KR19990039881A - Method for manufacturing tantalum solid electrolytic capacitor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법에 관한 것으로, 성형소자를 진공 소결로에 장진하여 10-5mmHg 정도의 진공중에서 1600℃∼2000℃ 정도로 가열한 후 D-Camphor를 제거하여 탄탈금속을 양산하는 소결공정과, 상기 탄탈금속을 전해액 속에 넣어서 직류전압을 인가하여 상기 탄탈금속의 표면에 산화피막을 생성하는 화성공정과, 상기 산화피막을 질산철 수용액에 침투시켜 200℃∼230℃의 온도에서 열분해한 후 코팅하여 FeO2층을 생성하는 FeO2생성공정과, 상기 FeO2층의 표면에 도전성 고분자 액을 전해 산화 중합하여 도전성 고분자 층을 생성하는 도전성 고분자 생성공정과, 상기 도전성 고분자 층 위에 콜로이달 카본(Colloidal Carbon) 액을 도포한 후 건조시켜 카본 층을 생성하는 카본 생성공정과, 상기 카본 층 위에 음극단자와의 접속을 용이하게 하기 위하여 Ag 페이스트 액을 도포한 후 건조시켜 Ag 층을 생성하는 Ag 생성공정으로 이루어지기 때문에, 전도성이 우수하여 고주파 특성이 뛰어난 제품을 생산할 수 있는 탁월한 효과가 있다.The present invention relates to a method for producing a tantalum solid electrolytic capacitor, which is formed in a vacuum sintering furnace and heated to about 1600 to 2000 ℃ in a vacuum of about 10 -5 mmHg, and then D-Camphor is removed to mass-produce tantalum metal. A sintering process to form an oxide film on the surface of the tantalum metal by applying a DC voltage to the tantalum metal in an electrolyte solution, and penetrating the oxide film into an aqueous solution of iron nitrate at a temperature of 200 캜 to 230 캜. FeO 2 generation process of pyrolysis and coating to form FeO 2 layer, conductive polymer generation process of producing electroconductive polymer layer by electrolytic oxidation polymerization of conductive polymer liquid on the surface of FeO 2 layer, and colo on the conductive polymer layer This month, the carbon forming process of coating and drying a colloidal carbon liquid to form a carbon layer, and the connection between the negative electrode terminal on the carbon layer is easy. Because by drying after applying the Ag paste composed of Ag solution generating step of generating the Ag layer in order to, it has an excellent effect that the conductivity is excellent can produce excellent high-frequency characteristics products.
Description
본 발명은 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 화성공정을 통하여 탄탈금속 표면에 생성된 산화피막을 질산철 수용액에 침투시켜 200℃∼230℃의 온도에서 열분해한 후 코팅하는 FeO2생성공정을 통하여 FeO2층을 생성하여 고주파 특성이 양호한 탄탈륨 고체 전해 콘덴서를 수득할 수 있는 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor, and more particularly, to infiltrate the oxide film formed on the surface of the tantalum metal through the chemical conversion process into an aqueous solution of iron nitrate and thermally decompose at a temperature of 200 ℃ to 230 ℃ The present invention relates to a method for producing a tantalum solid electrolytic capacitor, in which a FeO 2 layer is formed through a FeO 2 formation process to obtain a tantalum solid electrolytic capacitor having good high frequency characteristics.
