KR19990039880A - Method for manufacturing tantalum solid electrolytic capacitor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법에 관한 것으로, 성형소자를 진공 소결로에 장진하여 탄탈금속을 양산하는 소결공정과, 상기 탄탈금속을 전해액속에 넣어서 직류전압을 인가하여 상기 탄탈금속의 표면에 산화피막을 생성하는 화성공정과, 상기 산화피막의 표면에 유기용제인 polypyrrole 액을 도포한 후 경화시켜 polypyrrole 층을 형성하는 polypyrrole 생성공정과, 상기 polypyrrole 층 위에 콜로이달 카본 액을 도포한 후 건조시켜 카본 층을 생성하는 카본 생성공정과, 상기 카본 층 위에 음극단자와의 접속을 용이하게 하기 위하여 Ag 페이스트 액을 도포한 후 건조시켜 Ag 층을 생성하는 Ag 생성공정으로 이루어지기 때문에, 이산화망간 층을 생성하는 소성공정, 즉, 전해중합이나 화학중합 공정을 생략할 수 있게 되어 공정의 단순화를 기할 수 있고, 상기 polypyrrole 생성공정에 의하여 생성된 polypyrrole 층이 오히려 이산화망간 층일 때보다 더욱 높은 전도성을 갖게 되어 양질의 제품을 양산할 수 있는 탁월한 효과가 있다.The present invention relates to a method for manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor, comprising: a sintering process of mass-producing a tantalum metal by forming a molding element in a vacuum sintering furnace, and applying a direct voltage to the surface of the tantalum metal by placing the tantalum metal in an electrolyte solution. A chemical conversion process for producing an oxide film, a polypyrrole solution for applying an organic solvent to the surface of the oxide film, followed by curing to form a polypyrrole layer, and coating and drying a colloidal carbon solution on the polypyrrole layer Since a carbon production process for producing a carbon layer and an Ag production process for applying an Ag paste liquid to dry the Ag layer to facilitate the connection with the negative electrode terminal on the carbon layer to form an Ag layer, a manganese dioxide layer is generated. It is possible to omit the sintering process, that is, the electrolytic polymerization or the chemical polymerization process, which can simplify the process, The polypyrrole layer produced by the polypyrrole production process has a higher conductivity than that of the manganese dioxide layer, thereby having an excellent effect of mass-producing a good product.
Description
본 발명은 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 탄탈금속을 전해액 속에 넣어서 직류전압을 인가하는 화성공정에 의하여 양산된 산화피막의 표면에 유기용제인 polypyrrole 액을 도포한 후 경화시켜 polypyrrole 층을 형성하는 polypyrrole 생성공정을 추가 진행하여 소성공정에 의하여 양산된 이산화망간 층일 때 보다 더욱 높은 전도성을 갖을 수 있는 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor, and more particularly, after coating a polypyrrole solution, which is an organic solvent, on the surface of an oxide film produced by a chemical conversion process by applying a direct voltage to a tantalum metal in an electrolytic solution, and curing it. The present invention relates to a method for manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor, which can have a higher conductivity than that of a manganese dioxide layer produced by a calcination process by further proceeding a polypyrrole generating step of forming a polypyrrole layer.
일반적으로 탄탈륨 고체 전해 콘덴서는, 양극산화에 의하여 형성된 탄탈 산화물(Ta2O2)을 유전체로 한다. 이 탄탈의 박과 소결체를 전극으로 양극산화에 의하여 탄탈 금속면에 형성된 산화피막은 화성전압 1V당 10∼16Å으로 형성된 얇은 피막으로서 피막의 두께는 화성전압의 상승에 비례하여 증가하며 콘덴서의 정전용량과는 반비례 관계를 이룬다.In general, a tantalum solid electrolytic capacitor uses tantalum oxide (Ta 2 O 2 ) formed by anodization as a dielectric. The oxide film formed on the tantalum metal surface by the anodic oxidation using foil and sintered body of tantalum as an electrode is a thin film formed at 10 ~ 16Å per 1V of the conversion voltage, and the thickness of the coating increases in proportion to the increase in the conversion voltage. Is inversely related to
화성전압은 탄탈륨 전해 콘덴서의 종류에 따라 다르지만 탄탈륨 고체 전해 콘덴서에서는 정격전압의 3∼4배, 탄탈 박형 전해 콘덴서에서는 1.3∼1.4배를 기준으로 한다. 그리고, 유전체인 탄탈 산화피막의 유전율은 εr=23으로, εr=7인 알루미늄 산화피막에 비하여 약 3배이다.The conversion voltage depends on the type of tantalum electrolytic capacitor, but it is based on 3 to 4 times the rated voltage for tantalum solid electrolytic capacitors and 1.3 to 1.4 times for tantalum thin electrolytic capacitors. The dielectric constant of the tantalum oxide film, which is a dielectric, is εr = 23, which is about three times higher than that of an aluminum oxide film having εr = 7.
