KR19990043667A - Analyzer beam dump of ion implanter - Google Patents
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Abstract
본 발명의 이온주입장치의 어낼라이져 빔 덤프는 지지대에 고정되고 상부에 홈을 갖는 몸체와, 상기 몸체의 좌측에 고정되어 있고 빔이 집중적으로 맞는 그래파이트 패널을 포함한다. 본 발명의 이온주입장치의 어낼라이저 빔 덤프는 빔이 집중적으로 맞는 부위에 그래파이트 패널을 부착하여 빔에 의해 파손되더라도 상기 그래파이트 패널 교체하여 작업효율을 향상시킬 수 있고 원가를 절감할 수 있다.The analyzer beam dump of the ion implantation apparatus of the present invention includes a body fixed to a support and having a groove on the top thereof, and a graphite panel fixed to the left side of the body and focused on the beam. The analyzer beam dump of the ion implantation apparatus of the present invention can replace the graphite panel to improve the work efficiency and reduce the cost even if the graphite panel is attached to the site where the beam intensively fits and is broken by the beam.
Description
본 발명은 반도체 장치의 제조에 이용되는 이온주입장치에 관한 것으로, 특히 이온주입장치의 어낼라이저 빔 덤프(analyzer beam dump)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation apparatus used in the manufacture of semiconductor devices, and more particularly to an analyzer beam dump of an ion implantation apparatus.
일반적으로, 반도체 장치의 제조에는 이온주입장치. 막 형성장치, 사진식각장치 등이 이용된다. 상기 이온주입장치는 반도체 기판에 불순물 이온을 주입하는 데 이용된다. 상기 이온주입장치에는 원하지 않는 빔이 어낼라이져 챔버 내에 부딪치는 것을 방지하기 위해 어낼라이져 빔 덤프가 사용된다. 여기서, 종래의 어낼라이져 빔 덤프를 설명한다.Generally, the ion implantation apparatus is used for the manufacture of semiconductor devices. A film forming apparatus, a photolithography apparatus and the like are used. The ion implantation apparatus is used to implant impurity ions into a semiconductor substrate. The ion implanter uses an analyzer beam dump to prevent unwanted beams from hitting the analyzer chamber. Here, a conventional analyzer beam dump will be described.
도 1은 종래 기술에 의한 이온주입장치의 어낼라이저 빔 덤프를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an analyzer beam dump of the ion implantation apparatus according to the prior art.
구체적으로, 종래의 이온주입장치의 어낼라이져 빔 덤프(3)는 상부에 홈이 형성되어 있고, 하부에는 지지대(1)로 고정되어 있다. 그런데, 상기 어낼라이져 빔 덤프의 좌측부분(5)은 반도체 소자의 제조에 따라 빔이 집중적으로 맞아 파손된다. 이에 따라, 상기 어낼라이져 빔 덤프(3)는 새로운 것으로 교체해야 한다.Specifically, the analyzer beam dump 3 of the conventional ion implantation device has a groove formed in the upper portion thereof, and fixed to the supporter 1 in the lower portion thereof. By the way, the left portion 5 of the analyzer beam dump is damaged due to the concentrated beam of the semiconductor device. Accordingly, the analyzer beam dump 3 must be replaced with a new one.
상술한 바와 같은 종래의 이온주입장치의 어낼라이져 빔 덤프는 일체형으로 되어 있어서 빔에 의해 파손시 추가사용이 불가능하여 교체해야만 한다. 이로 인하여, 반도체 제조시 비용이 많이 드는 단점이 있다.The analyzer beam dump of the conventional ion implantation apparatus as described above is integral and thus cannot be used in case of damage by the beam and must be replaced. For this reason, there is a disadvantage in that the manufacturing cost of the semiconductor is expensive.
따라서, 본 발명의 기술적 과제는 상기 단점을 해결할 수 있는 이온주입장치의 어낼라이져 빔 덤프를 제공하는 데 있다.Therefore, the technical problem of the present invention is to provide an analyzer beam dump of the ion implantation apparatus that can solve the above disadvantages.
도 1은 종래 기술에 의한 이온주입장치의 어낼라이저 빔 덤프를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an analyzer beam dump of the ion implantation apparatus according to the prior art.
도 2는 본 발명에 의한 이온주입장치의 어낼라이저 빔 덤프를 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing the analyzer beam dump of the ion implantation apparatus according to the present invention.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 이온주입장치의 어낼라이져 빔 덤프는 지지대에 고정되고 상부에 홈을 갖는 몸체와, 상기 몸체의 좌측에 고정되어 있고 빔이 집중적으로 맞는 그래파이트 패널을 포함한다.In order to achieve the above technical problem, the analyzer beam dump of the ion implantation apparatus of the present invention includes a body fixed to the support and having a groove on the top, and a graphite panel fixed to the left side of the body and intensively fit the beam .
