KR19990013639A - 용접 방법 및 장치 - Google Patents

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KR19990013639A
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KR1019980027211A
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로벳도널드시.
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그린데니스제이.
에머슨일렉트릭컴파니
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Abstract

본 발명에 따른 필터는 제1 부재가 제2 부재에 결합되는 용접부를 가열하는데 사용되는 전자기적 방사선을 흡수하기 위한 것이다. 필터는 유체가 담겨진 챔버를 포함하는 필터 하우징을 포함한다. 유체는 방사선이 용접부에 도달하기 전에 열발생원에 의한 방사선 중 바람직하지 않은 파장을 흡수한다. 필터링 공정 도중 유체를 냉각시키기 위해 열 교환기가 필터에 연결될 수 있다.

Description

용접 방법 및 장치
본 발명은 용접에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전자기적 방사를 이용하여 플라스틱 및 유사 재료를 용접하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
용접은 보통 자동차의 열가소성 부품과 같은 플라스틱 또는 수지 부품을 용접부(welding zone)에서 접합시키도록 사용된다. 용접 작업을 실행하기에 필요한 열을 제공하도록 레이저가 이용되어 왔다(예컨대 본원에 특별히 참조 인용된 미국 특허 제4,636,609호 참조). 레이저는 특정한 주파수의 집중된 전자기적 방사 빔(즉 간섭성의 단색 방사선)을 제공한다. 하지만, 레이저는 다른 열원에 비해 더 비싼 경향이 있다.
또한, 적외선 가열 램프 등의 덜 비싼 열발생원으로도 적외선 방사를 통해 용접부를 가열한다. 그러한 공정 중 하나는 적외선 투과 용접(TTIR; Through­Transmission Infrared Welding)이다. TTIR 기술은 하나 이상의 플라스틱 부재(종종 투과편(transmission piece)이라 칭함)를 통과하는 적외선 방사를 이용하여 하나 이상의 다른 부재의 용접부를 가열하고 적어도 두 부재를 결합시키기에 충분한 열을 제공한다.
적외선 가열 램프는 전형적으로 레이저 발생원에 비해 더 넓은 주파수 대역(즉 다색성)을 갖는 비간섭성 방사선을 방출한다. 상기 넓은 주파수 대역내의 일부 주파수는 바람직하지 않은 결과를 유발한다. 이들 바람직하지 않은 결과는 원하는 또는 목적하는 용접부를 벗어난 부재의 일부가 가열되는 것을 포함한다. 이렇게 되면 전체 부재의 변형 및 마킹 등의 바람직하지 않은 결과가 야기될 수 있다.
방사선이 목적 부재에 도달하기 이전에 이러한 바람직하지 않은 주파수를 선택적으로 필터링하거나 흡수하기 위하여 고체 재료가 사용되어 왔다. 하지만, 고체 필터는 방사 또는 생성열에 의해 야기되는 손상 또는 열화에 따라 지속적으로 교환되어야 한다는 점 이외에도 제어되지 않은 열 축적과 같은 여러가지 단점을 갖고 있다. 또한, 다수의 용례에서 고체 필터를 적절하게 냉각시키는 것이 어렵다.
본 발명의 주요 목적은 전술한 종래 필터의 단점을 제거하면서도 덜 비싼 고유한 설계의 필터를 이용하는 개량된 용접 장치 및 방법을 제공하는 것을 포함한다.
본 발명의 추가의 이점 및 특징은 첨부 도면과 관련된 후속하는 설명 및 첨부된 청구 범위에 의해 당업자에게 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 장치를 도시하는 개략적인 사시도.
도 1을 참조하면, 용접부(27)에서 제1 부재(24)를 제2 부재(26)에 용접하기 위한 비간섭성 다색 전자기 방사선(22)을 방출하는 방사 가열 램프(20)를 구비한 용접 장치가 개시되어 있다. 고유하게 설계된 필터(28)가 방사 가열 램프(20)와 제1 부재(24) 사이에 배치되어 방사선(22)에 포함된 바람직하지 않은 파장을 흡수한다. 열 교환기가 마련되어 필터(28)가 사용되는 동안 필터(28)를 원하는 온도 범위내에 유지한다.
