KR19980079133A - LCD Controller RAM - Google Patents
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Abstract
액정 표시 장치 컨트롤러 램이 개시된다. 이 액정 표시 장치 컨트롤러 램은, 마이크로프로세서의 명령에 응답하여 소정의 데이타를 액정 표시 장치에 디스플레이하는 것을 제어하는 액정 표시 장치 컨트롤러에 있어서, 각각 제N램 데이타를 저장하는 제1∼제N램 셀 어레이부; 및 마이크로프로세서와 램 데이타의 독출/기입을 수행하는 입출력 셀을 구비하며, 제1∼제N램 셀 어레이부는 마이크로프로세서의 명령에 응답하여 램 데이타를 액정 표시 장치로 출력하는 것을 특징으로 한다.A liquid crystal display controller RAM is disclosed. The liquid crystal display controller RAM is a liquid crystal display controller that controls display of predetermined data on a liquid crystal display device in response to a command of a microprocessor, wherein the first to Nth RAM cells each store N-th RAM data. An array unit; And an input / output cell that reads / writes the microprocessor and the RAM data, wherein the first to Nth RAM cell array units output the RAM data to the liquid crystal display in response to a command of the microprocessor.
Description
본 발명은 액정 표시 장치(Liquid Crystal Device:LCD) 컨트롤러에 관한 것이며, 특히 모든 램 셀 어레이 부가 하나의 입출력 셀에 연결된 램 구조를 갖는 LCD 컨트롤러에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display (LCD) controller, and more particularly to an LCD controller having a ram structure in which all of the ram cell arrays are connected to one input / output cell.
LCD 컨트롤러 집적 회로(Integrated Circuit:IC)는 소정의 문자를 LCD 판넬 상에 디스플레이하는 것을 제어하는 기능을 수행하며, 기본적인 동작은 마이크로프로세서(MICROPROCESSOR UNIT:MPU)가 LCD컨트롤러 내부의 램에 디스플레이할 문자를 기록하면, LCD 컨트롤러 내부의 어드레스 카운터 또는 스캔 카운터가 주기적으로 DDRAM(Display Data RAM)을 스캐닝하여 그 글자에 해당하는 CGROM(Character Generator ROM)에 저장된 문자체, CGRAM에 저장된 사용자 정의 문자체, 또는 ICONRAM에 저장된 아이콘 모양에 해당되는 문자체를 발생시켜 LCD판넬에 디스플레이한다.The LCD controller integrated circuit (IC) controls the display of certain characters on the LCD panel. The basic operation is that the microprocessor (MICROPROCESSOR UNIT: MPU) displays the characters to be displayed in the RAM inside the LCD controller. When recording the data, the address counter or scan counter inside the LCD controller periodically scans the display data RAM (DDRAM) and stores the character stored in the character generator ROM (CGROM), the user-defined character stored in the CGRAM, or ICONRAM. Generates the font corresponding to the stored icon shape and displays it on the LCD panel.
즉, LCD 컨트롤러는 LCD판넬 상에 소정의 문자 또는 아이콘을 디스플레이 하고자 할 때, MPU가 DDRAM에 디스플레이할 글자를 기입(WRITE)하면, LCD 컨트롤러 내부의 어드레스 카운터 및 스캔 카운터는 DDRAM 데이타를 스캔하여 그 글자에 해당하는 CGROM, CGRAM 및 ICONRAM으로부터 각각의 램 데이타를 독출하고, LCD 판넬과 연결되어 직접 LCD를 구동하는 COM(COMMON)/SEG(SEGMENT) 단자로 출력함으로써, LCD의 화면 디스플레이를 제어하는 IC이다.That is, when the LCD controller wants to display certain characters or icons on the LCD panel, the MPU writes the characters to be displayed in the DDRAM, and the address counter and the scan counter inside the LCD controller scan the DDRAM data and IC to control LCD screen display by reading each RAM data from CGROM, CGRAM and ICONRAM corresponding to letters and outputting to the COM (COMMON) / SEG (SEGMENT) terminal which is directly connected to LCD panel to drive LCD. to be.
또한, LCD 컨트롤러 내부의 각 램은 원하는 위치에 소정의 문자, 사용자 정의 문자체(FONT) 및 아이콘을 디스플레이하기 위하여 MPU와 독출/기입 (READ/WRITE) 인터페이스를 수행해야 하고, 각 DDRAM/CGRAM/ICONRAM이 LCD 판넬과 연결되는 COM/SEG 단자로 디스플레이하기 위한 데이타를 출력하기 위하여 동시에 주기적으로 스캔하여 데이타 독출 작업을 수행한다. 따라서, 현재 이용되고 있는 LCD 컨트롤러는 각각의 램에 대한 대략 40바이트의 입출력(Input/Output:I/O) 셀과 80바이트의 DDRAM어레이 부, 64바이트의 CGRAM어레이 부 및 24바이트의 ICONRAM 어레이 부 용량을 필요로 하게 된다.In addition, each RAM inside the LCD controller must perform a READ / WRITE interface with the MPU in order to display certain characters, user-defined fonts (FONT) and icons in the desired position, and each DDRAM / CGRAM / ICONRAM. In order to output the data for display to the COM / SEG terminal connected to this LCD panel, the data is periodically scanned and data reading is performed. Therefore, LCD controllers currently in use include approximately 40 bytes of input / output (I / O) cells, 80 bytes of DDRAM arrays, 64 bytes of CGRAM arrays, and 24 bytes of ICONRAM arrays for each RAM. It requires capacity.
