KR19990041715U - 웨이퍼 지지용 클램프. - Google Patents

Abstract

본 고안은 웨이퍼의 칩가공 면적을 증가시키기 위한 웨이퍼 지지용 클램프에 관한 것으로써 종래의 웨이퍼 지지용 클램프는 60°의 일정 간격으로 형성된 6개의 고정핀이 웨이퍼를 지지함으로써 웨이퍼와 고정핀간의 접촉 면적이 넓고 접촉된 부분은 칩으로 가공할 수 없어 칩생산량이 감소되는 문제점이 있었던 바, 본 고안에서는 웨이퍼 지지용 클램프에 세 개의 고정핀을 형성하고 하나의 고정핀의 웨이퍼 중심쪽 일면을 좌우로 길게 원형 곡면처리함으로써 안정적으로 웨이퍼를 지지하고 웨이퍼와 고정핀간의 접촉 면적을 최소화하여 주변칩 불량을 감소시키고 칩가공 면적을 증대시키는 잇점이 있는 웨이퍼 지지용 클램프이다.

Description

웨이퍼 지지용 클램프.

본 고안은 웨이퍼 지지용 클램프에 대한 것으로써 특히 웨이퍼 지지용 클램프의 고정핀과 웨이퍼의 접촉에 의해 발생되는 칩가공 면적의 감소를 최소화하기 위한 웨이퍼 지지용 클램프에 대한 것이다.

일반적으로 반도체 웨이퍼는 여러 공정을 거쳐서 반도체 소자로 완성된다.

이렇게 각 공정에 해당되는 작업을 수행하기 위해서 우선 웨이퍼가 고정되어야 공정을 안정적으로 수행할 수 있기 때문에 웨이퍼의 고정이 필요하다.

이온 주입장치에서 사용되는 종래의 웨이퍼 지지용 클램프에는 도 1,2에 도시된 바와 같이 상부에 웨이퍼(1)가 안착되고 저부에는 모터(미도시)에 의하여 작동되는 지지대(5)가 형성되어 상·하 이동되는 원형 플래튼(3)이 있다.

상기 원형 플래튼(3)이 내측에서 이동되며 상부면 외주연에 다 수개의 고정핀(9)이 형성되는 클램프부(7)가 있다.

상기 클램프부(7)에 형성된 다 수개의 고정핀(9)는 가로 6㎜×세로 5㎜크기의 상단·중단·하단 지지용 고정핀(13),(15),(17) 여섯개로 되어있다.

상기 하단 지지용 고정핀(17)는 플랫죤 중심점(19)으로부터 좌우 30°의 일정 간격으로 이격된 부분에 각각 위치한다.

상기 중단 지지용 고정핀(15)는 플랫죤 중심점(19)으로부터 좌우 90°의 일정간격으로 이격된 부분에 각각 위치한다.

상기 상단 지지용 고정핀(13)는 플랫죤 중심점(19)으로부터 좌우 120°의 일정 간격으로 이격된 부분에 각각 위치한다.

상기 고정핀(9)와 원형 플래튼(3)사이에는 웨이퍼(1)를 고정할 때의 가압력을 조절하기 위한 스프링(11)이 형성되어있다.

이온 주입과정에서 종래의 웨이퍼 지지용 클램프에 의한 웨이퍼 지지는 다음과 같다.

이송용 엘리베이터(미도시) 상에 카세트(미도시)가 위치 하면 핸들러(미도시)에 의해 카세트 내의 웨이퍼(1)는 1매씩 원형 플래튼(3)으로 이송된다.

원형 플래튼(3) 으로 웨이퍼(1)가 이송되기 위해 먼저 원형 플래튼(3)이 지지대(5)에 의하여 하측으로 이동되어 원형 플래튼(3)과 클램프부(7)의 고정핀(9)사이의 공간을 형성한다.

웨이퍼(1)가 삽입되면 원형 플래튼(3)은 일측에 형성된 지지대(5)를 작동시키는 모터(미도시)에 의하여 클램프부(7)의 내측에서 상측으로 이동하여 웨이퍼(1)를 고정핀(9)측으로 가압하여 일정한 힘으로 웨이퍼(1)를 고정한다.

웨이퍼(1)는 6개의 상단·중단·하단 지지용 고정핀(13),(15),(17)에 의해 여섯부분에서 고정된다.

이때 고정핀(9)과 원형 플래튼(3)사이에 형성된 스프링(11)은 웨이퍼(1)를 고정할 때의 가압력을 조절한다.

그러나 종래의 웨이퍼 지지용 클램프는 가로 6㎜×세로 5㎜ 크기의 6 개 고정핀이 웨이퍼를 60°의 일정 간격으로 여섯 부분에서 지지를 함으로써 접촉되는 면적이 많고 접촉된 부분은 칩가공을 할 수 없어 칩생산량이 감소되고 이온 주입과정에서 주변칩의 불량을 일으키는 문제점이 있다.