필터(28)는 제1 플레이트(36) 및 제2 플레이트(38)로 형성된 챔버(34)와, (도시된 대로 평탄한 경우) 대략 평행한 제1 및 상기 제2 플레이트와, 플레이트 사이에 배치된 주변 밀봉부(40)가 구비된 하우징(32)을 포함한다. 제1 플레이트(36) 및 제2 플레이트(38)는 용접부(27)를 가열하는데 사용되는 방사선(22) 중 거의 모든 파장을 투과시킨다. 선택적으로, 제1 플레이트(36)를 제2 플레이트(38)에 고착시켜 하우징(32)의 구조적 일체성을 유지하도록 클램프(도시 생략)를 사용할 수 있다.
본 발명에 따라, 챔버(34)에는 방사 가열 램프(20)로부터 방사되는 방사선(22)의 일부를 필터링하는 유체(42)가 담겨 있다. 필터(28)내의 유체(42)는 방사선이 제1 부재(24)에 도달하기 전에 방사선(22) 중 거의 모든 바람직하지 않은 파장을 흡수하여 필터링된 방사선(44)을 생성한다.
TTIR 기법을 적용할 때, 제1 부재(24)는 필터링된 방사선(44)을 용접부(27)로 투과시킨다. 필터링된 방사선(44)은 제1 부재(24)를 제2 부재(28)에 용접시키기 위해 용접부(27)를 가열한다. 명백히, 액체인 것이 바람직한 유체(42)에 의해 바람직하지 않은 파장이 흡수되면 용접부(27)는 필터링된 방사선(44)에 의한 제1 부재(24)나 제2 부재(26)에 전체적인 손상 또는 바람직하지 않은 결과없이 적절하게 가열된다.
특정 유체(42)의 선택은 대략 몇가지 인자, 매우 중요하게는 특정 용례에 사용되는 방사선(22)의 바람직하지 않은 또는 유해한 파장을 흡수하는 능력에 의존하는 것을 당업자는 인식할 것이다. 예컨대, 하나 이상의 바람직한 실시예에서, 유체(42)는 종래 열가소성 중합재를 용접하기 위해 약 1 미크론 내지 약 5 미크론 범위의 방사선(22)의 파장을 흡수해야 한다. 그러한 중합재를 용접하기 위해서는 약 1.3 미크론 내지 약 4 미크론 범위의 방사선(22)의 파장을 흡수하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 실시에 의한 용접에 특히 유용한 종래 중합재는 열가소성류의 재료에서 선택되는 것이 바람직하다. 이들 재료는 몇가지 방법으로 분류될 수 있다. 바람직한 재료는 대체로 엔지니어링 열가소성 수지(ETPs)로 분류되며; 또한 종종 열가소성 엘라스토머(TPEs); 열가소성 폴리올레핀(TPO); 및 열가소성 폴리우레탄(TPUs)으로서 분류된다. 이것은 폴리카보네이트, 고열 폴리카보네이트(high heat polycarbonate), 폴리카보네이트 혼합물(폴리우레탄/폴리카보네이트 혼합물 등), 스티렌, 아크릴로니트릴­부타디엔­스티렌 코폴리머(ABS) 등의 스티렌 혼합물, 폴리카보네이트/ABS 혼합물, 폴리아미드, 폴리아미드 혼합물, 아크릴­스티렌­아크릴로니트릴(ASAs), 아크릴로니트릴­에틸렌­프로필렌­스티렌(AEWS), 스티렌­아크릴로니트릴­코폴리머, 스티렌­말레산 무수물 및 동등물 등의 재료를 포함한다. 매우 바람직한 실시예에서, 그것들은 폴리카보네이트, 아크릴 및 폴리스티렌 재료 등의 재료를 (비한정적으로) 포함한다.
