KR19990047977A

KR19990047977A - Semiconductor wafer

Info

Publication number: KR19990047977A
Application number: KR1019970066565A
Authority: KR
Inventors: 문일영
Original assignee: 구본준; 엘지반도체 주식회사
Priority date: 1997-12-08
Filing date: 1997-12-08
Publication date: 1999-07-05

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼에 관한 것으로, 종래에는 칩형성부 외측에 형성되는 에지부를 폐기하므로 그로 인한 원자재의 손실이 막대한 문제점이 있었다. 본 발명은 웨이퍼의 외경이 칩(11)의 형상과 동일한 사각형으로 되어 있기 때문에 스크라이브레인(12)을 따라 절단시 종래와 같이 폐기되는 부분이 발생치 않으므로 소재비 절감에 따른 원가절감의 효과가 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer, and conventionally, since the edge portion formed outside the chip forming portion is discarded, there is a problem in that the loss of raw materials is enormous. In the present invention, since the outer diameter of the wafer is the same quadrangle as the shape of the chip 11, since the scrapped portion along the scribe lane 12 is not discarded as in the prior art, the cost of the material can be reduced. .

Description

Semiconductor wafer

본 발명은 반도체 웨이퍼에 관한 것으로, 특히 원재료의 손실을 감소시켜서 원가절감을 실현할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer, and more particularly, to a semiconductor wafer suitable for realizing cost reduction by reducing loss of raw materials.

일반적으로 반도체 제조공정에서 사용되는 웨이퍼는 성장된 실리콘 덩어리(SILICON INGOT)를 다이아몬드 톱이나 레이저(LASER)를 이용하여 두께 15 내지 20밀 정도의 얇은 조각(SLICES)으로 절단(WAFERING)하며, 이렇게 생긴 조각 하나하나를 웨이퍼(WAFER)라고 하는데, 이와 같은 웨이퍼가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.Generally, wafers used in the semiconductor manufacturing process are used to cut the grown silicon agglomerate (SILICON INGOT) into thin slices (SLICES) having a thickness of 15 to 20 mils using a diamond saw or a laser laser. Each piece is called a wafer (WAFER), such a wafer is shown in Figure 1, which is briefly described as follows.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼의 구조를 보인 사시도로서, 도시된 바와 같이, 종래 반도체 웨이퍼는 사용 가능한 다수개의 칩(1)이 형성되어 있는 칩형성부(2)와, 그 칩형성부(2)의 외측에 형성되며 사용불가능한 부분인 에지부(3)로 구성되어 있다. 상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼는 스크라이브 레인(4)을 따라 절단하여 칩형성부(2)의 칩(1)은 패키지 제조에 사용되고, 에지부(3)는 사용할 수 없기 때문에 폐기하게 된다.1 is a perspective view showing a structure of a conventional semiconductor wafer. As shown in the drawing, a conventional semiconductor wafer includes a chip forming unit 2 on which a plurality of chips 1 are usable, and a chip forming unit 2. It consists of the edge part 3 which is formed in the outer side and is an unusable part. The conventional semiconductor wafer constructed as described above is cut along the scribe lane 4 so that the chip 1 of the chip forming portion 2 is used for package manufacture, and the edge portion 3 cannot be used, and thus discarded.

그러나, 상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼는 칩(1)으로 사용되는 칩형성부(2)외의 에지부(3)는 사용할 수 없어서, 그로 인한 원재료의 손실이 발생되고, 이러한 문제는 대구경화되는 최근의 웨이퍼에서는 더욱 큰 문제점으로 대두되고 있다.However, in the conventional semiconductor wafer constructed as described above, the edge portion 3 other than the chip forming portion 2 used as the chip 1 cannot be used, resulting in the loss of raw materials, and this problem is large-diametered. In recent years, the wafer has become a bigger problem.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 칩의 제조시 원재료의 손실이 발생되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention devised in view of the above problems is to provide a semiconductor wafer suitable for preventing the loss of raw materials during the manufacture of chips.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼의 구조를 보인 사시도.1 is a perspective view showing the structure of a conventional semiconductor wafer.

도 2는 본 발명 반도체 웨이퍼의 구조를 보인 사시도.Figure 2 is a perspective view showing the structure of the semiconductor wafer of the present invention.

