KR19990000144A - 가스 방전 표시장치. - Google Patents

Abstract

본 발명은 특정 혼합가스의 방전성질을 이용하여 계조표시를 하여 화상을 표시하는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)를 대표로 하는 가스방전 표시장치에 관한 것이다. 특히, 특정한 종류의 혼합가스 와 특정한 혼합비로 구성된 방전가스를 사용한 가스 방전 표시장치에 관한 것이다. 본 발명은 광투과성의 전면기판과 배면기판 사이의 내측에 일정길이의 격벽으로 지지하고, 상기의 전면기판과 후면기판의 내측에 전극, 유전체, 보호막을 설치하고 그 양 보호막의 공간에 2원계(Ne+Xe, He+Xe등) 페닝가스를 방전가스로 충진하여 가스방전에 의해 화상을 표시하던 종래의 가스방전 표시장치에서 그 혼합가스를 3원계(Ne+Xe+Ar, He+Xe+Ar 등) 페닝가스로 충진하여 사용하므로써 가스 방전 표시장치의 휘도 특성을 향상시킨 가스 방전 표시장치와 특정한 혼합비율로 구성한 상기의 혼합가스를 사용한 가스 방전 표시장치에 관한 발명이 개시되어 있다. 즉, 본 발명은 3원계 페닝가스를 사용하여 CRT 표시장치에 비해 휘도가 낮다는 문제가 있는 PDP와 같은 가스 방전 표시장치에 대하여 고휘도를 실현함으로써 상용화 할 수 있는 벽걸이형 차세대 대화면 디스플레이 기기에 관한 것이다.

Description

가스 방전 표시장치

본 발명은 특정 혼합가스의 방전성질을 이용하여 계조표시를 함으로써화상을 표시하는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)를 대표로 하는 가스 방전 표시장치에 관한 것이다. 특히, 특정한 종류의 혼합가스 와 특정한 혼합비로 구성된 방전가스를 사용한 가스 방전 표시장치에 관한 것이다.

가스 방전 표시장치인 PDP는 그 전극의 구조에 따라 직류형 (DC type), 교류형(AC type)과 직류형과 교류형이 결합된 혼합형(Hybrid type)으로 분류된다. 직류형과 교류형의 차이점은 전극이 방전 플라즈마에 직접 노출 되느냐 또는 유전체층에 의해 간접적으로 노출되느냐에 의해 구분되어 진다. 직류형 PDP의 경우 전극이 방전 플라즈마에 직접 노출되며, 교류형 PDP의 경우에는 전극이 유전체를 통해 간접적으로 플라즈마와 결합되게 된다. 이러한 차이는 방전 현상에 차이를 나타내게 되며, 교류형의 경우 방전에 의해 형성된 하전입자가 유전체층에 쌓이게 된다. 즉 전자는 양(+)전위가 걸린 전극위의 유전체층에 쌓이게 되며, 이온은 음(-)전위가 걸린 전극위의 유전체층에 쌓이게 된다. 이러한 현상을 통해 형성되는 전위를 벽전위라 하며, 벽전위는 외부에서 인가되는 전위와 극성이 반대로 형성되기 때문에 벽전위가 형성이 되기 시작하면 셀내의 가스에 인가되는 전위가 감소하게 된다. 따라서 충분히 큰 벽전위가 형성되면 가스에 인가되는 전위가 방전 유지가 가능한 전위 이하로 감소하게 되기 때문에 방전이 소거되게 된다.

그러나 만약 벽전위가 형성된후 외부 전극에 인가되는 전위의 극성을 바꿔서 인가하면 벽전위에 의한 전위와 외부 인가 전위가 더해져서 낮은 외부 인가 전위가 가해져도 방전이 가능하는 기억기능(Memory function)에 의한 구동을 한다.

교류형 PDP의 경우는 유전체에 쌓이게 되는 벽전위에 의한 기억기능 효과를 갖는다. 즉, 이전에 방전이 형성된 셀내의 유전체는 하전 입자들이 유전체에 벽전위를 형성하여 벽전위를 갖지 않는 셀의 경우보다 낮은 전압에서 방전을 일으킬 수 있다. 이러한 기억 기능의 특성은 행구동 방식을 채택하는 가스 방전 표시장치인 PDP가 대형의 패널을 구동시키는데 있어서 매우 유용한 특성이다.