일반적으로 탄탈륨 고체 전해 콘덴서는, 양극산화에 의하여 형성된 탄탈 산화물(Ta2O2)을 유전체로 한다. 이 탄탈의 박과 소결체를 전극으로 양극산화에 의하여 탄탈 금속면에 형성된 산화피막은 화성전압 1V당 10∼16Å으로 형성된 얇은 피막으로서 피막의 두께는 화성전압의 상승에 비례하여 증가하며 콘덴서의 정전용량과는 반비례 관계를 이룬다.In general, a tantalum solid electrolytic capacitor uses tantalum oxide (Ta 2 O 2 ) formed by anodization as a dielectric. The oxide film formed on the tantalum metal surface by the anodic oxidation using foil and sintered body of tantalum as an electrode is a thin film formed at 10 ~ 16Å per 1V of the conversion voltage, and the thickness of the coating increases in proportion to the increase in the conversion voltage. Is inversely related to
화성전압은 탄탈륨 전해 콘덴서의 종류에 따라 다르지만 탄탈륨 고체 전해 콘덴서에서는 정격전압의 3∼4배, 탄탈 박형 전해 콘덴서에서는 1.3∼1.4배를 기준으로 한다. 그리고, 유전체인 탄탈 산화피막의 유전율은 εr=23으로,εr=7인 알루미늄 산화피막에 비하여 약 3배이다.The conversion voltage depends on the type of tantalum electrolytic capacitor, but it is based on 3 to 4 times the rated voltage for tantalum solid electrolytic capacitors and 1.3 to 1.4 times for tantalum thin electrolytic capacitors. The dielectric constant of the tantalum oxide film, which is a dielectric, is εr = 23, which is about three times higher than that of an aluminum oxide film having εr = 7.
또한, 이러한 종류의 콘덴서는 산화피막의 정류특성을 가지고 있으므로, 기본적으로는 유극성 콘덴서이다.In addition, since this type of capacitor has the rectifying characteristics of the oxide film, it is basically a polar capacitor.
도 1의 설명도에 도시된 바와 갈이 산화피막의 금속면에 인접해 있는 부분은 Fa2O5의 정량비 이상의 과승 탄탈원자를 가기고 있는 n형 산화 탄탈층이 형성된다.As shown in the explanatory drawing of FIG. 1, the portion adjacent to the metal surface of the ground oxide film is formed with an n-type tantalum oxide layer having a tantalum atom that is higher than the ratio of Fa 2 O 5 .
이에 속한 층이 Ta2O5의 정량비의 조성을 지닌 진성 반도체층으로 이루어져 있으며, 이 층이 앞에서 말한 화성전압에 비례하는 두께를 양극 산화피막의 표면에 밀착된 고체물질이 표면상태를 구성해서 이것에 의한 산화피막의 표면에 p형 산화 탄탈층이 유기되는 현상이 발생한다.The layer is composed of an intrinsic semiconductor layer having a composition ratio of Ta 2 O 5 , and the solid material adhered to the surface of the anodic oxide film has a thickness proportional to the above-mentioned harmonic voltage. Is caused to induce a p-type tantalum oxide layer on the surface of the oxide film.
이러한 양극 산화피막의 구조는 p-i-n접합을 하지않고 두께가 얇은 상태에서 유전체로서의 양호한 절연성, 내압성을 나타내는 원인이라고 말할 수 있다.The structure of the anodized film can be said to be a cause of showing good insulation and breakdown resistance as a dielectric material in a thin state without p-i-n bonding.
상술한 바와 같이 정의된 종래 기술에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법을 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 갈다.A method of manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the related art, defined as described above, will be described below with reference to FIG. 2.
도 2는 종래 기술에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법을 설명하기 위한 설명도이고, 상세한 설명 중 S10은 도면에는 미도시되었지만 내용의 흐름상 성형공정을 나타내므로 편의상 기재하여 설명하기로 한다.FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining a method of manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the prior art, and in the detailed description, S10 is not shown in the drawings but shows a flow forming process of the contents, and thus will be described for convenience.