유체(42)가 액체인 경우, 유체(42)는 상당한 양의 열을 흡수하면서도 필터링 공정 도중 증발 또는 비등하지 않도록 비교적 비등점이 높은 액체인 것이 바람직하다. 유체(42)는 대기압 조건하에서나 챔버 또는 시스템에 담겨진 경우 (비등점에 대한 압력을 고려하면) 약 120℉, 보다 바람직하게는 약 240℉, 그리고 이상적으로는 약 350℉ 이상의 비등점을 가져야 한다.
그러한 바람직한 필터링 유체는 예컨대 글루타르산, 아디프산 및 숙신산의 디메틸 에스테르를 포함하는 액체의 혼합물이다. 그러한 디메틸 에스테르 혼합물은 상업적으로 구매 가능하며 알리패틱 디베이식 에스테르(Aliphatic Dibasic Esters)라는 상표명으로 듀 폰(Du Pont) 등의 공급원에서 구할 수 있으며; 또한 그러한 재료는 디베이식 에스테르(Dibasic Ester), 디베이식 에스테르 믹스츄어(Dibasic Ester Mixture) 및 DBF라는 상표명/동등 용어로 공지되어 있다. 그러한 재료는 대체로 화학식이 CH3COO(CH2)nCOOCH3인 재료의 혼합물이며, n은 1 내지 5, 보다 바람직하게는 2 내지 4의 정수 값이다. 매우 바람직한 실시예에서, 유체(42)는 약 55­75 퍼센트의 디메틸 글루타레이트(dimethyl glutarate), 약 10­25%의 디메틸 아디페이트 및 약 19­26%의 디메틸 숙시네이트(dimethyle succinate)이다.
유용한 재료의 다른 예는 글리세롤, 에틸렌­글리세롤, 디옥틸 프탈레이트(dioctyl phthalate), 트리부틸 포스펜(phosphene), 미네랄 및 이들 재료의 혼합물 또는 유도체로 이루어진 기(基)에서 선택된 재료를 포함한다. 하지만, 본 발명은 이러한 유체나 이들 흡수 파장 또는 비등점을 갖는 유체 어느 것으로도 한정되지 않지만, 가스 조성으로 한정되지 않는 다른 유체를 포함하며, 그 물리적 특성은 적절한 재료를 위한 용접 작업에 사용되는 소정 열원으로부터의 바람직하지 않은 방사선을 필터링하기에 충분함을 이해해야 한다.
또한, 첨가제는 소정의 실질적인 불리한 방법으로 액체의 흡수 프로파일을 실질적으로 저하시키지 않는 한 냉매나 냉각/필터링 유체에 사용될 수 있다. 예컨대, 점도 변형제(viscosity modifier), 열 및 UV 안정제, 착색제, 안료, 시각 지시제(visual indicator), 및 동등물이 사용될 수 있다.
제1 플레이트(36) 및 제2 플레이트(28)는 쿼츠 사이언티픽사(Quartz Scientific, Inc.)와 같은 공급원에서 구입 가능한 석영 플레이트인 것이 바람직하다. 이들 석영 플레이트는 대략 1/8 인치의 두께를 가지며 밀봉부(40)에 의해 1/8 내지 1/4 인치의 거리만큼 분리(또는 이격)되어 있다. 밀봉부(40)는 실질적으로 유체(42)에 불활성인 재료이며 RTV 실리콘 코킹 등의 재료를 (비한정적으로) 포함한다.