직류형 PDP의 경우는 교류형 PDP와는 달리 유전체에 의한 벽전위 형성의 기능을 갖지 못하므로 고유의 기억 기능을 갖지 못한다. 즉 전극이 방전 영역에 직접 노출되어 있기 때문에 방전에 의해 형성된 하전입자는 각각의 반대 극성을 갖는 전극을 통해 외부 회로로 흐르게 되어 전극면에 쌓이지 못한다. 그러나 직류형의 경우는 하전입자 공급효과를 이용한 펄스 기억기능을 이용한다.

펄스 기억기능이란 방전에서 형성된 하전입자 및 준중성 입자들이 감쇄하기 전에 다시 방전 펄스를 인가하면 이러한 하전 입자들이 없는 경우에 비하여 낮은 전압하에서 방전이 형성되는 원리를 말한다. 이러한 기억기능은 행구동 방식으로 대형의 패널을 구동하는 경우 휘도의 저하없이 구동을 가능하게 하는 필수적인 특징으로 전극 구조의 관점에서도 이와 같은 특성이 필요하다.

첨부도면 도 1과 도 2는 직류형 가스 방전 표시소자(DC형 PDP)와 교류형 가스 방전 표시소자(AC형 PDP)의 기본적인 전극 구조를 도시한 것이다. 도 1의 DC형 PDP의 기본적인 전극 구조는 전면기판(1)과 배면기판(2)상에 형성되는 양극/음극의 전극(3,4), 격벽(5) 및 형광체층(6)으로 구성되어 있다.

양극(Anode)(3)과 음극(Cathode)(4)은 방전 형성을 위한 전류 패스를 형성한다. 격벽(barrier rib)(5)은 방전 형성을 위한 전극간 거리를 결정하며, 인접 셀에서 발생하는 방전에 의한 상호 혼신(crosstalk)을 방지하는 역할을 한다. DC형 PDP에서 주로 사용 되는 전극 물질은 낮은 방전 전압 특성을 갖을 수 있도록 2차 전자 방출 계수가 높으며, 이온에 의한 스퍼터링에 잘 견딜 수 있는 내 스퍼터 특성이 우수한 니켈이 주로 이용된다.

교류형 PDP의 경우는 용량 결합형 방전을 형성하기 위한 유전체층(10)이 전극을 덮는다. 일반적으로 사용되는 유전체는 바로실리게이트(borosilicate)계열을 사용하며, 2차 전자 방출 계수가 낮고 프라즈마 형성시 발생하는 이온에 의한 스퍼터링에 의한 수명이 짧기 때문에 유전체를 플라즈마로부터 보호하기 위하여 산화마그네슘(MgO)와 같은 산화물계열의 박막을 보호막(11)으로 유전체층(10) 위에 입혀서 사용한다.

산화마그네슘(MgO)는 내 스퍼터 특성이 좋을 뿐 아니라 2차 전자 방출 계수 역시 높기 때문에 저전압 방전 특성을 나타낸다. 그러나 MgO층의 두께가 얇아야 하며, 표면 특성이 뛰어나야 하기 때문에 후막 인쇄를 통해 형성하기 어려우며 보통 진공증착법에 의한 박막 공정을 통해 제작된다.

상기 격벽(5)의 경우 방전 거리 및 체적을 형성하기 위하여 필요한 100∼200um정도의 높이가 필요하다. 후막 인쇄 방식에 의한 두께가 수십 um이므로 격벽 형성을 위해서는 다층 인쇄를 통해 형성하고 있다.