도 3은 본 발명 웨이퍼를 서포터에 탑재한 상태를 보인 사시도.3 is a perspective view showing a state in which the wafer of the present invention is mounted on a supporter;

도 4는 소재상태의 잉고트를 보인 사시도.Figure 4 is a perspective view showing the ingot of the raw material state.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

11 : 칩 12 : 스크라이브 레인11: chip 12: scribe lane

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 다수개의 칩이 형성되고, 그 칩과 근접한 칩의 사이에는 스크라이브 레인이 형성되어 있으며, 외형이 사각형으로된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, a plurality of chips are formed, a scribe lane is formed between the chip and the adjacent chip, and the semiconductor wafer is characterized in that the shape is rectangular.

이하, 상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 반도체 웨이퍼를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the semiconductor wafer of the present invention configured as described above will be described in more detail with reference to embodiments of the accompanying drawings.

도 2는 본 발명 반도체 웨이퍼의 구조를 보인 사시도이고, 도 3은 본 발명 웨이퍼를 서포터에 탑재한 상태를 보인 사시도로시, 도시된 바와 같이, 본 발명 반도체 웨이퍼는 일정두께와 크기를 갖는 칩(11)이 다수개 형성되어 있고, 그 칩(11)과 근접한 다른 칩(11)의 사이에는 스크라이브 레인(12)이 형성되어 있으며, 외형은 사각형으로 되어 있다.2 is a perspective view showing the structure of the semiconductor wafer of the present invention, Figure 3 is a perspective view showing a state of mounting the wafer of the present invention on the supporter, as shown, the semiconductor wafer of the present invention is a chip 11 having a predetermined thickness and size Is formed, and the scribe lane 12 is formed between the chip 11 and the other chip 11 which adjoins, and the external shape is rectangular.

상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 반도체 웨이퍼의 제조방법은 다음과 같다.The manufacturing method of the semiconductor wafer of this invention comprised as mentioned above is as follows.

먼저, 규석을 정제하여 사각형으로된 소재상태의 실리콘 잉고트(13)를 도 4와 같이 만들고, 그 잉그트(13)를 톱(14)으로 일정 두께가 되도록 절단하여 단결정 상태의 원판(15)을 만든다.First, the silica is refined to make a silicon ingot 13 of a rectangular shape as shown in FIG. 4, and the ingot 13 is cut to a predetermined thickness with a saw 14 to prepare a disc 15 in a single crystal state. Make.

그런 다음, 그 원판(15)에 PR 처리→마스크 얼라인→노광→현상→식각→불순물 확산→전극증착→웨이퍼 절단 등의 공정을 거쳐서 낱개의 칩(11)으로 제조하여 패키지 제조에 사용하게 된다.Then, the disc 15 is fabricated as a single chip 11 through a process such as PR treatment, mask alignment, exposure, development, etching, impurity diffusion, electrode deposition, wafer cutting, and the like, to be used for package manufacture. .

상기와 같은 일련의 공정을 진행하는데 있어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상면에 수개의 웨이퍼 안착홈(16a)이 형성되어 있는 서포터(SUPPORTER)(16)의 안착홈(16a)에 원판(15)를 안착시키고, 공정을 진행할 수도 있으며, 이와 같이 서포터(16)를 이용하여 공정을 진행하기 위해서는 서포터(16)의 재질은 내열성과 내화성이 있는 그라파이트로 제조하는 것이 바람직하다.In proceeding with the above series of processes, as shown in FIG. 3, the disc 15 is placed in the mounting groove 16a of the supporter 16 in which several wafer mounting grooves 16a are formed on the upper surface. ) May be seated, and the process may be performed. In order to proceed with the process using the supporter 16, the supporter 16 may be made of graphite having heat resistance and fire resistance.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명 반도체 웨이퍼는 스크라이브 레인으로 구획되어 있는 다수개의 칩들이 형성되어 있는 외측을 사각형으로 하여, 스크라이브 레인을 절단하여 칩의 분리시 종래의 에지부와 같이 폐기되는 부분이 발생치 않기 때문에 원가를 절감하게 되는 효과가 있다.As described in detail above, the semiconductor wafer of the present invention has a rectangular outer side in which a plurality of chips divided into scribe lanes are formed, and a portion that is discarded like a conventional edge part is generated when the scribe lane is cut to separate chips. The cost is reduced because it does not cost.

Claims

A semiconductor wafer, wherein a plurality of chips are formed, and a scribe lane is formed between the chips adjacent to the chips, and the shape is rectangular.