KR19990020494U - Plasma equipment with wafer breakage prevention device - Google Patents
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본 고안은 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비에 관한 것으로, 특히 챔버 몸체; 상기 챔버 몸체의 상, 하부에 형성된 히터; 상기 챔버 몸체 일측에 형성되어 RF파워를 인가하기 위한 전원; 상기 챔버 몸체의 내부를 구성하는 프로세스 튜브; 상기 챔버 몸체의 일측에 형성된 도어; 상기 도어와 일체로 형성되어 상기 프로세스 튜브의 내부를 전, 후로 수평운동하는 웨이퍼 케리어; 상기 웨이퍼 케리어상에 형성되어 웨이퍼를 수용하는 보트; 상기 프로세스 튜브의 일측 상부에 형성된 개스 라인; 상기 프로세스 튜브의 개스 라인의 하방에 수평으로 형성된 배기 라인 및 상기 개스 라인과 배기 라인의 사이에 횡으로 형성된 온도감지봉으로 이루어지는 플라즈마 장비에 있어서, 상기 온도감지봉의 일측 단부에 반사체가 형성되며, 이 반사체에 빛을 발출하는 발광 센서와 반사된 빛을 수감하는 수광 센서가 상기 도어에 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비를 제공한다. 이와 같은 본 고안에 의한 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비는 온도 감지봉의 처짐 및 변형등의 이상유무를 작업자가 미리 알수 있기 때문에 처짐 및 변형된 온도감지봉과의 접촉으로 발생하는 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.The present invention relates to a plasma equipment having a wafer breakage prevention device, in particular the chamber body; Heaters formed above and below the chamber body; A power source formed at one side of the chamber body to apply RF power; A process tube constituting an interior of the chamber body; A door formed at one side of the chamber body; A wafer carrier formed integrally with the door to horizontally move the inside of the process tube forward and backward; A boat formed on the wafer carrier to receive a wafer; A gas line formed on one side of the process tube; In a plasma apparatus comprising an exhaust line formed horizontally below the gas line of the process tube and a temperature sensing rod formed horizontally between the gas line and the exhaust line, a reflector is formed at one end of the temperature sensing rod. A light emission sensor for emitting light to a reflector and a light receiving sensor for receiving reflected light are integrally formed in the door. Plasma equipment having such a device for preventing wafer breakage according to the present invention can prevent wafer breakage caused by contact with sagging and deformed temperature sensing rods because the operator can know in advance whether there is an abnormality such as sagging and deformation of the temperature sensing rod. Can be.
Description
본 고안은 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비에 관한 것으로, 특히 웨이퍼상의 감광막을 제거하기 위한 플라즈마 장비에서 온도감지봉의 처짐이나 변형을 감지하여 이상 발생시 플라즈마 장비의 작동을 중지하게 함으로써 웨이퍼의 파손을 방지하는 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma equipment having a wafer breakage prevention device, and in particular, to detect the deflection or deformation of the temperature sensing rod in the plasma equipment for removing the photosensitive film on the wafer to prevent the breakage of the wafer by stopping the operation of the plasma equipment in the event of abnormality The present invention relates to a plasma apparatus having a wafer breakage preventing device.
일반적으로, 웨이퍼의 감광막을 제거하기 위하여 사용되는 플라즈마 장비는 산소 개스에 전원을 인가하여 산소 플라즈마를 생성시켜 감광막과 화학반응하도록 함으로써 웨이퍼상의 감광막을 제거하게 된다.In general, a plasma apparatus used to remove a photoresist film on a wafer removes a photoresist film on a wafer by applying power to an oxygen gas to generate an oxygen plasma to chemically react with the photoresist film.
상기한 바와 같은 플라즈마 장비의 예가 도 1에 도시되어 있는 바 이를 살펴보면 다음과 같다.An example of the plasma equipment as described above is shown in FIG. 1.