방전을 형성하기 위한 필요 조건은 2개의 전극이나 일반적으로 3개의 전극을 갖는 전극 구조가 주로 사용되고 있다. 직류형의 경우는 보조 방전을 형성하기 위한 보조 양극이 첨가되고, 교류형의 경우는 유지전극(Sustain Electrode)(7,8)와 선택 방전과 유지 방전을 분리하여 어드레스 속도를 향상 시키기 위하여 어드레스 전극(Address Electrode)(9)이 도입된다. 따라서 전극 구조를 전극의 수에 따라 2전극 구조와 3전극 구조로 분류할 수 있다. 또한 방전을 형성하는 전극의 배치에 따라 대향형 전극과 면방전형 전극구조의 배치에 따라 대향형 전극과 면방전형 전극 구조로 분류 될 수 있다. 대향형 전극 구조의 경우는 방전을 형성하는 2개의 유지 전극이 각각 전면 기판과 배면 기판상에 위치하여 방전이 패널의 수직축으로 형성되는 구조이며, 면 방전형 전극 구조의 경우는 방전을 형성하는 2개의 유지 전극이 동일한 기판상에 위치하여 방전이 패널의 한 평면상에서 형성되는 전극 구조를 말한다. 상기의도 2의 AC형 PDP는 상기의 면방전형 전극구조를 도시한 것이다.

PDP의 칼라화는 CRT와 같이 형광체를 여기시키는 방식을 채용하고 있다. CRT의 경우 수십 KeV로 가속된 전자에 의해 여기되는 전계에 의한 발광(Electroluminescence)을 이용하지만, PDP의 경우는 가스 방전에 의해 형성된 자외선에 의해 형광체가 여기되는 포토루미네슨스(Photoluminescence)에 의한 발광을 채용하고 있다. 특히, 제논(Xe)가스의 147nm의 진공 자외선을 주로 이용한다. 따라서 PDP의 전극 구조에는 칼라화를 위하여 형광체가 도포되게 된다.

PDP의 전극 구조는 형광체의 도포 위치에 의해 투과형과 반사형의 구조로 분류하게 된다. 투과형의 전극 구조는 제작하기 쉬운 장점을 갖고 있으나 형광체의 인쇄표면 상태에 의해 편차가 큰 단점을 갖으며, 반사형의 구조의 경우는 형광체의 도포 면적을 확대하여 휘도를 증가시킬 수 있는 장점을 갖고 있으나, 형광체 도포 기술의 어려움이 있다. 또한 반사형의 전극 구조가 투과형의 전극 구조에 비해 휘도 특성이 높으며, 형광체 도포 기술도 후막 인쇄 기술의 발전과 샌드블래스팅(sand-blasting) 같은 신공정 기술개발 등으로 해결되어 현재는 반사형 전극 구조가 널리 쓰이고 있다.

이상에서 설명한 바와 같은 PDP 표시장치의 구조와 같은 가스 방전 표시장치는 화상표시를 위한 핵심적인 기술로 방전가스의 페닝효과(Penning Effect)를 이용하고 있다. 페닝효과는 준안정 상태의 종의 생성을 통해 이온화 반응을 촉진시키는 반응으로써, 타운젠트의 α-process를 증대시키는 것이다. 즉, 페닝 반응을 통해 충돌 단면적으로 증가시켜 이온화를 쉽게하는 반응이다. 예를들면, He + Xe과 Ne + Xe의 페닝 반응은 다음과 같다.

He^*+ Xe →Xe⁺+ e + He

Ne^*+ Xe →Xe⁺+ e + Ne

여기서, He과 Ne은 주성분 가스이며, Xe은 첨가가스이다. 그리고 He^*과 Ne^*은 각각의 준안정 상태의 입자이거나 여기상태의 입자들이다.

플라즈마와 접하고 있는 물질의 표면으로부터 2차 전자 방출은 PDP의 방전 특성을 결정하는데 매우 중요한 역할을 한다. 특히 AC PDP와 같이 유전체로 덮인 전극에서 플라즈마에 의해 2차전자가 방출되게 하는 것은 직접적인 이온충격과 여기종(metastables)의 표면 반응, 그리고 빛에 의한 반응등이 있을 수 있다. 이중에서 가장 주가되는 것이 이온충격에 의한 반응이다. 이온화 에너지가 21.6eV인 네온이온이 입사하여 가전자대(valence band)에 있는 1개의 전자와 결합하여 중화되고, 여분의 에너지는 다른 1개의 가전자대에 있는 전자를 표면으로 방출하게 된다.