도 1(a)∼(c)는 종래의 LCD 컨트롤러의 램 셀 어레이 부를 설명하기 위한 블럭도로서, (a)는 DDRAM을 구성하는 I/O셀(120)과 DDRAM 어레이부(126)를 나타내며, (b)는 CGRAM을 구성하는 I/O셀(140)과 CGRAM 어레이부(146)를 나타내며, (c)는 ICONRAM을 구성하는 I/O셀(160)과 ICONRAM 어레이부(166)를 나타낸다. 여기에서 도 1(a)의 참조 부호 124는 DD워드 어드레스 라인을 나타내고, 1(b)의 144는 CG 워드 어드레스 라인을 나타내고, 1(c)의 164는 ICON 워드 어드레스 라인을 나타낸다.1A to 1C are block diagrams illustrating a RAM cell array unit of a conventional LCD controller. FIG. 1A illustrates an I / O cell 120 and a DDRAM array unit 126 constituting a DDRAM. (b) shows the I / O cell 140 and the CGRAM array unit 146 constituting the CGRAM, and (c) shows the I / O cell 160 and the ICONRAM array unit 166 constituting the ICONRAM. . Here, reference numeral 124 of FIG. 1 (a) denotes a DD word address line, 144 of 1 (b) denotes a CG word address line, and 164 of 1 (c) denotes an ICON word address line.
도 2는 종래의 LCD 컨트롤러의 각 램의 램 셀 어레이 부(126,146 및 166)를 구성하는 램 셀 구조를 설명하기 위한 회로도로서, 워드 어드레스 라인(WORD)과 연결된 게이트와, 데이타 라인(DB) 및 제1스토리지 노드(N1)와 연결되는 드레인 및 소스를 갖는 nMOS트랜지스터(M1), 워드 어드레스 라인과 연결된 게이트와, 상보 데이타 라인(DBB) 및 제2스토리지 노드(N2)와 연결되는 드레인 및 소스를 갖는 nMOS트랜지스터(M2), 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 연결된 제1인버터 및 제2인버터로 구성된 데이타 저장부(10)로 구성된다.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a RAM cell structure constituting the RAM cell array units 126, 146, and 166 of each RAM of a conventional LCD controller, and includes a gate connected to a word address line WORD, a data line DB, An nMOS transistor M1 having a drain and a source connected to the first storage node N1, a gate connected to the word address line, a drain and a source connected to the complementary data line DBB and the second storage node N2 are provided. The data storage unit 10 includes an nMOS transistor M2, a first inverter connected between the first node N1, and a second node N2.
도 3(a)∼(d)는 종래의 LCD 컨트롤러의 액세스 타임을 나타낸 타이밍도 로서, (a)는 각 램들과 MPU간의 독출/기입 인터페이스시의 액세스 타임이고, 도 (b), (c), (d)는 각각 DDRAM, CGRAM, ICONRAM의 스캔 동작시의 액세스 타임을 나타내는 타이밍도들이다.3A to 3D are timing diagrams showing an access time of a conventional LCD controller, wherein (a) is an access time at the read / write interface between the RAMs and the MPU, and FIGS. and (d) are timing diagrams showing the access time during the scan operation of the DDRAM, CGRAM and ICONRAM, respectively.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 각 램이 MPU와 인터페이스를 수행하거나. 각 램이 스캔 동작을 수행할 때 독출된 데이타는 데이타 버스 DB0:7를 통하여 출력된다. 종래의 LCD 컨트롤러 램은 도 2에 도시된 표준 램 셀을 사용하므로 램과 MPU와의 독출/기입 인터페이스를 수행함과 동시에 각 램의 스캔 동작을 수행하기 위해서는 도 1에 도시된 바와 같이, DDRAM/CGRAM/ICONRAM 블럭을 각각 독립적으로 구현하게 된다. 도 1(a)에 도시된 DDRAM은 40바이트의 I/O셀(120)과 80바이트의 램 셀 어레이부(126)로 구성되고, 도 1(b)에 도시된 CGRAM은 40바이트의 I/O셀(140)과 64바이트의 램 셀 어레이부(146)로 구성되며, 도 1(c)에 도시된 ICONRAM은 40바이트의 I/O셀(160)과 24바이트의 램 셀 어레이 부(166)로 구성된다.As shown in Figures 1 and 2, each RAM interfaces with the MPU. When each RAM performs a scan operation, the read data is output via the data bus DB0: 7. Since the conventional LCD controller RAM uses the standard RAM cell shown in FIG. 2, in order to perform a read / write interface between the RAM and the MPU and to perform a scan operation of each RAM, as shown in FIG. 1, DDRAM / CGRAM / Each ICONRAM block is implemented independently. The DDRAM shown in FIG. 1 (a) is composed of an I / O cell 120 of 40 bytes and a RAM cell array unit 126 of 80 bytes. The CGRAM shown in FIG. 1 (b) has an I / O cell of 40 bytes. An O cell 140 and a 64 byte RAM cell array unit 146. The ICONRAM shown in FIG. 1 (c) is a 40 byte I / O cell 160 and a 24 byte RAM cell array unit 166. It is composed of
여기에서 각 램 블럭의 I/O 셀 사이즈는 약 40바이트(BYTE) 램 셀 사이즈에 해당하며, 모든 램의 경우에 서로 동일함을 알 수 있다. 도 1(c)에 도시된 ICONRAM의 경우는 램 어레이 사이즈보다 I/O셀 사이즈가 더 큰 경우에 해당하며, 문자용 LCD 컨트롤러에서 램 사이즈는 칩 면적의 25∼35%정도를 차지하므로 각각 독립적인 램 블럭의 구조는 LCD 컨트롤러 전체 칩 사이즈에 큰 부담을 주게 된다.Herein, the I / O cell size of each RAM block corresponds to about 40 bytes (BYTE) RAM cell size, and it can be seen that all RAMs are the same. In the case of the ICONRAM shown in FIG. 1 (c), the I / O cell size is larger than the RAM array size. In the LCD controller for character, the RAM size occupies about 25 to 35% of the chip area, so each is independent. The structure of the DRAM block puts a heavy burden on the overall chip size of the LCD controller.