종래 기술에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법은 도 2에 도시된 바와같이, 탄탈분말에 바인더(binder) 역할을 하는 용제인 D-Camphor를 혼합 건조 제거시킨 후 평량하여 양극 리드단자를 삽입시키는 성형공정(S10)과, 상기 성형공정(S10)에 의하여 양산된 성형소자를 진공 소결로에 장진하여 10-5mmHg 정도의 진공중에서 ]600℃∼2000℃ 정도로 가열한 후 상기 D-Camphor를 제거하여 탄탈금속(10)을 양산하는 소결공정(S20)과, 상기 소결공정(S20)에 의하여 양산된 상기 탄탈금속(10)을 전해액 속에 넣어서 직류전압을 인가하여 상기 탄탈금속(10)의 표면에 산화피막(Ta2O5)(20)을 생성하는 화성공정(S30)과, 상기 화성공정(S30)에 의하여 양산된 상기 산화피막(20)의 표면에 전해질의 이산화망간(MnO2) 층(3O)을 형성하는 소성공정(S40)과, 상기 소성공정(S40)에 의하여 양산된 상기 이산화망간 층(30)의 표면에 도전성 고분자 액을 전해 산화 중합하여 도전성 고분자 층(40)을 생성하는 도전성 고분자 생성공정(S50)과, 상기 도전성 고분자 생성공정(S50)에 의하여 양산된 도전성 고분자 층(40) 위에 콜로이달 카본(Colloidal Carbon) 액을 도포한 후 건조시켜 카본 층(50)을 생성하는 카본 생성공정(S60)과, 상기 카본 생성공정(S60)에 의하여 양산된 카본 층(50) 위에 음극단자과의 접속을 용이하게 하기 위하여 Ag 페이스트 액을 도포한 후 건조시켜 Ag 층(60)을 생성하는 Ag 생성공정(S70)으로 이루어진다.In the method of manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the related art, as shown in FIG. 2, after mixing and drying the D-Camphor, which is a solvent acting as a binder, on a tantalum powder, the powder is weighed and inserted into the anode lead terminal. Step (S10) and the molding device mass produced by the forming step (S10) is loaded in a vacuum sintering furnace and heated to about 600 ~ 2000 ℃ in a vacuum of about 10 -5 mmHg and then removed the D-Camphor Sintering process (S20) for mass production of tantalum metal (10), and the tantalum metal (10) mass produced by the sintering process (S20) is put into an electrolyte solution to apply a DC voltage to oxidize the surface of the tantalum metal (10) Manganese dioxide (MnO 2 ) layer 3O of the electrolyte on the surface of the chemical conversion process (S30) for producing the film (Ta 2 O 5 ) (20) and the mass production of the oxide film 20 produced by the chemical conversion process (S30) Mass production by the firing step (S40) and the firing step (S40) to form a A conductive polymer production step (S50) of producing a conductive polymer layer 40 by electrolytically oxidizing and polymerizing a conductive polymer solution on the surface of the manganese dioxide layer 30, and a conductive polymer layer produced in mass by the conductive polymer generation step (S50). The carbon generation step (S60) of applying a colloidal carbon liquid on the 40 and drying the carbon layer 50 to produce a carbon layer 50, and the carbon layer 50 produced in the carbon generation step (S60). In order to facilitate the connection with the negative electrode terminal, the Ag paste liquid is coated and dried to form an Ag layer 60 to generate an Ag layer 60 (S70).
이때, 상기 성형공정(S10)에서의 탄탈분말은 순도가 높은 것, 특히 Fe, C, Cu, Nb 등의 불순물 함유량이 극소인 것이 아니면 안된다. 즉, 탄탈분말 입자의 크기, 형상, 순도 등에 의하여 전기적 성능이 크게 좌우되므로 제품의 정격성능, 품질수준 치수에 이르기까지 종합적으로 실험한 후 분말을 선정해야만 되는 것이다.At this time, the tantalum powder in the forming step (S10) must be of high purity, particularly, the content of impurities such as Fe, C, Cu, Nb and the like is very small. That is, since the electrical performance is greatly influenced by the size, shape, purity, etc. of the tantalum powder particles, the powder must be selected after comprehensive testing to the rated performance and quality level of the product.
그리고, 상기 소결공정(S20)에 의하여 양산된 소결소자는 알루미늄박의 에칭후와 같이 됨을 알 수 있다.In addition, it can be seen that the mass produced by the sintering step (S20) is as after the etching of the aluminum foil.