또한, 이러한 종류의 콘덴서는 산화피막의 정류특성을 가지고 있으므로, 기본적으로는 유극성 콘덴서이다.In addition, since this type of capacitor has the rectifying characteristics of the oxide film, it is basically a polar capacitor.
도 1의 설명도에 도시된 바와 같이 산화피막의 금속면에 인접해 있는 부분은 Ta2O5의 정량비 이상의 과승 탄탈원자를 가지고 있는 n형 산화 탄탈층이 형성된다. 이에 속한 층이 Ta2O5의 정량비의 조성을 지닌 진성 반도체층으로 이루어져 있으며, 이 층이 앞에서 말한 화성전압에 비례하는 두께를 양극 산화피막의 표면에 밀착된 고체물질이 표면상태를 구성해서 이것에 의한 산화피막의 표면에 p형 산화 탄탈층이 유기되는 현상이 발생한다.As shown in the explanatory drawing of FIG. 1, an n-type tantalum oxide layer is formed in the portion adjacent to the metal surface of the oxide film having a higher tantalum atom than the Ta 2 O 5 ratio. The layer is composed of an intrinsic semiconductor layer having a composition ratio of Ta 2 O 5 , and the solid material adhered to the surface of the anodic oxide film has a thickness proportional to the above-mentioned harmonic voltage. Is caused to induce a p-type tantalum oxide layer on the surface of the oxide film.
이러한 양극 산화피막의 구조는 p-i-n접합을 하지않고 두께가 얇은 상태에서 유전체로서의 양호한 절연성, 내압성을 나타내는 원인이라고 말할 수 있다.The structure of the anodized film can be said to be a cause of showing good insulation and breakdown resistance as a dielectric material in a thin state without p-i-n bonding.
상술한 바와 같이 정의된 종래 기술에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법을 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the related art defined as described above will be described with reference to FIG. 2 as follows.
도 2는 종래 기술에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법을 설명하기 위한 설명도이고, 상세한 설명 중 부호 S10은 도면에는 미도시 되었지만 내용의 흐름상 성형공정을 나타내므로 편의상 기재하여 설명하기로 한다.FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining a method of manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the prior art, and in the detailed description, reference numeral S10 represents a flow forming process of contents although not shown in the drawings, and will be described for convenience.
