KR19990010748A

KR19990010748A - Semiconductor manufacturing device

Info

Publication number: KR19990010748A
Application number: KR1019970033623A
Authority: KR
Inventors: 정승욱
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1997-07-18
Filing date: 1997-07-18
Publication date: 1999-02-18

Abstract

HTO막 형성을 위한 반도체 제조장치에 대해 개시된다. 이 제조장치는, 반응가스의 주입을 위한 가스 주입구와, 상기 가스 주입구에 주입되는 반응가스가 혼합되는 인젝터와, 상기 인젝터에서 혼합된 가스가 흘러들어가는 싱글 튜브와, 상기 싱글 튜브 하단 부위의 진공 라인으로 잔류 가스가 배출되는 가스 배출기를 구비하여 이루어진 반도체 제조장치에 있어서, 상기 인젝터는 그 외관에 여러개의 구멍을 뚫고 인젝터 보호관을 하나로 제작하고, 상기 싱글 튜브는 그 내벽에 구멍을 뚫어 제작함으로써, 그 외관에 여러개의 구멍이 뚫린 인젝터를 통하여 들어간 반응가스가 다시 상기 싱글 튜브 내벽의 구멍을 통하여 튜브내로 들어가도록 하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 종래 그 길이가 긴 인젝터로 인해 인입되는 SiH₄와 N₂O 혼합 가스가 완전 분해 및 반응을 하지 못하여 인젝터의 내벽에 다결정실리콘 막질이 성장되어 누적되면서 인젝터 내벽을 완전히 막아버리게 되는 문제점을 해결할 수 있게 되어 HTO막의 균일도 개선효과를 얻을 수 있다.A semiconductor manufacturing apparatus for forming an HTO film is disclosed. The apparatus includes a gas inlet for injecting a reaction gas, an injector into which the reaction gas injected into the gas inlet is mixed, a single tube into which the gas mixed in the injector flows, and a vacuum line at a lower portion of the single tube. In the semiconductor manufacturing apparatus comprising a gas discharger for discharging the residual gas, the injector is made by injecting a plurality of holes in the exterior and the injector protective tube as one, and the single tube is made by drilling a hole in the inner wall, Reaction gas entering through the injector having a plurality of holes in the exterior is characterized in that to enter the tube again through the hole of the inner wall of the single tube. Accordingly, the SiH ₄ and N ₂ O mixed gases introduced by the long injector do not completely decompose and react, so that the polysilicon film is grown and accumulated on the inner wall of the injector, thereby completely blocking the inner wall of the injector. It can be solved to obtain the effect of improving the uniformity of the HTO film.

Description

Semiconductor manufacturing device

본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 HTO(High Temperature Oxide)막을 형성공정에 사용되는 반도체 제조장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus used for forming a high temperature oxide (HTO) film.

반도체 디바이스 제조시 사용되는 HTO막은 그 범용성으로 인해 절연막, 평탄화, 스페이서 등 여러가지 용도로 이용되고 있다. 그러나, 최근 디바이스의 고집적화에 따라 HOT막 형성시 웨이퍼내의 두께 균일도(uniformity)의 개선이 시급한 과제로 대두되고 있다.HTO films used in the manufacture of semiconductor devices have been used for various purposes such as insulating films, planarization, and spacers due to their versatility. However, in recent years, with the high integration of devices, an improvement in thickness uniformity in a wafer when forming a HOT film is an urgent problem.

웨이퍼내의 HTO막 균일도 개선을 위한 방법 등의 하나로 싱글 튜브(single tube)를 이용하여 HTO막을 형성하는 방법이 있는데, 이것으로 인하여 균일도 개선에 많은 효과를 가져오게 되었다.As a method for improving the uniformity of the HTO film in the wafer, there is a method of forming the HTO film by using a single tube, which brings many effects in improving the uniformity.

도 1은 HTO막 형성을 위해 사용된 종래 반도체 제조장치를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional semiconductor manufacturing apparatus used for forming an HTO film.