따라서, 종래의 LCD 컨트롤러는 내부의 램에 있어서, 하나의 I/O셀로 DDRAM/CGRAM/ICONRAM의 램 데이타를 독출하기 위한 스캔 동작을 동시에 수행할 수 없기 때문에, I/O셀을 각각 구현하기 위해서는 램 사이즈가 증가된다는 문제점이 있다.Therefore, since a conventional LCD controller cannot simultaneously perform a scan operation for reading RAM data of DDRAM / CGRAM / ICONRAM to one I / O cell in the internal RAM, it is necessary to implement each of the I / O cells. There is a problem that the RAM size is increased.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 내부의 램 셀 어레이 부들을 하나의 입출력 셀에 연결한 구조를 갖는 LCD 컨트롤러 램을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide an LCD controller RAM having a structure in which internal RAM cell array units are connected to one input / output cell.
도 1(a)∼(c)는 액정 표시 장치 컨트롤러의 종래의 램 구조를 설명하기 위한 블럭도이다.1A to 1C are block diagrams illustrating a conventional RAM structure of a liquid crystal display controller.
도 2는 도 1에 도시된 액정 표시 장치 컨트롤러의 램 셀 구조를 설명하기 위한 회로도이다.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a ram cell structure of the liquid crystal display controller illustrated in FIG. 1.
도 3(a)∼(d)는 도 1에 도시된 액정 표시 장치 컨트롤러의 액세스 타임을 나타내는 타이밍도이다.3A to 3D are timing diagrams showing an access time of the liquid crystal display controller shown in FIG.
도 4는 본 발명에 의한 LCD 컨트롤러 램과 MPU 및 LCD와의 인터페이스를 설명하기 위한 개략적인 블럭도이다.4 is a schematic block diagram illustrating an interface between an LCD controller RAM and an MPU and an LCD according to the present invention.
도 5는 도 4에 도시된 액정 표시 장치 컨트롤러 램을 설명하기 위한 개략적인 블럭도이다.FIG. 5 is a schematic block diagram illustrating a liquid crystal display controller RAM shown in FIG. 4.
도 6은 도 5에 도시된 액정 표시 장치 컨트롤러의 램 셀 구조를 설명하기 위한 바람직한 일실시예의 회로도이다.FIG. 6 is a circuit diagram of an exemplary embodiment for explaining a RAM cell structure of the liquid crystal display controller illustrated in FIG. 5.
상기 과제를 이루기 위하여, 본 발명에 의한 액정 표시 장치 컨트롤러 램은, 마이크로프로세서의 명령에 응답하여 소정의 데이타를 액정 표시 장치에 디스플레이하는 것을 제어하는 액정 표시 장치 컨트롤러에 있어서, 각각 제N램 데이타를 저장하는 제1∼제N램 셀 어레이 부; 및 마이크로프로세서와 램 데이타의 독출/기입을 수행하는 입출력 셀로 구성되는 것이 바람직하다.In order to achieve the above object, the liquid crystal display controller RAM according to the present invention, in the liquid crystal display controller for controlling the display of the predetermined data on the liquid crystal display device in response to a command of the microprocessor, each of the N-th RAM data A first to N-th RAM cell array unit for storing; And an input / output cell that reads / writes RAM data and RAM data.
이하, 본 발명에 의한 LCD 컨트롤러 램의 구성에 관하여 첨부한 도면을 참조로 하여 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, the configuration of the LCD controller RAM according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명에 따른 LCD 컨트롤러 램과 MPU 및 LCD와의 인터페이스를 설명하기 위한 개략적인 블럭도로서, 입출력 버퍼(402), 출력 레지스터(406), 입력 레지스터(420), 명령 처리부(440), 램(410), 병렬/직렬 변환부(408), 출력 신호 구동부(430)로 구성되는 LCD 컨트롤러(4)와, MPU(2) 및 LCD판넬(6)로 이루어진다. 여기에서 LCD컨트롤러(4)의 입력 레지스터부(420)는 데이타 레지스터(424)와 명령 레지스터(426)로 이루어지며, 명령 처리부(440)는 명령 디코더(442)와 어드레스 카운터(444)로 이루어지고, 출력 신호 구동부(430)는 SEG(SEGMENT)신호 구동부(432)와 COM(COMMON)신호 구동부(434)로 이루어진다.4 is a schematic block diagram illustrating an interface between an LCD controller RAM and an MPU and an LCD according to the present invention, including an input / output buffer 402, an output register 406, an input register 420, an instruction processor 440, The LCD controller 4 includes a RAM 410, a parallel / serial converter 408, and an output signal driver 430, and an MPU 2 and an LCD panel 6. Here, the input register 420 of the LCD controller 4 is composed of a data register 424 and a command register 426, and the command processor 440 is composed of a command decoder 442 and an address counter 444. The output signal driver 430 includes a SEG (SEGMENT) signal driver 432 and a COM (COMMON) signal driver 434.