이때, 전자가 가지는 운동에너지는 입사한 이온의 에너지에서 MgO의 밴드갭 에너지와 표면 일 함수 에너지(surface work -function energy)를 빼면 구해진다. 이 전자는 다시 전계에 의해서 가속되면서 충돌을 통해서 다시 플라즈마상태에서 이온과 전자를 생성하게 된다.

가스 방전 표시소자에서 VUV에 대하여 설명하기로 한다. VUV라 함은 UV중에서도 200mm 이하의 짧은 파장을 갖는 UV를 말한다. VUV는 모가스의 압력이 높다던지, 산소가 포함되어 있으면 이러한 기체를 통과하지를 못하고 기체에서 강한 흡수가 일어난다. PDP에서의 VUV의 자장과 세기는 패널에서 방출되는 빛의 휘도를 결정짓는 중요한 요소이다.

제논(Xe)에서 방출되는 자외선은 140mm∼180mm영역의 파장을 갖으며, R,G,B용의 형광물질이 가장 좋은 효율을 내는 파장영역과 겹친다. 불활성가스 중에서도 헬륨(He)과 네온(Ne)의 경우에는 방출되는 빛의 파장이 100nm 이하의 짧은 파장을 갖기 때문에 형광체를 자극하여 가시광선을 내는 UV용으로 쓰기에는 부적합하다. 발광되는 UV의 세기와 파장을 감안할 때 제논(Xe) 가스가 적당한 것으로 보여지지만, PDP용 가스로 사용하기 위해서는 구동전압이나 전극의 수명을 동시에 고려해야 되기 때문에, 일반적으로 2원계의 혼합가스를 이용한다. 대표적인 경우가 헬륨(He)이나 네온(Ne)에 제논(Xe)가스를 첨가하는 것으로써 구동전압을 낮추고 UV효율을 좋게 하고 있다.

헬륨이나 네온을 주된 가스로 이용하는 것은 순수한 제논가스에 비해서 이들 가스내에서 전자의 온도가 높아 제논의 여기가 효율적인 점과 제논과의 페닝효과를 이용하기 위한 것이다. 또한 혼합가스일 경우라도 혼합비나 기타 방전 조건에 따라서 최대의 UV효율을 내는 조건이 달라 질 수 있다. 도 3는 압력이 달라지면서 DC셀에서 나오는 He+Xe가스의 UV세기의 변화를 설명하기 위한 것이다. 압력이 높아지면서 양광주(positive column)를 주요 발광 영역으로 이용하는 구조에서는 UV의 세기가 감소하며 부글로우(negative glow)를 이용하는 구조에서는 압력이 높아지면서 UV의 세기가 증가한다. 도시한 바와 같이 방전셀의 구조에 따라서 제논(Xe)의 부분압에 따른 경향성이 전혀 다를 수 있음을 알 수 있다.

도 4는 He+Xe(7%)에서 압력에 따라 제논에서 방출되는 파장의 상대적인 크기를 나타내고 있다. 압력이 높아지면서 147nm에서 방출되는 UV가 줄어드는 대신 Xe₂ ^*에서 방출되는 173nm의 빛이 증가함을 보여주는데, 이는 압력이 높아지면서 디머생성이 쉬워지기 때문이다. 전극의 이격거리에 따른 특성을 살펴보면 음극면에 가까운 부글로우 영역에서 휘도가 가장 높게 나타난다. 전극의 간격이 멀어짐에 따라서 양광주(positive column) 영역에서도 많은 빛이 방출된다. 부글로우와 양광주의 휘도를 비교하면 부글로우에서의 휘도가 더 높지만 단위 시간당 방출되는 빛의 전체양을 고려하면 양광주 영역이 차지하는 비중 또한 아주 크다고 할 수 있다. 특히 부글로우 영역은 한정돼 있는 반면에 양광주 영역은 전극의 간격이 멀어질수록 증가함으로 전극구조에 따라서는 부글로우보다 지배적인 영향을 미칠 수 있다.

