KR19990001180A - 탄탈 콘덴서의 음극층 구조 - Google Patents

Abstract

본 발명은 탄탈 콘덴서의 음극층 형성시, 전극이 미형성부위에 침투되는 수분을 용이하게 제거할 수 있도록 한 탄탈 콘덴서의 음극층 구조에 관한 것으로 그 기술적인 구성은, 탄탈 분말을 성형한 콘덴서의 양극층(1) 상측으로 콘덴서 유전체층(2)이 도포토록되며, 상기 유전체층(2) 상측에는 이산화망간(MnO₂)으로된 음극층(3)이 도포되고, 상기 양측층(1)에 형성되는 피트부(4)내에 음극의 미도포층(5)이 형성되며, 상기 음극층(3)의 미도포층(5)에 수분침투를 방지하기 위한 발수성 수지층(6)을 상기 음극층(3)의 두께와 같게 형성토록 하는 것을 요지로 한다.

이에따라서, 탄탈 콘덴서 음극층의 미도포층으로 발수성 수지층을 형성하여 수분의 침투를 방지토록 하고, 이에따라 수분침투로 인한 등가직렬 저항의 상승을 억제하고, 콘덴서의 손실특성을 극소화하여 탄탈 콘덴서의 특성을 향상시킬 수 있는 것이다.

Description

탄탈 콘덴서의 음극층 구조

본 발명은 탄탈 콘덴서의 음극층 형성시, 전극의 미형성부위에 침투되는 수분을 용이하게 제거할 수 있도록한 탄탈 콘덴서의 음극층 구조에 관한 것으로 이느 특히,탄탈 콘덴서의 표면적 증대를 위한 피트(Pit)부에 도포되는 음극층의 미도포층에 수분침투를 방지하기 위한 발수성 수지층을 음극층의 두께와 같게 형성토록 함으로 인하여, 탄탈 콘덴서의 음극층 수분 침투로 인한 등가직결 저항의 상승을 억제하고, 콘덴서의 손실특성을 극소화하여 탄탈 콘덴서의 특성을 향상시킬 수 있도록 한 탄탈 콘덴서의 음극층 구조에 관한 것이다.

일반적으로 알려져 잇는 탄탈 콘덴서는 평행판 콘덴서의 일종으로 그 표면적을 증대시키기 위하여, 양극으로 형성되는 탄탈분말을 시이트상에 제조토록 하며, 이때, 상기 양극의 표면에는 미세한 피트(Pit)부가 형성되어 이산화 망간(MnO₂)으로 이루어진 음극의 도포시, 액의 침투경로가 좁게되어 음극의 불완전 형성부(미도포부)를 갖게 된다.

이와 같은 기술과 관련된 종래의 탄탈 콘덴서의 적층 구조에 있어서는 도 1에 도시한 바와 같이, 탄탈 분말을 성형한 콘덴서의 양극층(21)상측으로 콘덴서 유전체층(22)인 산화 탈륨(Ta₂O₅)이 도포토록 되며, 상기 유전체층(22) 상측에는 이산화 망간(MnO₂)으로 구성되는 음극층(23)이 도포되고, 상기 양극층(21)에 형성된 피트부(24)내에 미도포층(25)이 형성되는 구성으로 이루어진다.

이와 같은 적층구조를 갖는 종래의 탄탈 콘덴서는, 도 2에 도시한 바와 같이 탄탈 콘덴서의 양극층(21)에 산화탈륨을 코팅한 유전체층(22)을 형성시킨 상태에서 재차 이산화망간 도포층인 음극층(23)을 형성하여 평행판(Plate) 형태의 콘덴서를 제작하게 된다.

그러나, 상기 탄탈 콘덴서는 이를 시이트상으로 양극층(21)을 형성시킬 때, 그 표면에는 피트부(24)가 형성되어, 이에 이산화망간을 도포시 미도포층(25)이 존재하게 되며, 이때 상기 음극(23)의 미도포층(25)에는 수분이 침투하게 되는 단점이 있는 것이다.

상기에서 수분의 비저항은, 음극층(23)을 구성하는 이산화망간 보다 현저하게 높은 관계로 콘덴서의 등가직렬저항을 높이게 되며, 이에 따라 탄탈 콘덴서의 손실이 크게 발생하게 되어 특성을 저하시키게 되는 커다란 문제점이 있었던 것이다.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 여러 문제점들을 개선시키기 위하여 안출된 것으로서 그 목적은, 탄탈 콘덴서 음극층의 미도포층으로 발수성 수지층을 형성하여 수분의 침투를 방지토록 하고, 이에따라 수분 침투로 인한 등가직렬 저항의 상승을 억제하고, 콘덴서의 손실특성을 극소화하여 탄탈 콘덴서의 특성을 향상시킬 수 있는 탄탈 콘덴서의 음극층 구조를 제공하는데 있다.

도 1은 일반적인 탄탈 콘덴서의 적층 구조를 도시한 요부 구성도.

도 2는 종래 탄탈 콘덴서의 음극층을 도시한 요부 구조도.