도시된 바와 같이, 일반적으로 플라즈마 장비는 프로세스 튜브(1)를 포함하는 챔버 몸체(2)와 이 챔버 몸체(2)의 일측에 형성된 도어(3)와 이 도어(3)에 일체로 형성되며 프로세스 튜브(1)내를 수평 방향으로 전, 후진 운동하는 웨이퍼 케리어(4)로 구성된다. 상기 웨이퍼 케리어(4)상에는 보트(5)가 형성되어 웨이퍼(6)를 수용하게된다. 또한 프로세스 튜브(1)의 상부에는 개스 라인(7)이 횡으로 배설되고, 하부에는 배기 라인(8)이 배설된다. 상기 개스 라인(7)의 하방에는 플라즈마 발생을 최적화하기 위하여 프로세스 튜브(1)내의 온도를 측정하는 온도감지봉(9)이 개스 라인(7)과 평행하게 형성된다. 또한 챔버 몸체(2)의 상, 하부에는 가열을 위한 히터(10)와 RF파워를 인가하기 위한 전원(11)이 연결된다. 이와 같은 구조에 있어서, 감광막이 덮힌 웨이퍼(6)는 웨이퍼 케리어(4)상의 보트(5)에 수용된 후 도어(3)가 닫힘과 동시에 프로세스 튜브(1)내로 이동되며, 프로세스 튜브(1)의 타측에 형성된 개스 라인(7)을 통해 인입된 산소에 RF파워를 가함으로써 산소 플라즈마가 생성되면 감광막의 C-H-O와 화학 반응하여 배기 라인(8)을 통해 배기되면서 웨이퍼(6)상의 감광막은 제거된다. 또한 상기 온도감지봉(9)은 공정이 진행되는 동안, 플라즈마 발생을 최적화하는 PID제어를 위하여 프로세스 튜브(1)의 내부 온도를 측정하게 된다.As shown, in general, the plasma equipment is formed integrally with the chamber body 2 including the process tube 1 and the door 3 formed on one side of the chamber body 2 and the door 3 and the process It consists of the wafer carrier 4 which moves forward and backward in the inside of the tube 1 in a horizontal direction. A boat 5 is formed on the wafer carrier 4 to accommodate the wafer 6. In addition, the gas line 7 is horizontally disposed in the upper part of the process tube 1, and the exhaust line 8 is disposed in the lower part. Below the gas line 7 is formed a temperature sensing rod 9 which measures the temperature in the process tube 1 in parallel with the gas line 7 in order to optimize plasma generation. In addition, the upper and lower portions of the chamber body 2 are connected to a heater 10 for heating and a power source 11 for applying RF power. In this structure, the photosensitive film-covered wafer 6 is accommodated in the boat 5 on the wafer carrier 4 and then moved into the process tube 1 at the same time as the door 3 is closed and the process tube 1 When oxygen plasma is generated by applying RF power to oxygen introduced through the gas line 7 formed at the other side, the photoresist film on the wafer 6 is removed while being chemically reacted with the CHO of the photoresist film and exhausted through the exhaust line 8. In addition, the temperature sensing rod 9 measures the internal temperature of the process tube 1 for PID control to optimize plasma generation during the process.
그러나, 상기한 바와 같은 종래의 플라즈마 장비는 여러 요인에 의한 온도감지봉의 처짐이나 변형을 감지하는 수단이 없기 때문에 장비의 가동이 계속되어, 처짐이나 변형이 발생한 온도감지봉이 웨이퍼와 접촉하게 됨으로써 대량의 웨이퍼 파손을 유발하는 문제가 발생한다.However, since the conventional plasma equipment as described above has no means for detecting the deflection or deformation of the temperature sensing rod due to various factors, the operation of the equipment is continued, and the temperature sensing rod in which the deflection or deformation occurs is brought into contact with the wafer. Problems that cause wafer breakage occur.
따라서 본 고안은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로, 플라즈마 장비의 온도감지봉의 처짐이나 변형을 미리 감지하여 장비의 가동을 중지하게 함으로써 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있는 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비를 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and the plasma having a wafer breakage prevention device capable of preventing wafer breakage by detecting the deflection or deformation of the temperature sensing rod of the plasma equipment in advance to stop the operation of the equipment. The purpose is to provide the equipment.
도 1은 일반적인 플라즈마 장비의 개략적인 구성을 보인 단면도.1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a typical plasma equipment.
도 2는 도 1에 대응하는 본 고안에 의한 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비의 개략적인 구성을 보인 단면도.Figure 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a plasma equipment having a wafer damage prevention apparatus according to the present invention corresponding to FIG.