도 5는 도 4에 도시된 LCD 컨트롤러(4)의 본 발명에 의한 램 구조를 설명하기 위한 블럭도로서, DDRAM(64)/CGRAM(66)/ICONRAM(68) 셀 어레이 부 및 I/O셀(62)로 이루어지며, 램 셀 어레이 부의 수는 3개에 한정되는 것이 아니라 융통적으로 그 이상이 될 수 있다.FIG. 5 is a block diagram illustrating a RAM structure according to the present invention of the LCD controller 4 shown in FIG. 4, in which a DDRAM 64 / CGRAM 66 / ICONRAM 68 cell array unit and an I / O cell are shown. (62), the number of RAM cell array portions is not limited to three, but may be more flexible.
도 4에 도시된 MPU(2)는 LCD(6)에 소정의 데이타를 디스플레이하기 위하여 LCD컨트롤러(4)에 데이타 및 명령을 전달한다. 즉, LCD 컨트롤러(4)의 램(410)에 기입(WRITE)할 데이타를 출력하고, 램(410)에 기입된 데이타는 램(410)내부에 저장되어 있는 데이타들과 함께 LCD(6)에 디스플레이하기 위한 병렬 데이타들로 변환되어 LCD(6)에 출력된다. 따라서, LCD(6)는 LCD 컨트롤러(4)에서 출력된 데이타들을 이용하여 표시하고자 하는 문자 또는 아이콘들로 조합된 화면을 디스플레이할 수 있다. 또한, MPU(2)는 출력된 램 데이타를 다시 독출함으로써, LCD 컨트롤러(4)가 LCD(6)에 정확한 데이타를 전송하였는지를 확인하는 것이 가능하다. LCD(6)는 MPU(2)의 명령에 응답하여 LCD 컨트롤러(4)의 COM(COMMON)/SEG(SEGMENT)단자를 통하여 출력되는 램(410) 데이타로서 지정된 문자 또는 아이콘을 지정된 위치에 디스플레이한다. LCD 컨트롤러(4)의 입출력 버퍼(402)는 LCD 컨트롤러(4)가 MPU(2)와 데이타 인터페이스를 수행하는 직접적인 경로로서 MPU(2)와의 모든 데이타 입출력은 입출력 버퍼(402)를 통하여 이루어진다.The MPU 2 shown in FIG. 4 transfers data and commands to the LCD controller 4 in order to display predetermined data on the LCD 6. That is, data to be written to the RAM 410 of the LCD controller 4 is outputted, and the data written to the RAM 410 together with the data stored in the RAM 410 to the LCD 6. It is converted into parallel data for display and output to the LCD 6. Therefore, the LCD 6 can display a screen combined with characters or icons to be displayed using data output from the LCD controller 4. In addition, the MPU 2 reads the output RAM data again, whereby it is possible to confirm whether the LCD controller 4 has transmitted the correct data to the LCD 6. The LCD 6 displays, in response to a command from the MPU 2, a character or icon designated as RAM 410 data output through the COM (COMMON) / SEG (SEGMENT) terminal of the LCD controller 4 at a designated position. . The input / output buffer 402 of the LCD controller 4 is a direct path through which the LCD controller 4 performs a data interface with the MPU 2. All data input / output with the MPU 2 is performed through the input / output buffer 402.
또한, 데이타 레지스터(404)는 입출력 버퍼(402)를 통하여 입력된 데이타를 저장하고, 램(410)으로 출력하거나 램(410)으로부터 출력된 데이타를 출력 레지스터(406)과 입출력 버퍼(402)를 통하여 MPU(2)로 출력한다. 명령 레지스터(406)는 MPU(2)로부터 입력된 명령을 일시 저장하며 저장된 명령은 명령 디코더(442)와 어드레스 카운터(444)에 각각 입력되고, 명령 디코더(442)는 실행해야 하는 명령을 디코딩하여 램(410)으로 출력한다. 어드레스 카운터(444)는 명령에 상응하는 어드레스를 램(410)으로 출력한다. 램(410)은 LCD(6)에 디스플레이하고자 하는 문자 또는 아이콘 데이타를 저장하며, MPU(2)로부터 새로운 데이타를 기입하거나 램(410)의 데이타를 MPU(2) 또는 LCD(6)로 독출하는 것이 가능하다. 병렬/직렬 변환부(408)는 램(410)으로부터 출력된 병렬 데이타를 직렬로 변환하여 출력하고, 출력 신호 구동부(430)의 SEG신호 구동부(432)는 램(410)으로부터 출력된 직렬 데이타를 n비트의 병렬 신호로 변환하며, 변환된 n비트의 신호를 세그먼트(SEGMENT)단자를 통하여 LCD(6)로 출력한다. COM신호 구동부(434)는 램(410)으로부터 출력된 데이타를 m비트의 커먼(COMMON) 신호로 변환하고, 변환된 m비트의 데이타를 COM단자를 통하여 LCD(6)로 출력한다.In addition, the data register 404 stores data input through the input / output buffer 402 and outputs the data to the RAM 410 or outputs the data output from the RAM 410 to the output register 406 and the input / output buffer 402. Output to the MPU (2) through. The instruction register 406 temporarily stores the instructions input from the MPU 2, and the stored instructions are input to the instruction decoder 442 and the address counter 444, respectively, and the instruction decoder 442 decodes the instruction to be executed. Output to RAM 410. The address counter 444 outputs an address corresponding to the command to the RAM 410. The RAM 410 stores character or icon data to be displayed on the LCD 6, writes new data from the MPU 2, or reads data from the RAM 410 to the MPU 2 or LCD 6. It is possible. The parallel / serial converter 408 converts the parallel data output from the RAM 410 in series and outputs the serial data. The SEG signal driver 432 of the output signal driver 430 outputs the serial data output from the RAM 410. The signal is converted into an n-bit parallel signal, and the converted n-bit signal is output to the LCD 6 through the segment terminal. The COM signal driver 434 converts the data output from the RAM 410 into an m-bit common signal, and outputs the converted m-bit data to the LCD 6 through the COM terminal.
도 5에 도시된 램(410)의 I/O셀(62)은 도 4에 도시된 MPU(2)와 독출/기입 인터페이스를 수행하기 위한 경로로서, 종래와는 달리, 하나의 I/O셀(62)이 각각의 램 셀 어레이 부(64, 66및 68)에 공유된 형태로서 복수 개의 램들이 하나로 통합된 구조이다. 또한, 각각의 램 셀 어레이 부는 복수 개의 램 셀들(예를 들어, 647, 667 및 687)로 이루어진다. MPU(2)가 램 데이타를 독출하거나 기입하는 것은 워드 어드레스 라인들(WORD)(640,660,680)에 상응하는 램 위치의 데이타를 독출 또는 기입함으로써 I/O셀(62)의 데이타 버스 DB0:k를 통하여 이루어진다. 또한, MPU(2)의 명령에 응답하여 LCD(6)로 램 데이타를 출력하는 것은 스캔 어드레스(SCAN) (644,664,684)에 상응하여 각 램 셀 어레이 부(64, 66및 68)의 출력 데이타 버스 DOUT10:k, DOUT20:k, 및 DOUT30:k를 통하여 LCD(6)로 출력된다.The I / O cell 62 of the RAM 410 shown in FIG. 5 is a path for performing a read / write interface with the MPU 2 shown in FIG. 4. 62 is shared to each of the RAM cell array units 64, 66, and 68, in which a plurality of RAMs are integrated into one. In addition, each ram cell array unit is composed of a plurality of ram cells (eg, 647, 667, and 687). The MPU 2 reads or writes RAM data through the data bus DB0: k of the I / O cell 62 by reading or writing data at a RAM position corresponding to word address lines (WORD) 640, 660, 680. Is done. In addition, outputting the RAM data to the LCD 6 in response to the command of the MPU 2 is the output data bus DOUT10 of each RAM cell array unit 64, 66, and 68 corresponding to the scan address (SCAN) 644,664,684. is output to the LCD 6 via: k, DOUT20: k, and DOUT30: k.
도 6은 도 5에 도시된 LCD 컨트롤러(4)의 램 셀 어레이 부(64,66,68)를 구성하는 램 셀의 회로도로서, 워드 어드레스 라인(WORD)과 연결된 게이트와, 데이타 라인(DB)과 제1스토리지 노드 사이에 연결되는 드레인 및 소스를 갖는 제1트랜지스터(NT1), 워드 어드레스 라인(WORD)과 연결된 게이트와, 상보 데이타 라인(DBB)과 제2스토리지 노드 사이에 연결된 드레인 및 소스를 갖는 제2트랜지스터(NT2), 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 연결되고, 제1노드(N1) 또는 제2노드(N2)의 데이타를 저장하며, 제1인버터 및 제2인버터로 구성된 데이타 저장부(20), 제1노드(N1) 또는 제2노드(N2)의 데이타를 입력하여 스캔 어드레스 라인(SCAN) 또는 상보 스캔 어드레스 라인(SCANB)에 상응하는 데이타를 출력하는 3상태 인버터(25)로 이루어진다.FIG. 6 is a circuit diagram of a RAM cell constituting the RAM cell array units 64, 66, and 68 of the LCD controller 4 shown in FIG. 5, the gate connected to the word address line WORD, and the data line DB. A first transistor NT1 having a drain and a source connected between the first and second storage nodes, a gate connected to the word address line WORD, and a drain and a source connected between the complementary data line DBB and the second storage node. It is connected between the second transistor (NT2) having a first node (N1) and the second node (N2), and stores the data of the first node (N1) or the second node (N2), the first inverter and the first Inputting data of the data storage unit 20, the first node N1, or the second node N2 composed of two inverters to output data corresponding to the scan address line SCAN or the complementary scan address line SCANB It consists of a three-state inverter 25.
이하, 본 발명에 의한 LCD컨트롤러(4) 램(410)의 동작에 관하여 도 4, 5 및 6을 참조하여 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, the operation of the LCD controller 4 RAM 410 according to the present invention will be described with reference to FIGS. 4, 5, and 6 as follows.
도 4에 도시된 바와 같이, LCD판넬(6)에 원하는 문자 또는 아이콘을 디스플레이하기 위해서 MPU(2)는 소정의 램 데이타들을 LCD 컨트롤러(4)의 램(410)에 기입하고, 기입된 데이타를 LCD(6)에 디스플레이하기 위해 LCD컨트롤러(4) 내부 램(410)의 램 셀 어레이 부 예를 들어, DDRAM(64), CGRAM(66) 및 ICONRAM(68) 셀 어레이 부로부터 해당되는 램 데이타를 병렬 데이타로 변환하여 LCD(6)를 구동하는데 직접 사용되는 소정 비트의 SEG신호와 COM신호로서 출력한다. 즉, MPU(2)로부터 LCD컨트롤러(4)의 입출력 버퍼(402)에 입력된 데이타는 입력 레지스터(420)의 데이타 레지스터(424)와 명령 레지스터(426)로 각각 입력된다. 데이타 레지스터(424)는 LCD(6)에 디스플레이하고자하는 데이타를 일시 저장하였다가 램(410)에 출력하고, 명령 레지스터(426)는 램(410)에 저장된 데이타를 LCD(6)의 어느 위치에 언제 출력해야 하는지를 명령한다. 또한, LCD(6)에 출력된 램 데이타가 올바른지를 확인하기 위하여 출력된 램 데이타를 다시 MPU(2)에 전송하도록 명령한다. 즉, 명령 레지스터(426)의 명령 디코더(442)는 MPU(2)로부터 입력된 명령을 디코딩하여 램(410)에 전달하고, 어드레스 카운터(444)는 데이타를 램(410)의 어느 위치에 기입하거나 독출해야 하는지를 알려준다. 또한, 램(410)의 어느 위치의 데이타를 독출하여 LCD(6)에 출력해야 하는지를 지정하기 위한 어드레스를 램(410)에 출력한다.As shown in Fig. 4, in order to display desired characters or icons on the LCD panel 6, the MPU 2 writes predetermined RAM data into the RAM 410 of the LCD controller 4, and writes the written data. The RAM cell array portion of the RAM 410 inside the LCD controller 4 for display on the LCD 6, for example, the corresponding RAM data from the DDRAM 64, CGRAM 66 and ICONRAM 68 cell array portions. The data is converted into parallel data and output as a SEG signal and a COM signal of a predetermined bit which are directly used to drive the LCD 6. That is, data input from the MPU 2 to the input / output buffer 402 of the LCD controller 4 is input to the data register 424 and the command register 426 of the input register 420, respectively. The data register 424 temporarily stores the data to be displayed on the LCD 6 and outputs the data to the RAM 410, and the command register 426 stores the data stored in the RAM 410 at a position of the LCD 6. Command when to print. Further, the RAM data output to the LCD 6 is instructed to be transferred back to the MPU 2 in order to confirm whether the RAM data output to the LCD 6 is correct. That is, the instruction decoder 442 of the instruction register 426 decodes the instruction inputted from the MPU 2 and delivers the instruction to the RAM 410, and the address counter 444 writes data to a position of the RAM 410. Tells you whether or not to read. In addition, an address for designating which position of the RAM 410 should be read and output to the LCD 6 is output to the RAM 410.
여기에서, MPU(2)가 램(410)에 데이타를 기입하기 위해서는 LCD 컨트롤러(4)의 어드레스 카운터(444)에서 출력된 MPU 워드 어드레스에 상응하는 램(410)의 위치에 지정된 데이타를 기입한다. 또한, MPU(2)의 명령에 응답하여 LCD(6)에 데이타를 디스플레이하기 위해서는 LCD 컨트롤러(4)의 내부에 존재하는 스캔 카운터로부터 출력된 스캔 어드레스(SCAN)에 상응하는 램 데이타를 독출하여 병렬/직렬 변환부(408)와 출력 신호 구동부(430)를 통하여 LCD(6)로 출력된다.Here, in order for the MPU 2 to write data to the RAM 410, the MPU 2 writes data designated at the position of the RAM 410 corresponding to the MPU word address output from the address counter 444 of the LCD controller 4. . In addition, in order to display data on the LCD 6 in response to a command of the MPU 2, the RAM data corresponding to the scan address SCAN output from the scan counter present in the LCD controller 4 is read out and parallelized. It is output to the LCD 6 via the / serial converter 408 and the output signal driver 430.
도 6에 도시된 램 셀의 회로도를 참조하여 MPU(2)와의 독출/기입 인터페이스와 LCD(6)의 디스플레이를 위한 스캔 동작에 관해 상세히 설명한다.A read / write interface with the MPU 2 and a scan operation for the display of the LCD 6 will be described in detail with reference to the circuit diagram of the ram cell shown in FIG.
