprises: a storage electrode line overlapping the pixel electrode and arranged in parallel with the gate line; A liquid crystal display device comprising a dummy storage electrode line overlapping the pixel electrode and connected to the storage electrode line is provided.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 더미 스토리지 전극라인은 상기 스토리지 전극라인과 나란하게 배열되는 제1더미라인과; 상기 스토리지 전극라인과 상기 제1더미라인을 연결하기 위한, 상기 스토리지 전극라인 및 제1더미라인의 양측에 화소전극의 측면과 오버랩되어 형성되는 1쌍의 제2더미라인으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, the dummy storage electrode line may include a first dummy line arranged in parallel with the storage electrode line; And a pair of second dummy lines formed on both sides of the storage electrode line and the first dummy line to overlap the side surfaces of the pixel electrode for connecting the storage electrode line and the first dummy line.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 스토리지 전극은 이웃하는 스토리지 전극과의 연결을 위한 연결부분을 더 구비하며, 상기 연결부분을 중심으로 하여 스토리지 전극은 대칭적인 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the storage electrode further includes a connecting portion for connecting to a neighboring storage electrode, and the storage electrode has a symmetrical structure with respect to the connecting portion.
본 발명의 실시예에 따르면, 서로 교차하는, 일정간격을 두고 배열된 다수의 게이트 라인과 데이타 라인과; 상기 데이타 라인 및 게이트 라인에 의해 만들어지는 화소영역에 형성된 화소전극을 구비하는 액정표시소자에 있어서, 상기 화소전극과 오버랩되어 상기 게이트 라인과 나란하게 배열되는 스토리지 전극라인과; 상기 화소전극과 오버랩되어 상기 상기 스토리지 전극라인에 나란하게 연결되는 제1더미 스토리지 전극라인과; 상기 스토리지 전극라인과 상기 제1스토리지 더미라인을 연결하기 위한, 상기 스토리지 전극라인 및 제1더미라인의 양측에 화소전극의 측면과 오버랩되어 형성되는 1쌍의 제2더미스토리지 전극라인으로 이루어지는 스토리지 전극을 더 포함하는 액정표시소자를 제공하는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, a plurality of gate lines and data lines arranged at regular intervals intersecting with each other; A liquid crystal display device comprising a pixel electrode formed in a pixel region formed by the data line and the gate line, comprising: a storage electrode line overlapping the pixel electrode and arranged in parallel with the gate line; A first dummy storage electrode line overlapping the pixel electrode and connected to the storage electrode line in parallel; A storage electrode comprising a pair of second dummy storage electrode lines formed on both sides of the storage electrode line and the first dummy line to overlap the side surfaces of the pixel electrode for connecting the storage electrode line and the first storage dummy line. It provides a liquid crystal display device further comprising.
이하 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3는 본 발명의 실시예에 따른 스토리지 온 커먼방식의 액정표시소자의 평면구조를 도시한 것이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자는 스토리지 온 커먼방식을 채택한 구조를 갖는다. 본 발명의 액정표시소자는 다수의 게이트라인(31)이 일정간격을 두고 배열되고, 다수의 데이터 라인(32)이 상기 게이트 라인(11)과 교차하도록 일정간격을 두고 배열된 구조를 갖는다.3 illustrates a planar structure of a storage on common liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention has a structure adopting a storage on common method. The liquid crystal display of the present invention has a structure in which a plurality of gate lines 31 are arranged at regular intervals, and a plurality of data lines 32 are arranged at regular intervals so as to intersect the gate lines 11.
게이트 라인(31)과 데이터 라인(32)이 교차하는 부분에는 박막 트랜지스터(35)가 형성된다.박막 트랜지스터(35)는 게이트 라인(31)에 연결된 게이트와, 화소전극(33)에 연결되는 소오스전극(35-2)와 데이타라인(32)에 연결되는 드레인 전극(35-3)으로 이루어진다.The thin film transistor 35 is formed at a portion where the gate line 31 and the data line 32 cross each other. The thin film transistor 35 includes a gate connected to the gate line 31 and a source connected to the pixel electrode 33. And a drain electrode 35-3 connected to the electrode 35-2 and the data line 32.
상기 데이터 라인(32)과 게이트 라인(31)에 의해 한정되는 화소영역(34)에는 투명도전막으로 된 화소전극(33)이 형성되는데, 이 화소전극은 스토리지 전극(36)과 함께 스토리지 캐패시터를 구성한다.A pixel electrode 33 made of a transparent conductive film is formed in the pixel region 34 defined by the data line 32 and the gate line 31, which together with the storage electrode 36 constitute a storage capacitor. do.
본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자에서는, 스토리지 전극(36)이 화소전극(33)을 가로질러 형성되는데, 스토리지 전극(36)은 상기 화소전극과 오버랩되어 형성되는 스토리지 전극라인(36a)과 더미 스토리지 전극라인(36b)으로 이루어진다.In the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, the storage electrode 36 is formed to cross the pixel electrode 33, and the storage electrode 36 is formed to overlap with the pixel electrode. The dummy storage electrode line 36b is formed.