또한, 상기 화성공정(S30)에서 가해진 직류전압은 콘덴서 정격전압의 3∼4배로서 알루미늄 전해 콘덴서에 비하여 상당히 높다. 이와 같이 상기 직류전압이 높은 것은, 고체 전해질 즉, 이산화망간을 사용하고 있기 때문에 산화피막(20)의 손상에 대한 수복효과가 적은 것을 보상하기 위한 것이다.In addition, the DC voltage applied in the conversion step S30 is 3 to 4 times the rated voltage of the capacitor, which is considerably higher than that of the aluminum electrolytic capacitor. The high DC voltage as described above is intended to compensate for the low recovery effect against damage to the oxide film 20 because a solid electrolyte, that is, manganese dioxide is used.
한편, 상기 소성공정(40)을 통하여 치밀한 이산화망간 층(30)을 얻기 위해서는 열분해시에 산화피막(20)이 손상되어 누설전류가 증가하므로 화성공정(S30)을 다시한번 하는 재 화성공정(S30)을 하기도 한다.On the other hand, in order to obtain a dense manganese dioxide layer 30 through the firing step 40, since the oxide film 20 is damaged during thermal decomposition and the leakage current increases, the regeneration step S30 is performed again. Sometimes.
그런데, 상술한 바와 갈은 공정으로 이루어진 종래 기술에 따른 탄탈륨 고체전해 콘덴서의 제조방법은, 음극단자를 인출하기 위한 이산화망간 층(30)을 형성하는 열분해 방법을 선택하여 진행하므로 인하여 산화피막(20)이 손상되어 산화피막(20)의 표면이 균일하게 분포될 때가지의 화성공정(30)을 반복 실시해야만 되어 제조 공정이 복잡하고, 제품의 불량이 빈번히 발생되는 커다란 단점이 있었다.However, the method of manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the prior art, which is made of the above-described and ground process, proceeds by selecting a pyrolysis method for forming a manganese dioxide layer 30 for extracting a negative electrode terminal. Due to this damage, the chemical conversion process 30 must be repeatedly performed until the surface of the oxide film 20 is uniformly distributed, and thus, the manufacturing process is complicated, and product defects frequently occur.
이에, 본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 그 목적으로 하는 바는 고분자 전해질 용액 속에서 양(+)의 전극 역할을 수행하도록 FeO2층을 수득할 수 있는 공정을 진행시키고, 수득된 FeO2층의 전극을 바탕으로 전기 화학적으로 산화중합에 의한 고분자 전해질 층을 만들어 전도성이 향상되고 고주파 특성이 좋아지는 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법을 제공함에 있다.Thus, the present invention was created to solve the above problems, the purpose is to proceed with a process to obtain a FeO 2 layer to serve as a positive electrode in the polymer electrolyte solution The present invention provides a method for manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor, in which the electrolytically polymerized polymer electrolyte layer is formed on the basis of the obtained FeO 2 layer, thereby improving conductivity and improving high frequency characteristics.
도 1은 일반적인 탄탈 금속의 산화피막 부분을 나타내는 설명도1 is an explanatory diagram showing an oxide film portion of a general tantalum metal
도 2는 종래 기술에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법을 설명하기 위한 설명도2 is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the prior art.
도 3은 본 발명에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법을 설명하기 위한 설명도3 is an explanatory diagram illustrating a method of manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the present invention.