종래 기술에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법은 도 2에 도시된 바와 같이, 탄탈분말에 바인더(binder) 역할을 하는 용제인 D-Camphor를 혼합 건조 제거시킨 후 평량하여 양극 리드단자를 삽입시키는 성형공정(S10)과, 상기 성형공정(S10)에 의하여 양산된 성형소자를 진공 소결로에 장진하여 10-5mmHg 정도의 진공중에서 1600℃∼2000℃ 정도로 가열한 후 상기 D-Camphor를 제거하여 탄탈금속(10)을 양산하는 소결공정(S20)과, 상기 소결공정(S20)에 의하여 양산된 상기 탄탈금속(10)을 전해액 속에 넣어서 직류전압을 인가하여 상기 탄탈금속(10)의 표면에 산화피막(Ta2O5)(20)을 생성하는 화성공정(S30)과, 상기 화성공정(S30)에 의하여 양산된 상기 산화피막(20)의 표면에 전해질의 이산화망간(MnO2) 층(30)을 형성하는 소성공정(S40)과, 상기 소성공정(S40)에 의하여 양산된 이산화망간 층(30) 위에 콜로이달 카본(Colloidal Carbon) 액을 도포한 후 건조시켜 카본 층(40)을 생성하는 카본 생성공정(S50)과, 상기 카본 생성공정(S50)에 의하여 양산된 카본 층(40) 위에 음극단자와의 접속을 용이하게 하기 위하여 Ag 페이스트 액을 도포한 후 건조시켜 Ag층(50)을 생성하는 Ag 생성공정(S60)으로 이루어진다.In the manufacturing method of the tantalum solid electrolytic capacitor according to the prior art, as shown in FIG. 2, after mixing and drying the D-Camphor, which is a solvent acting as a binder, in the tantalum powder, the powder is weighed and inserted into the anode lead terminal. Step (S10) and the molding device mass produced by the molding step (S10) is loaded in a vacuum sintering furnace and heated to about 1600 ~ 2000 ℃ in a vacuum of about 10 -5 mmHg and then removed the D-Camphor tantalum The oxide film is formed on the surface of the tantalum metal 10 by applying a DC voltage by placing the tantalum metal 10 mass produced by the sintering process S20 and the mass production of the metal 10 in an electrolyte solution. A manganese dioxide (MnO 2 ) layer 30 of electrolyte is formed on the surface of the oxidation process (S30) for producing (Ta 2 O 5 ) 20 and the surface of the oxide film 20 produced by the formation process (S30). Mass production by the baking process (S40) and the said baking process (S40) to form A carbon generation step (S50) of applying a colloidal carbon liquid on the manganese dioxide layer 30 and drying the same to produce a carbon layer 40, and a carbon layer mass produced by the carbon generation step (S50). In order to facilitate connection with the negative electrode terminal 40, an Ag paste liquid is coated and then dried to form an Ag layer 50 to generate an Ag layer 50 (S60).
이때, 상기 성형공정(S10)에서의 탄탈분말은 순도가 높은 것, 특히 Fe, C, Cu, Nb 등의 불순물 함유량이 극소인 것이 아니면 안된다. 즉, 탄탈분말 입자의 크기, 형상, 순도 등에 의하여 전기적 성능이 크게 좌우되므로 제품의 정격성능, 품질수준 치수에 이르기까지 종합적으로 실험한 후 분말을 선정해야만 되는 것이다.At this time, the tantalum powder in the forming step (S10) must be of high purity, particularly, the content of impurities such as Fe, C, Cu, Nb and the like is very small. That is, since the electrical performance is greatly influenced by the size, shape, purity, etc. of the tantalum powder particles, the powder must be selected after comprehensive testing to the rated performance and quality level of the product.
그리고, 상기 소결공정(S20)에 의하여 양산된 소결소자는 알류미늄박의 에칭 후와 같이 됨을 알 수 있다.In addition, it can be seen that the sintered element produced by the sintering step (S20) is as after the etching of the aluminum foil.
또한, 상기 화성공정(S30)에서 가해진 직류전압은 콘덴서 정격전압의 3∼4배로서 알루미늄 전해 콘덴서에 비하여 상당히 높다. 이와 같이 상기 직류전압이 높은 것은, 고체 전해질, 즉, 이산화망간을 사용하고 있기 때문에 산화피막(20)의 손상에 대한 수복효과가 적은 것을 보상하기 위한 것이다.In addition, the DC voltage applied in the conversion step S30 is 3 to 4 times the rated voltage of the capacitor, which is considerably higher than that of the aluminum electrolytic capacitor. The high DC voltage as described above is intended to compensate for the low recovery effect of damage to the oxide film 20 because a solid electrolyte, that is, manganese dioxide is used.
한편, 상기 소성공정(S40)을 통하여 치밀한 이산화망간 층(30)을 얻기 위해서는 열분해시에 산화피막(20)이 손상되어 누설전류가 증가하므로 화성공정(S30)을 다시한번 하는 재 화성공정을 하기도 한다.On the other hand, in order to obtain a dense manganese dioxide layer 30 through the firing step (S40), since the oxide film 20 is damaged during thermal decomposition and the leakage current increases, the regeneration process (S30) may be performed again. .