도 3은 도 2의 좌측면도.3 is a left side view of FIG. 2;
- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 --Explanation of symbols for the main parts of the drawing-
1 : 프로세스 튜브 2 : 챔버 몸체1: process tube 2: chamber body
3 : 도어 4 : 웨이퍼 케리어3: door 4: wafer carrier
5 : 보트 6 : 웨이퍼5: boat 6: wafer
7 : 개스 라인 8 : 배기 라인7: gas line 8: exhaust line
9 : 온도감지봉 10 : 히터9: temperature sensing rod 10: heater
11 : 전원 12 : 반사체11: power supply 12: reflector
13 : 발광 센서 14 : 수광 센서13 light emitting sensor 14 light receiving sensor
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 고안은, 챔버 몸체; 상기 챔버 몸체의 상, 하부에 형성된 히터; 상기 챔버 몸체 일측에 형성되어 RF파워를 인가하기 위한 전원; 상기 챔버 몸체의 내부를 구성하는 프로세스 튜브; 상기 챔버 몸체의 일측에 형성된 도어; 상기 도어와 일체로 형성되어 상기 프로세스 튜브의 내부를 전, 후로 수평운동하는 웨이퍼 케리어; 상기 웨이퍼 케리어상에 형성되어 웨이퍼를 수용하는 보트; 상기 프로세스 튜브의 일측 상부에 형성된 개스 라인; 상기 프로세스 튜브의 개스 라인의 하방에 수평으로 형성된 배기 라인 및 상기 개스 라인과 배기 라인의 사이에 횡으로 형성된 온도감지봉으로 이루어지는 플라즈마 장비에 있어서, 상기 온도감지봉의 일측 단부에 반사체가 형성되며, 이 반사체에 빛을 발출하는 발광 센서와 반사된 빛을 수감하는 수광 센서가 상기 도어에 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비를 제공한다.The present invention to achieve the above object, the chamber body; Heaters formed above and below the chamber body; A power source formed at one side of the chamber body to apply RF power; A process tube constituting an interior of the chamber body; A door formed at one side of the chamber body; A wafer carrier formed integrally with the door to horizontally move the inside of the process tube forward and backward; A boat formed on the wafer carrier to receive a wafer; A gas line formed on one side of the process tube; In a plasma apparatus comprising an exhaust line formed horizontally below the gas line of the process tube and a temperature sensing rod formed horizontally between the gas line and the exhaust line, a reflector is formed at one end of the temperature sensing rod. A light emission sensor for emitting light to a reflector and a light receiving sensor for receiving reflected light are integrally formed in the door.
이와 같은 본 고안에 의한 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비는 도어에 형성된 발광 센서에서 온도감지봉의 단부에 형성된 반사체로 빛을 발출한 후 반사되는 빛을 수광 센서에서 수감함으로써 온도감지봉의 처짐 및 변형등의 이상유무를 작업자가 알 수 있기 때문에, 플라즈마 장비의 가동을 중지하여 처짐 및 변형된 온도감지봉에 의한 웨이퍼의 접촉을 미연에 방지함으로써 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.Plasma equipment having such a device for preventing wafer breakage according to the present invention is to emit light from the light emitting sensor formed in the door to the reflector formed at the end of the temperature sensing rod, and then the reflected light is received by the light receiving sensor to sag and deform the temperature sensing rod Since the operator can know whether there is an abnormality, the breakage of the wafer can be prevented by stopping the operation of the plasma equipment to prevent sag and contact of the wafer by the deformed temperature sensing rod.
이하, 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
첨부한 도 2는 도 1에 대응하는 본 고안에 의한 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비의 개략적인 구성을 보인 단면도이고, 도 3은 도 2의 좌측면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a plasma apparatus having a wafer breakage preventing apparatus according to the present invention corresponding to FIG. 1, and FIG. 3 is a left side view of FIG. 2.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 고안에 의한 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비는 외형을 구성하는 챔버 몸체(2)와 이 챔버 몸체(2)의 일측에 형성된 도어(3)와 상기 챔버 몸체(2) 내부에 형성되어 공정이 이루어지는 프로세스 튜브(1)로 형성된다. 또한 상기 도어(3)에 일체로 형성되어 프로세스 튜브(1)의 내부를 전, 후 수평운동하는 웨이퍼 케리어(4)가 구비되고, 이 웨이퍼 케리어(4)상에는 웨이퍼(6)를 수용하기 위한 보트(5)가 형성된다. 상기 프로세스 튜브(1)의 일측 상부에는 산소 개스를 공급하기 위한 개스 라인(7)이 형성되며, 그 하부에는 산소 플라즈마에 의해 웨이퍼(6)에서 분리된 물질을 배기하기 위한 배기 라인(8)이 상기 개스 라인(7)과 평행하게 형성된다. 또한 상기 챔버 몸체(2)의 상, 하부에는 프로세스 튜브(1)에 열을 전달하기 위한 히터(10)가 형성되며, 상기 챔버 몸체(2) 일측에는 RF를 인가하기 위한 전원(11)이 형성된다. 상기 프로세스 튜브(1)의 개스 라인(7)과 배기 라인(8)의 사이에는 상기 라인(7)(8)에 평행하게 프로세스 튜브(1)의 온도를 감지하기 위한 온도감지봉(9)이 형성된다. 