본 발명의 이온주입장치의 어낼라이저 빔 덤프는 빔이 집중적으로 맞는 부위에 그래파이트 패널을 부착하여 빔에 의해 파손되더라도 상기 그래파이트 패널 교체하여 작업효율을 향상시킬 수 있고 원가를 절감할 수 있다.The analyzer beam dump of the ion implantation apparatus of the present invention can replace the graphite panel to improve the work efficiency and reduce the cost even if the graphite panel is attached to the site where the beam intensively fits and is broken by the beam.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 의한 이온주입장치의 어낼라이저 빔 덤프를 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing the analyzer beam dump of the ion implantation apparatus according to the present invention.
구체적으로, 본 발명의 이온주입장치의 어낼라이져 빔 덤프는 지지대(11)에 고정되고 상부에 홈을 갖고 알루미늄으로 이루어진 몸체(13)와, 상기 몸체(13)의 좌측에 조임 스크루(15)에 의해 고정(부착)되어 빔이 집중적으로 맞는 그래파이트 패널(graphite panel: 17)로 구성된다. 이렇게 되면, 빔이 집중적으로 그래파이트 패널(17)에 맞기 때문에 빔에 의해 어낼라이저 빔 덤프의 몸체(13)가 손상되지 않는다. 그리고, 빔에 의해 그래파이트 패널(17)이 파손되면 상기 그래파이트 패널(17)을 교체하면 되고 종래와 같이 어낼라이져 빔 덤프 자체를 교체하지 않아도 된다.Specifically, the analyzer beam dump of the ion implantation apparatus of the present invention is fixed to the support 11 and has a groove on the top of the body 13 made of aluminum, and tightening screw 15 on the left side of the body 13 It is composed of graphite panels 17 which are fixed (attached) so that the beams are concentrated. In this way, the body 13 of the analyzer beam dump is not damaged by the beam because the beam is concentrated on the graphite panel 17. In addition, when the graphite panel 17 is damaged by the beam, the graphite panel 17 may be replaced, and the analyzer beam dump itself may not be replaced as in the prior art.
결과적으로, 본 발명의 이온주입장치의 어낼라이저 빔 덤프는 빔이 집중적으로 맞는 부위에 그래파이트 패널(17)을 부착되어 있고 손상시 이를 교체함으로써 종래와 같이 어낼라이저 빔 덤프 자체를 교체하지 않아도 되기 때문에 작업효율을 향상시킬 수 있고 원가절감을 이룰 수 있다.As a result, in the analyzer beam dump of the ion implantation apparatus of the present invention, since the graphite panel 17 is attached to the spot where the beam is concentrated and replaces it when damaged, the analyzer beam dump itself does not need to be replaced as in the prior art. It can improve the work efficiency and reduce the cost.
이상, 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식으로 그 변형이나 개량이 가능하다.As mentioned above, although this invention was demonstrated concretely through the Example, this invention is not limited to this, A deformation | transformation and improvement are possible with the conventional knowledge in the art within the technical idea of this invention.
상술한 바와 같이 종래의 이온주입장치의 어낼라이저 빔 덤프는 일체형으로 만들어져 빔에 의해 파손시 추가사용이 불가능하였으나, 본 발명의 이온주입장치의 어낼라이저 빔 덤프는 빔이 집중적으로 맞는 부위에 그래파이트 패널을 부착하여 빔에 의해 그래파이트 패널이 파손되더라도 상기 그래파이트 패널 교체하도록 만들어 작업효율을 향상시킬 수 있고 원가를 절감할 수 있다.As described above, the analyzer beam dump of the ion implanter of the related art is made of a single body and cannot be used additionally when broken by a beam. Even if the graphite panel is broken by the beam to be attached to replace the graphite panel can improve the work efficiency and reduce the cost.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970064708A KR19990043667A (en) | 1997-11-29 | 1997-11-29 | Analyzer beam dump of ion implanter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970064708A KR19990043667A (en) | 1997-11-29 | 1997-11-29 | Analyzer beam dump of ion implanter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990043667A true KR19990043667A (en) | 1999-06-15 |
Family
ID=66095322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970064708A KR19990043667A (en) | 1997-11-29 | 1997-11-29 | Analyzer beam dump of ion implanter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990043667A (en) |
-
1997
- 1997-11-29 KR KR1019970064708A patent/KR19990043667A/en not_active Application Discontinuation
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