도 4의 (가),(나)는 본 발명에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법에 의한 효과를 설명하기 위하여 주파수와 임피던스 및 ESR(Electron Spin Resonance)특성을 나타내는 그래프Figure 4 (a), (b) is a graph showing the frequency, impedance and ESR (Electron Spin Resonance) characteristics in order to explain the effect by the manufacturing method of the tantalum solid electrolytic capacitor according to the present invention
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
100 : 탄탈금속 200 : 산화피막100 tantalum metal 200 oxide film
300 : FeO2층 400 : 도전성 고분자 층300: FeO 2 layer 400: conductive polymer layer
500 : 카본 층 600 : Ag 층500: carbon layer 600: Ag layer
S100 : 성형공정 S200 : 소결공정S100: Molding Process S200: Sintering Process
S300 : 화성공정 S400 : FeO2생성공정S300: chemical conversion process S400: FeO 2 generation process
S500 : 도전성 고분자 생상공정S500: Conductive Polymer Production Process
S600 : 카본 생성공정S600: Carbon Production Process
S700 : Ag 생성공정S700: Ag Generation Process
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법은, 탄탈분말에 바인더(binder) 역할을 하는 용제인 D-Camphor를 혼합 건조 제거시킨 후 평량하여 양극 리드단자를 삽입시키는 성형공정과, 상기 성형소자를 진공 소결로에 장진하여 10-5mmHg 정도의 진공중에서 1600℃∼2000℃ 정도로 가열한 후 상기 D-Camphor를 제거하여 탄탈금속을 양산하는 소결공정과 상기 탄탈금속을 전해액 속에 넣어서 직류전압을 인가하여 상기 탄탈금속의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 생성하는 화성공정과, 상기 산화피막을 질산철 수용액에 침투시켜 200℃∼230℃의 온도에서 열분해한 후 코팅하여 FeO2층을 생성하는 FeO2생성공정과, 상기 FeO2층의 표면에 도전성 고분자액을 전해 산화 중합하여 도전성 고분자 층을 생성하는 도전성 고분자 생성공정과, 상기 도전성 고분자 층 위에 콜로이달 카본(Colloidal Carbon) 액을 도포한 후 건조시켜 카본 층을 생성하는 카본 생성공정과, 상기 카본층 위에 음극단자와의 접속을 용이하게 하기 위하여 Ag 페이스트 액을 도포한 후 건조시켜 Ag 층을 생성하는 Ag 생성공정으로 이루어지는 것을 그 기술적 공정상의 기본 특징으로 한다.In the manufacturing method of the tantalum solid electrolytic capacitor according to the present invention for achieving the above object, a molding process of mixing and drying the D-Camphor, which is a solvent acting as a binder in the tantalum powder, and then weighing and inserting the anode lead terminal And, the molding device is loaded in a vacuum sintering furnace and heated in a vacuum of about 10-5mmHg at about 1600 ℃ to 2000 ℃ and then the sintering process to remove tantalum metal by removing the D-Camphor and the tantalum metal in the electrolyte solution A chemical conversion process for generating an oxide film (Ta 2 O 5 ) on the surface of the tantalum metal by applying a DC voltage, the oxide film is infiltrated into an aqueous solution of iron nitrate, pyrolyzed at a temperature of 200 ° C. to 230 ° C., and coated with FeO. FeO for generating a two-layer forming step and second, electrically conducting polymer generating process of generating a conductive polymer layer by electrolytic oxidation polymerization of the conductive polymer solution on the surface of the second layer and FeO, the Coating the colloidal carbon liquid on the conductive polymer layer and drying it to generate a carbon layer, and drying the Ag paste liquid on the carbon layer to facilitate connection with the negative electrode terminal. It is a basic feature of the technical process that consists of an Ag generating process for generating an Ag layer.
이하, 본 발명에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법의 바람직한 실시예를 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the method for manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the present invention will be described with reference to FIG. 3.
도 3은 본 발명에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법을 설명하기 위한 설명도이고, 상세한 설명 중의 도면 부호 S100은 도면에는 미도시되었지만 내용의 흐름상 성형공정을 나타내므로 편의상 기재하여 설명하기로 하고, 종래 공정과 동일 작용을 하는 공정에 대해서는 개략 설명하기로 한다.Figure 3 is an explanatory diagram for explaining a manufacturing method of a tantalum solid electrolytic capacitor according to the present invention, and the reference numeral S100 in the detailed description, but not shown in the drawing shows the flow forming process of the content will be described for convenience. The process which functions similarly to the conventional process is outlined.