또한 상기 온도감지봉(9)의 단부에는 빛을 반사할 수 있는 반사체(12)가 형성되며, 상기 온도감지봉(9)의 연장선상에 위치한 도어(3)의 소정 위치에 발광 센서(13)와 수광센서(14)가 형성된다.As shown in FIG. 2, the plasma apparatus having the wafer breakage prevention apparatus according to the present invention includes a chamber body 2 constituting an outer appearance, a door 3 formed on one side of the chamber body 2, and the chamber body ( 2) is formed into a process tube (1) formed inside the process. In addition, a wafer carrier 4 formed integrally with the door 3 and horizontally moving forward and backward inside the process tube 1 is provided, and a boat for accommodating the wafer 6 on the wafer carrier 4. (5) is formed. A gas line 7 for supplying oxygen gas is formed at an upper portion of one side of the process tube 1, and an exhaust line 8 for exhausting a material separated from the wafer 6 by an oxygen plasma is formed at the lower portion thereof. It is formed in parallel with the gas line (7). In addition, a heater 10 for transferring heat to the process tube 1 is formed above and below the chamber body 2, and a power source 11 for applying RF is formed at one side of the chamber body 2. do. Between the gas line 7 and the exhaust line 8 of the process tube 1 a temperature sensing rod 9 for sensing the temperature of the process tube 1 parallel to the lines 7 and 8 is provided. Is formed. Also, at the end of the temperature sensing rod 9, a reflector 12 capable of reflecting light is formed, and the light emitting sensor 13 is located at a predetermined position of the door 3 positioned on an extension line of the temperature sensing rod 9. And a light receiving sensor 14 is formed.
한편 상기 발광 센서(13)와 수광 센서(14)는 도 3에 도시된 바와 같이, 일체로 형성되는 것이 바람직하며, 이는 도어(3)에 형성된 윈도우(15)를 통하여 빛을 발출 및 수감하는 것이 바람직하다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 3, the light emitting sensor 13 and the light receiving sensor 14 are preferably integrally formed, which emits and confines light through the window 15 formed in the door 3. desirable.
이와 같은 구조에 있어서, 본 고안에 의한 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비의 일 실시예를 첨부도면에 의거하여 설명하면 다음과 같다.In such a structure, an embodiment of a plasma apparatus having a wafer breakage preventing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
웨이퍼(6)가 상기 보트(5)상에 장착되어 프로세스 튜브(1)의 내부로 진입하기 전에 도어(3)의 소정 위치에 형성된 발광 센서(13)에서 온도감지봉(9)의 단부에 형성된 반사체(12)로 빛을 발출한 후, 상기 반사체(12)에 의하여 반사된 빛을 상기 발광 센서(13)와 일체로 형성된 수광 센서(14)가 검지하게 된다. 이와 같이 발광 센서(13)에 의하여 발출된 빛이 반사체(12)에 의하여 반사되어 수광 센서(14)가 검지한 경우에는 다음 공정이 진행되지만, 만약 상기 온도감지봉(9)이 열 등의 기타 요인에 의하여 처짐 및 변형이 발생된 경우에는 온도감지봉(9)의 단부에 형성된 반사체(12)의 위치가 초기에 설정된 위치에서 변경되기 때문에 발광 센서(13)에서 발출된 빛은 반사되지 못함에 따라 수광 센서(14)가 빛을 검지할 수 없게 된다. 이 경우에는 현 동작을 중지하도록 사용자에게 에러 내용을 경보함으로써 처지거나 변형된 온도감지봉(9)에 접촉됨으로써 발생하는 웨이퍼(6)의 파손을 방지하게 된다. 또한 플라즈마 공정을 마치고, 웨이퍼(5)를 플라즈마 장비에서 인출하는 경우에도 역시 같은 방식으로 온도감지봉(9)의 이상유무를 확인함으로써 웨이퍼(6)의 파손을 방지하게 된다. 또한 플라즈마 장비의 작동, 즉 공정이 진행되는 동안의 발광 또는 수광은 플라즈마가 불안정하게 되기 때문에 공정 진행시에는 빛을 발출하지 않는 것이 바람직하며, 이와 같은 이유로 온도감지봉(9)의 처짐이나 변형을 검지하는 시점은 웨이퍼(6)를 담는 보트(5)의 장착이나 탈착시에 한정된다.The wafer 6 is mounted on the boat 5 and formed at the end of the temperature sensing rod 9 in the light emitting sensor 13 formed at a predetermined position of the door 3 before entering the inside of the process tube 1. After the light is emitted to the reflector 12, the light receiving sensor 14 formed integrally with the light emitting sensor 13 detects the light reflected by the reflector 12. As described above, when the light emitted by the light emitting sensor 13 is reflected by the reflector 12 and the light receiving sensor 14 is detected, the following process proceeds. When deflection and deformation are caused by a factor, the light emitted from the light emitting sensor 13 cannot be reflected because the position of the reflector 12 formed at the end of the temperature sensing rod 9 is changed at an initially set position. Accordingly, the light receiving sensor 14 cannot detect light. In this case, it is possible to prevent the breakage of the wafer 6 caused by contact with the sag or