도 3은 본 발명에 따른 탄탈 콘덴서의 적층 구조를 도시한 요부 구성도.

도 4는 본 발명인 탄탈 콘덴서의 음극층 미도포층상에 발수성 수지가 도포된 상태의 요부 구조도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

1:양극층

2:유전체층(Ta₂O₅)

3:음극층(MnO₂)

4:피트부(Pit)

5:미도포층

6:발수층 수지층

상기 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로서 본 발명은, 탄탈 콘덴서의 표면적 증대를 위한 피트(Pit)부에 도포되는 음극층의 미도포층에 수분침투를 방지하기 위한 발수성 수지층을 음극층의 두께와 같게 형성토록 하는 구성으로 이루어진 탄탈 콘덴서의 음극층 구조를 마련함에 의한다.

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명에 따른 탄탈 콘덴서의 적층구조를 도시한 요부 구성도이고, 도 4는 본 발명인 탄탈 콘덴서의 음극층 미도포층상에 발수성 수지가 도포된 상태의 요부 구조도로서, 탄탈 분말을 성형한 콘덴서의 양극층(1) 상측으로 콘덴서 유저체층(2)인 산화 탈륨(Ta₂O₅)이 도포토록 되며, 상기 유전체층(2) 상측에는 이산화 망간(MnO₂)으로 구성되는 음극층(3)이 도포되고, 상기 양극층(1)에 형성되는 피트부(4)내에 음극의 미도포층(5)이 형성된다.

또한, 상기 탄탈 콘덴서의 표면적 증대를 위한 피트부(4)에 도포되는 음극층(3)의 미도포층(5)에 수분침투를 방지하기 위한 발수성 수지층(6)을 상기 음극층(3)의 두께와 같게 형성토록 하는구성으로 이루어진다.

이와 같은 구조로 구성된 본 발명의 작용 및 효과를 설명하면 다음과 같다.

도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 평행한 판 형상의 탄탈 콘덴서를 제작하기 위한 탄탈 분말을 성형시킨 콘덴서의 양극층(1) 상측에 산화 탄륨(Ta₂O₅)을 도포시킨 콘덴서 유전체층(2)을 일정한 두께로 도포하게 된다.

한편, 상기 유전체층(2) 상측에는 이산화 망간(MnO₂)으로 구성되는 음극층(3)을 도포하여 탄탈 콘덴서를 제작하게 되며, 이때 상기 탄탈 콘덴서의 표면에는 형성되는미세한 굴곡부인 피트부(4)내에 음극층(3)을 도포시 완전한 도포가 불가능하게 되어 미도포층(5)이 형성되는 관계로 상기 미도포층(5)에 수분의 침ㅌ를 방지하기 위한 발수성 수지를 도포하게 된다.

상기 탄탈 콘덴서의 표면적 증대를 위한 피트부(4)의 음극 미도포층(5)에 수분침투를 방지하기 위하여 코팅되는 발수성 수지층(6)은, 그 적층두께가 상기 음극층(3)의 두께와 같게 형성시키게 되며, 이때 발수성 수지로서 디메틸 폴리실록산(Dimethyl polysiloxane)이 사용된다.

따라서, 탄탈 콘덴서 피트부(4)의 음극이 미도포된 부위에 발수성 수지층(6)을 도포하여 수분침투를 억제시킴으로 인하여, 콘덴서의 등가직렬저항값을 낮게하면서 콘덴서의 손실 특성을 극소화할 수 있게 되는 것이다.

이상과같이 본 발명에 따른 탄탈 콘덴서의 음극층 구조에 의하면, 탄탈 콘덴서 음극층의 미도포층으로 발수성 수지층을 형성하여 수분의 침투를 방지토록 하고, 이에 따라 수분 침투로 인한 등가직렬 저항의 상승을 억제하고, 콘덴서의 손실특성을 극소화하여 탄탈 콘덴서의 특성을 향상시킬 수 있는 우수한 효과가 있다.

Claims (2)

1. 탄탈 분말을 성형한 콘덴서의 양극층(1) 상측으로 콘덴서 유전체층(2)인 산화 탈륨이 도포토록 되며, 상기 유전체층(2) 상측에는 이산화망간으로 구성되는 음극층(3)이 도포되고, 상기 양극층(1)에 형성된 피트부(4)내에 음극의 미도포층(5)이 형성토록 되는 탄탈 콘덴서에 있어서;

   상기 탄탈 콘덴서의 표면적 증대를 위한 피트부(4)에 도포되는 음극층(3)의 미도포층(5)에 수분침투를 방지하기 위한 발수성 수지층(6)을 상기 음극층(3)의 두께와 같게 형성토록 하는 구성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 탄탈 콘덴서의 음극층 구조.
2. 제1항에 있어서, 상기 음극 미도포층(5)에 수분침투를 방지하기 위하여 코팅되는 발수성 수지는, 디메틸 폴리실록산으로 이루어진 것을 특징으로 하는 탄탈 콘덴서의 음극층 구조.