KR19980077347A - Contamination Prevention Baking Apparatus and Baking Method on Backside of Wafer - Google Patents

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윤종용
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

사진공정에서 포토레지스트를 도포하고 베이킹 공정을 진행하는데 사용되는 웨이퍼 이면의 오염을 억제할 수 있는 베이킹 장치 및 베이킹 방법에 관하여 개시한다. 이를 위하여 본 발명에서는 웨이퍼를 안착할 수 있는 원형의 플레이트(plate)와, 상기 플레이트의 표면에 구성된 기체 분사구와, 상기 플레이트의 표면에 상기 기체 분사구와 다른 위치에 구성된 웨이퍼 지지핀과, 상기 기체 분사구와 연결되어 플레이트의 외부에 구성된 공기 펌프를 구비하는 것을 특징으로 하는 베이킹 장치에 사용되는 웨이퍼 이면의 오염 방지용 플레이트 및 이를 이용한 베이킹 방법을 제공한다. 따라서, 베이킹 공정에서 플레이트의 표면에 웨이퍼가 흡착되지 않고 일정한 간격으로 공기압에 의하여 부양되게 만들어서 웨이퍼의 이면이 포토레지스트나 현상액과 같은 오염물질로부터 오염되는 것을 방지하여 반도체 제조공정에서 많은 문제를 야기하는 파티클의 발생을 억제할 수 있다.Disclosed are a baking apparatus and a baking method capable of suppressing contamination of the back surface of a wafer used for applying a photoresist in a photolithography process and performing a baking process. To this end, in the present invention, a circular plate on which the wafer can be seated, a gas injection hole formed on the surface of the plate, a wafer support pin formed at a position different from the gas injection hole on the surface of the plate, and the gas injection hole It provides a plate for preventing contamination of the back surface of the wafer used in the baking apparatus, characterized in that it comprises an air pump configured to be connected to the outside of the plate and a baking method using the same. Therefore, in the baking process, the wafer is not adsorbed on the surface of the plate and is floated by air pressure at regular intervals, thereby preventing the back surface of the wafer from being contaminated from contaminants such as photoresist or developer, causing many problems in the semiconductor manufacturing process. The generation of particles can be suppressed.

Description

웨이퍼 이면의 오염 방지용 베이킹 장치 및 베이킹 방법Contamination Prevention Baking Apparatus and Baking Method on Backside of Wafer

본 발명은 반도체 제조공정에 관한 것으로, 상세하게는 사진공정에서 포토레지스트를 도포하고 베이킹 공정을 진행하는데 사용되는 베이킹 장치 및 베이킹 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing process, and more particularly, to a baking apparatus and a baking method used to apply a photoresist in a photographic process and to proceed with a baking process.

반도체 제조공정 중에서 베이킹 공정은 웨이퍼의 표면에 포토레지스트를 도포하고 포토레지스트에 포함되어 있는 용제(solvent) 성분을 증발시키는 열처리 공정을 말한다. 이러한 포토레지스트의 용제 성분을 증발시키는 이유는 용제(solvent) 성분이 포토레지스트 내에 남아 있으면 후속되는 노광 공정(Development process)에서 화학반응이 방해를 받는 문제를 방지하기 위함이다. 또한, 포토레지스트 내의 용제(solvent) 성분을 증발시킴으로써 포토레지스트가 웨이퍼의 표면에 잘 달라 붙게 되어, 공정간 파티클의 발생을 억제함과 동시에 식각공정에서 언더컷을 줄이면서 보다 정교한 패턴의 가공이 용이하다.In the semiconductor manufacturing process, the baking process refers to a heat treatment process in which a photoresist is applied to a surface of a wafer and a solvent component contained in the photoresist is evaporated. The reason for evaporating the solvent component of the photoresist is to prevent the problem that the chemical reaction is disturbed in the subsequent development process if the solvent component remains in the photoresist. In addition, by evaporating the solvent component in the photoresist, the photoresist adheres well to the surface of the wafer, thereby suppressing the generation of particles during the process and at the same time reducing the undercut during the etching process, making it easier to process more sophisticated patterns. .