deformed temperature sensing rod 9 by alerting the user of the error contents so as to stop the current operation. In addition, when the plasma process is completed and the wafer 5 is taken out from the plasma equipment, the wafer 6 may be prevented from being damaged by checking the abnormality of the temperature sensing rod 9 in the same manner. In addition, since the plasma becomes unstable during the operation of the plasma equipment, that is, during the process, the light is not emitted during the process. Therefore, sagging or deformation of the temperature sensing rod 9 is prevented. The detection point is limited at the time of attachment or detachment of the boat 5 containing the wafer 6.
즉, 본 고안에 의한 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비는 온도감지봉(9)의 처짐 및 변형을 감지할 수 있도록 온도감지봉(9)의 일단에 빛을 반사할 수 있는 반사체(12)가 형성되고, 발광 센서(13)와 수광 센서(14)가 일체로 도어(3)의 소정위치에 형성된 구조로서, 온도감지봉(9)이 열 등의 기타 요인에 의하여 처짐 및 변형이 발생한 경우에는 이를 작업자에게 경보함으로써 공정의 진행을 중지하도록 하여 상기 온도감지봉(9)에 웨이퍼(6)가 접촉함으로써 발생하는 웨이퍼(6)의 파손을 방지하게 된다.That is, the plasma equipment having the wafer breakage prevention apparatus according to the present invention has a reflector 12 capable of reflecting light at one end of the temperature sensing rod 9 so as to detect sag and deformation of the temperature sensing rod 9. And the light emitting sensor 13 and the light receiving sensor 14 are integrally formed at a predetermined position of the door 3, and when the temperature sensing rod 9 sags and deforms due to other factors such as heat, By alerting the worker to stop the process, the breakage of the wafer 6 caused by the contact of the wafer 6 with the temperature sensing rod 9 is prevented.
이상에서 설명한 바와같이 본 고안에 의한 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비는 온도감지봉의 처짐이나 변형 등을 작업자가 쉽게 알 수 있기 때문에 웨이퍼의 대량 파손을 방지 할 수 있다.As described above, the plasma apparatus having the wafer breakage preventing device according to the present invention can easily prevent the wafer breakage because the operator can easily know the deflection or deformation of the temperature sensing rod.
이상에서는 본 고안에 의한 웨이퍼 파손 방지 장치를 갖는 플라즈마 장비를 실시하기 위한 하나의 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 고안은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 고안의 요지를 벗어남이 없이 당해 고안이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.In the above, one embodiment for carrying out the plasma equipment having the wafer breakage preventing apparatus according to the present invention has been shown and described, but the present invention is not limited to the above-described specific preferred embodiment, which is claimed in the claims Without departing from the gist of the present invention, any person having ordinary knowledge in the field to which the present invention belongs may make various changes.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970033969U KR19990020494U (en) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | Plasma equipment with wafer breakage prevention device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970033969U KR19990020494U (en) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | Plasma equipment with wafer breakage prevention device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990020494U true KR19990020494U (en) | 1999-06-15 |
Family
ID=69677058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019970033969U KR19990020494U (en) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | Plasma equipment with wafer breakage prevention device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990020494U (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210149540A (en) * | 2020-06-02 | 2021-12-09 | 주식회사 한화 | Both Side Processing Apparatus of Substrate |
-
1997
- 1997-11-26 KR KR2019970033969U patent/KR19990020494U/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210149540A (en) * | 2020-06-02 | 2021-12-09 | 주식회사 한화 | Both Side Processing Apparatus of Substrate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |