KR19980085070A - 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부 및 그를 이용한 광의 조사방법 - Google Patents
반도체장치 제조용 분석장치의 광원부 및 그를 이용한 광의 조사방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19980085070A KR19980085070A KR1019970021023A KR19970021023A KR19980085070A KR 19980085070 A KR19980085070 A KR 19980085070A KR 1019970021023 A KR1019970021023 A KR 1019970021023A KR 19970021023 A KR19970021023 A KR 19970021023A KR 19980085070 A KR19980085070 A KR 19980085070A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light
- light source
- sample
- manufacturing
- semiconductor device
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부 및 그를 이용한 조사방법에 관한 것이다.
본 발명의 광원부는, 반도체 기판을 이용한 시료의 전기적인 특성을 검사하기 위하여 상기 시료 상에 광(光)을 조사시키는 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부에 있어서, 상기 광을 발광시키는 광원; 상기 광원에서 발광되는 광을 반사시키는 제 1 반사부; 상기 제 1 반사부에 의해 반사된 광을 집중시키는 광집중부; 및 상기 광집중부로 집중시킨 광을 상기 시료 상에 조사시키는 제 2 반사부를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 분석의 신뢰도가 향상되고, 작업의 효율성이 향상되며, 장치의 유지보수의 효율성이 향상되는 효과가 있다.
Description
본 발명은 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부 및 그를 이용한 광의 조사방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 시료 상에 조사(照射)되는 광을 간접적으로 조사시킨 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부 및 그를 이용한 조사방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체장치의 제조에서는 매 공정수행마다 상기 공정을 평가하기 위한 분석공정을 수행한다.
이러한 분석공정 중에서 소자의 특성에 따라 반도체 기판 상에 형성되는 패턴(Pattern) 등의 전기적인 특성의 분석은 주로 이디에스(EDS : Electronical Die Sort)로 수행한다.
그리고 상기 이디에스 분석공정에서는 반도체 기판으로 형성되는 시료 상에 광을 조사시키는 수행한다.
광을 상기 시료 상에 조사시키기 위하여 종래의 광원부는 상기 광을 발광하는 광원을 시료 상측에 구비시켰다.
즉, 도1에 도시된 바와 같이 상기 광원(10)을 시료(12) 상측에 구비시키고, 그 상측에 렌즈(Lens)(14)를 구비시켜 상기 광원(10)에서 발광하는 광을 시료(12) 상에 직접 조사시켜 상기 조사된 광을 상기 대안렌즈(14)로 투시하였다.
여기서 종래에는 상기 광원(10)으로 형광등을 주로 이용하였고, 상기 시료(12) 상측의 외곽 영역에 구비시켰다.
이러한 구성으로 이루어지는 종래의 광원부는 상기 광원(10)을 시료(12) 상측의 외곽 영역에 구비시킴으로써 상기 시료(12) 상에 조사되는 광의 반사각은 상대적으로 커질수 밖에 없었다.
이에 따라 산란한 광이 시료 상에 조사되었고, 상기 산란한 광을 렌즈(14)를 통하여 투시하였기 때문에 상기 시료(12)를 정확하게 분석할 수 없었다.
그리고 상기 광원(10)으로 형광등을 이용하였기 때문에 장시간 사용시 형광등 특유의 연속 점멸에 의해 작업자의 눈의 피로가 누적되어 시력감퇴의 원인이 되기도 하였고, 또한 상기 광원(10) 즉, 형광등은 그 부피가 크고 깨지기가 쉬워 빈번한 교체작업 등을 수행하였다.
따라서 종래에는 광을 시료 상에 직접 조사시킴으로 인해 분석의 신뢰도가 저하되었고, 상기 광원을 형광등을 이용함으로 인해 작업의 효율성이 저하되는 한편 상기 광원의 빈번한 교체작업으로 인해 장치의 유지보수의 효율성이 저하되는 문제점들이 있었다.
본 발명의 목적은, 시료 상에 광을 반사시켜 조사시킴으로써 분석의 신뢰도를 향상시키고, 작업의 효율성을 향상시키며, 장치의 유지보수의 효율성을 향상시키기 위한 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부 및 그를 이용한 광의 조사방법을 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부의 구성을 나타내는 도면이다.
도2는 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부의 구성의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 20 : 광원 12, 26 : 시료
14, 30 : 대안렌즈 22 : 제 1 반사부
24 : 광집중부 28 : 제 2 반사부
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부는, 반도체 기판을 이용한 시료의 전기적인 특성을 검사하기 위하여 상기 시료 상에 광(光)을 조사시키는 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부에 있어서, 상기 광을 발광시키는 광원; 상기 광원에서 발광되는 광을 반사시키는 제 1 반사부; 상기 제 1 반사부에 의해 반사된 광을 집중시키는 광집중부; 및 상기 광집중부로 집중시킨 광을 상기 시료 상에 조사시키는 제 2 반사부를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
상기 광원은 그 전력이 90W 내지 110W 정도인 할로겐 램프인 것이 바람직하다.
상기 광원은 상기 광원부의 외부에 구비하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 반사부는 거울을, 상기 광집중부는 볼록렌즈를, 상기 제 2 반사부는 상기 광을 반사시키는 반대쪽이 코팅된 반투명거울을 이용하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 반사부 및 제 2 반사부는 동일한 각도로 구비하고, 상기 동일한 각도는 상기 광이 제 1 반사부에 조사되는 광축을 기준으로 40° 내지 50° 정도인 것이 바람직하며, 45°로 구비시키는 것이 효율적이다.
본 발명에 따른 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부를 이용한 조사방법은, 반도체 기판을 이용한 시료의 전기적인 특성을 검사하기 위하여 상기 시료 상에 광(光)을 조사시키는 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부를 이용한 조사방법에 있어서, (1) 상기 광을 소정의 각도로 반사시키는 제 1 반사단계; (2) 상기 소정의 각도로 반사된 광을 집중시키는 집중단계; 및 (3) 상기 집중된 광을 소정의 각도로 반사시켜 상기 시료 상에 조사시키는 제 2 반사단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
그리고 상기 제 2 반사단계에 의해 시료 상에 조사되는 광을 투시하여 분석하는 분석단계를 더 구비하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도2는 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부의 구성의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
먼저, 광원부는 광을 발광하는 광원(20)이 구비되어 있고, 상기 광원(20)에서 발광된 광을 반사시키는 제 1 반사부(22) 및 상기 제 1 반사부(22)에 의해 반사된 광을 집중시키는 광집중부(24)가 구비되어 있다.
그리고 상기 광집중부(24)에 의해 집중된 광을 반사시켜 시료(26) 상에 조사시키는 제 2 반사부(28)가 구비되어 있고, 상기 시료(26)를 투시하는 대안렌즈(30)가 구비되어 있다.
여기서 본 발명은 상기 광원(20)을 할로겐 램프(Halogen Lamp)를 이용하고, 그 전력은 90W 내지 110W로써, 실시예에서는 100W의 할로겐 램프를 이용한다.
그리고 상기 광원(20)을 상기 구성으로 이루어지는 광원부의 외부에 구비시킨다.
또한 본 발명의 상기 제 1 반사부(22) 및 제 2 반사부(28)는 상기 광이 상기 제 1 반사부(22)에 조사되는 광축을 기준으로 40° 내지 50°의 각도의 범위 내에서 동일한 각도로 구비시킬 수 있고, 실시예에서는 상기 동일한 각도를 45°로 하여 구비시킨다.
그리고 본 발명의 상기 제 1 반사부(22)는 거울(Mirror)로, 상기 제 2 반사부(28)는 상기 광을 반사시키는 반대쪽을 코팅(Coating)한 반투명거울을 이용한다.
또한 본 발명에서 상기 광집중부(24)는 볼록렌즈로 구비된다.
전술한 구성으로 이루어지는 본 발명의 구체적인 실시예에 대한 작용 및 효과에 대하여 설명한다.
먼저, 본 발명은 100W의 전력의 할로겐 램프를 광원(20)으로 이용하여 광을 발광시킨다.
여기서 상기 광원(20)은 광원부의 외부에 구비시키는 것으로써, 상기 광원에서 발광되는 광은 광케이블을 이용하여 상기 광원부의 내부로 보내질 수 있다.
상기 광은 상기 광이 조사되는 광축을 기준으로 45°의 각도로 구비된 제 1 반사부(22)에 의해 반사가 이루어진다.
이렇게 반사된 광은 광집중부(24)에 의해 집중이 이루어진다.
여기서 상기 광집중부(24)를 볼록렌즈를 이용하기 때문에 상기 광의 집중은 분석하고자 하는 시료(26)의 크기에 따라 작업자가 임의로 조절할 수 있다.
즉, 상기 광집중부(24)로 이용되는 볼록렌즈의 배율에 따라 그 거리를 임의로 설정하면 된다.
그리고 상기 광집중부(24)에 의해 집중된 광은 제 1 반사부(22)와 동일한 각도 즉, 45°의 각도로 구비된 제 2 반사부(28)에 의해 상기 시료(26) 상에 조사된다.
이렇게 시료(26) 상에 조사된 광은 대안렌즈(30)를 통하여 작업자가 투시하고, 상기 투시한 광을 이용하여 상기 시료(26)의 전기적인 특성을 분석한다.
여기서 상기 제 2 반사부(28)는 상기 집중된 광이 반사되는 반대쪽이 코팅되어 있는 반투명렌즈로써, 상기 광원부의 명암 조절로 상기 시료 상에 조사되는 광을 제 2 반사부(28)를 통하여 대안렌즈(30)로 투시할 수 있다.
그리고 본 발명은 오목렌즈를 상기 제 2 반사부(28)로 이용하면 더욱 효율적이다.
즉, 상기 시료(26)가 위치하는 상기 광원부의 내부를 상기 광원부의 외부보다 어둡게 하여 상기 시료(26) 상에 조사되는 광을 상기 제 2 반사부(28)를 통하여 투시할 수 있다.
이러한 구성으로 이루어지는 본 발명은 상기 광을 시료(26) 상에 직접 조사하는 것이 아니라 제 1 반사부(22), 광집중부(24) 및 제 2 반사부 (28) 등을 통하여 간접 조사한다.
이에 따라 상기 광원(20)을 이용한 장시간에 걸친 분석수행시 작업자의 눈의 피로도를 격감시킨다.
그리고 상기 광원(20)을 조도가 높은 할로겐 램프를 이용함으로써 상기 시료(26) 상에 조사된 광을 선명하게 투시할 수 있어 상기 시료(26)를 정확하게 분석할 수 있고, 또한 상기 광원(20)이 외부에 설치, 구비시킴으로 인해 상기 광원(20)을 효율적으로 관리할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 분석의 신뢰도가 향상되고, 작업의 효율성이 향상되며, 장치의 유지보수의 효율성이 향상되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (12)
- 반도체 기판을 이용한 시료의 전기적인 특성을 검사하기 위하여 상기 시료 상에 광(光)을 조사시키는 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부에 있어서,상기 광을 발광시키는 광원;상기 광원에서 발광되는 광을 반사시키는 제 1 반사부;상기 제 1 반사부에 의해 반사된 광을 집중시키는 광집중부; 및상기 광집중부로 집중시킨 광을 상기 시료 상에 조사시키는 제 2 반사부;를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부.
- 제 1 항에 있어서,상기 광원은 할로겐 램프(Halogen Lamp)임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부.
- 제 2 항에 있어서,상기 할로겐 램프는 그 전력이 90W 내지 110W 정도임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부.
- 제 1 항에 있어서,상기 광원은 상기 광원부의 외부에 구비함을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 반사부는 거울(Mirror)임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 반사부 및 제 2 반사부는 동일한 각도로 구비함을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부.
- 제 6 항에 있어서,상기 동일한 각도는 상기 광이 제 1 반사부에 조사되는 광축을 기준으로 40° 내지 50° 정도임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부.
- 제 7 항에 있어서,바람직하기로는 상기 동일한 각도는 45°임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부.
- 제 1 항에 있어서,상기 광집중부는 볼록렌즈임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 반사부는 상기 광을 반사시키는 반대쪽이 코팅(Coating)된 반투명거울임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부.
- 반도체 기판을 이용한 시료의 전기적인 특성을 검사하기 위하여 상기 시료 상에 광(光)을 조사시키는 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부를 이용한 조사방법에 있어서,(1) 상기 광을 소정의 각도로 반사시키는 제 1 반사단계;(2) 상기 소정의 각도로 반사된 광을 집중시키는 집중단계; 및(3) 상기 집중된 광을 소정의 각도로 반사시켜 상기 시료 상에 조사시키는 제 2 반사단계;를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부를 이용한 광의 조사방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 2 반사단계에 의해 시료 상에 조사되는 광을 투시하여 분석하는 분석단계를 더 구비함을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부를 이용한 광의 조사방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970021023A KR19980085070A (ko) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부 및 그를 이용한 광의 조사방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970021023A KR19980085070A (ko) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부 및 그를 이용한 광의 조사방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980085070A true KR19980085070A (ko) | 1998-12-05 |
Family
ID=65988263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970021023A KR19980085070A (ko) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부 및 그를 이용한 광의 조사방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980085070A (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR940006087A (ko) * | 1992-06-30 | 1994-03-23 | 이노우에 다까오 | 자기 기록 매체의 제조 방법 |
| JPH08250391A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-27 | Nikon Corp | 位置検出用マーク及び位置検出方法 |
| KR19980069174A (ko) * | 1997-02-27 | 1998-10-26 | 김광호 | 램프 광출력 제어 장치 |
| KR19980078052A (ko) * | 1997-04-24 | 1998-11-16 | 조장연 | 반도체 칩 검사장치 및 그 방법 |
-
1997
- 1997-05-27 KR KR1019970021023A patent/KR19980085070A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR940006087A (ko) * | 1992-06-30 | 1994-03-23 | 이노우에 다까오 | 자기 기록 매체의 제조 방법 |
| JPH08250391A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-27 | Nikon Corp | 位置検出用マーク及び位置検出方法 |
| KR19980069174A (ko) * | 1997-02-27 | 1998-10-26 | 김광호 | 램프 광출력 제어 장치 |
| KR19980078052A (ko) * | 1997-04-24 | 1998-11-16 | 조장연 | 반도체 칩 검사장치 및 그 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101877468B1 (ko) | 광원 장치 및 광 생성 방법 | |
| JPH06229874A (ja) | 眼レンズ検査用照明システム | |
| JP2005283582A (ja) | 半導体部品を検査するための装置及び方法 | |
| ES2190285T3 (es) | Aparato de iluminacion. | |
| KR101248184B1 (ko) | 비전 검사용 조명 장치 | |
| KR20110016922A (ko) | 이색성 필터를 사용하는 조명 각도 제어 | |
| KR19980085070A (ko) | 반도체장치 제조용 분석장치의 광원부 및 그를 이용한 광의 조사방법 | |
| KR102421126B1 (ko) | 전동화 부품의 헤어핀 검사 장치 | |
| US20230276554A1 (en) | Stage light fixture with optical parameter detection function | |
| WO2020080071A1 (ja) | 照明装置 | |
| US8809779B2 (en) | Method and system for heating substrate in vacuum environment and method and system for identifying defects on substrate | |
| KR20190005738A (ko) | 광 조사 장치 | |
| CN108633297A (zh) | 用于机动车的探照灯 | |
| JP2002170404A (ja) | ライトガイド用照明光源 | |
| JPH07243988A (ja) | 表面検査装置 | |
| KR100400455B1 (ko) | 검사기판 조명장치 | |
| JP2579280Y2 (ja) | 照明装置 | |
| JP2009092481A (ja) | 外観検査用照明装置及び外観検査装置 | |
| JPH1030988A (ja) | 自動焦点補正方法及びその装置 | |
| KR200198455Y1 (ko) | 웨이퍼 검사용 투광장치 | |
| KR20020044545A (ko) | 광 조사 장치 | |
| JP2002313708A (ja) | エッジ露光装置 | |
| JPH1133764A (ja) | 加工点照明装置 | |
| KR970002124B1 (ko) | 자동차의 시그널램프 | |
| JP2002324404A (ja) | ファイバ照明装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| J801 | Dismissal of trial |
Free format text: REJECTION OF TRIAL FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20050207 Effective date: 20051212 |