KR19990030152U - 반도체 메모리 장치의 펌프 레귤레이션 회로 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 메모리 장치의 펌프 레귤레이션 회로에 관한 것이다.
종래의 펌프 레귤레이션 회로에서 전원 전압을 펌프 회로의 입력으로 하고 그라운드를 레귤레이션 소스로 사용한다. 따라서, 펌프 회로에서 출력된 펌핑 전압을 레귤레이션할 때 레귤레이션 소스인 그라운드로 전류 패스가 형성되어 펌핑 전압을 원하는 레벨로 레귤레이션한다. 이때, 전원 전압에서 그라운드로 전류가 흘러 전류를 소모하게 되어 전체적인 전류 소모가 증가한다.
본 고안에서는 펌프 회로의 입력 및 레귤레이션 소스로 전원 전압을 사용하고, 비교기 회로의 출력에 의해 동작되는 디스차지 수단을 형성하므로써 펌핑 전압이 전원 전압보다 높을 경우 디스차지 수단을 통해 레귤레이션 소스로 펌핑 전압을 디스차지시키므로 전류의 소모없이 레귤레이션 할 수 있다.
Description
본 고안은 반도체 메모리 장치의 펌프 레귤레이션(pump regulation) 회로에 관한 것으로, 특히 플래쉬 EEPROM에서 펌핑 전압을 일정 레벨로 레귤레이션할 때 소모되는 전류를 줄일 수 있는 반도체 메모리 장치의 펌프 레귤레이션 회로에 관한 것이다.
플래쉬 EEPROM은 프로그램(program)이나 소거(erase) 동작을 수행할 때 원하는 전압을 얻기 위하여 펌핑(pumping) 동작을 수행하며, 펌핑 동작중 원하는 전압보다 높은 전압이 되면 전압을 레귤레이션(regulation)하게 된다.
도 1과 같은 종래의 펌프 레귤레이션 회로에서는 펌프 회로의 소스로서 전원 전압(Vcc)을 사용하며, 레귤레이션의 소스로서 그라운드(0V)를 사용한다. 펌프 회로(11)는 클럭 신호(CLK)에 따라 전원 전압을 펌핑하여 펌핑 전압을 출력한다. 펌프 회로(11)에서 출력된 펌핑 전압이 비교기 회로(12)의 반전(-) 단자에 입력되고, 비교기 회로(12)의 비반전(+) 단자로 기준 전압(Vref)이 입력된다. 비교기 회로(12)는 기준 전압과 펌핑 전압을 비교한다. 비교기 회로(12)에서의 비교 결과 반전(-) 단자로 입력된 펌핑 전압이 비반전(+) 단자로 입력된 기준 전압보다 높을 경우 NMOS 트랜지스터(Q11)를 턴온시킨다. 턴온된 NMOS 트랜지스터(Q11)를 통해 레귤레이션 소스인 그라운드로 전류 패스가 형성되므로 펌핑 전압은 원하는 레벨로 레귤레이션된다. 이때, 전원 전압에서 그라운드로 전류가 흘러 전류를 소모하게 되어 전체적인 전류 소모가 증가한다.
따라서, 본 고안은 펌핑 전압을 일정 레벨로 레귤레이션할 때 소모되는 전류를 줄일 수 있는 반도체 메모리 장치의 펌프 레귤레이션 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 고안은 전원 전압을 사용하는 레귤레이션 소스와, 상기 전원 전압 및 클럭 신호에 따라 펌핑 동작을 수행하는 펌프 회로와, 상기 펌프 회로에서 출력된 펌핑 전압과 기준 전압을 비교하는 비교기 회로와, 상기 비교기 회로의 출력에 따라 구동되어 상기 펌핑 전압을 상기 레귤레이션 소스로 디스차지시키는 디스차지 수단을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래의 반도체 메모리 장치의 펌프 레귤레이션 회로의 회로도.
도 2는 본 고안에 따른 반도체 메모리 장치의 펌프 레귤레이션 회로의 회로도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
11, 12 : 펌프 회로 12, 22 : 비교기 회로
Q11, Q22 : NMOS 트랜지스터 Q21 : PMOS 트랜지스터
R1, R2 : 저항
첨부된 도면을 참조하여 본 고안을 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 고안에 따른 반도체 메모리 장치의 펌프 레귤레이션 회로의 회로도이다.
본 고안에서는 펌프 회로 및 레귤레이션 소스로 전원 전압(Vcc)를 사용하며, 비교기의 출력에 의해 제어되는 트랜지스터로 PMOS 트랜지스터를 사용한다.
펌프 회로(21)는 클럭(CLK) 신호에 따라 전원 전압(Vcc)을 펌핑하여 펌핑 전압을 출력한다. 펌핑 전압은 저항(R1)을 통해 비교기 회로(22)의 반전(-) 단자로 입력된다. 반전(-) 단자는 저항(R2)를 통해 접지된다. 비교기 회로(22)의 비반전(+) 단자로 기준 전압(Vref)이 입력된다. 반전(-) 단자로 입력된 펌핑 전압이 비반전(+) 단자로 입력된 기준 전압보다 높을 경우 PMOS 트랜지스터(Q21)가 턴온된다. 턴온 상태에 있는 NMOS 트랜지스터(Q22)와 PMOS 트랜지스터(Q21)를 통해 패스가 형성되어 출력 노드(Vout)의 전압은 전원 전압쪽으로 디스차지(discharge)된다. 이 디스차지에 의하여 출력 노드의 전압이 일정 전압 이하로 떨어지게 되면 비교기 회로(22)의 출력은 PMOS 트랜지스터(Q21)를 턴오프시키므로 더 이상의 디스차지가 일어나지 않는다.
디스차지시 소모되는 전류는 원래 펌프 회로(21)의 소스로부터 레귤레이션 소스로 흐르는 전류이므로 실제 소모되는 전류는 존재하지 않는다. 펌프 회로(21)는 계속 동작할 수도 있고, 디스차지시 잠시 정지되었다가 차지가 끝나면 다시 동작할 수도 있다.
상술한 바와 같이 본 고안에 의하면 펌핑 전압을 레귤레이션할 때 발생하는 전류 소모를 없앨 수 있어 전체 전류 소모를 줄일 수 있다.
Claims (2)
- 전원 전압을 사용하는 레귤레이션 소스와,상기 전원 전압 및 클럭 신호에 따라 펌핑 동작을 수행하는 펌프 회로와,상기 펌프 회로에서 출력된 펌핑 전압과 기준 전압을 비교하는 비교기 회로와,상기 비교기 회로의 출력에 따라 구동되어 상기 펌핑 전압을 상기 레귤레이션 소스로 디스차지시키는 디스차지 수단을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 펌프 레귤레이션 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 디스차지 수단은 상기 레귤레이션 소스와 제 1 노드간에 접속되며 비교기 회로의 출력에 따라 턴온되는 PMOS 트랜지스터와,상기 제 1 노드와 상기 펌프 회로의 출력 단자간에 접속되며 게이트 전극이 상기 레귤레이션 소스에 접속되는 NMOS 트랜지스터로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 펌프 레귤레이션 회로.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970042823U KR19990030152U (ko) | 1997-12-29 | 1997-12-29 | 반도체 메모리 장치의 펌프 레귤레이션 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970042823U KR19990030152U (ko) | 1997-12-29 | 1997-12-29 | 반도체 메모리 장치의 펌프 레귤레이션 회로 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990030152U true KR19990030152U (ko) | 1999-07-26 |
Family
ID=69695752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019970042823U KR19990030152U (ko) | 1997-12-29 | 1997-12-29 | 반도체 메모리 장치의 펌프 레귤레이션 회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990030152U (ko) |
-
1997
- 1997-12-29 KR KR2019970042823U patent/KR19990030152U/ko not_active Application Discontinuation
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