도 1 및 도 2는 종래의 베이킹 장치의 플레이트를 나타낸 단면도 및 사시도이다.1 and 2 are a cross-sectional view and a perspective view showing a plate of a conventional baking apparatus.

도 1을 참조하면, 종래의 베이킹 장치의 플레이트를 나타낸 단면도로서, 베이킹 장비에서 웨이퍼(3)를 안착시킬 수 있는 플레이트(1)에 진공흡착홀(5)이 형성되어 있는 모습을 보여준다. 이러한 진공흡착홀(5)은 플레이트(1)와 연결된 진공라인(7)에 연결되어 진공을 사용하여 웨이퍼(3)를 흡착하여 고정시키도록 되어 있다. 이렇게 고정이 된 웨이퍼(3)는 외부로 가해지는 열에 의하여 웨이퍼 표면에 도포(coating)된 포토레지스트가 베이킹(baking)이 된다.Referring to FIG. 1, a cross-sectional view of a plate of a conventional baking apparatus shows a state in which a vacuum suction hole 5 is formed in a plate 1 on which a wafer 3 may be seated in a baking apparatus. The vacuum suction hole 5 is connected to the vacuum line 7 connected to the plate 1 so as to suck and fix the wafer 3 by using a vacuum. The fixed wafer 3 is baked with photoresist coated on the wafer surface by heat applied to the outside.

여기서, 웨이퍼의 이면(backside)이 베이킹 장비중의 플레이트에 흡착되는 메커니즘은, 연속적으로 처리되는 웨이퍼에 있어서. 웨이퍼의 이면에 포토레지스트나 현상액과 같은 오염물질이 묻어 있는 경우에는 플레이트 표면을 오염시킴으로 말미암아 다른 오염되지 않은 웨이퍼의 이면에까지 오염을 확산시키는 매개체의 역할을 한다. 따라서, 상술한 경로를 통하여 확산된 웨이퍼 이면의 오염은 공정간에 파티클(particle)을 유발시켜 반도체 소자의 제조공정에서 많은 악영향을 미치는 원인이 된다.Here, the mechanism by which the backside of the wafer is adsorbed to the plate in the baking equipment is for a wafer that is processed continuously. If contaminants such as photoresist or developer are deposited on the backside of the wafer, it contaminates the surface of the plate, thereby acting as a medium to spread the contamination to the backside of other uncontaminated wafers. Therefore, contamination of the back surface of the wafer diffused through the above-described paths causes particles between processes, causing a lot of adverse effects in the manufacturing process of the semiconductor device.

도 2를 참조하면, 상기 도 1의 사시도로서, 플레이트(1)의 표면에 진공흡착홀(5)이 원형의 플레이트(1) 내에 플레이트(1)의 원반경보다 작은 반경으로 형성되어 있고, 웨이퍼 지지핀(9)이 진공흡착홀(5)의 외부에 형성되어 있는 형상을 보여준다. 여기서, 상기 웨이퍼 지지핀(9)은 진공흡착홀(5)을 통하여 웨이퍼를 고정시키기 전에 웨이퍼를 지지해 주고, 웨이퍼에 충격이 가해지는 충격을 완화시켜 주는 역할을 한다. 그러나, 일단 진공라인을 통하여 웨이퍼가 고정되면 웨이퍼 지지핀(9)은 플레이트(1)의 표면 안쪽으로 들어가게 되므로 웨이퍼를 흡착하는 데에는 아무런 영향을 주지 않도록 설계되어 있다.Referring to FIG. 2, in the perspective view of FIG. 1, a vacuum suction hole 5 is formed on the surface of the plate 1 in a circular plate 1 with a radius smaller than the radius of the plate 1. The support pin 9 shows the shape formed on the outside of the vacuum suction hole (5). Here, the wafer support pin 9 supports the wafer before fixing the wafer through the vacuum suction hole 5, and serves to mitigate the impact of the impact on the wafer. However, once the wafer is fixed through the vacuum line, the wafer support pin 9 enters the inside of the surface of the plate 1, and is designed to have no influence on adsorbing the wafer.