본 발명에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법은 도 3에 도시된 바와같이, 탄탈분말에 바인더(binder) 역할을 하는 용제인 D-Camphor를 혼합 건조 제거시킨 후 평량하여 양극 리드단자를 삽입시키는 성형공정(S100)과, 상기 상형공정(S100)에 의하여 양산된 상기 성형소자를 진공 소결로에 장진하여 10-5mmHg 정도의 진공중에서 1600℃∼2000℃ 정도로 가열한 후 상기 D-Camphor를 제거하여 탄탈금속(100)을 양산하는 소결공정(S200)과, 상기 소결공정(S200)에 의하여 양산된 상기 탄탈금속(100)을 전해액 속에 넣어서 직류전압을 인가하여 상기 탄탈금속(100)의 표면에 산화피막(Ta2O5) (200)을 생성하는 화성공정(S300)과, 상기 화성공정(S300)을 통하여 양산된 상기 산화피막(200)을 질산철 수용액에 침투시켜 200℃∼230℃의 온도에서 열분해한 후 코팅하여 FeO2층(300)을 생성하는 FeO2생성공정(S400)과, 상기 FeO2생성공정(S400)에 의하여 양산된 상기 FeO2층(300)의 표면에 도전성 고분자액을 전해 산화 중합하여 도전성 고분자 층(400)을 생성하는 도전성 고분자 생성공정(S500)과, 상기 도전성 고분자 생성공정(S500)에 의하여 양산된 상기 도전성 고분자 층(400) 위에 콜로이달 카본(Colloidal Carbon)액을 도포한 후 건조시켜 카본 층(500)을 생성하는 카본 생성공정(S600)과, 상기 카본 생성공정(S600)에 의하여 양산된 상기 카본 층(500) 위에 음극단자와의 접속을 용이하게 하기 위하여 Ag 페이스트 액을 도포한 후 건조시켜 Ag층(600)을 생성하는 Ag 생성공정(S700)으로 이루어진다.In the method for manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the present invention, as shown in FIG. 3, after mixing and drying D-Camphor, which is a solvent acting as a binder, on a tantalum powder, the powder is weighed and inserted into the anode lead terminal. The molding device mass produced by the step (S100) and the upper mold step (S100) was loaded in a vacuum sintering furnace, heated to about 1600 ° C to 2000 ° C in a vacuum of about 10 -5 mmHg, and then the D-Camphor was removed. Sintering process (S200) for mass-producing tantalum metal (100) and the tantalum metal (100) mass produced by the sintering process (S200) is put into an electrolyte solution and oxidized to the surface of the tantalum metal (100) by applying a DC voltage. The chemical conversion process (S300) for producing the film (Ta 2 O 5 ) 200 and the oxide film 200 produced in the chemical conversion process (S300) are allowed to penetrate the aqueous solution of iron nitrate to a temperature of 200 ° C to 230 ° C. Pyrolysis and coating to form FeO 2 layer 300 Conductive to the surface of electrolytic oxidation of the conductive polymer solution polymerization the FeO 2 generating step (S400), and the FeO 2 generating step (S400) of the FeO 2 layer 300 production by generating a conductive polymer layer 400 for Polymerization process (S500) and the colloidal carbon (Colloidal Carbon) solution is coated on the conductive polymer layer 400 produced by the conductive polymer production process (S500) and dried to produce a carbon layer 500 In order to facilitate connection with the negative electrode terminal on the carbon generation step (S600) and the carbon layer 500 produced in the carbon generation step (S600), an Ag paste liquid is coated and dried to form an Ag layer 600. Ag generation step of generating a (S700) is made.