플라즈마 내에서 Xe^*(³P₁)의 형성은 전자에 의한 여기와 제논(Xe) 분자이온의 재결합에 의한 형성, 준안정상태에 있는 입자가 충돌에 의해 리조넌스 상태로 천이하는등의 경로를 통해 이루어진다. 또한 Xe₂^*(173nm)의 형성은 Xe^*가 중성입자와 3체 충돌을 하여 형성된다. 이와같이 가스의 조성, 압력이 달라짐에 따라 방출되는 빛의 파장, 효율 등이 달라지며, 간접적으로 셀 구조나 구동회로가 이에 영향을 미치므로 최적 방전 가스의 결정은 셀 구조 및 구동회로와 복합적으로 이루어진다.

이상에서 설명한 바와 같은 종래의 가스방전 표시장치는 단일 방전가스를 사용하면 방전 개시전압이 높으므로 Ne+Xe 또는 He+Xe과 같은 2원계 혼합가스를 이용하여 방전개시전압을 낮추고 있으나 그로인한 휘도 특성의 저하를 가져오는 문제점이 있었고, 근본적으로 2원계 혼합가스를 이용한 표시소자는 그 휘도의 특성에 있어서 CRT를 이용한 표시장치에 미치지 못하는 문제점이 있었다.

본 발명은 이상에서 설명한 바와 같은 종래의 가스 방전 표시장치의 문제점에 착안하여 방전 개시전압과 휘도 특성을 개선하기 위하여 발명한 것으로, 상기한 방전 혼합가스를 종래의 2원계 혼합가스에 특정한 가스를 더 추가함으로써 가스방전 표시소자의 방전가스로써 특정가스의 3원계 혼합가스를 사용하여 방전효율의 극대화를 이루도록 구동하는 가스 방전 표시소자를 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 상기의 3원계 혼합가스의 각 가스의 혼합비율을 특정함으로써 휘도특성을 최적상태로 개선하고, 진공자외선의 발생량을 극대화시키고, 방전 전압을 최소화하여 최대의 발광 효율을 얻을 수 있는 가스 방전 표시장치를 제공하는데 있다.

상기의 본 발명의 목적을 달성하기 위한 실시예로서 상기의 3원계 가스는 종래의 Ne+Xe 2원계 혼합가스에 아르곤가스(Ar)를 더 추가하는 것과 종래의 He+Xe 2원계 혼합가스에 아르곤가스(Ar)를 혼합하는 것을 페닝가스로 사용한 가스 방전 표시장치를 제시하고 있다.

도 1은 DC형 가스방전 표시소자의 방전셀 구조도

도 2는 AC형 가스방전 표시소자의 방전셀 구조도

도 3은 2원계 페닝가스에서 제논(Xe)의 함유량에 따른 UV 강도 특성도

도 4는 2원계 페닝가스에서 제논(Xe)의 파장 대 강도 특성도

도 5는 방전가스(Ne, Xe)의 파장 대 강도 특성도

도 6은 2원계 페닝가스(Ne+Xe)의 파장 대 강도 특성도

도 7은 2원계 페닝가스(He+Xe, Ne+Xe)에서 Xe가스의 혼합비에 따른 특성도

도 8은 방전가스(Ar)의 파장 대 강도 특성도

도 9는 본 발명의 3원계 혼합가스의 Ar가스 혼합비 대 방전전압 특성도

도 10은 본 발명의 3원계 혼합가스의 Ar가스 혼합비 대 진공자외선 특성도

도면의주요부분의부호설명

1 - 전면기판 2 - 배면기판

3 - 전극(Anode) 4 - 전극(Cathode)

5 - 격벽 6 - 형광체층

7,8 - 유지전극(Sustain) 9 - 어드레스 전극

10 - 유전체층 11 - 보호막

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하고자 한다. 우선 본 발명의 이해를 돕기 위해서 가스 방전 표시장치에 사용되는 방전가스 각 단일가스의 특성에 대하여 개략적으로 설명하고, 이들 가스의 혼합에 의한 방전 특성에 대하여 설명하기로 한다.