상술한 종래 기술에 있어서의 문제점은 웨이퍼를 베이킹하기 위하여 플레이트에 웨이퍼를 안착하는 과정에서 웨이퍼의 이면이 플레이트의 표면에 흡착됨으로 인하여 웨이퍼의 이면에 포토레지스트나 현상액과 같은 오염물질을 유발하여 공정 전체를 통하여 파티클이 증가하는 문제점이 있었다.The problem in the above-described prior art is that in the process of seating the wafer on the plate to bake the wafer, the back side of the wafer is adsorbed on the surface of the plate, causing contaminants such as photoresist or developer on the back side of the wafer, so that the whole process There was a problem that the particles increase through.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 제조공정의 베이킹 공정에서 웨이퍼의 이면에 오염을 방지할 수 있는 베이킹 장치에 사용되는 웨이퍼 이면의 오염 방지용 플레이트를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a contamination prevention plate on a back surface of a wafer used in a baking apparatus capable of preventing contamination on a back surface of a wafer in a baking process of a semiconductor manufacturing process.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 장치를 이용한 웨이퍼 이면의 오염을 방지하는 베이킹 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a baking method for preventing contamination of the back surface of the wafer using the apparatus.

도 1 및 도 2는 종래의 베이킹(baking) 장치의 플레이트를 나타낸 단면도 및 사시도이다.1 and 2 are a cross-sectional view and a perspective view showing a plate of a conventional baking apparatus.

도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 베이킹 장치의 플레이트를 나타낸 단면도 및 사시도이다.3 and 4 are a cross-sectional view and a perspective view showing a plate of the baking apparatus according to the present invention.

도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명Brief description of symbols for the main parts of the drawings

100: 플레이트,102: 웨이퍼,100: plate, 102: wafer,

104: 기체 분사구,106: 공기 펌프,104: gas nozzle, 106: air pump,

108: 웨이퍼 지지핀.108: wafer support pin.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 웨이퍼를 안착할 수 있는 원형의 플레이트(plate)와, 상기 플레이트의 표면에 구성된 기체 분사구와, 상기 플레이트의 표면에 상기 기체 분사구와 다른 위치에 구성된 웨이퍼 지지핀과, 상기 기체 분사구와 연결되어 플레이트의 외부에 구성된 공기 펌프를 구비하는 것을 특징으로 하는 베이킹 장치에 사용되는 웨이퍼 이면의 오염 방지용 플레이트를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a circular plate on which a wafer can be seated, a gas injection port formed on the surface of the plate, and a wafer configured at a position different from the gas injection port on the surface of the plate. It provides a plate for preventing contamination of the back surface of the wafer used in the baking device, characterized in that it comprises a support pin and an air pump connected to the gas injection port configured on the outside of the plate.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 기체 분사구는 1개 이상 구성된 것이 적합하다.According to a preferred embodiment of the present invention, the gas injection port is preferably configured with one or more.

상기의 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 웨이퍼를 안착할 수 있는 원형의 플레이트(plate)와, 상기 플레이트의 표면에 구성된 기체 분사구와, 상기 플레이트의 표면에 상기 기체 분사구와 다른 위치에 구성된 웨이퍼 지지핀과, 상기 기체 분사구와 연결되어 플레이트의 외부에 구성된 공기 펌프를 구비한 베이킹 장치를 통한 베이킹 방법에 있어서, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 베이킹 장치의 플레이트로 로딩하는 단계와, 상기 웨이퍼가 플레이트에 안착되기 직전에 웨이퍼를 플레이트의 표면에서 부양시키는 단계와, 상기 웨이퍼에 열을 가하여 포토레지스트를 베이킹(baking)하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이면의 오염을 방지하는 베이킹 방법을 제공한다.In order to achieve the above another technical problem, the present invention provides a circular plate on which a wafer can be seated, a gas injection hole formed on the surface of the plate, and a surface different from the gas injection hole on the surface of the plate. A baking method comprising a wafer support pin and an air pump connected to the gas injection port and configured to be external to the plate, the method comprising: loading a photoresist-coated wafer into a plate of a baking device; Providing a baking method for preventing contamination of the back surface of the wafer, comprising: lifting the wafer at the surface of the plate immediately before being seated on the plate; and baking the photoresist by applying heat to the wafer. do.

상기 기체 분사구를 통하여 분사되는 기체는 공기, 질소 및 다른 기체 가스 중에서 선택된 하나인 것이 바람직하다.The gas injected through the gas injection port is preferably one selected from air, nitrogen, and other gas gases.

바람직하게는, 상기 웨이퍼를 플레이트의 표면에서 부양시키는 방법은 상기 공기 펌프를 통하여 기체 분사구로 기체를 분사하여 부양시키는 것이 적합하며, 상기 기체 분사구는 한 개 이상 다수개로 형성하는 것이 적합하다.Preferably, the method of supporting the wafer on the surface of the plate is suitable for jetting and supporting the gas through the air pump to the gas injection port, it is suitable to form at least one gas injection port.

본 발명에 따르면, 베이킹 장비의 플레이트에서 웨이퍼의 이면으로 기체를 분사하여 웨이퍼가 기체 부양에 의하여 베이킹이 되는 동안 플레이트의 표면으로부터 떠 있으므로 웨이퍼의 이면이 오염되는 것을 방지하여 공정의 파티클 발생을 억제할 수 있다.According to the present invention, since the gas is jetted from the plate of the baking equipment to the back of the wafer, the wafer floats from the surface of the plate during baking by gas flotation, thereby preventing contamination of the back surface of the wafer to suppress particle generation in the process. Can be.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 베이킹 장치의 플레이트를 나타낸 단면도 및 사시도이다.3 and 4 are a cross-sectional view and a perspective view showing a plate of the baking apparatus according to the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 베이킹 장치의 플레이트를 나타낸 단면도로서, 베이킹 장치에서 웨이퍼(102)를 안착시킬 수 있는 플레이트(100)가 있고, 상기 플레이트(100)에는 다수개의 기체 분사구(104)가 뚫려져 있다. 이러한, 기체 분사구(104)는 플레이트(100)의 외부에 설계된 공기 펌프(106)와 연결되어 있다. 또한, 상기 플레이트(100)의 표면에는 웨이퍼 지지핀(도시 안됨)이 다수개 설치되어 있다. 상기 웨이퍼 지지핀은 외부로부터 베이킹을 수행하기 위하여 로딩(loading)된 웨이퍼(102)가 상기 기체 분사구(104)를 통하여 기체가 분사되어 웨이퍼(102)가 부양되기 전까지 웨이퍼(102)를 플레이트(100)의 표면에 닿지 않게 하는 역할을 한다.Referring to Figure 3, a cross-sectional view showing a plate of the baking apparatus according to the present invention, there is a plate 100 that can seat the wafer 102 in the baking device, the plate 100 is a plurality of gas injection holes 104 ) Is pierced. The gas injection hole 104 is connected to an air pump 106 designed on the outside of the plate 100. In addition, a plurality of wafer support pins (not shown) are provided on the surface of the plate 100. The wafer support pin is configured to plate the wafer 102 until the wafer 102 is loaded to perform baking from the outside, and gas is injected through the gas injection hole 104 so that the wafer 102 is supported. ) Does not touch the surface.

본 발명에 따른 베이킹 장치 플레이트의 가장 특징적인 면은, 웨이퍼(102)에 도포된 포토레지스트의 용제(solvent) 성분을 열처리로 증발시키는 과정에서 웨이퍼(102)를 플레이트(100)의 표면에 밀착시키지 않고 부양시키는 것이다. 이를 상세히 설명하면, 상기 공기 펌프(106)에서 생성된 일정한 공기압을 갖는 기체는 상기 기체 분사구(104)를 통하여 고르게 분사되어 웨이퍼(102)가 플레이트(100)의 표면에 흡착되지 않고 분사되는 공기압에 따라서 조정 가능한 소정의 간격으로 떠 있는 상태에서 베이킹이 진행되게 된다. 따라서, 특정 웨이퍼의 이면(backside)이 포토레지스트나 현상액 등과 같은 오염물질로 오염되어 있더라도 오염물질이 다른 웨이퍼로 확산되어 공정중에 파티클이 증가하는 문제를 방지한다. 더욱이, 상기 공기 분사구(104)를 통하여 웨이퍼를 부양시키는 공기는 가공중인 웨이퍼 이면의 오염물질을 소정의 공기압으로 날려서 웨이퍼의 베이킹 장치의 외부로 배출시키므로, 설령 특정 웨이퍼의 이면에 오염물질이 있더라도 오염된 정도를 기체 분사구(104)를 통하여 배출되는 공기압으로 조절하여 제거하는 것이 가능하게 된다.The most characteristic aspect of the baking apparatus plate according to the present invention is that the wafer 102 is not adhered to the surface of the plate 100 in the process of evaporating the solvent component of the photoresist applied to the wafer 102 by heat treatment. It is to support without. In detail, the gas having a constant air pressure generated by the air pump 106 is sprayed evenly through the gas injection hole 104 so that the wafer 102 is not sprayed on the surface of the plate 100 to the air pressure sprayed. Therefore, baking advances in the state which floats at the predetermined predetermined space | interval. Therefore, even if the backside of a particular wafer is contaminated with contaminants such as photoresist or developer, the contaminant is prevented from diffusing to other wafers and increasing particles during the process. Moreover, the air that supports the wafer through the air injection port 104 blows the contaminants on the back surface of the wafer under processing to a predetermined air pressure and discharges them to the outside of the wafer baking apparatus, so that even if there are contaminants on the back surface of the wafer, It is possible to adjust the removed degree to the air pressure discharged through the gas injection port 104.

도 4를 참조하면, 상기 도 3의 사시도로서 베이킹 장치의 플레이트(100) 표면을 상세히 도시하였다. 이를 설명하면, 베이킹을 진행하기 위한 웨이퍼가 위치하는 플레이트(100)의 표면에는 웨이퍼를 부양하기 위하여 형성된 다수개의 기체 분사구(104)가 있고, 다른 영역에는 적어도 3 곳 이상에서 웨이퍼를 지지하는 돌출된 형태의 웨이퍼 지지핀(108)이 설치되어 웨이퍼를 지지하도록 되어 있다.Referring to FIG. 4, the surface of the plate 100 of the baking apparatus is shown in detail as a perspective view of FIG. 3. To explain this, there are a plurality of gas injection holes 104 formed to support the wafer on the surface of the plate 100 on which the wafer for baking proceeds, and at least three protruding portions supporting the wafer in other areas. A wafer support pin 108 of the type is provided to support the wafer.