하지만, 본 발명은 석영 플레이트나 이러한 치수 또는 형태에만 한정되지는 않음을 이해해야 한다. 본 발명은 방사 가열 램프로부터 방사선의 거의 모든 파장을 투과시키는 플레이트 등의 다른 실시예를 포함한다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예는 몇가지 필터링 기능을 제공하는 고체 필터로서 사용되는 플레이트를 하나 이상 포함하며, 그러한 실시예에서 유체는 부분적인 필터와 냉매 또는 열전달제 모두로서 작용한다. 예컨대, 제1 플레이트(36) 및 제2 플레이트(38)는 제1 부재(24)와 실질적으로 동일한 재료일 수 있다(또는 적어도 플레이트는 제1 부재(24)와 실질적으로 동일한 흡수 프로파일을 가진다). 따라서, 제1 부재(24)가 폴리카보네이트 플라스틱 부재인 경우, 제1 플레이트(36) 및 제2 플레이트(38)도 또한 폴리카보네이트 플라스틱 부재이다. 이 실시예에서, 유체(42)는 제1 플레이트(36) 및 제2 플레이트(38)에 의해 제공되는 필터링에 추가하여 방사선(22) 중 바람직하지 않은 파장을 필터링한다.
챔버(34)는 1/4 인치×12 인치×1/8× 인치의 치수를 갖는다. 하지만, 챔버(34)의 치수는 특정한 용례에 따라 변화함을 이해해야 한다. 또한 바람직한 실시예에서, 챔버(34)의 약 100%는 듀 폰에서 구할 수 있는 디베이식 에스테르 유체로 채워졌다. 또한 바람직한 실시예에서, 방사 가열 램프(20)는 ELC 250 와트 24 볼트 용량의 교류형 석영­할로겐 제너럴 일렉트릭(General Electric) 반사기 램프이며, 바람직한 파장을 선택적으로 반사하기 위한 다층 다색 코팅이나 석영-할로겐 발생원으로부터 비교적 모든 가시 및 적외선 방사선을 반사하기 위한 알루미늄 코팅 중 하나가 마련되어 있다.
필터(28)가 바람직하지 않은 파장을 방사선에서 흡수하는 동안 유체(42)를 냉각시키기 위해 열 교환기(30)가 필터에 유체 연통되게 연결되어 있다. 펌프(46)는 챔버(34)와 열 교환기(30) 사이의 공급 라인(48)에 바람직하게 배치되어 있다. 또한, 본 발명은 펌프(46)를 사용하여 챔버(34)와 열 교환기(30) 사이에 유체(42)를 이송하는 것 이외의 다른 기술, 즉 유체를 표준의 종래 기술을 통해 이송하는 것을 포함하지만 그것에 한정되지는 않는다.
냉각된 유체는 복귀 라인(50)을 통해 챔버(34)로 복귀된다. 표준적인 실행 방식을 통해 소정의 종래 열 교환기(30)와 펌프(46)를 사용할 수 있다. 필터링 작업 동안, 열 교환기(30)는 유체(42)를 선정된 온도 범위, 즉 바람직하게는 약 65℉ 내지 120℉를 포함하는 범위에 유지하는 것이 바람직하다. 냉각된 유체를 필터(28)에 재공급하면서 가열된 유체를 필터(28)로부터 연속적으로 분리하면, 필터(28)에는 공지된 고체 필터에 의해 알려진 것보다 더 긴 작동 수명(operational life)이 제공된다.
예
도 1을 다시 참조하면, 본 발명은 제1 플라스틱 부재를 제2 플라스틱 부재에 TTIR 용접하기에 특히 적합하다. 본 발명의 바람직한 용도에서, 제1 부재(24)는 제2 부재(26)에 용접되는 투과성 플라스틱(24)이다. 투과성 플라스틱(24)은 필터링되는 방사선(44)을 용접부(27)에 투과시킬 때 필터링되는 방사선(44)을 거의 흡수하지 않는 특성을 가진다. 예컨대, 투과성 플라스틱(24)과 제2 부재(26)는 폴리카보네이트 플라스틱 부재일 수 있다.
필터링된 방사선(44)이 용접부(27)에 도달시 열을 발생하도록 흡수 재료(52)를 용접부(27)에 위치시킨다. 흡수 재료에 의해 충분한 열이 발생하여 투과성 플라스틱(24)을 제2 부재(26)에 용접시킨다. 흡수 재료에는 카본 블랙(carbon black)이 담겨 있지만, 부재를 용접하기에 충분한 열을 발생하는 다른 흡수 재료가 사용될 수 있다.