이와 같은 공정으로 이루어진 탄탈륨 고체 전해 콘덴서는 금속 case type와 Dip type, Chip type 등이 있는데, 여기에서 상기 금속 case type는 조립 후의 탄탈소자 외부 리드단자를 용접한 후 납으로 충진된 금속 케이스에 소자를 고정시켜 상기 케이스를 전기적으로 접촉시킨 다음 Hermetic Seal 단자 또는 수지로 Sealing한 구조로 이루어지고, 상기 Dip type는 탄탈소자에 외부 리드선을 용접한 후 음극리드단자와 소자를 납땜 접촉시킨 구조로 이루어지고, 상기 Chip Type는 탄탈소자와 음극단자 접속시 내열성이 우수한 도전성 접착제를 사용하여 납땜시 열적 스트레스에 견딜 수 있는 구조로 이루어진다.Tantalum solid electrolytic capacitors having such a process include a metal case type, a dip type, a chip type, and the like, wherein the metal case type is formed by welding a tantalum element external lead terminal after assembly and then attaching the element to a lead-filled metal case. The case is made of a structure in which the case is electrically contacted and then sealed with a Hermetic Seal terminal or resin, and the Dip type is made of a structure in which a cathode lead terminal and a device are soldered and contacted after welding an external lead wire to a tantalum element. The chip type has a structure capable of withstanding thermal stress during soldering by using a conductive adhesive having excellent heat resistance when connecting a tantalum element and a negative electrode terminal.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법에 의하면, 탄탈금속을 전해액 속에 넣어서 직류전압을 인가하는 화성공정을 통하여 생성된 산화피막(Ta2O5)을 질산철 수용액에 침투시켜 200℃∼230℃의 온도에서 열분해한 후 코팅하는 FeO2생성공정을 통하여 FeO2층을 생성하여 전도성 고분자를 전해산화 중합시킬 수 있는 양극(+)을 생성시키므로써, 도 4에 도시된 바와 같이 종래기술에 따른 MnO2(전기 전도도 : -0.2 s/㎝)보다 전기 전도도가 훨씬 뛰어난 전도성고분자(100s/㎝)층을 코팅하여 고주파 특성이 뛰어난 제품을 생산할 수 있는 탁월한 효과가 있다.As described above, according to the method of manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the present invention, the tantalum metal is added to an aqueous solution of iron nitrate (Ta 2 O 5 ), which is formed through a chemical conversion process by applying a direct voltage to the metal. By forming a FeO 2 layer through the FeO 2 generation process of pyrolysis at a temperature of 200 ℃ ~ 230 ℃ to produce a positive electrode (+) that can electrolytically polymerize the conductive polymer, as shown in Figure 4 By coating a conductive polymer (100 s / cm) layer having a much higher electrical conductivity than MnO 2 (electrical conductivity: -0.2 s / cm) according to the prior art, there is an excellent effect of producing a product having excellent high frequency characteristics.
즉, 상기 FeO2층은 고분자 전해질 용액 속에서 양극(+)의 역할을 하고, 상기 FeO2층 위에 생성된 도전상 고분자 층은 음극(-)의 역할을 하여 전도성이 우수하여 고주파 특성이 좋아지는 유용한 효과가 있다.That is, the FeO 2 layer serves as a positive electrode (+) in the polymer electrolyte solution, and the conductive polymer layer formed on the FeO 2 layer serves as a negative electrode (-), so that the conductivity is excellent and the high frequency characteristics are useful. It works.
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| KR20020085536A (en) * | 2001-05-09 | 2002-11-16 | 에스케이케미칼주식회사 | Method of Manufacturing a Solid Electrolytic Capacitor |
| KR20020085538A (en) * | 2001-05-09 | 2002-11-16 | 에스케이케미칼주식회사 | Method of Manufacturing a Solid Electrolytic Capacitor |
| KR100572181B1 (en) * | 1999-06-09 | 2006-04-18 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | Electrode material for capacitor and capacitor using the same |
| KR100753609B1 (en) * | 2001-08-30 | 2007-08-29 | 에스케이케미칼주식회사 | Method of Manufacturing a Polymer Electrolytic Capacitor |
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-
1997
- 1997-11-14 KR KR1019970060124A patent/KR100251762B1/en not_active IP Right Cessation
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| KR100251762B1 (en) | 2000-04-15 |
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