여기서, 본 발명에 따른 베이킹 장치의 플레이트를 응용하여 베이킹을 진행하는 방법을 설명하면, 먼저 상술한 플레이트(100)와, 기체 분사구(104)와 공기 펌프와 웨이퍼 지지핀(108)이 설치된 베이킹 장치로 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 로딩(loading) 한다. 이때, 웨이퍼가 플레이트의 표면에 닿기 전에 에어펌프가 작동하여 다수개로 형성된 기체 분사구를 통하여 일정한 압력의 기체가 플레이트의 상부로 분사된다. 따라서, 웨이퍼는 플레이트(100)의 표면에서 소정의 높이로 부양시키게 된다. 다음으로, 웨이퍼에 외부로부터 열을 가하여 웨이퍼 표면에 도포된 포토레지스트의 용제 성분을 베이킹하여 증발시킴으로써 웨이퍼의 이면에 오염을 방지할 수 있는 베이킹 방법을 실현할 수 있다.Here, the baking process by applying the plate of the baking apparatus according to the present invention, first, the baking apparatus provided with the above-described plate 100, the gas injection port 104, the air pump and the wafer support pin 108 The wafer to which the photoresist is applied is loaded. At this time, the air pump is operated before the wafer touches the surface of the plate, and gas of a constant pressure is injected into the upper portion of the plate through a plurality of gas injection holes. Thus, the wafer is raised to a predetermined height on the surface of the plate 100. Next, a baking method that can prevent contamination on the back surface of the wafer by applying heat from the outside to the wafer and baking and evaporating the solvent component of the photoresist applied on the wafer surface can be realized.

한편, 상술한 본 발명의 실시예는 그 정신 및 필수의 특징사항으로부터 이탈하지 않고 다른 방식으로 실시할 수 있다. 일 예로, 본 실시예에서는 플레이트 표면에서 웨이퍼를 부양하는 수단을 기체 분사구를 통하여 상부로 분사되는 일정한 공기압을 갖는 기체로 예시하였지만, 이를 변형하여 자계의 힘이나 기타 다른 수단을 통하여 실현하는 것이 가능하다 할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서는 기체 분사구를 통하여 분사되는 기체가 공기로 예시하였지만, 이를 질소가스나 기타 다른 가스(gas)로 치환하여도 본 발명이 추구하는 효과를 충분히 거둘 수 있다. 마지막으로, 본 실시예에서는 기체 분사구를 다수개로 예시하였지만 이를 변형하여 종래의 기술에서 나타난 진공흡착홀과 같은 형상으로 대치하여도 기체를 분사하여 웨이퍼를 부양시키는 방법을 구현할 수 있다. 따라서, 상술한 본 발명의 바람직한 실시예는 본 발명의 사상을 실현하기 위한 예시적인 방법이지 이를 한정하는 의미는 아니다.On the other hand, embodiments of the present invention described above can be implemented in other ways without departing from the spirit and essential features. As an example, in the present embodiment, the means for supporting the wafer on the plate surface is illustrated as a gas having a constant air pressure injected upward through the gas injection port, but it is possible to modify this to be realized through the force of the magnetic field or other means. can do. In addition, in the embodiment of the present invention, the gas injected through the gas injection port is illustrated as air, but even if it is replaced with nitrogen gas or other gas (gas) can sufficiently achieve the effect of the present invention. Lastly, in the present embodiment, a plurality of gas injection holes are illustrated, but a method of supporting the wafer by spraying gas may be implemented even if the gas injection hole is modified to replace the shape of the vacuum suction hole. Therefore, the above-described preferred embodiment of the present invention is an exemplary method for realizing the spirit of the present invention, but is not meant to limit it.

그러므로, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명이 속한 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.Therefore, the present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit to which the present invention belongs.

본 발명에 따르면, 반도체 제조공정의 사진공정에서 포토레지스트를 웨이퍼에 도포하고 베이킹하는 공정에서 플레이트의 표면에 웨이퍼가 흡착되지 않고 일정한 간격으로 공기압에 의하여 부양되게 만들어서 웨이퍼의 이면이 포토레지스트나 현상액과 같은 오염물질로부터 오염되는 것을 방지하여 반도체 제조공정에서 많은 문제를 야기하는 파티클의 발생을 억제할 수 있다.According to the present invention, in the process of coating and baking photoresist on a wafer in a photolithography process of a semiconductor manufacturing process, the wafer is not adsorbed to the surface of the plate and is floated by air pressure at regular intervals so that the back surface of the wafer and the photoresist By preventing contamination from the same contaminants, it is possible to suppress the generation of particles that cause a lot of problems in the semiconductor manufacturing process.

Claims (6)

웨이퍼를 안착할 수 있는 원형의 플레이트(plate);A circular plate on which the wafer can be seated; 상기 플레이트의 표면에 구성된 기체 분사구;A gas injection hole configured on a surface of the plate; 상기 플레이트의 표면에 상기 기체 분사구와 다른 위치에 구성된 웨이퍼 지지핀; 및A wafer support pin configured at a position different from the gas injection hole on the surface of the plate; And 상기 기체 분사구와 연결되어 플레이트의 외부에 구성된 공기 펌프를 구비하는 것을 특징으로 하는 베이킹 장치에 사용되는 웨이퍼 이면의 오염 방지용 플레이트.Plate for preventing contamination of the back surface of the wafer used in the baking apparatus, characterized in that it comprises an air pump connected to the gas injection port configured on the outside of the plate. 제1항에 있어서, 상기 기체 분사구는 1개 이상 구성된 것을 특징으로 하는 베이킹 장치에 사용되는 웨이퍼 이면의 오염 방지용 플레이트.2. The plate for preventing contamination of the back surface of a wafer for use in a baking apparatus according to claim 1, wherein at least one gas injection hole is formed. 웨이퍼를 안착할 수 있는 원형의 플레이트(plate)와,A circular plate on which the wafer can be seated, 상기 플레이트의 표면에 구성된 기체 분사구와,A gas injection hole configured on the surface of the plate, 상기 플레이트의 표면에 상기 기체 분사구와 다른 위치에 구성된 웨이퍼 지지핀과,A wafer support pin configured at a position different from the gas injection hole on the surface of the plate; 상기 기체 분사구와 연결되어 플레이트의 외부에 구성된 공기 펌프를 구비한 베이킹 장치를 통한 베이킹 방법에 있어서,In the baking method through the baking device having an air pump connected to the gas injection port configured on the outside of the plate, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 베이킹 장치의 플레이트로 로딩하는 단계;Loading the photoresist-coated wafer into a plate of a baking apparatus; 상기 웨이퍼가 플레이트에 안착되기 직전에 웨이퍼를 플레이트의 표면에서 부양시키는 단계;Lifting the wafer off the surface of the plate just before the wafer is seated on the plate; 상기 웨이퍼에 열을 가하여 포토레지스트를 베이킹(baking)하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이면의 오염을 방지하는 베이킹 방법.Baking the photoresist by applying heat to the wafer. 제3항에 있어서, 상기 기체 분사구를 통하여 분사되는 기체는 공기, 질소 및 다른 기체 가스 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이면의 오염을 방지하는 베이킹 방법.The baking method of claim 3, wherein the gas injected through the gas injection port is one selected from air, nitrogen, and other gas gases. 제3항에 있어서, 상기 웨이퍼가 플레이트에 안착되기 직전에 웨이퍼를 플레이트의 표면에서 부양시키는 방법은 상기 공기 펌프를 통하여 기체 분사구로 기체를 분사하여 부양시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이면의 오염을 방지하는 베이킹 방법.4. The method of claim 3, wherein the method for supporting the wafer at the surface of the plate immediately before the wafer is seated on the plate is characterized in that to prevent the contamination of the back surface of the wafer, characterized in that by spraying the gas to the gas injection port through the air pump. Baking method. 제5항에 있어서, 상기 기체분사구는 한 개 이상 다수로 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이면의 오염을 방지하는 베이킹 방법.6. The baking method of claim 5, wherein the gas injection port is formed in one or more pieces.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20030003471A (en) * 2001-07-02 2003-01-10 삼성전자 주식회사 A bake apparatus for semiconductor processing
KR100840713B1 (en) * 2007-05-17 2008-06-23 로체 시스템즈(주) Fixing device using air current flow

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030003471A (en) * 2001-07-02 2003-01-10 삼성전자 주식회사 A bake apparatus for semiconductor processing
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