도 1을 참조하면, 도면부호 10은 가스 주입구를 나타내고, 20은 상기 가스 주입구(10)에 주입되는 SiH₄와 N₂O 가스가 혼합되는 영역인 인젝터(injector)를 나타내며, 30은 상기 혼합된 가스가 흘러들어가는 싱글 튜브를 나타내고, 40은 상기 싱글 튜브(30) 하단 부위의 진공 라인(vacuum line)으로 잔류 가스가 배출되는 가스 배출기를 나타내며 이 가스 배출기에는 진공 펌프(vacuum pump;도시되지 않음)가 연결되어 있다.Referring to FIG. 1, reference numeral 10 denotes a gas inlet, 20 denotes an injector which is a region where SiH ₄ and N ₂ O gas injected into the gas inlet 10 are mixed, and 30 denotes the mixed inlet. 40 represents a single tube through which gas flows, and 40 represents a gas discharger through which residual gas is discharged into a vacuum line at a lower portion of the single tube 30, and a vacuum pump (not shown) is provided in the gas discharger. Is connected.

상술한 구조의 종래 반도체 제조장치는, 도면에 도시된 바와 같이 그 길이가 긴 인젝터의 사용으로 인해 SiH₄와 N₂O 가스의 완전 분해 및 상호반응을 하는 영역이 길게 늘어지고 그 구조별 온도 변화에 따라 이상반응을 하게되는 구간이 국부적으로 발생함에 따라 인젝터 내벽에 다결정실리콘 막질이 성장됨으로써 이 막질이 누적되어 막히거나, 웨이퍼내 결함 발생의 소스(source)로서 작용하게 되는 문제점이 있다.In the conventional semiconductor manufacturing apparatus having the above-described structure, as shown in the drawing, the area for fully decomposing and interacting with SiH ₄ and N ₂ O gas is elongated due to the use of a long injector, and the temperature change according to the structure is increased. As a result of the locally occurring section of the abnormal reaction, the polysilicon film is grown on the inner wall of the injector, so that the film is accumulated and blocked or acts as a source of defect generation in the wafer.

또한, 이로 인하여 설비유지보수의 기간을 연장시키고 공정흐름에 손실을 가져오게 된다.This also leads to prolonged maintenance periods and loss of process flow.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 인젝터의 외관 및 싱글 튜브 내벽에 여러개의 구멍을 뚫어 상기 인젝터를 통하여 들어간 반응가스가 다시 싱글 튜브 내벽의 구멍을 통하여 튜브내로 들어가 완전 반응을 하게 함으로써 설비의 가동율을 향상시키고 HTO막의 균일도를 개선할 수 있는 반도체 제조장치를 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to increase the operation rate of the equipment by drilling a plurality of holes in the outer tube and the inner wall of the injector to allow the reaction gas entered through the injector to enter the tube through the hole of the inner wall of the single tube to fully react. It is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of improving and improving the uniformity of an HTO film.

도 2는 HTO막 형성을 위해 사용된 본 발명에 따른 반도체 제조장치를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention used for forming an HTO film.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10...가스 주입구 20,21...인젝터10 ... Gas inlet 20,21 ... Injector

30,31...싱글 튜브 40...가스 배출구30, 31.Single tube 40.Gas outlet

A1,A2...인젝터 보호관A1, A2 ... injector sheath

상기 과제를 이루기 위하여 본 발명에 의한 장치는, 반응가스의 주입을 위한 가스 주입구와, 상기 가스 주입구에 주입되는 반응가스가 혼합되는 인젝터와, 상기 인젝터에서 혼합된 가스가 흘러들어가는 싱글 튜브와, 상기 싱글 튜브 하단 부위의 진공 라인으로 잔류 가스가 배출되는 가스 배출기를 구비하여 이루어진 반도체 제조장치에 있어서, 상기 인젝터는 그 외관에 여러개의 구멍을 뚫고 인젝터 보호관을 하나로 제작하고, 상기 싱글 튜브는 그 내벽에 구멍을 뚫어 제작함으로써, 그 외관에 여러개의 구멍이 뚫린 인젝터를 통하여 들어간 반응가스가 다시 상기 싱글 튜브 내벽의 구멍을 통하여 튜브내로 들어가도록 하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an apparatus according to the present invention includes a gas inlet for injecting a reaction gas, an injector into which the reaction gas injected into the gas inlet is mixed, a single tube into which the gas mixed in the injector flows, and In the semiconductor manufacturing apparatus comprising a gas discharger for discharging the residual gas to the vacuum line of the lower portion of the single tube, the injector is made of an injector protection tube as a single hole, the single tube is formed on the inner wall By making a hole, the reaction gas, which enters through the injector having a plurality of holes in its exterior, enters the tube again through the hole of the inner wall of the single tube.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the present invention.