도 6에 도시된 바와 같이 램 셀을 변경하면, 램(410)과 MPU(2)와의 독출/기입은 공유된 I/O셀(62)을 통하여 MPU 워드 어드레스 라인(WORD)(640,660,680)에 의해 인에이블되어 데이타 라인(DB)과 상보 데이타 라인(DBB)에 의해서 종래의 방식과 동일하게 이루어진다. 즉, 해당 워드 어드레스 라인(WORD)에 의해서 액세스되어 해당 데이타 라인(DB)과 상보 데이타 라인(DBB)을 통하여 데이타의 독출/기입이 이루어진다. 예를 들어, MPU(2)와 램(410)의 DDRAM 어레이 부(64)의 독출/기입 인터페이스를 수행할 때, 데이타 라인(DB) 또는 상보 데이타 라인(DBB)으로부터 램 셀(647)의 제1스토리지 노드(N1) 또는 제2스토리지 노드(N2)에 지정된 데이타를 기입하고자 하면, 워드 어드레스 라인(WORD)(640)에 하이를 인가하여 nMOS트랜지스터(NT1 및 NT2)를 구동시킨 후에, 데이타 저장부(20)의 노드(N1 또는 N2)에 데이타가 저장되도록 한다. 또한, MPU(2)가 램 셀(647)의 데이타 저장부(20)에 저장되어 있는 데이타를 독출하고자 할 때도, 마찬가지로 워드 어드레스 라인(WORD)(640)에 하이를 인가함으로써 nMOS트랜지스터들(NT1 및 NT2)을 구동시켜 제1스토리지 노드(N1) 또는 제2스토리지 노드(N2)에 저장되어 있는 데이타를 독출하며, 독출된 데이타는 I/O셀(62)의 데이타 버스 DB0:k를 통하여 출력 레지스터(406)로 출력되어 MPU(2)에 전달된다.As shown in FIG. 6, when the RAM cell is changed, read / write of the RAM 410 and the MPU 2 is performed by the MPU word address lines (WORD) 640, 660, and 680 through the shared I / O cell 62. It is enabled and made in the same manner as the conventional method by the data line DB and the complementary data line DBB. That is, data is read / written through the data line DB and the complementary data line DBB by the word address line WORD. For example, when performing a read / write interface between the MPU 2 and the DDRAM array portion 64 of the RAM 410, the RAM cell 647 may be removed from the data line DB or the complementary data line DBB. When writing data designated to one storage node N1 or second storage node N2, high is applied to the word address line WORD 640 to drive the nMOS transistors NT1 and NT2, and then the data is stored. Data is stored in the node N1 or N2 of the unit 20. In addition, when the MPU 2 tries to read data stored in the data storage 20 of the RAM cell 647, the nMOS transistors NT1 are similarly applied by applying high to the word address line (WORD) 640. And NT2) to read data stored in the first storage node N1 or the second storage node N2, and the read data is output through the data bus DB0: k of the I / O cell 62. It is output to the register 406 and passed to the MPU 2.
한편, LCD판넬에 문자 또는 아이콘과 같은 화면 표시 데이타들을 디스플레이하기 위해, 입력된 스캔 어드레스(SCAN)에 상응하는 램(410)의 각 DDRAM(64)/ CGRAM(66)/ICONRAM(68) 셀 어레이 부의 데이타를 독출하는 스캔 동작을 수행할 때, 램 셀(647)의 데이타 저장부(20)에 저장된 데이타를 독출하기 위해서는 스캔 어드레스 입력부(630)로부터 입력된 스캔 어드레스(SCAN)가 지정하는 위치의 데이타를 읽어내어 I/O셀과는 별개의 출력 단자 즉, 출력 데이타 버스 DOUT0:k를 통하여 출력한다. 즉, DDRAM 어레이 부의 데이타를 스캔하여 독출하고자 할 때, 스캔 어드레스(SCAN)(644)에 상응하는 데이타를 도 6에 도시된 데이타 저장부(20)로부터 읽어내어 출력 데이타 버스 DOUT10:k을 통하여 병렬/직렬 변환부(408)로 출력하고, 출력된 직렬 데이타는 출력 신호 구동부(430)의 SEG신호 구동부(432)와 COM신호 구동부(434)에서 각가 n비트의 SEG신호와 m비트의 COM신호로 변환되어 출력된다.Meanwhile, in order to display screen display data such as characters or icons on the LCD panel, each DDRAM 64 / CGRAM 66 / ICONRAM 68 cell array of RAM 410 corresponding to the input scan address (SCAN). When performing a scan operation for reading negative data, a position designated by a scan address SCAN input from the scan address input unit 630 to read data stored in the data storage unit 20 of the RAM cell 647 is read. Reads the data from the I / O cell and outputs it via the output data bus DOUT0: k. That is, when the data of the DDRAM array unit is to be read and read, data corresponding to the scan address (SCAN) 644 is read from the data storage unit 20 shown in FIG. 6 and paralleled through the output data bus DOUT10: k. And the serial data outputted to the serial converter 408, and the output serial data is converted into an n-bit SEG signal and an m-bit COM signal by the SEG signal driver 432 and the COM signal driver 434 of the output signal driver 430. The output is converted.
도 6에 도시된 램 셀의 회로도를 이용하여 상세히 설명하면, LCD 컨트롤러(4)의 어드레스 카운터(444)와 스캔 카운터가 DDRAM 데이타를 스캐닝하여 해당 어드레스의 데이타를 읽어내는 스캔 동작 수행 시, DD스캔 어드레스(SCAN)에 상응하는 제2노드(N2)에 저장되어 있던 데이타는 3상태 인버터(25)로 입력되고, 3상태 인버터(25)로 입력된 하이 또는 로우 데이타는 DD스캔 어드레스(SCAN)(644)가 로우 상태 즉, 상보 스캔 어드레스(SCANB)가 하이일때 반전되어 출력 단자 DOUT10:k를 통하여 출력된다. 또한, 스캔 어드레스(SCAN)(644)가 하이 즉, 상보 스캔 어드레스(SCANB)가 로우일 때는 출력이 하이 임피던스 상태가 되어 플로팅 상태를 유지한다. 마찬가지로 CGRAM, ICONRAM 블럭에서도 각각 지정된 CGRAM 스캔 어드레스 및 ICONRAM 스캔 어드레스에 상응하는 데이타를 출력 단자 DOUT20:k와 DOUT30:k를 통하여 출력한다.Referring to FIG. 6 in detail with reference to the circuit diagram of the RAM cell, the DD scan when the address counter 444 and the scan counter of the LCD controller 4 scan DDRAM data to read the data of the corresponding address. Data stored in the second node N2 corresponding to the address SCAN is input to the tri-state inverter 25, and high or low data input to the tri-state inverter 25 is stored in the DD scan address SCAN ( When 644 is low, that is, the complementary scan address SCANB is high, it is inverted and output through the output terminal DOUT10: k. In addition, when the scan address (SCAN) 644 is high, that is, the complementary scan address (SCANB) is low, the output is in a high impedance state to maintain a floating state. Similarly, the data corresponding to the specified CGRAM scan address and ICONRAM scan address are also output through the output terminals DOUT20: k and DOUT30: k in the CGRAM and ICONRAM blocks.