이 예에서, 투과성 플라스틱(24)을 제2 부재(26)에 용접하기 위해, 흡수 재료(52)를 가열하도록 방사 가열 램프(20)를 (0.5 내지 1 초 사이의 램프 타임(ramp time)을 사용하여) 정격 전압 수준의 80 내지 90 퍼센트로 작동시켰고, 방사 가열 램프(20)를 약 6 내지 9 초 사이의 수준으로 유지시켰으며, 용접 사이클의 무부하 작동 구간(idle portion) 중에 방사 가열 램프(20)를 정격 전압 수준의 약 5 내지 약 30 퍼센트로 작동시키는 방식으로 (필터(28)를 적소에 둔 채로) 방사 가열 램프(20)를 작동시켰다.
전술한 방식으로 방사 가열 램프를 작동시켜 방사 가열 램프(20)의 내용연한(耐用年限)을 증가시켰다. 하지만, 본 발명은 이러한 작동 범위에 한정되지 않음을 이해해야 한다. 작동 범위는 사용되는 특정한 방사 가열 램프(20)와 용접될 부재에 따라 다를 수 있다. 예컨대, 본 발명은 방사 가열 램프(20)에 정격인 전압 수준의 약 60 퍼센트인 하한(下限) 갖는 전압 범위내에서 흡수 재료(52)를 가열하도록 방사 가열 램프(20)를 작동시키는 것을 포함한다.
또한, 본 발명은 투과성 플라스틱(24)을 제2 부재(26)에 용접하기에 필요한 열을 발생시키기 위해 제2 부재(26) 자체에 흡수 재료(52)가 적어도 용접부(27) 근처에 충분히 가깝게 포함되어 있는 TTIR 기법을 포함하기도 한다.
이용되는 이러한 유형에 있어서, 바람직한 실시예에 사용되는 유체(42)는 그 흡수 특성 또는 프로파일이 투과성 플라스틱(24)과 가능한 가까운 재료이다. 예컨대, 투과성 플라스틱(24)과 하나 이상의 동일한 모노머를 구비하는 프리폴리머(prepolymer)를 사용하는 것이 가능하다. 또한, 모노머의 적절한 유도체를 사용할 수 있다. 또한, 바람직한 실시예에 사용되는 유체(42)는 흡수 재료(52)가 용접부(27)를 가열하기 위해 필요한 방사선(22)의 파장을 투과시킨다.
위에 개시된 실시예는 예시하기 위한 것이며 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 예컨대, 본 발명은 용접 용례에만 한정되지는 않지만, 바람직하지 않은 파장의 필터링이 필요한 용례를 포함한다. 또한, 당업계의 숙련자는 첨부된 청구 범위에 의해 한정되는 본 발명의 정신과 범위를 벗어나지 않고 명세서에서 개시된 실시예에 다수의 변경 및 수정을 가할 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명에 따른 유체를 필터로서 사용하는 장치 및 방법에 따라, 목적하는 용접부 이외의 부분이 가열되어 변형되거나 마킹되는 것을 피할 수 있으며, 이러한 장치 및 방법은 저렴하게 제공될 수 있다.

Claims (45)

  1. 용접부의 가열에 이용되는 전자기 방사선의 필터링용 필터로서,
    챔버를 형성하는 필터 하우징과,
    상기 챔버에 담겨진 유체를 구비하며, 상기 유체는 상기 방사선이 상기 용접부에 도달하기 전에 상기 방사선 중 선정된 파장을 흡수하는 것을 특징으로 하는 필터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유체의 온도를 감소시키기 위해 상기 하우징과 유체 연통된 열 교환기를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 필터.