도 2를 참조하면, 도면부호 10은 가스 주입구를 나타내고, 21은 상기 가스 주입구(10)에 주입되는 SiH₄와 N₂O 가스가 혼합되는 영역인 인젝터를 나타낸 것으로 도시된 바와 같이 인젝터의 외관에 여러개의 구멍을 뚫고, 인젝터 보호관 즉 도면부호 A1, A2를 하나로 제작하여 싱글튜브(31) 내벽에 구멍을 뚫어 인젝터를 통하여 들어간 반응가스가 다시 튜브 내벽의 구멍을 통하여 튜브내로 들어가 완전 반응을 하게 한다. 또한, 도면부호 40은 상기 그 내벽에 구멍이 뚫여 있는 싱글 튜브(31) 하단 부위의 진공 라인으로 잔류 가스가 배출되는 가스 배출기를 나타내며 이 가스 배출기에는 진공 펌프(도시되지 않음)가 연결되어 있다.Referring to FIG. 2, reference numeral 10 denotes a gas inlet, and 21 denotes an injector in which SiH ₄ and N ₂ O gas injected into the gas inlet 10 are mixed. Drill several holes and make injector protection tubes, namely A1 and A2, and drill holes in the inner wall of the single tube 31 so that the reaction gas entering through the injector enters the tube through the holes in the inner wall of the tube and reacts completely. . Further, reference numeral 40 denotes a gas discharger through which residual gas is discharged into a vacuum line at a lower portion of the single tube 31 having a hole in the inner wall thereof, and a vacuum pump (not shown) is connected to the gas discharger.

이상 설명된 바와 같은 구조의 본 발명에 따른 반도체 제조장치는, 인젝터의 외관에 여러개의 구멍을 뚫고 인젝터 보호관 자체를 싱글 튜브와 하나로 제작하여 구멍을 뚫은 후 인젝터를 통하여 들어간 가스가 싱글 튜브 내벽의 구멍을 통하여 튜브 내로 들어가 완전 반응하도록 함으로써, 종래 그 길이가 긴 인젝터로 인해 인입되는 SiH₄와 N₂O 혼합 가스가 완전 분해 및 반응을 하지 못하여 인젝터의 내벽에 다결정실리콘 막질이 성장되어 누적되면서 인젝터 내벽을 완전히 막아버리게 되는 문제점을 해결할 수 있게 되어 HTO막의 균일도 개선효과를 얻을 수 있다.In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention having the structure as described above, a plurality of holes in the outer surface of the injector, the injector protective tube itself is made of a single tube and drilled a hole after the gas enters through the injector hole of the inner wall of the single tube By entering the tube through the reaction completely, the SiH ₄ and N ₂ O mixed gas introduced by the conventional long injector cannot fully decompose and react, so that the polysilicon film grows and accumulates on the inner wall of the injector. It is possible to solve the problem of completely preventing the HTO film uniformity improvement effect can be obtained.

또한, 인젝터 보호관을 길게 튜브내로 내려오게 하여 데포율이 떨어지는 현상을 막아준다.In addition, the injector protection tube is lowered into the tube for a long time to prevent the dropping rate.

Claims

Residual gas is discharged to the gas inlet for injecting the reaction gas, an injector into which the reaction gas injected into the gas inlet is mixed, a single tube into which the gas mixed in the injector flows, and a vacuum line at a lower portion of the single tube In the semiconductor manufacturing apparatus comprising a gas discharger, the injector is made by drilling a plurality of holes in the exterior and injector protective tube as one, the single tube is made by drilling a hole in the inner wall, several holes in the exterior And a reaction gas introduced through the drilled injector enters the tube again through the hole of the inner wall of the single tube.