본 고안의 목적은 클램프부의 고정핀 위치와 구조를 변화시켜 칩가공 면적을 증가시키고 주변 칩의 불량을 줄이는데 있다.

상기 본 고안의 목적을 달성하고자 다 수개의 고정핀이 웨이퍼를 지지하도록 형성된 웨이퍼 지지용 클램프에 있어서 상기 고정핀이 세 부분에 형성되고 세 개의 고정핀중 하나의 고정핀은 웨이퍼 중심방향 일면이 좌·우 일정길이로 원형 곡면처리된 것이 특징이다.

제 1도는 종래의 웨이퍼 지지용 클램프에 대한 정면도이고,

제 2도는 종래의 웨이퍼 지지용 클램프에 대한 평면도이고,

제 3도는 본 고안의 웨이퍼 지지용 클램프에 대한 평면도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

1: 웨이퍼 3: 원형 플래튼

5: 지지대 7: 클램프부

9: 고정핀 11: 스프링

13, 101 : 상단 지지용 고정핀 15 : 중단 지지용 고정핀

17, 103 : 하단 지지용 고정핀 19 : 플랫존(flat zone) 중심부

도 3를 참조하여 본 고안의 일 실시예인 웨이퍼 지지용 클램프를 설명한다.

웨이퍼(1) 하단의 플랫죤 중심점(19)를 기준으로 좌, 우 60°일정간격으로 이격된 위치에 가로 6㎜×세로 5㎜ 크기의 하단 지지용 고정핀(103)이 두 개 형성된다.

웨이퍼(1) 하단의 플랫죤 중심점(19)를 기준으로 180°일정간격으로 이격된 위치에 가로 20㎜×세로 5㎜ 크기의 상단 지지용 고정핀(101)이 한 개 형성된다.

상기 상단 지지용 고정핀(101)의 웨이퍼 중심방향 일면은 원형 곡면처리 되어 있다.

즉 플랫죤 중심점(19)에서 120°일정간격으로 이격된 3개의 고정핀(101),(103)이 전체 웨이퍼(9)를 지지하는 구조로 되어있다.

원형 플래튼(3)이 지지대(5)에 의하여 하측으로 이동되어 원형 플래튼(3)과 클램프부(7)의 고정핀(9)사이의 공간이 형성된다.

웨이퍼(1)가 삽입되면 원형 플래튼(3)은 일측에 형성된 지지대(5)를 작동시키는 모터(미도시)에 의하여 클램프부(7)의 내측에서 상측으로 이동하여 웨이퍼(1)를 고정핀(9)측으로 가압하여 일정한 힘으로 웨이퍼(1)를 고정한다.

웨이퍼(1)는 플랫죤 중심점(19)을 기준으로 일정간격으로 이격된 한 개의 상단 지지용 고정핀(101)과 두 개의 하단 지지용 고정핀(103)을 통해 세부분에서 고정된다.

이때 상단 지지용 고정핀(101)은 종래와는 달리 웨이퍼 중심방향 일면이 좌·우 일정길이로 원형 곡면처리되어 있어 웨이퍼(1) 곡면부분과의 밀착이 원활히 이루어지고 안정적으로 지지한다.

3개의 고정핀이 플랫죤 중심점을 기준으로 일정간격으로 이격되어 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지용 클램프는 웨이퍼를 안정적으로 고정시킴과 동시에 웨이퍼와 고정핀이 접촉되는 면적을 최소화하여 칩가공 면적을 증가시키고 접촉면 주변칩의 불량을 감소시켜 칩생산량을 증대시킨다.

다른 일 예로 본 고안의 웨이퍼 지지용 클램프는 고정핀 방식으로 웨이퍼를 고정하는 모든 이온 주입장비에서 웨이퍼를 지지할 수 있다.

상기 상술한 바와 같이 본 고안은 종래와는 달리 원형 곡면처리된 상단 지지용 고정핀 한 개 와 하단 지지용 고정핀 두 개를 플랫죤 중심점을 기준으로 일정간격 이격된 세부분에 형성함으로써 웨이퍼를 안정적으로 지지하고 웨이퍼와 고정핀이 접촉 면적을 최소화하여 주변칩의 불량은 감소되고 칩가공 면적은 증가되어 칩생산량이 증대되는 잇점이 있다.

Claims (1)

1. 다수개의 고정핀이 웨이퍼를 지지하도록 형성된 웨이퍼 지지용 클램프에 있어서,

   상기 고정핀이 세 부분에 형성되고 하나의 고정핀은 웨이퍼 중심방향 일면이 좌·우 일정길이로 원형곡면 처리된 것이 특징인 웨이퍼 지지용 클램프.