형광체를 이용한 가스방전 표시소자는 일반적으로 제논(Xe)의 여기 상태에서 방출되는 진공 자외선을 주로 사용하고 있다. 그러나 제논(Xe) 가스만으로는 충분한 방전 특성을 구현할 수 없기 때문에 네온(Ne)과 제논(Xe) 혹은 헬륨(He)과 제논(Xe)의 혼합가스를 사용하고 있다. 대부분의 경우 네온가스에 제논을 첨가하거나 헬륨에 제논을 첨가하면 제논의 함량에 따라 진공 자외선의 방출량이 초기에는 증가 하다가 적정 혼합비를 넘게 되면 감소하는 경향을 보이게 된다. 상기의 2원계 혼합가스의 경우 적정 제논(Xe)의 혼합비가 존재하게 되며 최대의 효율을 나타내는 곳에서 최대의 발광이 나타나므로 최적 혼합비를 밝히는 것이 중요하다.

도 5는 가스방전 표시장치에 단일가스 네온(Ne), 제논(Xe)을 각각 봉입한 경우의 발광 스펙트럼에 대한 데이터를 나타내기 위한 것이다. Ne의 5800~7000Å의 발광은 모두 3p(18-19eV)에서 3s로의 천이에 의한 발광이다. Xe은 적외부와 자외부에 강한 발광을 보이며 가시부의 발광은 약하다. 약 11eV의 여기 레벨에서의 이온선도 관측된다. 이 것은 Xe의 이온화 전압이 2.12eV로 낮고 방전전압이 높기(약 250V) 때문이다.

도 6는 네온(Ne)가스를 베이스로 하고 여기에 제논(Xe)가스(1%)을 첨가한 2원계 혼합가스의 발광 스펙트럼을 설명하기 위한 것이다. Ne+Xe은 페닝가스이며, 방전전압은 네온(Ne)의 경우보다 낮아진 것을 알 수 있다. 도 7은 2원계 페닝가스(He+Xe, Ne+Xe)에서 제논가스의 혼합비 대 효율을 설명하기 위한 특성도이다.

본 발명은 상기의 2원계 혼합가스에 제3의 가스 아르곤(Ar)을 첨가하여 휘도 특성과 방전전압 특성을 동시에 개선할 수 있는 3원계 혼합가스를 가스방전 표시장치의 페닝가스로 사용하는데 그 특징이 있다. 도 8은 아르곤(Ar)가스의 발광 스펙트럼 데이터에 관한 것이다. 여기에서 Ar의 7000Å 부근의 약한 발광은 5p(약 14eV)에서 3s로의 천이에 의한 것이다.

기존의 방전셀에 아르곤(Ar) 가스를 첨가하면 효율적인 이온화 과정과 여기 과정을 형성하여 높은 하전 입자밀도를 형성할 뿐만 아니라 진공 자외선을 방출하는 여기 상태도 증가하게 된다. 그 결과 방사되는 진공 자외선이 증가하게 되고 증가된 진공자외선이 형광체의 여기를 유도하여 개선된 휘도 특성을 구현하게 된다. 또한 이와 더불어 방전을 일으키기 위한 구동 전압은 감소시켜 효율을 개선시킬 수 있다.

도 9와 도 10은 종래의 2원계 혼합가스에 아르곤(Ar) 가스를 첨가하여 실험을 한 본 발명의 실험 결과에 관한 것이다. 도시한 바와 같이 본 발명에 의한 실험결과에 의하면 아르곤(Ar)가스 첨가량이 0.001% ~ 1.0%일 때 2원계 혼합가스를 사용했을 때보다 방전개시 전압이 낮아지고 진공자외선의 발생량이 증가되는 것을 확인할 수 있다.