  3. 제2항에 있어서, 상기 하우징과 상기 열 교환기 사이로 상기 유체를 펌핑시키기 위해 상기 하우징과 상기 열 교환기에 연결된 펌프 수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 필터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 필터 하우징은 상기 방사선을 투과시키기 위한 상기 챔버를 형성하는 제1 및 제2 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 필터.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2 플레이트는 상기 방사선 중 거의 모든 파장을 투과시키는 것을 특징으로 하는 필터.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2 플레이트는 함께 밀봉되어 상기 챔버를 형성하는 석영 플레이트인 것을 특징으로 하는 필터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 유체는 액체이며, 상기 액체는 약 120℉보다 높은 비등점을 갖는 것을 특징으로 하는 필터.
  8. 제7항에 있어서, 상기 액체는 글루타르산, 아디프산 및 숙신산의 디메틸 에스테르의 혼합물인 것을 특징으로 하는 필터.
  9. 제1항에 있어서, 상기 유체는 적어도 1 미크론보다 긴 방사 파장을 흡수하는 것을 특징으로 하는 필터.
  10. 제9항에 있어서, 상기 유체는 적어도 약 1.2 미크론 내지 4 미크론의 방사선 파장을 흡수하는 것을 특징으로 하는 필터.
  11. 제10항에 있어서, 상기 유체는 액체의 혼합물이며, 상기 액체는 글루타르산, 아디프산 및 숙신산의 혼합물인 것을 특징으로 하는 필터.
  12. 제1항에 있어서, 상기 유체는 액체의 혼합물이며, 상기 액체는 글루타르산, 아디프산 및 숙신산의 혼합물인 것을 특징으로 하는 필터.
  13. 제1항에 있어서, 상기 방사선의 파장은 실질적으로 적외선 전자기 스펙트럼내에 있는 것을 특징으로 하는 필터.
  14. 제1항에 있어서, 상기 방사선은 방사 가열 램프에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 필터.
  15. 제1항에 있어서, 상기 용접부는 제1 및 제2 플라스틱 부재를 용접하기 위한 영역을 형성하며, 상기 제1 부재는 상기 방사선 중 거의 모든 파장을 투과시키는 것을 특징으로 하는 필터.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제2 부재는 상기 방사선 중 선정된 제2 파장을 흡수하는 것을 특징으로 하는 필터.
  17. 제15항에 있어서, 상기 용접부는 상기 제1 및 제2 부재를 용접하도록 가열되는 흡수 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 필터.
  18. 제17항에 있어서, 상기 방사선은 방사 가열 램프에 의해 생성되며, 상기 필터는 상기 유체의 온도를 감소시키기 위해 상기 하우징과 유체 연통된 열 교환기를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 필터.
  19. 용접부의 가열에 이용되는 전자기 방사선의 필터링 방법으로서,
    열발생원으로부터 상기 방사선을 방사하는 단계와,
    필터링된 방사선을 생성하기 위해 상기 방사선 중 선정된 파장을 유체에 의해 흡수하는 단계 및
    상기 필터링된 방사선을 상기 용접부에 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 유체를 냉각시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 유체의 온도를 감소시키기 위해 열 교환기를 마련하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 유체를 상기 열 교환기로 펌핑시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제19항에 있어서, 상기 유체는 필터 하우징의 챔버내에 담겨지는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 필터 하우징은 상기 방사선을 투과시키기 위한 제1 및 제2 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 제1 및 제2 플레이트는 상기 방사선 중 거의 모든 파장을 투과시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 제1 및 제2 플레이트는 함께 밀봉되어 상기 챔버를 형성하는 석영 플레이트인 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제19항에 있어서, 상기 유체는 약 120℉보다 높은 비등점을 갖는 액체인 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 액체는 글라타르산, 아디프산 및 숙신산의 디메틸 에스테르의 혼합물인 것을 특징으로 하는 방법
  29. 제19항에 있어서, 상기 유체는 적어도 1 미크론보다 긴 방사선 파장을 흡수하는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 유체는 적어도 약 1.2 내지 약 4 미크론의 방사선 파장을 흡수하는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제30항에 있어서, 상기 유체는 글루타르산, 아디프산 및 숙신산의 디메틸 에스테르의 혼합물인 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제19항에 있어서, 상기 유체는 액체의 혼합물이며, 상기 액체는 글루타르산, 아디프산 및 숙신산의 디메틸 에스테르인 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제19항에 있어서, 상기 방사선의 파장은 실질적으로 적외선 전자기 스펙트럼내에 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제19항에 있어서, 상기 방사선은 방사 가열 램프에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제19항에 있어서, 상기 용접부는 제1 및 제2 플라스틱 부재를 용접하기 위한 영역을 형성하며, 상기 제1 부재는 상기 필터링된 방사선 중 거의 모든 파장을 투과시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  36. 제35항에 있어서, 상기 제2 부재는 상기 방사선 중 선정된 제2 파장을 흡수하는 것을 특징으로 하는 방법.