그런데, 상술한 바와 같은 공정으로 이루어진 종래 기술에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법은, 음극단자를 인출하기 위한 이산화망간 층(30)을 형성하는 열분해 방법으로 인하여 산화피막(20)이 손상되어 다시 상기 산화피막(20)을 형성하는 공정을 반복 수행해야만 되는 커다란 단점이 있었다.By the way, the manufacturing method of the tantalum solid electrolytic capacitor according to the prior art made of the process as described above, the oxide film 20 is damaged due to the pyrolysis method of forming the manganese dioxide layer 30 for the extraction of the negative electrode terminal and the There is a big disadvantage that the process of forming the oxide film 20 must be repeated.
그리고, 산화피막(20)을 형성시키기 위하여 직류전압을 인가할 때 전압이 낮으면 산화피막(20)이 형성되지 않고 전압이 높으면 이산화망간 층(30)이 산화되어 작업이 어렵게 되는 문제점이 있었다.In addition, when the DC voltage is applied to form the oxide film 20, if the voltage is low, the oxide film 20 is not formed. If the voltage is high, the manganese dioxide layer 30 is oxidized, which makes the operation difficult.
이에, 본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 그 목적으로 하는 바는 탄탈금속을 전해액 속에 넣어서 직류전압을 인가하는 화성공정에 의하여 양산된 산화피막의 표면에 유기용제인 polypyrrole 액을 도포한 후 경화시켜 polypyrrole 층을 형성하는 polypyrrole 생성공정을 추가 진행시켜 이산화망간 층을 생성하는 소성공정, 즉, 전해중합이나 화학중합 공정을 생략할 수 있는 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention was created to solve the above problems, and its purpose is to put a tantalum metal in an electrolyte solution and to produce a polypyrrole as an organic solvent on the surface of an oxide film produced by a chemical conversion process applying a DC voltage. The present invention provides a method for producing a tantalum solid electrolytic capacitor which can omit the electrolytic polymerization or the chemical polymerization process by further proceeding the polypyrrole generating process of forming a polypyrrole layer by applying a liquid and then hardening. have.
도 1은 일반적인 탄탈 금속의 산화피막 부분을 나타내는 설명도1 is an explanatory diagram showing an oxide film portion of a general tantalum metal
도 2는 종래 기술에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법을 설명하기 위한 설명도2 is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the prior art.
도 3은 본 발명에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법을 설명하기 위한 설명도3 is an explanatory diagram illustrating a method of manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the present invention.
도 4의 (a), (b), (c), (d)는 본 발명에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법에 의하여 얻어지는 효과를 설명하기 위한 그래프(A), (b), (c) and (d) of FIG. 4 are graphs for explaining the effect obtained by the method for producing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
100 : 탄탈금속 200 : 산화피막100 tantalum metal 200 oxide film
300 : polypyrrole 층 400 : 카본 층300: polypyrrole layer 400: carbon layer
500 : Ag 층 S100 : 성형공정500: Ag layer S100: forming process
S200 : 소결공정 S300 : 화성공정S200: Sintering Process S300: Chemical Process
S400 : polypyrrole 생성공정 S500 : 카본 생성공정S400: polypyrrole production process S500: carbon production process
S600 : Ag 생성공정S600: Ag Generation Process
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법은, 탄탈분말에 바인더(binder) 역할을 하는 용제인 D-Camphor를 혼합 건조 제거시킨 후 평량하여 양극 리드단자를 삽입시키는 성형공정과, 상기 성형소자를 진공 소결로에 장진하여 10-5mmHg 정도의 진공중에서 1600℃∼2000℃ 정도로 가열한 후 상기 D-Camphor를 제거하여 탄탈금속을 양산하는 소결공정과, 상기 탄탈금속을 전해액 속에 넣어서 직류전압을 인가하여 상기 탄탈금속의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 생성하는 화성공정과, 상기 산화피막의 표면에 유기용제인 polypyrrole 액을 도포한 후 경화시켜 polypyrrole 층을 형성하는 polypyrrole 생성공정과, 상기 polypyrrole 층 위에 콜로이달 카본(Colloidal Carbon) 액을 도포한 후 건조시켜 카본 층을 생성하는 카본 생성공정과, 상기 카본 층 위에 음극단자와의 접속을 용이하게 하기 위하여 Ag 페이스트 액을 도포한 후 건조시켜 Ag 층을 생성하는 Ag 생성공정으로 이루어지는 것을 그 기술적 공정상의 기본 특징으로 한다.In the manufacturing method of the tantalum solid electrolytic capacitor according to the present invention for achieving the above object, a molding process of mixing and drying the D-Camphor, which is a solvent acting as a binder in the tantalum powder, and then weighing and inserting the anode lead terminal And the sintering process of elongating the molding element in a vacuum