상기의 도 9는 Ne+Xe 2원계 혼합가스에 제3의 가스인 아르곤(Ar)을 혼합하면서 본 발명의 3원계 혼합가스의 Ar가스의 혼합비에 따른 방전개시 전압을 측정한 것이다. 결과에서 볼 수 있듯이 아르곤 가스를 혼합할 때 약 0.001% ~ 1.0%의 혼합비까지는 방전개시 전압이 낮아지는 것을 나타내고 있고, 특히 0.3% ~ 0.7%의 혼합비대에서는 더욱 양호한 효율로 측정되었으며, 0.5%의 혼합비에서 최대의 효율을 나타내는 것으로 측정되었다. 이러한 방전 개시 전압의 하강은 곧 구동전압의 하강으로 연결될 수 있고 기체방전 표시소자의 생산단가의 많은 부분을 차지하고 있는 구동회로의 단순화를 실형할 수 있으므로 전체 생산비용을 절감할 수 있다.

상기의 도 10은 2원계 혼합가스에 아르곤(Ar)가스을 첨가하면서 본 발명의 3원계 혼합가스의 Ar가스의 혼합비에 따른 진공자외선량을 측정한 결과이다. 도시한 바와 같이 Ne+Xe 2원계 혼합가스를 사용했을 때 보다 아르곤(Ar)가스를 혼합할 때 0.001 ~ 1.0%의 혼합비에서 진공자외선의 양이 2원계 혼합가스를 사용했을 때보다 많게 나타나고 있고, 상기의 도 9에서 도시한 바와 같이 아르곤(Ar)의 혼합비가 0.3 ~ 0.7% 대에서 더욱 많은 량의 진공자외선이 검출되었고, 0.5%의 혼합비에서 최대의 진공자외선량이 검출되었다.

본 발명은 가스방전 표시장치의 페닝가스로 2원계 혼합가스를 사용하던 것에 제3의 가스인 아르곤(Ar) 가스의 특정량을 첨가함으로써 진공자외선 발생량이 증대되고, 이로인해 가스 방전 표시소자의 휘도특성을 개선하는 효과가 있고, 또한 가스 방전 표시장치의 방전개시 전압이 낮아지므로 시스템의 구동전압의 하강으로 연결될 수 있고 기체방전 표시소자의 생산단가의 많은 부분을 차지하고 있는 구동회로의 단순화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (9)

1. 광 투과성을 갖는 두매의 기판에 나란히 혹은 대향으로 배열되는 음극과 양극이 형성되어 있고, 화소간의 크로스토오크를 방지하는 격벽을 갖추고 그 내부 공간에 자외선을 발생시키는 방전가스가 봉입된 가스 방전 표시장치에 있어서, 상기의 방전가스는 2원계 혼합가스에 아르곤(Ar)을 첨가한 3원계 혼합가스인 것 특징으로 하는 가스 방전 표시장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기의 2원계 혼합가스는 네온(Ne)과 제논(Xe)의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 가스 방전 표시장치.
3. 제 1 항에 있어서, 상기의 2원계 혼합가스는 헬륨(He)과 제논(Xe)의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 가스 방전 표시장치.
4. 제 1 항에 있어서, 상기의 3원계 혼합가스는 아르곤(Ar)의 혼합비율이 0.001% ~ 1.0% 인 것을 특징으로 하는 가스 방전 표시소장치.
5. 제 1 항에 있어서, 상기의 3원계 혼합가스는 아르곤(Ar)의 혼합비율이 0.3% ~ 0.7% 인 것을 특징으로 하는 가스 방전 표시장치.
6. 제 1 항에 있어서, 상기의 3원계 혼합가스는 아르곤(Ar)의 혼합비율이 0.5% 인 것을 특징으로 하는 가스 방전 표시소자.
7. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기의 3원계 혼합가스는 아르곤(Ar)의 혼합비율이 0.001~1.0% 인 것을 특징으로 하는 가스 방전 표시장치.
8. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기의 3원계 혼합가스는 아르곤(Ar)의 혼합비율이 0.3~0.7% 인 것을 특징으로 하는 가스 방전 표시장치.
9. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기의 3원계 혼합가스는 아르곤(Ar)의 혼합비율이 0.5% 인 것을 특징으로 하는 가스 방전 표시장치.