  37. 제35항에 있어서, 상기 용접부는 상기 제1 및 제2 부재를 용접하도록 상기 필터링된 방사선에 의해 가열되는 흡수 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  38. 제37항에 있어서, 상기 방사선은 방사 가열 램프에 의해 생성되며, 상기 방법은 상기 유체의 온도를 감소시키기 위해 열 교환기를 제공하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  39. 제35항에 있어서, 상기 방사선은 방사 가열 램프에 의해 생성되며, 상기 방사 가열 램프는 선정된 정격 전압 수준을 가지며,
    상기 방법은 상기 용접부를 가열하기 위해 선정된 제1 범위에서 상기 방사 가열 램프를 작동시키는 단계를 추가로 포함하며, 상기 선정된 제1 범위는 상기 선정된 정격 전압 수준의 약 60 퍼센트인 하한(下限)을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  40. 제39항에 있어서, 상기 선정된 제1 범위는 상기 선정된 정격 전압 수준의 약 70 퍼센트 내지 상기 선정된 정격 전압 수준의 약 90 퍼센트의 수준인 것을 특징으로 하는 방법.
  41. 제19항에 있어서, 상기 방사선은 방사 가열 램프에 의해 생성되며, 상기 방사 가열 램프는 선정된 정격 전압 수준을 가지며,
    상기 방법은 상기 용접부를 가열하기 위해 상기 방사 가열 램프를 선정된 제1 범위에서 작동시키는 단계를 추가로 포함하며, 상기 선정된 제1 범위는 상기 선정된 정격 전압 수준의 약 60 퍼센트인 하한을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  42. 제41항에 있어서, 상기 방사 가열 램프를 위한 상기 선정된 제1 범위에 도달하도록 약 0.5 내지 약 1 초 사이의 램프 타임(ramp time)을 제공하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  43. 제19항에 있어서, 상기 방사선은 방사 가열 램프에 의해 생성되며,
    상기 방사 가열 램프는 (a) 상기 용접부를 가열하기 위해 상기 방사 가열 램프를 선정된 제1 범위에서 작동시키며, 상기 선정된 제1 범위는 상기 선정된 정격 전압 수준의 약 60 퍼센트인 하한을 갖는 단계; (b) 상기 방사 가열 램프를 선정된 제2 범위에서 무부하 작동시키며(idling), 상기 선정된 제2 범위는 상기 선정된 정격 전압 수준의 약 5 퍼센트인 하한을 갖는 단계; 및 (c) 상기 용접부를 가열하기 위해 상기 방사 가열 램프를 상기 선정된 제1 범위에서 작동시키는 단계에 따라 작동되며, 단계(c)는 단계(b)에 후속하여 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  44. 제43항에 있어서, 상기 선정된 제2 범위는 상기 선정된 정격 전압 수준의 약 30 퍼센트인 상한(上限)을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  45. 제43항에 있어서, 상기 방사 가열 램프를 위한 상기 선정된 제1 범위에 도달하도록 약 0.5 내지 약 1 초 사이의 램프 타임을 제공하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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