결국, 도 6에 도시된 3상태 인버터(25)를 이용하여 램(410)의 각 램 셀 어레이 부가 MPU(2)와 독립적으로 스캔 동작을 수행할 수 있으므로 I/O 셀(62)을 공유할 수 있게 되고, LCD 컨트롤러(4) 내부의 램 셀 구조를 도 6과 같이 수정하면, 도 1에 도시된 종래의 DD/CG/ICONRAM 블럭은 하나의 I/O 셀(62)에 연결된 구조를 가질 수 있다. 따라서, MPU(2)와의 독출/기입 인터페이스는 종래와 마찬가지로 워드 어드레스(WORD)에 상응하여 하나의 I/O셀의 데이타 버스 즉, 입출력 단자 DB0:k를 통하여 수행되고, DDRAM(64)이 스캔 동작을 수행할 때는 DDRAM 셀 어레이 부(64)와 연결된 DD 스캔 어드레스에 상응하여 출력 단자 DOUT10:k를 통해 독출된 데이타가 출력되며, CGRAM 스캔 독출 수행 시에는 CGRAM 어레이(66)에 연결된 CG 스캔 어드레스에 상응하여 출력 단자 DOUT20:k를 통해 독출된 데이타가 출력된다. 마찬가지로, ICONRAM(68) 스캔 독출 수행 시에는 ICONRAM 어레이(68)에 연결된 ICON 스캔 어드레스에 상응하여 출력 단자 DOUT30:k를 통하여 독출된 데이타가 출력된다.As a result, each of the RAM cell arrays of the RAM 410 may perform the scan operation independently of the MPU 2 using the tri-state inverter 25 illustrated in FIG. 6, thereby sharing the I / O cell 62. When the structure of the RAM cell inside the LCD controller 4 is modified as shown in FIG. 6, the conventional DD / CG / ICONRAM block shown in FIG. 1 has a structure connected to one I / O cell 62. Can be. Accordingly, the read / write interface with the MPU 2 is performed through the data bus of one I / O cell, that is, the input / output terminals DB0: k, corresponding to the word address WORD, as in the prior art, and the DDRAM 64 scans. When performing the operation, data read through the output terminal DOUT10: k is output corresponding to the DD scan address connected to the DDRAM cell array unit 64, and when performing CGRAM scan read, the CG scan address connected to the CGRAM array 66 is performed. Correspondingly, the data read out through the output terminal DOUT20: k is output. Similarly, when performing the ICONRAM 68 scan read, the data read out through the output terminal DOUT30: k is output corresponding to the ICON scan address connected to the ICONRAM array 68.
따라서, LCD컨트롤러의 램을 도 5와 같이 구성하면, 도 3(a)∼(d)에 도시된 것과 마찬가지의 램 액세스 타임을 유지하면서 각각의 출력 단자 DOUT10:k, DOUT20:k, DOUT30:k를 통하여 스캔 데이타를 출력할 수 있다. 또한, 세 개의 램을 갖는 LCD컨트롤러 뿐만 아니라, 모든 LCD 컨트롤러에 적용하는 것이 가능하다.Therefore, when the RAM of the LCD controller is configured as shown in Fig. 5, the respective output terminals DOUT10: k, DOUT20: k, and DOUT30: k are maintained while maintaining the same RAM access time as shown in Figs. 3A to 3D. Scan data can be output through. It is also possible to apply to all LCD controllers as well as LCD controllers with three RAMs.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 LCD 컨트롤러 램은 입출력 셀을 공유함으로써 종래의 램 사이즈와 입출력 셀 블럭 두 개의 면적(약 80바이트)에 약 20%의 램 셀 사이즈 증가분을 감안할 때 약 64바이트 분의 면적을 줄일 수 있을 뿐 아니라, 이를 램 블록 전체 칩 사이즈로 계산하면, 약 22%의 칩 사이즈 감쇠 효과를 얻을 수 있다. 또한, 램 구조를 변경함으로써 독립적인 스캔이 가능하므로 램 스캔 제어 타임 설계를 용이하게 할 수 있다.As described above, the LCD controller RAM according to the present invention shares an input / output cell so that the conventional RAM size and the area of two input / output cell blocks (approximately 80 bytes) in about 20% of RAM cell size increase are approximately 64 bytes. In addition to reducing the area of the minute, calculating the total chip size of the RAM block yields a chip size attenuation of about 22%. In addition, the independent scan is possible by changing the RAM structure, which facilitates the design of the ram scan control time.
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