sintering furnace and heating it at 1600 ° C. to 2000 ° C. in a vacuum of about 10 −5 mmHg and removing the D-Camphor to produce tantalum metal, and the tantalum metal electrolyte solution. Forming an oxide film (Ta 2 O 5 ) on the surface of the tantalum metal by applying a DC voltage in the inside, and coating a polypyrrole liquid, which is an organic solvent on the surface of the oxide film and cured to form a polypyrrole layer a polypyrrole generating process, a carbon generating process of applying a colloidal carbon liquid on the polypyrrole layer and then drying to form a carbon layer, and on the carbon layer And by that after applying the Ag paste is liquid in order to facilitate the connection to the negative terminal construction made of Ag generating process of generating the Ag layer as the basic feature of the technical process.
이하, 본 발명에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법의 바람직한 실시예를 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the method for manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the present invention will be described with reference to FIG. 3.
도 3은 본 발명에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법을 설명하기 위한 설명도이고, 상세한 설명 중 부호 S100은 도면에는 미도시되었지만 내용의 흐름상 성형공정을 나타내므로 편의상 기재하여 설명하기로 하고, 종래 공정과 동일 작용을 하는 공정에 대해서는 개략 설명하기로 한다.3 is an explanatory diagram for explaining a method of manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the present invention, and in the detailed description, reference numeral S100 is not shown in the drawings, but shows a flow forming process of the contents, and thus it will be described for convenience. The process which functions similarly to the conventional process is outlined.
본 발명에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법은 도 3에 도시된 바와 같이, 탄탈분말에 바인더 역할을 하는 용제인 D-Camphor를 혼합 건조 제거시킨 후 평량하여 양극 리드단자를 삽입시키는 성형공정(S100)과, 상기 성형공정(S100)에 의하여 양산된 성형소자를 진공 소결로에 장진하여 10-5mmHg 정도의 진공중에서 1600℃∼2000℃ 정도로 가열한 후 상기 D-Camphor를 제거하여 탄탈금속(100)을 양산하는 소결공정(S200)과, 상기 소결공정(S200)에 의하여 양산된 상기 탄탈금속(100)을 전해액 속에 넣어서 직류전압을 인가하여 상기 탄탈금속(100)의 표면에 산화피막(200)을 생성하는 화성공정(S300)과, 상기 화성공정(S300)에 의하여 양산된 상기 산화피막(200)의 표면에 유기용제인 polypyrrole 액을 도포한 후 경화시켜 polypyrrole 층(300) 을 형성하는 polypyrrole 생성공정(S400)과, 상기 polypyrrole 생성공정(S400)에 의하여 양산된 polypyrrole 층(300) 위에 콜로이달 카본 액을 도포한 후 건조시켜 카본 층(400)을 생성하는 카본 생성공정(S500)과, 상기 카본 생성공정(S500)에 의하여 양산된 카본 층(400) 위에 음극단자와의 접속을 용이하게 하기 위하여 Ag 페이스트 액을 도포한 후 건조시켜 Ag 층(500)을 생성하는 Ag 생성공정(S600)으로 이루어진다.In the method of manufacturing a tantalum solid electrolytic capacitor according to the present invention, as shown in FIG. 3, a molding process of mixing and drying the D-Camphor, which is a binder acting as a binder, on a tantalum powder is carried out to be weighed to insert an anode lead terminal (S100). ), And the molding device mass produced by the molding process (S100) is loaded in a vacuum sintering furnace, heated in a vacuum of about 10 -5 mmHg in a temperature of 1600 ° C to 2000 ° C, and then the D-Camphor is removed to remove tantalum metal (100). Sintering step (S200) and mass production of the tantalum metal 100 produced by the sintering step (S200) in an electrolyte solution by applying a DC voltage to the surface of the tantalum metal (100) oxide film 200 Forming a polypyrrole to form a polypyrrole layer (300) and to form a polypyrrole layer (300) by coating and curing the polypyrrole solution of the organic solvent on the surface of the oxide film 200 produced by the chemical conversion process (S300) Process (S400) and phase The carbon generating step (S500) and the carbon generating step (S500) to produce a carbon layer 400 by applying a colloidal carbon solution on the polypyrrole layer 300 produced in the polypyrrole production step (S400) and then dried In order to facilitate the connection with the negative electrode terminal on the mass produced carbon layer 400 by applying an Ag paste liquid and dried to form an Ag generation step (S600) to produce an Ag layer (500).
이와 같은 공정으로 이루어진 탄탈륨 고체 전해 콘덴서는 금속 case type와 Dip type, Chip type 등이 있는 데, 여기에서 상기 금속 case type는 조립 후의 텐탈소자 외부 리드단자를 용접한 후 납으로 충진된 금속 케이스에 소자를 고정시켜 상기 케이스를 전기적으로 접촉시킨 다음 Hermetic Seal 단자 또는 수지로 Sealing한 구조로 이루어지고, 상기 Dip type는 텐탈소자에 외부 리드선을 용접한 후 음극리드단자와 소자를 납땜 접촉시킨 구조로 이루어지고, 상기 Chip Type는 텐탈소자와 음극단자 접속시 내열성이 우수한 도전성 접착제를 사용하여 납땜시 열적 스트레스에 견딜 수 있는 구조로 이루어진다.Tantalum solid electrolytic capacitors having such a process include a metal case type, dip type, and chip type, wherein the metal case type is a device in which a lead-filled metal case is welded after welding the external lead terminal of the tantalum element after assembly. The case is made of a structure in which the case is electrically contacted and then sealed with a Hermetic Seal terminal or resin, and the Dip type is made of a structure in which a cathode lead terminal and a device are soldered and contacted after welding an external lead wire to a tental element , The chip type is made of a structure that can withstand thermal stress during soldering using a conductive adhesive having excellent heat resistance when connecting the tental element and the negative electrode terminal.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법에 의하면, 소결공정에 의하여 양산된 상기 탄탈금속을 전해액 속에 넣어서 직류전압을 인가하는 화성공정에 의하여 양산된 상기 산화피막의 표면에 유기용제인 polypyrrole 액을 도포한 후 경화시켜 polypyrrole 층을 형성하는 polypyrrole 생성공정을 추가하므로써 이산화망간 층을 생성하는 소성공정, 즉, 전해중합이나 화학중합 공정을 생략할 수 있게 되어 공정의 단순화를 기할 수 있고, 상기 polypyrrole 생성공정에 의하여 생성된 polypyrrole 층이 도 3의 (a), (b), (c), (d)에 도시된 그래프에 나타난 바와 같이 오히려 이산화망간 층일 때보다 더욱 높은 전도성을 갖게 되어 양질의 제품을 양산할 수 있는 탁월한 효과가 있다.As described above, according to the manufacturing method of the tantalum solid electrolytic capacitor according to the present invention, an organic solvent is formed on the surface of the oxide film mass produced by the chemical conversion process by applying a direct current voltage by putting the tantalum metal mass produced by the sintering process into an electrolyte solution. By adding a polypyrrole generating process that forms a polypyrrole layer by applying and curing a polypyrrole solution to form a polypyrrole layer, it is possible to omit a sintering process that generates a manganese dioxide layer, that is, an electrolytic polymerization or a chemical polymerization process. The polypyrrole layer produced by the polypyrrole production process has a higher conductivity than that of the manganese dioxide layer as shown in the graphs shown in FIGS. 3A, 3B, 3D, and 3D. There is an excellent effect to mass-produce products.
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Legal Events
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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