상기 스토리지 전극라인(36a)은 상기 화소전극(33)을 가로질러 게이트 라인(31)과 평행하게 배열되도록 형성되며, 더미 스토리지 전극라인(36b)은 상기 스토리지 전극라인(36a)과 평행하게 배열되는 제1더미라인(36b-1)과, 상기 제1더미라인(36b-1)과 상기 스토리지 전극라인(36a)과 연결을 위한 1쌍의 제2더미라인(36b-2)으로 이루어진다.The storage electrode line 36a is formed to be parallel to the gate line 31 across the pixel electrode 33, and the dummy storage electrode line 36b is arranged to be parallel to the storage electrode line 36a. A first dummy line 36b-1, and a pair of second dummy lines 36b-2 for connection with the first dummy line 36b-1 and the storage electrode line 36a.
상기 1쌍의 제2더미라인(36b-2)은 상기 화소전극의 측면과 오버랩되어 상기 데이타라인(32)과 평행하게 배열되며,서로 평행하게 배열되어 상기 스토리지 전극라인(36a)과 상기 제1더미라인(36b-1)의 양측을 연결한다.The pair of second dummy lines 36b-2 overlap the sidewalls of the pixel electrode and are arranged in parallel with the data line 32, and are arranged in parallel with each other so that the storage electrode line 36a and the first line are arranged. Both sides of the dummy line 36b-1 are connected.
또한, 스토리지 전극(36)은 이웃하는 스토리지 전극(36i-1)(36i)과의 연결을 위한 연결부분(36-c)을 구비한다. 상기 스토리지 전극(36)은 상기 연결부분(36-c)을 중심으로 대칭구조를 갖는다.In addition, the storage electrode 36 has a connection portion 36-c for connection with neighboring storage electrodes 36i-1 and 36i. The storage electrode 36 has a symmetrical structure with respect to the connection portion 36-c.
본 발명의 액정표시소자는 스토리지 전극라인(36a)과 더미 스토리지 전극라인(36b)의 제1더미라인(36-b1)이 서로 평행하게 배열되고, 제2더미라인(36b-2)이 서로 평행하게 배열되어 상기 스토리지 전극라인(36a)과 제1더미라인(36b-1)을 연결되는 대칭적 구조는 갖으므로, 스토리지 전극(36)의 전체면적이 도 1 및 도 2의 종래의 액정표시소자에 비하여 증대되어 스토리지 능력이 증대되어 플리커등에 의한 화질저하를 막을 수 있다.In the liquid crystal display of the present invention, the first dummy line 36-b1 of the storage electrode line 36a and the dummy storage electrode line 36b are arranged in parallel with each other, and the second dummy line 36b-2 is parallel to each other. Since the storage electrode line 36a and the first dummy line 36b-1 have a symmetrical structure, the entire area of the storage electrode 36 is the conventional liquid crystal display device of FIGS. 1 and 2. Compared to the above, storage capacity is increased to prevent deterioration of image quality due to flicker.
그리고, 본 발명의 액정표시소자는 스토리지 전극라인(36a)에 오픈 결함(open defect)가 발생하더라도, 더미 스토리지 전극라인(36b)에 의해 리던던시가 되어 정상적으로 스토리지 캐패시터로서의 역할을 하게 된다.In addition, even when an open defect occurs in the storage electrode line 36a, the liquid crystal display of the present invention is redundant by the dummy storage electrode line 36b, and thus normally serves as a storage capacitor.
또한, 스토리지 전극라인(36a)과 더미 스토리지 전극라인(36b)의 제1더미라인(36b-2)과의 연결을 위한 제2더미라인(36b-2)에 오픈 결함이 발생하더라도 제1더미라인(36b-2)에 의해 리던던시가 되어 정상적인 스토리지 캐패시터로서의 역할을 수행하게 된다.In addition, even if an open defect occurs in the second dummy line 36b-2 for connection between the storage electrode line 36a and the first dummy line 36b-2 of the dummy storage electrode line 36b, the first dummy line Redundancy is performed by (36b-2) to serve as a normal storage capacitor.
게다가, 스토리지 전극을 상기와 같이 대칭적 구조로 형성하여 스토리지 캐패시터의 전체면적을 증대시킴으로써 스토리지 전극라인과 더미 스토리지 전극라인의 폭을 종래의 스토리지 전극라인보다 미세하게 형성하는 것이 가능하므로, 고개구율의 액정표시소자에 적용가능하다.In addition, since the storage electrodes are formed in a symmetrical structure as described above to increase the total area of the storage capacitor, it is possible to form the widths of the storage electrode lines and the dummy storage electrode lines finer than those of the conventional storage electrode lines. Applicable to the liquid crystal display device.
상기한 바와같은 본 발명에 따르면, 스토리지 전극에 더미패턴을 형성하여 줌으로써, 스토리지 캐패시터의 오픈 결함을 리던던시하여 주는 것이 가능하므로 액정표시소자의 수율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.According to the present invention as described above, by forming a dummy pattern on the storage electrode, it is possible to redundancy the open defect of the storage capacitor has the advantage of improving the yield of the liquid crystal display device.
또한, 스토리지 캐패시터의 면적을 증대시킬 수 있어 액정셀에 인가되는 전압유지 특성이 향상되어 화질을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 고개구율에 적합한 이점이 있다.In addition, since the area of the storage capacitor can be increased, the voltage holding characteristic applied to the liquid crystal cell can be improved, thereby improving image quality, and there is an advantage suitable for high opening ratio.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.In addition, this invention can be implemented in various changes within the range which does not deviate from the summary.
Claims (7)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |